JPH01238128A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH01238128A JPH01238128A JP63066446A JP6644688A JPH01238128A JP H01238128 A JPH01238128 A JP H01238128A JP 63066446 A JP63066446 A JP 63066446A JP 6644688 A JP6644688 A JP 6644688A JP H01238128 A JPH01238128 A JP H01238128A
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- Japan
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- semiconductor element
- inner leads
- semiconductor
- lead
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体素子
のマウント構造に関する。
のマウント構造に関する。
従来、この種の半導体装置は、第3図の平面図(&)お
よびそのx−x’線断面図(b)に示すように、半導体
素子31をリードフレームの吊りリード32に連なる素
子搭載部33にAgペーストまたはAn−5i共品合金
法等により固着し、金線34により半導体素子31の電
極35と外部へ導出するリード36の内部リード36A
とをワイヤポンディングにより結線し、エポキシ樹脂3
7等により封止した構造を有している。
よびそのx−x’線断面図(b)に示すように、半導体
素子31をリードフレームの吊りリード32に連なる素
子搭載部33にAgペーストまたはAn−5i共品合金
法等により固着し、金線34により半導体素子31の電
極35と外部へ導出するリード36の内部リード36A
とをワイヤポンディングにより結線し、エポキシ樹脂3
7等により封止した構造を有している。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子の
大きさに応じた素子搭載部を有するリードフレームを使
用しないと、ワイヤポンディング工程や樹脂封止工程で
発生するポンディングワイヤのだれや変形によって、素
子搭載部とポンディングワイヤとのショート不良を起こ
すという欠点があった。このため種々の半導体素子の大
きさに適合したリードフレームが必要となり、設計−製
作のコストアップを生じていた。
大きさに応じた素子搭載部を有するリードフレームを使
用しないと、ワイヤポンディング工程や樹脂封止工程で
発生するポンディングワイヤのだれや変形によって、素
子搭載部とポンディングワイヤとのショート不良を起こ
すという欠点があった。このため種々の半導体素子の大
きさに適合したリードフレームが必要となり、設計−製
作のコストアップを生じていた。
また、特にS OP (Small 0utline
Package)。
Package)。
Q F P (Quad Flat Package)
等の表面実装パッケージの場合は、プリント基板実装時
に赤外線リフローソルダリングやペイパー・フエイズφ
ソルダリング等、バー2ケージ全体が高温に加熱される
実装方法を用いるが、パッケージ内部の素子搭載部はか
なり大面積の板であるため、14止樹脂との熱膨張の差
が大きく、素子搭載部端部に樹脂クラックが生じ、その
ため半導体装置の耐湿性が劣化し不良を発生するという
問題点があった。
等の表面実装パッケージの場合は、プリント基板実装時
に赤外線リフローソルダリングやペイパー・フエイズφ
ソルダリング等、バー2ケージ全体が高温に加熱される
実装方法を用いるが、パッケージ内部の素子搭載部はか
なり大面積の板であるため、14止樹脂との熱膨張の差
が大きく、素子搭載部端部に樹脂クラックが生じ、その
ため半導体装置の耐湿性が劣化し不良を発生するという
問題点があった。
上記の問題点をさけるために、素子NSS郡部廃+i−
,L 、直接に内部リード先端部に接着剤で固着するこ
とが考えられる。しかし、゛ト導体素子を正しく位置ぎ
めすることは難しく、また半導体素子を支える内部リー
ドの面積が小さいので、電極バットにワイヤポンディン
グしたときの押圧が半導体素子に不適切に印加し、半導
体素子の接点等からクラックが生ずることがあり、実用
されていない。
,L 、直接に内部リード先端部に接着剤で固着するこ
とが考えられる。しかし、゛ト導体素子を正しく位置ぎ
めすることは難しく、また半導体素子を支える内部リー
ドの面積が小さいので、電極バットにワイヤポンディン
グしたときの押圧が半導体素子に不適切に印加し、半導
体素子の接点等からクラックが生ずることがあり、実用
されていない。
本発明の目的は、上記の欠点を除去し、大きさの異なる
半導体装子に対し、リードフレームとして共用のものが
使用できるように素子搭載部を用いず、しかも半導体装
f−のマウテイング、ワイヤポンディングの点で信頼性
のある半導体装置を提供することにある。
半導体装子に対し、リードフレームとして共用のものが
使用できるように素子搭載部を用いず、しかも半導体装
f−のマウテイング、ワイヤポンディングの点で信頼性
のある半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、樹脂封止部内の目合せパターン
を有する内部リードの先端部上に。
を有する内部リードの先端部上に。
゛ト導体素子が絶縁性接着剤により固着され、前記半導
体素子の各電極パッドが相対向する内部リードの半一導
体素子固着位置の上方投影領域内に位置しているように
したものである。
体素子の各電極パッドが相対向する内部リードの半一導
体素子固着位置の上方投影領域内に位置しているように
したものである。
本発明では、リードフレームは、従来の素子搭載部をも
たず、半導体素子は直接内部り“−ドの先端部に取付け
られるが、その際、内部リードは取付は位置を示す目合
せパターンを有するノテ、このパターンを利用し、さら
に半導体素子の電極パッドが半導体素子を内部リードに
固着する部位の上方投影領域内に来るように半導体素子
を配置して、内部リードに接着しである。したがってワ
イヤポンディングの際に、電極パッドに#撃抑圧が加わ
るが、半導体素子は内部リードによりF方から止しく支
えられるので、半導体素子の接着部からクラックが発生
することがない。
たず、半導体素子は直接内部り“−ドの先端部に取付け
られるが、その際、内部リードは取付は位置を示す目合
せパターンを有するノテ、このパターンを利用し、さら
に半導体素子の電極パッドが半導体素子を内部リードに
固着する部位の上方投影領域内に来るように半導体素子
を配置して、内部リードに接着しである。したがってワ
イヤポンディングの際に、電極パッドに#撃抑圧が加わ
るが、半導体素子は内部リードによりF方から止しく支
えられるので、半導体素子の接着部からクラックが発生
することがない。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき説明する。
第1図(a)は、未発【glの第1の実施例の平面図、
第1図(b)は第1図(a)のx−x’線断面図である
。外部導出リード16に連なる内部リード16Aがお互
いに接触しない程度に中心部迄延長されていて、その先
端部に半導体素子11が絶縁性接着剤18により固着さ
れている。
第1図(b)は第1図(a)のx−x’線断面図である
。外部導出リード16に連なる内部リード16Aがお互
いに接触しない程度に中心部迄延長されていて、その先
端部に半導体素子11が絶縁性接着剤18により固着さ
れている。
内部リード16Aの先端には、半導体素子11の接着面
と反対側に、半導体素子11より1法がやや大きく、半
導体素子11の周縁部に該当する枠状のリード支持片が
目合せパターン19として固着されている。この[1合
せ)くターン19は、半導体素子11の固着の際のし1
合せになるばかりでなく、隣接する内部リート16Aの
先端の間隔を正しく維持するのにも役立っている。半導
体素子11は、その電極パッド15が、内部リード16
Aの半導体素子固着部位上方の投影領域内に位置するよ
うに、配置されているから、電極パッド15と内部リー
ド16Aとを金&!14でワイヤポンディングにより接
続するときに、半導体素子11に衝撃が4えたれても、
半導体素子11は内部リード16Aによって正しく支持
され、半導体素子11にクラックが生ずることはない、
なお、17はエポキシ樹脂で、12はリードフレームの
吊りリードである。吊リード12は、樹脂封止工程まで
は作業上必要であるが、完成品としては特に機能はもっ
ていない。
と反対側に、半導体素子11より1法がやや大きく、半
導体素子11の周縁部に該当する枠状のリード支持片が
目合せパターン19として固着されている。この[1合
せ)くターン19は、半導体素子11の固着の際のし1
合せになるばかりでなく、隣接する内部リート16Aの
先端の間隔を正しく維持するのにも役立っている。半導
体素子11は、その電極パッド15が、内部リード16
Aの半導体素子固着部位上方の投影領域内に位置するよ
うに、配置されているから、電極パッド15と内部リー
ド16Aとを金&!14でワイヤポンディングにより接
続するときに、半導体素子11に衝撃が4えたれても、
半導体素子11は内部リード16Aによって正しく支持
され、半導体素子11にクラックが生ずることはない、
なお、17はエポキシ樹脂で、12はリードフレームの
吊りリードである。吊リード12は、樹脂封止工程まで
は作業上必要であるが、完成品としては特に機能はもっ
ていない。
次に、第2実施例につき説明する。この実施例は内部リ
ード26Aに0.5鵬脂〜1.0腸量程度の一定間隔に
エツチングあるいはプレスによって、図示のように半導
体素子形状に合わせてきざみをつけ目合せパターン29
としたものである。半導体素子21の寸法が変った場合
に、この1.1合せパターン29は位置確認表示として
きわめて有効である。半導体素子21を絶縁性接着剤2
8で内部リード26Aに固着し、金線24で、電極パッ
ド25と内部リード26Aとの間をワイヤポンディング
により結合した後、エポキシ樹脂27で封止することは
第1実施例と同一である。
ード26Aに0.5鵬脂〜1.0腸量程度の一定間隔に
エツチングあるいはプレスによって、図示のように半導
体素子形状に合わせてきざみをつけ目合せパターン29
としたものである。半導体素子21の寸法が変った場合
に、この1.1合せパターン29は位置確認表示として
きわめて有効である。半導体素子21を絶縁性接着剤2
8で内部リード26Aに固着し、金線24で、電極パッ
ド25と内部リード26Aとの間をワイヤポンディング
により結合した後、エポキシ樹脂27で封止することは
第1実施例と同一である。
さらにこの実施例では、吊りリード22もワイヤポンデ
ィングするようにして有効ピンとして使用している。
ィングするようにして有効ピンとして使用している。
以上説明したように本発明は、樹脂刃止部内の内部リー
ド上に絶縁性接着剤を介して半導体素子上の電極パッド
が内部リードの固着部位の上方投影領域内に存在するよ
うに固着し、内部リード上にリード支持片やハーフエッ
チあるいはプレスパターン等により目合せパターンを形
成するようにしたものである。
ド上に絶縁性接着剤を介して半導体素子上の電極パッド
が内部リードの固着部位の上方投影領域内に存在するよ
うに固着し、内部リード上にリード支持片やハーフエッ
チあるいはプレスパターン等により目合せパターンを形
成するようにしたものである。
本発明では従来の素子搭載部を用いないので、半導体素
子の大きさが異なっても、共通のリードフレームを用い
ることができる利点がある。さらに、従来は素子搭載部
の大きい面積の金属板と樹脂との高温における8膨張差
が大きいので、す70−ンルダリングのようにパッケー
ジ全体を高温に加熱する実装方法では、従来品で樹脂ク
ラックが生ずることがあったが、本発明品ではこのよう
なことがない。
子の大きさが異なっても、共通のリードフレームを用い
ることができる利点がある。さらに、従来は素子搭載部
の大きい面積の金属板と樹脂との高温における8膨張差
が大きいので、す70−ンルダリングのようにパッケー
ジ全体を高温に加熱する実装方法では、従来品で樹脂ク
ラックが生ずることがあったが、本発明品ではこのよう
なことがない。
内部リードに半導体素子を固着する作業は、内部リード
に設けた目合せパターンを利用することで容易に行なう
ことができる。また電極パッドの位置が内部リードの固
着位置の上方投影領域内にあるので、ポンディング時(
7)押圧ニヨる衝撃があっても、半導体素子のクラック
発生を低減できる。
に設けた目合せパターンを利用することで容易に行なう
ことができる。また電極パッドの位置が内部リードの固
着位置の上方投影領域内にあるので、ポンディング時(
7)押圧ニヨる衝撃があっても、半導体素子のクラック
発生を低減できる。
第1図、第2図は本発明の第1実施例、第2実施例のそ
れぞれの(a)平面図・(b)断面図、第3図は従来例
の(a)平面図・(b)断面図である。 11.21・・・半導体素子。 14.24・・・金線。 15.25・・・電極パッド、 16A、26A・・・内部リード。 18.28・・・絶縁性接着剤。 19・・・目合せパターン(リード支持片)、29・・
・目合せパターン。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋第1図 木巳11佃へ九−會j 第2図 フ1 第3図
れぞれの(a)平面図・(b)断面図、第3図は従来例
の(a)平面図・(b)断面図である。 11.21・・・半導体素子。 14.24・・・金線。 15.25・・・電極パッド、 16A、26A・・・内部リード。 18.28・・・絶縁性接着剤。 19・・・目合せパターン(リード支持片)、29・・
・目合せパターン。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋第1図 木巳11佃へ九−會j 第2図 フ1 第3図
Claims (1)
- 樹脂封止部内の目合せパターンを有する内部リードの
先端部上に、半導体素子が絶縁性接着剤により固着され
、前記半導体素子の各電極パッドが相対向する内部リー
ドの半導体素子固着位置の上方投影領域内に位置してい
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066446A JP2602278B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066446A JP2602278B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238128A true JPH01238128A (ja) | 1989-09-22 |
| JP2602278B2 JP2602278B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=13316009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066446A Expired - Lifetime JP2602278B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2602278B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04324662A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-11-13 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体パッケージ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
| JPS5684360U (ja) * | 1979-11-29 | 1981-07-07 | ||
| JPS61240U (ja) * | 1984-06-06 | 1986-01-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066446A patent/JP2602278B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
| JPS5684360U (ja) * | 1979-11-29 | 1981-07-07 | ||
| JPS61240U (ja) * | 1984-06-06 | 1986-01-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04324662A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-11-13 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2602278B2 (ja) | 1997-04-23 |
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