JPH01235664A - 薄膜型サーマルヘッド - Google Patents
薄膜型サーマルヘッドInfo
- Publication number
- JPH01235664A JPH01235664A JP63062401A JP6240188A JPH01235664A JP H01235664 A JPH01235664 A JP H01235664A JP 63062401 A JP63062401 A JP 63062401A JP 6240188 A JP6240188 A JP 6240188A JP H01235664 A JPH01235664 A JP H01235664A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- thin film
- heating resistor
- layer
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分方
本発明は、熱印字記録に用いる薄膜型サーマルヘッド、
特にその薄膜発熱抵抗体に関するものである。
特にその薄膜発熱抵抗体に関するものである。
従来の技術
一般に熱印字記録に用いられるサーマルヘッドは、絶縁
性基板上に複数個の発熱抵抗体および発熱抵抗体に電力
を供給するための電嘆を設け、個個の発熱抵抗体に電力
を供給することにより、ジュール熱を発生させ、これに
より、印字記録を行う構成となっている。
性基板上に複数個の発熱抵抗体および発熱抵抗体に電力
を供給するための電嘆を設け、個個の発熱抵抗体に電力
を供給することにより、ジュール熱を発生させ、これに
より、印字記録を行う構成となっている。
これらに用いる発熱抵抗体としては、薄膜発熱抵抗体が
熱応答性が良く、高解像度化でき、信・顔性が高く、ま
た、消費電力が小さい等の点で、優れている。
熱応答性が良く、高解像度化でき、信・顔性が高く、ま
た、消費電力が小さい等の点で、優れている。
ところで、薄膜発熱抵抗体としては、次のことが必要と
なる。（１）高耐熱性、（２）高抵抗値、（３）高耐酸
化性、（４）製造プロセスにおけるシート抵抗の安定性
。
なる。（１）高耐熱性、（２）高抵抗値、（３）高耐酸
化性、（４）製造プロセスにおけるシート抵抗の安定性
。
（１） 、 （２）については、例えば、チタン炭化物
と炭化珪素でなる薄膜発熱抵抗体く以後Ｔｉｅ−Ｓ工Ｃ
と略記）を用いれば、達成できるが、これは通常、Ｔ工
ＣとＳｉＣの焼結体をターゲットとし、スパッタリング
により形成される。本来、ＴｉＣとＳｉＣは、いずれも
、化学的に嘆めて安定であり、耐酸化性も良好であるが
、スパッタリング時の解離現象のため、形成される膜は
、必ずしも化学量論的組成のＴｉｅとＳｉＣの混合物で
はな（、（ＴｉＣ２、ｘ（１）また、スパッタリング形
成した膜は、一般にアモルファス状態でガスを内蔵しや
すく、また、プラズマダメージに依り膜中に空孔等の構
造欠陥も存在し、膜内でのガス（０，Ｎ等）の拡散のし
やすさも強まる。即ち、こうした組成のズレや欠陥。
と炭化珪素でなる薄膜発熱抵抗体く以後Ｔｉｅ−Ｓ工Ｃ
と略記）を用いれば、達成できるが、これは通常、Ｔ工
ＣとＳｉＣの焼結体をターゲットとし、スパッタリング
により形成される。本来、ＴｉＣとＳｉＣは、いずれも
、化学的に嘆めて安定であり、耐酸化性も良好であるが
、スパッタリング時の解離現象のため、形成される膜は
、必ずしも化学量論的組成のＴｉｅとＳｉＣの混合物で
はな（、（ＴｉＣ２、ｘ（１）また、スパッタリング形
成した膜は、一般にアモルファス状態でガスを内蔵しや
すく、また、プラズマダメージに依り膜中に空孔等の構
造欠陥も存在し、膜内でのガス（０，Ｎ等）の拡散のし
やすさも強まる。即ち、こうした組成のズレや欠陥。
膜構造等に依り、（３）の耐酸化性が十分ではない。
通常サーマルヘッドは、発熱抵抗体上に耐摩耗保護膜を
形成した構造をとり、この耐摩耗保護膜は、発熱抵抗体
の酸化防止効果も有する。しかしながら、耐摩耗保護膜
にピンホール等の形成不良がある場合は、ピンホールを
通して、酸素が侵入する為、この限りではない。
形成した構造をとり、この耐摩耗保護膜は、発熱抵抗体
の酸化防止効果も有する。しかしながら、耐摩耗保護膜
にピンホール等の形成不良がある場合は、ピンホールを
通して、酸素が侵入する為、この限りではない。
最近のサーマルヘッドの高速化においては、短パルス幅
で電力を投入するため、高電力を印加する必要があり、
発熱抵抗体表面最高温度は、４００〜５００’Ｃ程度に
なり、従って、発熱抵抗体とじても、この程度の温度に
おける耐酸化性が十分でなければならない。このため、
発熱抵抗体を二層構造とし、その上層として、酸素の自
己拡散係数の小さい、珪素系の単一材料を採用すること
で、耐酸化性の良好な、薄膜発熱抵抗体を構成すること
ができる。
で電力を投入するため、高電力を印加する必要があり、
発熱抵抗体表面最高温度は、４００〜５００’Ｃ程度に
なり、従って、発熱抵抗体とじても、この程度の温度に
おける耐酸化性が十分でなければならない。このため、
発熱抵抗体を二層構造とし、その上層として、酸素の自
己拡散係数の小さい、珪素系の単一材料を採用すること
で、耐酸化性の良好な、薄膜発熱抵抗体を構成すること
ができる。
ところで、最近、情報端末機器の低コスト化の中で、サ
ーマルヘッドの低コスト化も盛んに行われている。これ
に対するアプローチとして、例えば、真空薄膜形成装置
を用いずに、印刷等の手法を用いて、薄膜形成すること
も行われている。この際、大気中における焼成工程が必
要となるため、通常、酸化物発熱抵抗体を用いる。この
酸化物系発熱抵抗体としては、ＲｕＯ２系が安定である
ことが知られているが、このＲｕＯ２は、極めて高価で
ある。また、印刷に依る形成手段は、比較的、抵抗値バ
ラツキを生じやすく、加えて、ＲｕＯ２と、この上に形
成する電極の間にコンタクト抵抗を生じやすいこと等が
挙げられる。従って、抵抗値バラツキを押えるためには
、発熱抵抗体のみシート抵抗再現性分布の良い通常の真
空薄膜形成装置を用い、電極、耐摩耗保護膜は印刷焼成
というハイブリッドプロセスが考えられる。
ーマルヘッドの低コスト化も盛んに行われている。これ
に対するアプローチとして、例えば、真空薄膜形成装置
を用いずに、印刷等の手法を用いて、薄膜形成すること
も行われている。この際、大気中における焼成工程が必
要となるため、通常、酸化物発熱抵抗体を用いる。この
酸化物系発熱抵抗体としては、ＲｕＯ２系が安定である
ことが知られているが、このＲｕＯ２は、極めて高価で
ある。また、印刷に依る形成手段は、比較的、抵抗値バ
ラツキを生じやすく、加えて、ＲｕＯ２と、この上に形
成する電極の間にコンタクト抵抗を生じやすいこと等が
挙げられる。従って、抵抗値バラツキを押えるためには
、発熱抵抗体のみシート抵抗再現性分布の良い通常の真
空薄膜形成装置を用い、電極、耐摩耗保護膜は印刷焼成
というハイブリッドプロセスが考えられる。
印刷電極は、大気中焼成のため、通常金レジネートが用
いられるが、こうしたハイブリッドプロセスを行う際、
これに適した発熱抵抗体の特徴としては、上述した耐酸
化性が良好なこと−（１）以外に、金レジネートと顕著
な合金化反応が生じないこと−（２）、金との密着性が
良好なこと−（３）等が、挙げられるが、上述した様な
二層構造の薄膜発熱抵抗体で上層に珪素系の単一材料を
採用したもの（（１）を満たすもの）では、（２） 、
（３）のいずれも満足することは、困難であった。
いられるが、こうしたハイブリッドプロセスを行う際、
これに適した発熱抵抗体の特徴としては、上述した耐酸
化性が良好なこと−（１）以外に、金レジネートと顕著
な合金化反応が生じないこと−（２）、金との密着性が
良好なこと−（３）等が、挙げられるが、上述した様な
二層構造の薄膜発熱抵抗体で上層に珪素系の単一材料を
採用したもの（（１）を満たすもの）では、（２） 、
（３）のいずれも満足することは、困難であった。
発明が解決しようとする課題
上述した様に、従来のサーマルヘッドの薄膜発熱抵抗体
では、発熱抵抗体のみを真空薄膜形成装置で形成し、電
極・耐摩耗保護膜を印刷・大気中焼成するハイブリッド
化プロセスにおいて、薄膜発熱抵抗体に必要な性質をす
べて満足することができなかった。
では、発熱抵抗体のみを真空薄膜形成装置で形成し、電
極・耐摩耗保護膜を印刷・大気中焼成するハイブリッド
化プロセスにおいて、薄膜発熱抵抗体に必要な性質をす
べて満足することができなかった。
かかる点から、本発明は、サーマルヘッドのノ・イブリ
ッド化に必要な特徴を有する薄膜発熱抵抗体を備えた薄
膜型サーマルヘッドを提供することを目的とするもので
ある。
ッド化に必要な特徴を有する薄膜発熱抵抗体を備えた薄
膜型サーマルヘッドを提供することを目的とするもので
ある。
課題を解決するだめの手段
本発明は、上記課題を解決するために、薄膜発熱抵抗体
を二層構造とし、その上層として、珪素と、炭化珪素・
酸化珪素・窒化珪素・ホウ化珪素の中より選ばれたもの
の混合物でなるもの、特に珪素と炭化珪素を適切に混合
した混合物でなるものとしたものである。
を二層構造とし、その上層として、珪素と、炭化珪素・
酸化珪素・窒化珪素・ホウ化珪素の中より選ばれたもの
の混合物でなるもの、特に珪素と炭化珪素を適切に混合
した混合物でなるものとしたものである。
作用
上述した構成における上層の珪素と炭化珪素の混合物で
なる材料層は、珪素、炭化珪素いずれも、酸素の自己拡
散係数が小さいため、酸化防止効果に擾れ、二層構造の
薄膜発熱抵抗体の下層材料層に特に耐酸化性がなくても
、良好な耐酸化性を有する薄膜発熱抵抗体を構成するこ
とができる。加えて、サーマルヘッドの低コスト化のた
めにハイブリッド化プロセスを用いる場合には、電極金
属（通常金）との顕著な合金化反応が生じないことと、
金電極の密着性が良好なことの２つが必要であるが、実
はこの２つは全く相反する性質である。
なる材料層は、珪素、炭化珪素いずれも、酸素の自己拡
散係数が小さいため、酸化防止効果に擾れ、二層構造の
薄膜発熱抵抗体の下層材料層に特に耐酸化性がなくても
、良好な耐酸化性を有する薄膜発熱抵抗体を構成するこ
とができる。加えて、サーマルヘッドの低コスト化のた
めにハイブリッド化プロセスを用いる場合には、電極金
属（通常金）との顕著な合金化反応が生じないことと、
金電極の密着性が良好なことの２つが必要であるが、実
はこの２つは全く相反する性質である。
通常合金化反応が生じやすいもの程、密着性は良好にな
る。上述した上層の珪素と炭化珪素の混合物でなる材料
層について考えると、珪素のみとした場合、珪素と金電
極は、非常に顕著な合金化反応を生じるが、密着性は極
めて良好である。合金化反応が生じた場合、具体的には
、発熱抵抗体の抵抗値変動、電極抵抗値の増加、パター
ン形成時のエツチングが困難になること等が起こり、問
題となる。一方、上層を炭化珪素のみとした場合、炭化
珪素は極めて化学的に安定で、容易に金と合金化反応を
生じない。しかしながら、炭化珪素と金の密着性が悪い
。このように上層材料層を珪素のみ、あるいは、炭化珪
素のみにした場合には、各々合金化反応の抑制と、密着
性の良好化の両者を同時に満足することはできない。し
かしながら、上層材料層として、珪素と炭化珪素を適切
に混合した混合物（珪素組成比２０〜９ｏｍｏ１％）を
用いることで、金との合金化反応を抑制し、かつ金との
密着性も良好にすることができ、この薄、嘆発熱抵抗体
を用いることで、上述したハイブリッド化プロセスを用
いることができ、サーマルヘッドの低コスト化と信頼性
の向上を図ることができ、その工業的価値は高い。
る。上述した上層の珪素と炭化珪素の混合物でなる材料
層について考えると、珪素のみとした場合、珪素と金電
極は、非常に顕著な合金化反応を生じるが、密着性は極
めて良好である。合金化反応が生じた場合、具体的には
、発熱抵抗体の抵抗値変動、電極抵抗値の増加、パター
ン形成時のエツチングが困難になること等が起こり、問
題となる。一方、上層を炭化珪素のみとした場合、炭化
珪素は極めて化学的に安定で、容易に金と合金化反応を
生じない。しかしながら、炭化珪素と金の密着性が悪い
。このように上層材料層を珪素のみ、あるいは、炭化珪
素のみにした場合には、各々合金化反応の抑制と、密着
性の良好化の両者を同時に満足することはできない。し
かしながら、上層材料層として、珪素と炭化珪素を適切
に混合した混合物（珪素組成比２０〜９ｏｍｏ１％）を
用いることで、金との合金化反応を抑制し、かつ金との
密着性も良好にすることができ、この薄、嘆発熱抵抗体
を用いることで、上述したハイブリッド化プロセスを用
いることができ、サーマルヘッドの低コスト化と信頼性
の向上を図ることができ、その工業的価値は高い。
実施例
第１図に、本発明におけるハイブリッド化プロセスを用
いた薄膜型サーマルヘッドの基本構成を示す。本実施例
では、下層材料層としてＴｉｅ −ＳｉＣ１上層が珪素
（以後Ｓｉと略記）と炭化珪素（以後ＳｉＣと略記）の
混合物でなる二層構造の薄膜発熱抵抗体を用いた。
いた薄膜型サーマルヘッドの基本構成を示す。本実施例
では、下層材料層としてＴｉｅ −ＳｉＣ１上層が珪素
（以後Ｓｉと略記）と炭化珪素（以後ＳｉＣと略記）の
混合物でなる二層構造の薄膜発熱抵抗体を用いた。
さて、第１図において、電気的絶縁性基板１上に、スパ
ッタリング等の薄膜形成技術により、Ｔ工Ｃ−３ｉＣで
なる下層発熱体層２と、ＳｌとＳユＣの混合物でなる上
層バッファ層３でなる薄膜発熱抵抗体４を形成し、この
上に、薄膜発熱抵抗体４に通電するために通常、金レジ
ネートを印刷焼成した電極５を形成した後、フォトリソ
グラフィー技術により、パターン形成し、この上に、通
常、ガラス等でなる保護層６（保護層６は、通常、紙に
印字する際の接触摩耗を防ぐために存在する）を印刷焼
成した構成をとる。
ッタリング等の薄膜形成技術により、Ｔ工Ｃ−３ｉＣで
なる下層発熱体層２と、ＳｌとＳユＣの混合物でなる上
層バッファ層３でなる薄膜発熱抵抗体４を形成し、この
上に、薄膜発熱抵抗体４に通電するために通常、金レジ
ネートを印刷焼成した電極５を形成した後、フォトリソ
グラフィー技術により、パターン形成し、この上に、通
常、ガラス等でなる保護層６（保護層６は、通常、紙に
印字する際の接触摩耗を防ぐために存在する）を印刷焼
成した構成をとる。
第２図に、本発明の薄膜発熱抵抗体の上層バッファＥ３
の酸化防止効果の一例を示す。同図で、横軸に大気中熱
処理温度、縦軸には各々の温度で１時間熱処理した際の
シート抵抗の初期値に対する変動を示す。曲線了ば、薄
膜発熱抵抗体の上層バッファ層３がなく、下層Ｔｉｅ／
ＳｉＣのみの場合、曲線８は、上、留バッフ７層３がＳ
ｉ（膜厚１ｏＯＡ）のみで、下層がＴｉＣ／ＳｉＣの場
合、曲線９は、上層バッファ層が５ｉＣ（ＩＩＱ厚１０
０人）のみで、下層がＴｉＣ／ＳｉＣの場合である。曲
線７より、」二層バッファ層３がない場合は、３５０’
Ｃの大気中熱処理によっても、シート抵抗変動は、＋１
６係程度で、顕著な酸化が起きているのに対し、曲線８
１曲線９より、上層バッファ層３が、ＳｉあるいはＳ工
Ｃいずれにおいても、８００ ’Ｃ程度まで酸化現象は
生じておらず著しく耐酸化性が向上していることがわか
る。これは、Ｓｉ、ＳｉＣいずれも酸素の自己拡散係数
が小さいためであシ、本発明における上層バッファ層３
のＳｉとＳｉＣの混合物における耐酸化性は、曲線８，
９ではさ１れた領域に存在し、耐酸化性は良好である。
の酸化防止効果の一例を示す。同図で、横軸に大気中熱
処理温度、縦軸には各々の温度で１時間熱処理した際の
シート抵抗の初期値に対する変動を示す。曲線了ば、薄
膜発熱抵抗体の上層バッファ層３がなく、下層Ｔｉｅ／
ＳｉＣのみの場合、曲線８は、上、留バッフ７層３がＳ
ｉ（膜厚１ｏＯＡ）のみで、下層がＴｉＣ／ＳｉＣの場
合、曲線９は、上層バッファ層が５ｉＣ（ＩＩＱ厚１０
０人）のみで、下層がＴｉＣ／ＳｉＣの場合である。曲
線７より、」二層バッファ層３がない場合は、３５０’
Ｃの大気中熱処理によっても、シート抵抗変動は、＋１
６係程度で、顕著な酸化が起きているのに対し、曲線８
１曲線９より、上層バッファ層３が、ＳｉあるいはＳ工
Ｃいずれにおいても、８００ ’Ｃ程度まで酸化現象は
生じておらず著しく耐酸化性が向上していることがわか
る。これは、Ｓｉ、ＳｉＣいずれも酸素の自己拡散係数
が小さいためであシ、本発明における上層バッファ層３
のＳｉとＳｉＣの混合物における耐酸化性は、曲線８，
９ではさ１れた領域に存在し、耐酸化性は良好である。
この上層バッファ層３の８１とＳｉＣの混合物の組成比
を変えて、この上にＡｕ レジネートを印刷し、８００
°Ｃ，３０ｍ１ｎ、の大気中焼成を行った際の人Ｕ〜上
層バッファ層３間の密着性、Ａｕのシート抵抗の変化を
調べた結果を表１に示す。
を変えて、この上にＡｕ レジネートを印刷し、８００
°Ｃ，３０ｍ１ｎ、の大気中焼成を行った際の人Ｕ〜上
層バッファ層３間の密着性、Ａｕのシート抵抗の変化を
調べた結果を表１に示す。
（以下余白）
表１ ＡｕとＳｉ／ＳｉＣ上層バッファ層の取り合
せ表１より、Ａｕ−Ｓｉ ／ Ｓｉ、０間の密着性につ
いては、Ｓｉ組成比の増加に部ない良好になる。これは
、衆知の通り Ａｕ −Ｓｉ反応が、３７５°Ｃ付近で
生じることに依る。一方、人Ｕシート抵抗は、Ａｕ−Ｓ
ｉ合金形成に依り増加するため、ＳｉＣ組成比が大きい
程、この合金化反応が生じないので正常な値となる。
せ表１より、Ａｕ−Ｓｉ ／ Ｓｉ、０間の密着性につ
いては、Ｓｉ組成比の増加に部ない良好になる。これは
、衆知の通り Ａｕ −Ｓｉ反応が、３７５°Ｃ付近で
生じることに依る。一方、人Ｕシート抵抗は、Ａｕ−Ｓ
ｉ合金形成に依り増加するため、ＳｉＣ組成比が大きい
程、この合金化反応が生じないので正常な値となる。
表１より、密着性が良好かつＡｕシート抵抗が正常な上
層バッファ層３のＳｉ／ＳｉＣ混合物の組成範囲は、Ｓ
ｉ組成比で、２ｏ〜ｇ □ ｍｏ１％であり、この組成
範囲においては、Ａｕ電欄形成後、フォトリソグラフィ
ー技術に依りパターン形成した後の発熱抵抗体の抵抗値
は、正常な値を示した。この後、ガラス保護膜を印刷焼
成した後の抵抗値も正常な値を示し、酸化傾向は存在し
ない。
層バッファ層３のＳｉ／ＳｉＣ混合物の組成範囲は、Ｓ
ｉ組成比で、２ｏ〜ｇ □ ｍｏ１％であり、この組成
範囲においては、Ａｕ電欄形成後、フォトリソグラフィ
ー技術に依りパターン形成した後の発熱抵抗体の抵抗値
は、正常な値を示した。この後、ガラス保護膜を印刷焼
成した後の抵抗値も正常な値を示し、酸化傾向は存在し
ない。
この様に、本発明の二層構造薄膜発熱抵抗体の」二層に
、ＳｉとＳｉＣノ混合物（Ｓｉ組組成比２御〜９ハイブ
リッド化プロセスを用いることができ、サーマルヘッド
の低コスト化が図れる。また、下層発熱体層２には、特
に耐酸化性を考慮する必要が彦いため、材料選択の自由
度が増大する。
、ＳｉとＳｉＣノ混合物（Ｓｉ組組成比２御〜９ハイブ
リッド化プロセスを用いることができ、サーマルヘッド
の低コスト化が図れる。また、下層発熱体層２には、特
に耐酸化性を考慮する必要が彦いため、材料選択の自由
度が増大する。
尚、上層材料については、本実施例の８１とＳｉＣの混
合物以外に、Ａｕとの反応性においては、Ｓｉ＞、）
ＳｉＢ ） ＳｉＮ， ５１０２ 、＞ ＳｉＣ （
ＳＩＢ ： ホウ化珪素， ＳｉＮ 窒化珪素， ５
ｉｏ２ 酸化珪素）であり、まだ珪素系化合物はいず
れも酸素の自己拡散係数が小さいことから、Ｓｌと、Ｓ
ｉＢ， ＳｉＮ， ５ｉ０２の中より選ばれたものを適
切に混合した混合物を上層材料として用いても、同様な
結果を得ることができる。
合物以外に、Ａｕとの反応性においては、Ｓｉ＞、）
ＳｉＢ ） ＳｉＮ， ５１０２ 、＞ ＳｉＣ （
ＳＩＢ ： ホウ化珪素， ＳｉＮ 窒化珪素， ５
ｉｏ２ 酸化珪素）であり、まだ珪素系化合物はいず
れも酸素の自己拡散係数が小さいことから、Ｓｌと、Ｓ
ｉＢ， ＳｉＮ， ５ｉ０２の中より選ばれたものを適
切に混合した混合物を上層材料として用いても、同様な
結果を得ることができる。
発明の効果
以」−述べてきた様に、本発明は、薄膜発熱抵抗体とし
て、二層構造を有し、二層構造の上層が、珪素と、炭化
珪素・酸化珪素・窒化珪素・ホウ化珪素の中より選ばれ
たものを適切に混合した混合物でなるものであり、これ
により、ノ・イブリッド化プロセスを適応でき、サーマ
ルヘッドの低コスト化が図れると共に、下層材料の選択
の自由度が大きく、極めて信頼性の高いサーマルヘッド
を容易に実現できる。
て、二層構造を有し、二層構造の上層が、珪素と、炭化
珪素・酸化珪素・窒化珪素・ホウ化珪素の中より選ばれ
たものを適切に混合した混合物でなるものであり、これ
により、ノ・イブリッド化プロセスを適応でき、サーマ
ルヘッドの低コスト化が図れると共に、下層材料の選択
の自由度が大きく、極めて信頼性の高いサーマルヘッド
を容易に実現できる。
第１図は本発明の一実施例の薄膜型サーマルヘッドの基
本構造を示した断面図、第２図は本発明の二層構造薄膜
発熱抵抗体の上層の一例として、珪素と炭化珪素の混合
物を用いた際の耐酸化性を説明するだめの特性図である
。 ３・・・・・・上層バッファ層、４・・・・・・薄膜発
熱抵抗体。
本構造を示した断面図、第２図は本発明の二層構造薄膜
発熱抵抗体の上層の一例として、珪素と炭化珪素の混合
物を用いた際の耐酸化性を説明するだめの特性図である
。 ３・・・・・・上層バッファ層、４・・・・・・薄膜発
熱抵抗体。
Claims (3)
- （１）二層構造の薄膜発熱抵抗体を有し、この二層構造
のうちの上層が、珪素と、炭化珪素・酸化珪素・窒化珪
素・ホウ化珪素の中より選ばれたものの混合物でなる薄
膜型サーマルヘッド。 - （２）二層構造の薄膜発熱抵抗体の上層が、珪素と炭化
珪素の混合物でなる特許請求の範囲第１項に記載の薄膜
型サーマルヘッド。 - （３）二層構造の薄膜発熱抵抗体の上層が、珪素と炭化
珪素の混合物でなり、この混合物における珪素組成比が
、２０〜９０ｍｏｌ％である特許請求の範囲第１項に記
載の薄膜型サーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63062401A JPH01235664A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 薄膜型サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63062401A JPH01235664A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 薄膜型サーマルヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235664A true JPH01235664A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13199077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63062401A Pending JPH01235664A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 薄膜型サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01235664A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5870121A (en) * | 1996-11-08 | 1999-02-09 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Ti/titanium nitride and ti/tungsten nitride thin film resistors for thermal ink jet technology |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP63062401A patent/JPH01235664A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5870121A (en) * | 1996-11-08 | 1999-02-09 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Ti/titanium nitride and ti/tungsten nitride thin film resistors for thermal ink jet technology |
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