JPH04324662A - 半導体パッケージ - Google Patents

半導体パッケージ

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JPH04324662A
JPH04324662A JP3159965A JP15996591A JPH04324662A JP H04324662 A JPH04324662 A JP H04324662A JP 3159965 A JP3159965 A JP 3159965A JP 15996591 A JP15996591 A JP 15996591A JP H04324662 A JPH04324662 A JP H04324662A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体の多機能、高集
積化の趨勢によって大型化されていくチップの搭載とワ
イヤのボンディングに適合する半導体パッケージに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にチップを搭載する半導体パッケー
ジは、パッド上にチップを付け、パッドの周囲に配列さ
れたリードとチップをワイヤボンディングして電源を供
給することが出来るように連結した後、封止樹脂でモー
ルディングすることによって構成されたものである。し
かし、上記の半導体パッケージはチップが付けられるパ
ッドが形成されることによってパッドが占める空間が必
要になり、上記パッドとリードとの間に所定の間隔が保
持しなければならないので全体的にパッドが占める占有
面積が大きくなることにより半導体パッケージが大型化
される短点があった。
【０００３】さらに、パッドとリードが所定の間隔が離
れることによりチップのワイヤボンディングの長さが長
くなることによってワイヤボンディングの能率が低下さ
れ、ワイヤの変型等により製品の信頼性が低下されたも
のである。しかも、チップの多機能、高集積化によりチ
ップが大型化され、これに対応してリードの数が増加す
ることになるので上記の問題点はもっと加重されたもの
である。従って、近来に半導体パッケージの高機能、可
集積化及び軽薄短小化のために図９でのようにパッドを
除去して半導体チップを搭載することのできる半導体パ
ッケージが開発された。
【０００４】このような半導体パッケージはチップ４１
の電極４１ａを中央部位に形成し、リード４２をチップ
４１の中央部に近接された位置まで延長して配列形成し
たもので、チップ４１上にリード４２を載置し、これら
を接着製で付けてチップ４１が延長されて形成されたリ
ード４２によって支持されるようにすることによって解
決したものである。
【０００５】しかし、上記のような半導体パッケージ４
０はチップ４１の電極４１ａが中央部位に来るように設
計した状態ではリード４２がチップ４１を支持すること
のできる面積が大きくて可能であるか、チップ４１の設
計上又は既存にチップ４１の電極４１ａがチップ４１の
まわりに配列形成された半導体チップはリード４２の長
さが延長されて形成された状態ではワイヤボンディング
が不可能になり、ワイヤボンディング可能であるように
リード４２の長さを短く形成する場合リード４２がチッ
プ４１を支持することのできる部位が短くなるのでチッ
プ４１の搭載が不可能になる問題点が発生したものであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明は上記のよう
な問題点を解決するためのもので、この発明の目的は半
導体パッケージの大きさに制限を受ける高機能又は可集
積製品（４Ｍ　　ＤＲＡＭ以上）及びこれによってリー
ドか増加する半導体パッケージのワイヤボンディングが
有利し、半導体パッケージの軽薄短小化ができる半導体
のパッケージを提供することにある。
【０００７】この発明の他の目的はチップの設計上電極
がチップの中央部位又はまわり部に形成されてもチップ
の搭載が可能であって互換性のある半導体パッケージを
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的達成するため
のこの発明の手段の特徴は、リードにチップを直接付け
、リードをチップの電極をワイヤボンディングして封止
樹脂でモールディングすることにより高機能及び高密度
半導体チップ搭載に適合するようになった半導体パッケ
ージにおいて、上記リードとチップの電極が電気的連結
手段によって連結され電源が供給されるようにした半導
体パッケージということにある。
【０００９】
【実施例】以下、この発明による実施例を添付図面によ
って詳細に説明する。図１乃至図７、図８はこの発明に
よる半導体パッケージを示すもので、半導体チップ２の
まわりに形成された電極２ａが露出されることのできる
範囲内でチップ２の縁で電気的連結体１０が包まれて接
着製３として接着され、上記連結体１０は図２のように
、チップ２の電極２ａにワイヤボンディングされるボン
ディング部１１とリード４に接続される接続部１２が微
細金属線１３で連結されて絶縁テープ１４のまわりに左
、右対称で形成される。
【００１０】この時上記連結体１０は反復して連続され
るように製造して切って使用することができる。従って
、上記の連結体１０を図３のごとくリード４上に付けら
れたチップ２の縁に接着するが、ボンディング部１１が
チップ２の上側に位置されるようにし、接続部１２はチ
ップの下側に位置されるようにし、図１及び図４及び図
５のごとく、チップ２の電極２ａとボンディング部１１
がワイヤボンディング線６で連結され、リード４と接続
部１２がバンプ（Ｂｕｍｐ）　又は伝導度が高い金属を
ペースト（Ｐａｓｔｅ）化した接着製（図示せず）で接
続されてチップ２の電極２ａとリード４が連結体１０に
より連結され、封止樹脂５でモールディングして半導体
パッケージ１が構成される。
【００１１】このとき、図４、図５のように、チップ２
の電極２ａがチップ２のまわれりに形成された場合は連
結体１０のボンデイング部１１、及び接続部１２を上記
チップ２の電極２ａと近接されるように絶縁テープ１４
のまわり部に配列形成して微細金属線１３で絶縁テープ
１４の内側へ連結され、図７、図８でのようにチップ２
２の電極２２ａがチップ２２中央部に形成された場合は
連結体３０のボンディング部３１及び接続部３２を絶縁
テープ３４の中央部位に配列形成して微細金属線３３で
絶縁テープ３４の外側へ連結し、上記ボンディング部３
１の間にチップ２２の電極２２ａが露出される開口部３
４ａを形成して開口部３４ａへ露出されるチップ２２の
電極２２ａとボンディング部３１をワイヤボンディング
線２６で連結し、接続部３２とリード２４を接着剤で接
着させることによってチップ２２の電極２２ａとリード
２４を連結する。
【００１２】以上のようなこの発明は連結体１０をチッ
プ２の縁で包む接着剤３で接着するが、チップ２の上側
へ連結体１０のボンディング部１１が位置されるように
し、チップス２の下側へは連結体１０の接続部１２が位
置されるようにして上記チップ２の電極２ａとボンディ
ング部１１をワイヤボンディング線２６で連結し接続部
１２をリード４に連結すると、上記ボンディング部１１
と接続部１２は微細金属線１３で連結されたものである
のでチップ２の電極２ａとリード４連結体１０として間
接的に連結されて電源供給が可能になるものである。従
ってパッドがなくリード４上にチップ２が直接付けられ
るので定まったパッケージの大きさに面積及び空間を最
大限活用することができるようになって大型チップの搭
載が可能になる。
【００１３】また、図２乃至図７、図８でのようにチッ
プ２，２２の電極２ａ，２２ａがチップ２，２２のまわ
り又は中心部位のどの位置に形成されてもボンディング
部１１，３１及び接続部１２，３２を上記電極２ａ，２
２ａに対応された絶縁テープ１４，３４のまわり又は中
心部位に選択して配列形成し、微細金属線１３，３３で
左右対象されるように連結した連結体１０，３０として
チップ２，２２の電極２ａ，２２ａとリード４，１４が
間接的に連結可能になるので、チップ２２の設計が自由
になる。
【００１４】かつ、チップ２，２２の電極２ａ，２２ａ
に連結体１０，３０のボンディング部１１，３１を近接
された位置に形成することができ、ワイヤボンディング
の長さが短くなることによりワイヤボンディング能率が
向上され、図４、図５のようにチップ２の電極２ａがま
わりに形成された場合にもリード４が連結体１０の接続
部１２と接続されるのでチップ２がリード４上に充分な
接触面積が維持されてチップ２がリード４に支持される
ことができるものであり、例えて、上記接続部１２を中
心部に近い方に形成されることになるとリード４の接触
面がもっと大きくなることは容易に理解可能なものであ
る。
【００１５】
【発明の効果】以上のようにこの発明による半導体パッ
ケージによれば、チップをリードに付け、チップの電極
とリードが電気的連結体として間接的に連結されて電源
供給が可能になることによってパットのなしでも大型チ
ップの搭載が可能になり、搭載されるチップの電極位置
と近接された所に連結体のボンディング部及び接続部が
自由自在で形成されることができるようになるのでチッ
プの設計が自由であり、ワイヤボンディングの長さが短
くなりワイヤボンディング能率が増大され、製品の信頼
性を向上させることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による半導体パッケージの断面
図である。
【図２】本発明の実施例による連結体を広げた状態図で
ある。
【図３】本発明の実施例による連結体がチップに設けら
れた状態の断面図である。
【図４】本発明の実施例の連結体によるチップのボンデ
ィング状態図である。
【図５】本発明の実施例の連結体によるチップのボンデ
ィング状態図である。
【図６】本発明の実施例の連結体の他の例を示す平面図
である。
【図７】本発明の実施例の他の例の連結体によるチップ
のボンディング状態図である。
【図８】本発明の実施例の他の例の連結体によるチップ
のボンディング状態図である。
【図９】従来のチップボンディング状態図である。
【符号の説明】
１，４０　　半導体パッケージ ２，２２，４１　　チップ ２ａ，２２ａ，４１ａ　　電極 ３　　接着剤 ４，２４，４２　　リード ５　　封止樹脂 ６，２６　　ワイヤボンディング線 １０，３０　　連結体 １１．３１　　ボンディング １２，３２　　接続部 １３，３３　　微細金属線 １４，３４　　絶縁テープ ３４ａ　　開口部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　リード４にチップ２を直接接着させ、
    リード４とチップ２の電極２ａをワイヤボンディングし
    て封止樹脂５でモールディングすることによって高機能
    及び高密度半導体チップ搭載に適合するようになった半
    導体パッケージにおいて、上記リード４とチップ２の電
    極２ａが電気的連結体１０，３０により連結されて電源
    が供給されるようにすることを特徴とする半導体パッケ
    ージ。
  2. 【請求項２】　　上記連結体１０は、チップ２のまわり
    に形成された電極２ａにワイヤボンディングされるボン
    ディング部１１とリード４に接続される接続部１２が絶
    縁テープ１４のまわりに微細の金属線１３として連結さ
    れて左，右対称で形成される請求項１記載の半導体パッ
    ケージ。
  3. 【請求項３】　　上記連結体３０は、チップ２２の中心
    部位に形成された電極２２ａにワイヤボンディングされ
    るボンディング部３１とリード１４に接続される接続部
    ３２が絶縁テープ３４の中心部位に微細の金属線１３と
    して連結されて左，右対称で形成される請求項１記載の
    半導体パッケージ。
  4. 【請求項４】　　上記連結体１０，３０のボンディング
    部１１，３１がチップ２，２２の電極２ａ，２２ａとワ
    イヤボンディングされ、上記接続部１２，３２がチップ
    ２，２２の下側に位置してリード４，１４と接続さるよ
    うに絶縁テープ１４，３４がチップ２，２２のまわりで
    含まれて接着剤で接着される請求項２又は３記載の半導
    体パッケージ。
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