JPH01236607A - 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 - Google Patents
還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物Info
- Publication number
- JPH01236607A JPH01236607A JP63063955A JP6395588A JPH01236607A JP H01236607 A JPH01236607 A JP H01236607A JP 63063955 A JP63063955 A JP 63063955A JP 6395588 A JP6395588 A JP 6395588A JP H01236607 A JPH01236607 A JP H01236607A
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- reduction
- type semiconductor
- dielectric constant
- composition
- porcelain composition
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に利用されるチタン酸バリウム系
の還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組底物に関する
ものである。
の還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組底物に関する
ものである。
従来の技術
一般に還元再酸化型半導体コンデンサは、誘電体磁器を
還元雰囲気中で熱処理して半導体化し、さらに空気中で
熱処理全行って表面に薄い誘電体層全形成して、これに
電極全付与することによって得られる。この還元再酸化
型半導体コンデンサは誘電体Ｍを薄くできるため、見掛
は上誘電率が大きく小形で大容量で得られる。還元再酸
化型半導体コンデンサが得られる磁器組成は、特公昭６
１−４４７３８号公報や特開昭５８−４８９０８号公報
に開示されているようにＢａＴｉ０ 、金主成分として
Ｌａ 、Ｃｅ 、Ｎｄ等の希土類元素酸化物を添加
したものが知られている。これらの希土類元素酸化物は
、半導体化元素となるのみならずキュリー点の７フター
となるため、室温付近で高誘電率が得られ、反面誘電率
の温度変化率が大きい。−万、誘電率の温度特性を改善
するためには、特公昭５θ−３７６９１号公報や特公昭
６６−４０９６５号公報に開示されているようにＢ１ｆ
ｔ添加したものが提案されている。
還元雰囲気中で熱処理して半導体化し、さらに空気中で
熱処理全行って表面に薄い誘電体層全形成して、これに
電極全付与することによって得られる。この還元再酸化
型半導体コンデンサは誘電体Ｍを薄くできるため、見掛
は上誘電率が大きく小形で大容量で得られる。還元再酸
化型半導体コンデンサが得られる磁器組成は、特公昭６
１−４４７３８号公報や特開昭５８−４８９０８号公報
に開示されているようにＢａＴｉ０ 、金主成分として
Ｌａ 、Ｃｅ 、Ｎｄ等の希土類元素酸化物を添加
したものが知られている。これらの希土類元素酸化物は
、半導体化元素となるのみならずキュリー点の７フター
となるため、室温付近で高誘電率が得られ、反面誘電率
の温度変化率が大きい。−万、誘電率の温度特性を改善
するためには、特公昭５θ−３７６９１号公報や特公昭
６６−４０９６５号公報に開示されているようにＢ１ｆ
ｔ添加したものが提案されている。
発明が解決しようとする課題
しかし、このようなりｉｔ添加した組成物では、焼成時
にＢｉが蒸発し電気特性のバラツキの原因となる。特に
、還元再酸化型半導体コンデンサは表面の薄い１誘、電
体層を用いるため、Ｂ１の蒸発による表面付近の不均質
が一気特性のバラツキに与える影響が大きく問題となる
０ 本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、量産性に優
れ誘電率の温度特性が良好な還元再酸化型半導体コンデ
ンサ用磁器組成物ヲ提供することを目的とするものであ
る。
にＢｉが蒸発し電気特性のバラツキの原因となる。特に
、還元再酸化型半導体コンデンサは表面の薄い１誘、電
体層を用いるため、Ｂ１の蒸発による表面付近の不均質
が一気特性のバラツキに与える影響が大きく問題となる
０ 本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、量産性に優
れ誘電率の温度特性が良好な還元再酸化型半導体コンデ
ンサ用磁器組成物ヲ提供することを目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明は、ＢａＴ１０３８７
．４〜９７．３モルチ、Ｙｂ２０３ｏ、ｙ〜２．６モル
チ、ＴｉＯ２またはＺｒＯ２の少なくとも１つを２．０
〜１０．０モルチからなる組成物に対して、さらにＭｎ
０２ｔ−０〜ム、０重量％および８１０□を０〜１．０
重量％含有してなる還元再酸化型半導体コンデンサ用磁
器組成物を提供するものである。
．４〜９７．３モルチ、Ｙｂ２０３ｏ、ｙ〜２．６モル
チ、ＴｉＯ２またはＺｒＯ２の少なくとも１つを２．０
〜１０．０モルチからなる組成物に対して、さらにＭｎ
０２ｔ−０〜ム、０重量％および８１０□を０〜１．０
重量％含有してなる還元再酸化型半導体コンデンサ用磁
器組成物を提供するものである。
作用
従来、半導体化元累兼キエリー点のシフターと考えられ
ていた希土類元素を詳細に調べた結果、Ｌａ 、Ｃｏ
、Ｐｒ 、Ｈｄ等比較的イオン半径の大きな元素
は、半導体化元素兼キュリー点のシフターの役目をし、
これらよシイオン半径の小さな５１１Ｉ。
ていた希土類元素を詳細に調べた結果、Ｌａ 、Ｃｏ
、Ｐｒ 、Ｈｄ等比較的イオン半径の大きな元素
は、半導体化元素兼キュリー点のシフターの役目をし、
これらよシイオン半径の小さな５１１Ｉ。
Ｅｕ 、Ｇｄはキュリー点のシフト量が小さいことが
わかった。さらにイオン半径の小さなＹｂは半導体化元
素の役目だけで、キュリー点のシフトはほとんどなく、
ｙｂ２ｏ、の添加によ多温度特性が良好な還元再酸化型
半導体コンデンサが得られることを見い出した。
わかった。さらにイオン半径の小さなＹｂは半導体化元
素の役目だけで、キュリー点のシフトはほとんどなく、
ｙｂ２ｏ、の添加によ多温度特性が良好な還元再酸化型
半導体コンデンサが得られることを見い出した。
実施例
以下、実施例をあげて本発明につき詳細に説明する。高
純度０ＢａＴｉ０５．Ｙｂ２０Ｂ 、 ＴｉＯ２、Ｚｒ
Ｏ２と試薬特級のＭｎＯ２、５ｉ０２ （純度はいずれ
も９９．９−以上）を用い、第１表の組成比になるよう
に配合し、メノウ玉石を用いたボールミルで混合し乾燥
した。次にポリビニルアルコール水溶液をバインダーと
して造粒し、３２メツシユパスに整粒し直径ｅ閣、厚さ
０．３６簡の円板に約１０００ｋｇ／ｄの圧力で成形し
た。これらの成形体を空気中で１３００〜１３４０℃の
温度で２時間焼成して、直径約７．６調、厚み０．３ｍ
の円板形誘電体磁器を得た。次にこの磁器の両面に銀ペ
ーストを印刷し８５０’Ｃで焼付は電極とした。このよ
うにして作成した磁器コンデンサについて、２０℃にお
いて１ＫＨｚ １Ｖ ｒｍｓで容量、ｔａｎδを測定
し誘電率を求めた。
純度０ＢａＴｉ０５．Ｙｂ２０Ｂ 、 ＴｉＯ２、Ｚｒ
Ｏ２と試薬特級のＭｎＯ２、５ｉ０２ （純度はいずれ
も９９．９−以上）を用い、第１表の組成比になるよう
に配合し、メノウ玉石を用いたボールミルで混合し乾燥
した。次にポリビニルアルコール水溶液をバインダーと
して造粒し、３２メツシユパスに整粒し直径ｅ閣、厚さ
０．３６簡の円板に約１０００ｋｇ／ｄの圧力で成形し
た。これらの成形体を空気中で１３００〜１３４０℃の
温度で２時間焼成して、直径約７．６調、厚み０．３ｍ
の円板形誘電体磁器を得た。次にこの磁器の両面に銀ペ
ーストを印刷し８５０’Ｃで焼付は電極とした。このよ
うにして作成した磁器コンデンサについて、２０℃にお
いて１ＫＨｚ １Ｖ ｒｍｓで容量、ｔａｎδを測定
し誘電率を求めた。
また、空気中で焼成した誘電体磁器を還元雰囲気（Ｎ２
：Ｈ２＝ ９５：５）中で９５０〜１１６０℃で４時間
還元処理し半導体磁器を得、この半導体磁器を空気中で
８５０〜１０６０℃で４時間酸・化処理し、両面に銀ペ
ーストを印刷し８５０’Ｃで焼付は電極を形成し、還元
再酸化型半導体コンデンサを得た。このようにして作成
した半導体コンデンサにライて、２０℃においてＩ Ｋ
Ｈｚ ｏ、１ｖｒｍｇで単位面積当りの容量（ｎＦ／ｄ
）、直流２５Ｖ印加で絶縁抵抗ＩＲ（Ω）、直流昇圧破
壊方式で破壊電圧ＢＤＶ （Ｖ）および容量（誘電率）
の温度特性（ＴＯ）（−２５℃〜＋８５℃で２０℃基準
の変化率）を測定した。これらの測定結果を第２表に示
す。
：Ｈ２＝ ９５：５）中で９５０〜１１６０℃で４時間
還元処理し半導体磁器を得、この半導体磁器を空気中で
８５０〜１０６０℃で４時間酸・化処理し、両面に銀ペ
ーストを印刷し８５０’Ｃで焼付は電極を形成し、還元
再酸化型半導体コンデンサを得た。このようにして作成
した半導体コンデンサにライて、２０℃においてＩ Ｋ
Ｈｚ ｏ、１ｖｒｍｇで単位面積当りの容量（ｎＦ／ｄ
）、直流２５Ｖ印加で絶縁抵抗ＩＲ（Ω）、直流昇圧破
壊方式で破壊電圧ＢＤＶ （Ｖ）および容量（誘電率）
の温度特性（ＴＯ）（−２５℃〜＋８５℃で２０℃基準
の変化率）を測定した。これらの測定結果を第２表に示
す。
（以下余白）
第１表および第２表で＊印を付したものは本発明の範囲
外のものでｓｂ、それ以外は本発明の範囲内のものであ
る。
外のものでｓｂ、それ以外は本発明の範囲内のものであ
る。
Ｙｂ２０．が０．７モル係より少ない場合、誘電率の温
度特性が悪くなり、絶縁抵抗および破壊電圧が低下する
。
度特性が悪くなり、絶縁抵抗および破壊電圧が低下する
。
また、２．６モル％をこえる場合は誘電率の温度特性が
悪くなる。ＴｉＯ２またはｚｒｏ２の少なくとも１つｉ
２．０〜１０．Ｏモ／Ｌ／％としたのは、２．０モル係
よυ少ない場合、焼結体表面に針状結晶の析出が多くな
り、面積当シの容量および破壊電圧が低下し、１０．０
モル係よシ多くなると絶縁抵抗および破壊電圧が低下す
る。ＭｎＯ２の添加はｔａｎδの向上および絶縁抵抗の
向上に効果があるが、２．０Ｍ！％をこえると誘電率の
低下が大きくなる。５１０２の添加はＭｎＯ２と同様な
効果の池に焼成温度依存性を少なくする効果があるが、
１．０重重チをこえると誘電率の低下が大きくなる。
悪くなる。ＴｉＯ２またはｚｒｏ２の少なくとも１つｉ
２．０〜１０．Ｏモ／Ｌ／％としたのは、２．０モル係
よυ少ない場合、焼結体表面に針状結晶の析出が多くな
り、面積当シの容量および破壊電圧が低下し、１０．０
モル係よシ多くなると絶縁抵抗および破壊電圧が低下す
る。ＭｎＯ２の添加はｔａｎδの向上および絶縁抵抗の
向上に効果があるが、２．０Ｍ！％をこえると誘電率の
低下が大きくなる。５１０２の添加はＭｎＯ２と同様な
効果の池に焼成温度依存性を少なくする効果があるが、
１．０重重チをこえると誘電率の低下が大きくなる。
なお、本実施例では出発原料としてＭｎ０２ｉ用いたが
、ＭｎＣ０Ｂ全ノ杓いてもＭｎとして１司量であれは同
様な結果が得られる。
、ＭｎＣ０Ｂ全ノ杓いてもＭｎとして１司量であれは同
様な結果が得られる。
また、第２表に半導体コンデンサとしての容量（誘電率
）の温度特性を示したが、還元処理する前の磁器コンデ
ンサの誘電率の温度特性もほぼこれと同様でアリ、本発
明の組成物は磁器コンデンサとしても使えることは言う
までもない。
）の温度特性を示したが、還元処理する前の磁器コンデ
ンサの誘電率の温度特性もほぼこれと同様でアリ、本発
明の組成物は磁器コンデンサとしても使えることは言う
までもない。
発明の効果
以上のように本発明の組成物によれば、８１などの不安
定な元素を含まず量産性に優れ、誘電率の温度特性の良
好な還元再酸化型半導体コンデンサが得られ、実用的に
極めて有用である。
定な元素を含まず量産性に優れ、誘電率の温度特性の良
好な還元再酸化型半導体コンデンサが得られ、実用的に
極めて有用である。
Claims (1)
- ＢａＴｉＯ＿３８７．４〜９７．３モル％、Ｙｂ＿２Ｏ
＿３０．７〜２．６モル％、ＴｉＯ＿２またはＺｒＯ＿
２の少なくとも１つを２．０〜１０．０モル％からなる
組成物に対して、さらにＭｎＯ＿２を０〜２．０重量％
およびＳｉＯ＿２を０〜１．０重量％含有してなる還元
再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63063955A JP2681981B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63063955A JP2681981B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236607A true JPH01236607A (ja) | 1989-09-21 |
| JP2681981B2 JP2681981B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=13244252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63063955A Expired - Fee Related JP2681981B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681981B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415561B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터용 유전체 조성물 및 이를 이용한 유전체의 제조방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108940263A (zh) * | 2018-06-07 | 2018-12-07 | 太仓萃励新能源科技有限公司 | 一种MnO2负载TiO2一维纳米材料的制备方法 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63063955A patent/JP2681981B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415561B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터용 유전체 조성물 및 이를 이용한 유전체의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2681981B2 (ja) | 1997-11-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |