JPH01236609A - 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 - Google Patents
還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物Info
- Publication number
- JPH01236609A JPH01236609A JP63063960A JP6396088A JPH01236609A JP H01236609 A JPH01236609 A JP H01236609A JP 63063960 A JP63063960 A JP 63063960A JP 6396088 A JP6396088 A JP 6396088A JP H01236609 A JPH01236609 A JP H01236609A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reduction
- type semiconductor
- semiconductor capacitor
- reoxidation
- reoxidation type
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電子機器に用いるチタン酸バリウム系の還
元再酸化凰半導体コンデンサ用磁器組成物に関するもの
である。
元再酸化凰半導体コンデンサ用磁器組成物に関するもの
である。
従来の技術
還元再酸化型半導体コンデンサは、誘電体磁器を還元雰
囲気中で熱処理して半導体化し、さらに空気中で熱処理
を行って表面に薄い誘電体層を形成して、これに電極を
付与することによって得られる。この還元再酸化型半導
体コンデンサは誘電体層を薄くできるため、見掛は上訴
電率が大きく小形で大容量で得られる。還元再酸化型半
導体コンデンサが得られる磁器組成は、特公昭５１−４
４７３８号公報や特開昭５８−４８９０８号公報に開示
されているようにＢａＴｉＯ３を主成分としてＬａ、
Ｃθ、 Ｎｄ等の希土類元素酸化物を添加したものが知
られている。これらの希土類元素酸化物は、半導体化元
素となるのみならずキュリー点のシフターとなるため、
室温付近で高誘電率が得られ、反面誘電率の温度変化率
が大きい。一方、誘電率の温度特性を改善するためには
、特公昭６６−３７８９１号公報や特公昭５６−４０９
６５号公報に開示されているようにＢｉを添加したもの
が提案されている。
囲気中で熱処理して半導体化し、さらに空気中で熱処理
を行って表面に薄い誘電体層を形成して、これに電極を
付与することによって得られる。この還元再酸化型半導
体コンデンサは誘電体層を薄くできるため、見掛は上訴
電率が大きく小形で大容量で得られる。還元再酸化型半
導体コンデンサが得られる磁器組成は、特公昭５１−４
４７３８号公報や特開昭５８−４８９０８号公報に開示
されているようにＢａＴｉＯ３を主成分としてＬａ、
Ｃθ、 Ｎｄ等の希土類元素酸化物を添加したものが知
られている。これらの希土類元素酸化物は、半導体化元
素となるのみならずキュリー点のシフターとなるため、
室温付近で高誘電率が得られ、反面誘電率の温度変化率
が大きい。一方、誘電率の温度特性を改善するためには
、特公昭６６−３７８９１号公報や特公昭５６−４０９
６５号公報に開示されているようにＢｉを添加したもの
が提案されている。
発明が解決しようとする課題
しかし、このようなりｉを添加した組成物では、焼成時
にＢｉが蒸発し電気特性のバラツキの原因となる。特に
、還元再酸化型半導体コンデンサは表面の薄い誘電体層
を用いるため、Ｂｉの蒸発による表面付近の不均質が電
気特性のバラツキに与える影響が大きく問題となる。
にＢｉが蒸発し電気特性のバラツキの原因となる。特に
、還元再酸化型半導体コンデンサは表面の薄い誘電体層
を用いるため、Ｂｉの蒸発による表面付近の不均質が電
気特性のバラツキに与える影響が大きく問題となる。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、量産性に優
れ誘電率の温度特性が良好な還元再酸化型半導体コンデ
ンサ用磁器組成物を提供することを目的とするものであ
る。
れ誘電率の温度特性が良好な還元再酸化型半導体コンデ
ンサ用磁器組成物を提供することを目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明は、ＢａＴｉ０３８４
．７〜９８．５ ％ ル％ 、 Ｄ７２０５１．０〜３
．３ モｋ ％ 。
．７〜９８．５ ％ ル％ 、 Ｄ７２０５１．０〜３
．３ モｋ ％ 。
ＴｉＯ２またはＺｒＯ２の少なくとも１つを２．５〜１
２．０モルチからなる組成物に対して、さらにＭｎ０２
をｏ〜２．０重量％およびＳｉＯ２をＯ〜１．０重量％
含有してなる還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成
物を提供するものである。
２．０モルチからなる組成物に対して、さらにＭｎ０２
をｏ〜２．０重量％およびＳｉＯ２をＯ〜１．０重量％
含有してなる還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成
物を提供するものである。
作用
従来、半導体化元素兼キュリー点のシフターと考えられ
ていた希土類元素を詳細に調べた結果、Ｌａ、 Ｃｏ、
Ｐｒ、 Ｎｄ 等比較的イオン半径の大きな元素は
、半導体化元素兼キュリー点のシフターの役目をし、こ
れらよりイオン半径の小さなＳｍ 。
ていた希土類元素を詳細に調べた結果、Ｌａ、 Ｃｏ、
Ｐｒ、 Ｎｄ 等比較的イオン半径の大きな元素は
、半導体化元素兼キュリー点のシフターの役目をし、こ
れらよりイオン半径の小さなＳｍ 。
Ｅｕ、Ｇｄはキュリー点のシフト量が小さいことがわか
った。さらにイオン半径の小さなりｙは半導体化元素の
役目だけで、キュリー点のシフトはほとんどなく、Ｄｙ
２Ｏ３の添加によシ温度特性が良好な還元再酸化型半導
体コンデンサが得られることを見い出した。
った。さらにイオン半径の小さなりｙは半導体化元素の
役目だけで、キュリー点のシフトはほとんどなく、Ｄｙ
２Ｏ３の添加によシ温度特性が良好な還元再酸化型半導
体コンデンサが得られることを見い出した。
実施例
以下、実施例をあげて本発明につき詳細に説明する。高
純度のＢａＴｉＯ３，Ｄｙ２Ｏ５ 、 ＴｉＯ２、Ｚｒ
Ｏ２と試薬特級のＭｎＯ２、ＳｉＯ２ （純度はいずれ
も９９．９−以上）を用い、第１表の組成比になるよう
に配合し、メノウ玉石を用いたボールミルで混合し乾燥
した。次にポリビニルアルコール水溶液ｔ−バインダー
として造粒し、３２メツシユパスに整粒し、直径９１１
１１１ 、厚さ０．３５ｆｆｊｆの円板に約１ｏ ｏ
ｏｋｇ／ ｄの圧力で成形した。これらの成形体を空気
中で１３００〜．１３４０°Ｃの温度で２時間焼成して
、直径約７．５１ｆｆｌ、厚み０．３１’ｌＪｌの円板
形誘電体磁器を得た。次にこの磁器の両面に銀ペースト
を印刷し８５０′Ｃで焼付は電極とした。このようにし
て作成した磁器コンデンサについて、２０℃において１
ｋＨｚ １Ｖｒｍｓで容量、 ｔａｎδを測定し誘電
率を求めた。
純度のＢａＴｉＯ３，Ｄｙ２Ｏ５ 、 ＴｉＯ２、Ｚｒ
Ｏ２と試薬特級のＭｎＯ２、ＳｉＯ２ （純度はいずれ
も９９．９−以上）を用い、第１表の組成比になるよう
に配合し、メノウ玉石を用いたボールミルで混合し乾燥
した。次にポリビニルアルコール水溶液ｔ−バインダー
として造粒し、３２メツシユパスに整粒し、直径９１１
１１１ 、厚さ０．３５ｆｆｊｆの円板に約１ｏ ｏ
ｏｋｇ／ ｄの圧力で成形した。これらの成形体を空気
中で１３００〜．１３４０°Ｃの温度で２時間焼成して
、直径約７．５１ｆｆｌ、厚み０．３１’ｌＪｌの円板
形誘電体磁器を得た。次にこの磁器の両面に銀ペースト
を印刷し８５０′Ｃで焼付は電極とした。このようにし
て作成した磁器コンデンサについて、２０℃において１
ｋＨｚ １Ｖｒｍｓで容量、 ｔａｎδを測定し誘電
率を求めた。
また、空気中で焼成した誘電体磁器を還元雰囲気（Ｎ２
：Ｎ２ ：９５ ：ｓ ）中で９５０〜１１５０°Ｃで
４時間還元処理し半導体磁器を得、この半導体磁器を空
気中で８５０〜１０５０”Ｃで４時間酸化処理し、両面
に銀ペーストを印刷し８５０″Ｃで焼付は電極を形成し
、還元再酸化型半導体コンデンサを得た。このようにし
て作成した半導体コンデンサにツイテ、２０℃におイテ
１ ｋＨｚ ０ 、Ｉ Ｖｒｍｓで単位面積当りの容量
（ｎＦ／ｃ１１’） 、 直流２ＳＶ印加で絶縁抵抗
ＩＲ（Ω）、直流昇圧破壊方式で破壊電圧ＢＤＶ（Ｖ）
および容量（誘電率）の温度特性（Ｔｅ）（２ｏ’ｃ基
準）を測定した。これらの測定結果を第２表に示す。
：Ｎ２ ：９５ ：ｓ ）中で９５０〜１１５０°Ｃで
４時間還元処理し半導体磁器を得、この半導体磁器を空
気中で８５０〜１０５０”Ｃで４時間酸化処理し、両面
に銀ペーストを印刷し８５０″Ｃで焼付は電極を形成し
、還元再酸化型半導体コンデンサを得た。このようにし
て作成した半導体コンデンサにツイテ、２０℃におイテ
１ ｋＨｚ ０ 、Ｉ Ｖｒｍｓで単位面積当りの容量
（ｎＦ／ｃ１１’） 、 直流２ＳＶ印加で絶縁抵抗
ＩＲ（Ω）、直流昇圧破壊方式で破壊電圧ＢＤＶ（Ｖ）
および容量（誘電率）の温度特性（Ｔｅ）（２ｏ’ｃ基
準）を測定した。これらの測定結果を第２表に示す。
く第 １ 表〉
第１表および第２表で＊印を付したものは本発明の範囲
外のものであり、それ以外は本発明の範囲内のものであ
る。
外のものであり、それ以外は本発明の範囲内のものであ
る。
Ｄ）’２０ ｓが１．０モルチより少ない場合、誘電率
の温度特性が悪くなり、絶縁抵抗および破壊電圧が低下
する。また、３．３モルチをこえる場合は誘電率の温度
特性が悪くなる。ＴｉＯ２またはＺｒＯ２の少なくとも
１つを２，５〜１２，０モルチとしたのは、２．５モル
チよシ少ない場合、焼結体表面に針状結晶の析出が多く
なシ、面積当りの容量および破壊電圧が低下し、１２．
Ｑモルチより多くなると絶縁抵抗および破壊電圧が低下
する。ＭｎＯ２の添加はｔａｎδの向上および絶縁抵抗
の向上に効果があるが、２．０重量％をこえると誘電率
の低下が犬きくなる。ＳｉＯ２の添加はＭｎＯ２と同様
な効果の他に焼成温度依存性を少なくする効果があるが
、１，０重量％をこえると誘電率の低下が大きくなる。
の温度特性が悪くなり、絶縁抵抗および破壊電圧が低下
する。また、３．３モルチをこえる場合は誘電率の温度
特性が悪くなる。ＴｉＯ２またはＺｒＯ２の少なくとも
１つを２，５〜１２，０モルチとしたのは、２．５モル
チよシ少ない場合、焼結体表面に針状結晶の析出が多く
なシ、面積当りの容量および破壊電圧が低下し、１２．
Ｑモルチより多くなると絶縁抵抗および破壊電圧が低下
する。ＭｎＯ２の添加はｔａｎδの向上および絶縁抵抗
の向上に効果があるが、２．０重量％をこえると誘電率
の低下が犬きくなる。ＳｉＯ２の添加はＭｎＯ２と同様
な効果の他に焼成温度依存性を少なくする効果があるが
、１，０重量％をこえると誘電率の低下が大きくなる。
なお、本実施例では出発原料としてＭｎＯ２を用いたが
、ＭｎＣＯ３を用いてもＭｎとして同量であれば同様な
結果が得られる。
、ＭｎＣＯ３を用いてもＭｎとして同量であれば同様な
結果が得られる。
また、第２表に半導体コンデンサとしての容量（誘電率
）の温度特性を示しだが、還元処理する前の磁器コンデ
ンサの誘電率の温度特性もほぼこれと同様であシ、本発
明の組成物は磁器コンデンサとしても使えることは言う
までもない。
）の温度特性を示しだが、還元処理する前の磁器コンデ
ンサの誘電率の温度特性もほぼこれと同様であシ、本発
明の組成物は磁器コンデンサとしても使えることは言う
までもない。
発明の効果
以上のように本発明の組成物によれば、Ｂｉなどの不安
定な元素を含まず量産性に優れ、誘電率の温度特性の良
好な還元再酸化型半導体コンデンサが得られ、実用的に
極めて有用である。
定な元素を含まず量産性に優れ、誘電率の温度特性の良
好な還元再酸化型半導体コンデンサが得られ、実用的に
極めて有用である。
Claims (1)
- ＢａＴｉＯ＿３８４．７〜９６．５モル％，Ｄｙ＿２Ｏ
＿３１．０〜３．３モル％，ＴｉＯ＿２またはＺｒＯ＿
２の少なくとも１つを２．５〜１２．０モル％からなる
組成物に対して、さらにＭｎＯ＿２を０〜２．０重量％
およびＳｉＯ＿２を０〜１．０重量％含有してなる還元
再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63063960A JPH01236609A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63063960A JPH01236609A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236609A true JPH01236609A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13244387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63063960A Pending JPH01236609A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 還元再酸化型半導体コンデンサ用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01236609A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848908A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | 松下電器産業株式会社 | 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP63063960A patent/JPH01236609A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848908A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-23 | 松下電器産業株式会社 | 表面誘電体層型半導体磁器組成物およびその製造方法 |
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