JPH01238631A - 光波長変換素子 - Google Patents
光波長変換素子Info
- Publication number
- JPH01238631A JPH01238631A JP63066595A JP6659588A JPH01238631A JP H01238631 A JPH01238631 A JP H01238631A JP 63066595 A JP63066595 A JP 63066595A JP 6659588 A JP6659588 A JP 6659588A JP H01238631 A JPH01238631 A JP H01238631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- wavelength conversion
- conversion element
- optical
- fundamental wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コヒーレント光を利用する光情報処理分野、
あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素子
に間するものである。
あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素子
に間するものである。
従来の技術
第１１図に従来の光波長変換素子の構成図を示す。以下
０．８４μｍの波長の基本波に対する高調波発生（波長
０．４２μｍ）について図を用いて詳しく述べる。 ［
Ｔ、 Ｔａｎ１ｕｃｈｉ ａｎｄ Ｋ−Ｙａｍａｍｏｔ
ｏ、 ”Ｓｅｃ。
０．８４μｍの波長の基本波に対する高調波発生（波長
０．４２μｍ）について図を用いて詳しく述べる。 ［
Ｔ、 Ｔａｎ１ｕｃｈｉ ａｎｄ Ｋ−Ｙａｍａｍｏｔ
ｏ、 ”Ｓｅｃ。
ｎｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｂｙ
Ｃｈｅｒｅｎｋｏｖ ｒａｄｉａｔｉ。
Ｃｈｅｒｅｎｋｏｖ ｒａｄｉａｔｉ。
ｎ ｉｎ ｐｒｏｔｏｎ−ｅｘｃｈａｎｇｅｄ ＬｉＮ
ｂ０３ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ”、シーエ
ルイー（ＣＬＥＯ） ’８６． ＷＲ３，１９８６年、
参照コ。埋め込み型光導波路２の入射面に基本波Ｐ１を
入射すると、基本波の導波モードの実効屈折率Ｎ１と高
調波の実効屈折率Ｎ２が等しくなるような条件が満足さ
れるとき、光導波路２からＬｉＮｂＯ３基板１内に高調
波Ｐ２が効率良く放射され、光波長変換素子として動作
する。
ｂ０３ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ”、シーエ
ルイー（ＣＬＥＯ） ’８６． ＷＲ３，１９８６年、
参照コ。埋め込み型光導波路２の入射面に基本波Ｐ１を
入射すると、基本波の導波モードの実効屈折率Ｎ１と高
調波の実効屈折率Ｎ２が等しくなるような条件が満足さ
れるとき、光導波路２からＬｉＮｂＯ３基板１内に高調
波Ｐ２が効率良く放射され、光波長変換素子として動作
する。
このような従来の光波長変換素子は埋め込み型の光導波
路を基本構成要素としていた。この埋め込み型光導波路
の製造方法について説明する。強誘電体基板であるＬ
ｉ Ｎ ｂ ０３基板にＣｒまたはＡＩ等を蒸着し、フ
ォトプロセスおよびエツチングにより幅数μｍのスリッ
トを閏けたものを安息香酸中で熱処理を行い高屈折率層
（基板との屈折率差ΔＮ ｅ ＝Ｏ，１３程度）を形成
していた。 ［Ｊ、Ｌ、Ｊａｃｋｅｌ、 Ｃ０Ｅ、Ｒｉ
ｃｅ、ａｎｄ ＪＪ、Ｖｅｓｅｌｋａ、 “Ｐｒｏｔ
ｏｎ ｅｘｃｈａｎｇｅ ｆｏｒ ｈｉ８ｈ−ｉｎｄｅ
ｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ｉｎ ＬｉＮｂＯ３アプラ
イド フィジックス レター” （Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙ
ｓ。
路を基本構成要素としていた。この埋め込み型光導波路
の製造方法について説明する。強誘電体基板であるＬ
ｉ Ｎ ｂ ０３基板にＣｒまたはＡＩ等を蒸着し、フ
ォトプロセスおよびエツチングにより幅数μｍのスリッ
トを閏けたものを安息香酸中で熱処理を行い高屈折率層
（基板との屈折率差ΔＮ ｅ ＝Ｏ，１３程度）を形成
していた。 ［Ｊ、Ｌ、Ｊａｃｋｅｌ、 Ｃ０Ｅ、Ｒｉ
ｃｅ、ａｎｄ ＪＪ、Ｖｅｓｅｌｋａ、 “Ｐｒｏｔ
ｏｎ ｅｘｃｈａｎｇｅ ｆｏｒ ｈｉ８ｈ−ｉｎｄｅ
ｘ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ｉｎ ＬｉＮｂＯ３アプラ
イド フィジックス レター” （Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙ
ｓ。
Ｌｅｔｔ、）、 Ｖｏ１４１． Ｎｏ、７． ｐ
ｐ６０７−６０８（１９８２）コ 参照第１２図に従来
の溶液中でのプロトン交換方法を用いた埋め込み型光導
波路の製造方法の斜視図を示す。保護マスク４およびス
リット５が形成されたＬ ＋ Ｎ ｂ ０３基板１を安
息香酸６中で熱処理を行うことでスリット５直下で安息
香酸６中のＨ”（プロトン）とＬ ｉ Ｎ ｂ ０３基
板１中のＬｌ゛の交換が生じＨｘＬ ｉ ＋−ｘＮ ｂ
Ｏ：ｌ （０≦Ｘ≦１）から成る高屈折率層２が形成
される。このストライブ状の高屈折率Ｎ２が埋め込み型
光導波路となる。
ｐ６０７−６０８（１９８２）コ 参照第１２図に従来
の溶液中でのプロトン交換方法を用いた埋め込み型光導
波路の製造方法の斜視図を示す。保護マスク４およびス
リット５が形成されたＬ ＋ Ｎ ｂ ０３基板１を安
息香酸６中で熱処理を行うことでスリット５直下で安息
香酸６中のＨ”（プロトン）とＬ ｉ Ｎ ｂ ０３基
板１中のＬｌ゛の交換が生じＨｘＬ ｉ ＋−ｘＮ ｂ
Ｏ：ｌ （０≦Ｘ≦１）から成る高屈折率層２が形成
される。このストライブ状の高屈折率Ｎ２が埋め込み型
光導波路となる。
次に光波長変換素子の製造工程を第１３図を用いて詳し
く説明する。第１３図（ａ）でＬ ｉ Ｎ ｂ０３基板
ｌ上に通常のフォトプロセスを用いて保護マスク４を形
成する。この保護マスク４の材料はＡｔである。次に同
図（ｂ）で安息香酸く２３０℃）中で１２分熱処理を行
い厚み０．５μｍの埋め込み型光導波路を形成する。さ
らに、同図（Ｃ）で保護マスク４を除去した後、上記埋
め込み型光導波路２に垂直な面を光学研磨し基本波を入
射させることで高調波を取り出していた。
く説明する。第１３図（ａ）でＬ ｉ Ｎ ｂ０３基板
ｌ上に通常のフォトプロセスを用いて保護マスク４を形
成する。この保護マスク４の材料はＡｔである。次に同
図（ｂ）で安息香酸く２３０℃）中で１２分熱処理を行
い厚み０．５μｍの埋め込み型光導波路を形成する。さ
らに、同図（Ｃ）で保護マスク４を除去した後、上記埋
め込み型光導波路２に垂直な面を光学研磨し基本波を入
射させることで高調波を取り出していた。
上記安息香酸処理により作製される光波長変換素子は波
長０．８４μｍの基本波Ｐ１に対して導波路の厚み０．
５μｍで最大変換効率を示し、導波路の長さを６ｍｍ、
Ｐ １＝４０ｍＷにしたときＰ ２ ＝ ０゜４ｍＷの
高調波が得られていた。この場合の変換効率ＰＩ／Ｐ２
は１％である。
長０．８４μｍの基本波Ｐ１に対して導波路の厚み０．
５μｍで最大変換効率を示し、導波路の長さを６ｍｍ、
Ｐ １＝４０ｍＷにしたときＰ ２ ＝ ０゜４ｍＷの
高調波が得られていた。この場合の変換効率ＰＩ／Ｐ２
は１％である。
発明が解決しようとする課題
上記のような埋め込み型光導波路を基本とした光波長変
換素子では横方向に対する屈折率差は小さく、横方向に
対する光の閉じ込めか弱いことおよびマスク幅に対して
実際に作製される光導波路の幅は横方向に広がりさらに
、閉じ込めが悪くなるといった問題点があった。そのた
め光波長変換素子の実用レベルである１ｍＷ以上の高調
波を得ることが困難であった。
換素子では横方向に対する屈折率差は小さく、横方向に
対する光の閉じ込めか弱いことおよびマスク幅に対して
実際に作製される光導波路の幅は横方向に広がりさらに
、閉じ込めが悪くなるといった問題点があった。そのた
め光波長変換素子の実用レベルである１ｍＷ以上の高調
波を得ることが困難であった。
課題を解決するための手段
本発明は、光導波路を基本とした光波長変換素子の構造
に新たな工夫を加えることにより大幅な変換効率の向上
を可能とするものである。つまり、本発明は基本波に対
してシングルモードのみ伝搬可能となるような上に凸な
プロトン交換光導波路を用い光の閉じ込めを強める構造
を採用し高効率な光波長変換素子を得ることを目的とす
る。
に新たな工夫を加えることにより大幅な変換効率の向上
を可能とするものである。つまり、本発明は基本波に対
してシングルモードのみ伝搬可能となるような上に凸な
プロトン交換光導波路を用い光の閉じ込めを強める構造
を採用し高効率な光波長変換素子を得ることを目的とす
る。
作用
上記目的を達成するため、本発明の光波長変換素子はＬ
Ｉ Ｎ ｂｘＴ ａｔ−ｘｃ）：＋ （０≦Ｘ≦１）
基板上に上に凸でなおかつ基本波に対してシングルモー
ド伝搬が可能な構造を有するプロトン交換光導波路と基
本波の入射部と高調波の出射部とを備える構成を用いる
ものである。
Ｉ Ｎ ｂｘＴ ａｔ−ｘｃ）：＋ （０≦Ｘ≦１）
基板上に上に凸でなおかつ基本波に対してシングルモー
ド伝搬が可能な構造を有するプロトン交換光導波路と基
本波の入射部と高調波の出射部とを備える構成を用いる
ものである。
実施例
実施例の一つとしてＣ３Ｆ ｇガスを用いたＥＣＲ（Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎ
ｃｅ）エツチングによる光波長変換素子の製造方法を図
を用いて説明する。
ｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏｎａｎ
ｃｅ）エツチングによる光波長変換素子の製造方法を図
を用いて説明する。
本発明の光波長変換素子の第１の実施例の構造図を第１
図に示す。この実施例では光波長変換素子としてＬ ｉ
Ｎ ｂ ０３基板１上に作製した上に凸な構造を有す
るリッジ型光導波路を用いたもので、第１図（ａ）は光
波長変換素子の斜視図、 （ｂ）は光導波路に垂直な面
で切った断面図、 （ｃ）は光導波路に平行な面で切っ
た断面図である。第１図で１は＋２板（Ｚ軸と垂直に切
り出された基板の＋側）のＬ ｉ Ｎ ｂ ０３基板、
２は燐酸中でのプロトン交換処理により形成された高屈
折率層、１０は基本波Ｐ１の入射部、１２は高調波の出
射部である。また高屈折率層２における２ａは光が伝搬
する光導波路となるコア部、２ｂはクラッド部である。
図に示す。この実施例では光波長変換素子としてＬ ｉ
Ｎ ｂ ０３基板１上に作製した上に凸な構造を有す
るリッジ型光導波路を用いたもので、第１図（ａ）は光
波長変換素子の斜視図、 （ｂ）は光導波路に垂直な面
で切った断面図、 （ｃ）は光導波路に平行な面で切っ
た断面図である。第１図で１は＋２板（Ｚ軸と垂直に切
り出された基板の＋側）のＬ ｉ Ｎ ｂ ０３基板、
２は燐酸中でのプロトン交換処理により形成された高屈
折率層、１０は基本波Ｐ１の入射部、１２は高調波の出
射部である。また高屈折率層２における２ａは光が伝搬
する光導波路となるコア部、２ｂはクラッド部である。
高調波の出射部１２にはグレーティングが形成されてい
る。
る。
次にこの光波長変換素子の製造方法について図を使って
説明する。第２図に本発明の光波長変換素子の製造工程
図を示す。同図（ａ）でＬ ｉ Ｎ ｂ０３基板１に燐
酸の一種であるじ口燐酸中で２３０℃、５分間熱処理（
プロトン交換処理）を行い厚み０゜３７μｍの高屈折率
層２を形成する。次に同図（ｂ）で高屈折率層２上に通
常のフォトプロセスにより厚み１．２μｍのフォトレジ
スト７をパターン化する。
説明する。第２図に本発明の光波長変換素子の製造工程
図を示す。同図（ａ）でＬ ｉ Ｎ ｂ０３基板１に燐
酸の一種であるじ口燐酸中で２３０℃、５分間熱処理（
プロトン交換処理）を行い厚み０゜３７μｍの高屈折率
層２を形成する。次に同図（ｂ）で高屈折率層２上に通
常のフォトプロセスにより厚み１．２μｍのフォトレジ
スト７をパターン化する。
次に同図（Ｃ）においてＴｉによる保護マスク４ａを電
子ビーム蒸着により０．３μｍ蒸着を行った。
子ビーム蒸着により０．３μｍ蒸着を行った。
ＴｉはＣ３ＦＢガスを用いたＥＣＲエツチングによりエ
ツチングされにくいことおよびリフトオフにより簡単に
パターンが形成できるという特長を有している。次に同
図（ｄ）においてアセトン中でフォトレジスト７を溶解
しリフトオフを行いＴｉのパターン化を行った。これに
よりＴｉからなる幅１．５μｍ、長さ８ｍｍのＴＩより
なる保護マスク４ａが高屈折率Ｎ２上に形成された。こ
のように、Ｔｉのパターン化にはリフトオフ法を用いる
とＴｉ保護マスクパターンの側面が滑らかになりエツチ
ング後に形成される導波路の側面も滑らかとなる。その
結果、伝搬損失が低減できる。最後にマスク４ａを形成
した状態でＥＣＲイオン源を用いた反応性イオンビーム
エツチング装置によりエツチングを行いマスク４ａ以外
の部分をエツチングする。具体的には、Ｃ３Ｆ ｇガス
によるＥＣＲエツチングにより４００■の加速電圧、１
×１０−’Ｔｏｒｒの真空度で、５分間エツチングを行
った。高屈折率層２のエツチング量は２００ＯＡである
。その後、ＴＩマスク４ａを水酸化ナトリウムと過酸化
水素の混合液（１０： １）で７０℃、１分で除去し
て（ｅ）に示す形状のリッジ型光導波路を形成した。保
護マスク４ａ直下がりッジ型光導波路のコア部２ａとな
り、またエツチングされた部分がクラッド部２ｂとなる
。
ツチングされにくいことおよびリフトオフにより簡単に
パターンが形成できるという特長を有している。次に同
図（ｄ）においてアセトン中でフォトレジスト７を溶解
しリフトオフを行いＴｉのパターン化を行った。これに
よりＴｉからなる幅１．５μｍ、長さ８ｍｍのＴＩより
なる保護マスク４ａが高屈折率Ｎ２上に形成された。こ
のように、Ｔｉのパターン化にはリフトオフ法を用いる
とＴｉ保護マスクパターンの側面が滑らかになりエツチ
ング後に形成される導波路の側面も滑らかとなる。その
結果、伝搬損失が低減できる。最後にマスク４ａを形成
した状態でＥＣＲイオン源を用いた反応性イオンビーム
エツチング装置によりエツチングを行いマスク４ａ以外
の部分をエツチングする。具体的には、Ｃ３Ｆ ｇガス
によるＥＣＲエツチングにより４００■の加速電圧、１
×１０−’Ｔｏｒｒの真空度で、５分間エツチングを行
った。高屈折率層２のエツチング量は２００ＯＡである
。その後、ＴＩマスク４ａを水酸化ナトリウムと過酸化
水素の混合液（１０： １）で７０℃、１分で除去し
て（ｅ）に示す形状のリッジ型光導波路を形成した。保
護マスク４ａ直下がりッジ型光導波路のコア部２ａとな
り、またエツチングされた部分がクラッド部２ｂとなる
。
第３図に上記条件での未処理のいＮｂＯ３とプロトン交
換処理したｊ、、１Ｎｂ０３（Ｈ” −ＬｉＮｂ０３）
つまり高屈折率層とのエツチング特性（エツチング時間
に対するエツチング量の関係）を示す。未処理のＬｉＮ
ｂＯ３に比ベプロトン交換処理を行ったＬｉＮｂＯ３は
３倍のエッチレートが得られることを示している。これ
よりいＮｂＯ３を直接エツチングする方法に比べてプロ
トン交換処理を施すことでエッチレートの大幅改善が見
られ微細加工が容易になる。
換処理したｊ、、１Ｎｂ０３（Ｈ” −ＬｉＮｂ０３）
つまり高屈折率層とのエツチング特性（エツチング時間
に対するエツチング量の関係）を示す。未処理のＬｉＮ
ｂＯ３に比ベプロトン交換処理を行ったＬｉＮｂＯ３は
３倍のエッチレートが得られることを示している。これ
よりいＮｂＯ３を直接エツチングする方法に比べてプロ
トン交換処理を施すことでエッチレートの大幅改善が見
られ微細加工が容易になる。
上記のような工程によりリッジ型光導波路が製造された
。この光導波路はクラッド部２ｂの厚みｈは０．１７μ
ｍ、コア部２ａの厚みｄは０− ３７μｍでありリッジ
比ｈ／ｄは０．４６となっている。またエツチングによ
り形成された光導波路の側面２Ｃは±２００Ａ以下と非
常に滑らかとなっている。この高屈折率Ｎ２のコア部２
ａが光導波路となる。この光導波路２の一部を部分加熱
しコア部２ａに比べて厚み大となる入射部１０を形成す
る。入射部１０（第１図に示す）の厚みを大きくするこ
とで基本波との結合効率が増大する。
。この光導波路はクラッド部２ｂの厚みｈは０．１７μ
ｍ、コア部２ａの厚みｄは０− ３７μｍでありリッジ
比ｈ／ｄは０．４６となっている。またエツチングによ
り形成された光導波路の側面２Ｃは±２００Ａ以下と非
常に滑らかとなっている。この高屈折率Ｎ２のコア部２
ａが光導波路となる。この光導波路２の一部を部分加熱
しコア部２ａに比べて厚み大となる入射部１０を形成す
る。入射部１０（第１図に示す）の厚みを大きくするこ
とで基本波との結合効率が増大する。
光導波路２に垂直な面を光学研磨し入射部１０に入射面
１１が作製される。最後に出射部１２にフォトプロセス
とＥＣＲエツチングを用いてグレーティングを形成する
ことにより第１図（ａ）に示される光波長変換素子が製
造できる。また、この素子の長さは６ｍｍである。第１
図（Ｃ）で基本波Ｐ１として半導体レーザ光（波長０．
８４７１ｍ）を入射部１０より導波させたところシング
ルモード伝搬し、波長０．４２μｍの高調波Ｐ２が出射
部１２より基板外部に取り出された。この高調波Ｐ２の
出射方向は光導波路２が形成されている面３０に対して
垂直となっておりこれは基板に１６度の角度で出た高調
波が出射部１２に形成されたグレーティングにより方向
が変換されたものである。このグレーティングの周期は
０． ２μｍである。これにより高調波の各部分の光路
長が等しくなり、集光したときの非点収差がなくなる。
１１が作製される。最後に出射部１２にフォトプロセス
とＥＣＲエツチングを用いてグレーティングを形成する
ことにより第１図（ａ）に示される光波長変換素子が製
造できる。また、この素子の長さは６ｍｍである。第１
図（Ｃ）で基本波Ｐ１として半導体レーザ光（波長０．
８４７１ｍ）を入射部１０より導波させたところシング
ルモード伝搬し、波長０．４２μｍの高調波Ｐ２が出射
部１２より基板外部に取り出された。この高調波Ｐ２の
出射方向は光導波路２が形成されている面３０に対して
垂直となっておりこれは基板に１６度の角度で出た高調
波が出射部１２に形成されたグレーティングにより方向
が変換されたものである。このグレーティングの周期は
０． ２μｍである。これにより高調波の各部分の光路
長が等しくなり、集光したときの非点収差がなくなる。
基本波４０ｍＷの入力で１ｍＷの高調波（波長０．４２
μｍ）を得た。この場合の変換効率は２゜５％である。
μｍ）を得た。この場合の変換効率は２゜５％である。
変換効率は従来の埋め込み型光導波路を用いた光波長変
換素子に比べて大幅に向上した。また、伝搬損失は埋め
込み型光導波路とほぼ同程度のものが得られた。これは
プロトン交換処理を行いＬｉＮｂＯ３の微細加工を容易
にしたため側面の凹凸が少なくなったためと考えられる
。光導波路厚みｄに対する変換効率を第４図に示す。高
調波は０．３〜０．４２μｍの閏で大きな値を得ており
、これは光導波路のカットオフ厚みｄ。ｕｔの１．０５
〜１．５倍にあたる。このカットオフ厚みｄ。ｕｔは以
下に示される式で求められる。
換素子に比べて大幅に向上した。また、伝搬損失は埋め
込み型光導波路とほぼ同程度のものが得られた。これは
プロトン交換処理を行いＬｉＮｂＯ３の微細加工を容易
にしたため側面の凹凸が少なくなったためと考えられる
。光導波路厚みｄに対する変換効率を第４図に示す。高
調波は０．３〜０．４２μｍの閏で大きな値を得ており
、これは光導波路のカットオフ厚みｄ。ｕｔの１．０５
〜１．５倍にあたる。このカットオフ厚みｄ。ｕｔは以
下に示される式で求められる。
ｄｃｕｔ＝ｊａｎ−’（ｎ 、２．５７了／ｆｉ）／（
ｋ［ｌ−５７瓦７） ここで、ｎ５はＬｉＮｂＯ３基板１の屈折率、ｎｒζよ
高屈折率Ｎ２の屈折率である。また、ｋ［ｌは波数であ
り基本波の波長をλとすると ｋ８＝２π／λである。
ｋ［ｌ−５７瓦７） ここで、ｎ５はＬｉＮｂＯ３基板１の屈折率、ｎｒζよ
高屈折率Ｎ２の屈折率である。また、ｋ［ｌは波数であ
り基本波の波長をλとすると ｋ８＝２π／λである。
上記式に、この実施例で用いた値を代入する。
基本波の波長λは０．８４μｍ、その波長でのＬ ｉ
ＮｂＯ３基板ｌの屈折率は２．１７、そして高屈折率層
の屈折率は２．２８である。これよりｄ ｃｕｔは０．
２８５μｍとなリビークはこの値の１．０５〜１．５倍
の間に存在することとなる。この実施例で用いたピロ燐
酸処理により形成した高屈折率Ｎ２のＬｉＮｂＯ３基板
１との最大屈折率差は安息香酸の溶液処理の値に比べ１
０％以上高くなっている。そのため、光の閏じ込めも大
きく変換効率向上の一要素となっている。
ＮｂＯ３基板ｌの屈折率は２．１７、そして高屈折率層
の屈折率は２．２８である。これよりｄ ｃｕｔは０．
２８５μｍとなリビークはこの値の１．０５〜１．５倍
の間に存在することとなる。この実施例で用いたピロ燐
酸処理により形成した高屈折率Ｎ２のＬｉＮｂＯ３基板
１との最大屈折率差は安息香酸の溶液処理の値に比べ１
０％以上高くなっている。そのため、光の閏じ込めも大
きく変換効率向上の一要素となっている。
また、リッジ比ｈ／ｄと変換効率の関係を第５図に示す
。ｈ／ｄがＯに近付くほど光の閏じ込めが良くなるが、
同時に伝搬損失が増加するため変換効率は見かけ上大き
くならずｈ／ｄが０． ４付近でピークを示す。
。ｈ／ｄがＯに近付くほど光の閏じ込めが良くなるが、
同時に伝搬損失が増加するため変換効率は見かけ上大き
くならずｈ／ｄが０． ４付近でピークを示す。
なお基本波に対してマルチモード伝搬では高調波の出力
が不安定で実用的ではない。
が不安定で実用的ではない。
次に本発明の光波長変換素子の第２の実施例について図
を用いて説明する。第６図に光波長変換素子の構成図を
示す。第７図にアニール工程および保護膜形成工程を含
む光波長変換素子の製造工程図を示す。第７図（ａ）に
おいてＬｉＮｂＯ３基板１にプロトン交換後アニール工
程を行った。具体的にはピロ燐酸中で２３０℃、４分間
のプロトン交換を行い厚み０． ３μｍの高屈折率層２
を形成し、次に空気中１９０℃、２０分アニール処理を
行った。アニール処理により高屈折率層２の厚みは０゜
３５μｍまで広がった。このアニール工程によりざらに
光導波路が均一化し伝搬損失が低減された。
を用いて説明する。第６図に光波長変換素子の構成図を
示す。第７図にアニール工程および保護膜形成工程を含
む光波長変換素子の製造工程図を示す。第７図（ａ）に
おいてＬｉＮｂＯ３基板１にプロトン交換後アニール工
程を行った。具体的にはピロ燐酸中で２３０℃、４分間
のプロトン交換を行い厚み０． ３μｍの高屈折率層２
を形成し、次に空気中１９０℃、２０分アニール処理を
行った。アニール処理により高屈折率層２の厚みは０゜
３５μｍまで広がった。このアニール工程によりざらに
光導波路が均一化し伝搬損失が低減された。
その後、Ｔｉによる保護マスク４ａをバターニングした
。次に同図（ｂ）でＥＣＲエツチングを行った。条件は
Ｃ３Ｆ８ガスにより４００Ｖの加速電圧、ｌＸｌ０−’
Ｔｏｒｒの真空度で１０分間エツチングした。エツチン
グ量はほぼ４０００Ａ（（Ｌ４μｍ）である。最後に同
図（ｃ）で保護膜８としてＳｉＯ２をスパッタ蒸着によ
り光導波路上に形成した。５ｉＯ２８の厚みは４０００
Ａである。保護膜として５ＩＯ２を用いるのが保護膜で
の散乱および吸収を生じないのでよい。この保護膜によ
り表面の汚れによる光波長変換素子の特性劣化が防止で
きる。第８図にＳｉＯ２付きでなおかつアニールがある
場合と５ＩＯ２がなく、なおかつアニールもない場合の
光導波路幅と伝搬損失の関係を示す。
。次に同図（ｂ）でＥＣＲエツチングを行った。条件は
Ｃ３Ｆ８ガスにより４００Ｖの加速電圧、ｌＸｌ０−’
Ｔｏｒｒの真空度で１０分間エツチングした。エツチン
グ量はほぼ４０００Ａ（（Ｌ４μｍ）である。最後に同
図（ｃ）で保護膜８としてＳｉＯ２をスパッタ蒸着によ
り光導波路上に形成した。５ｉＯ２８の厚みは４０００
Ａである。保護膜として５ＩＯ２を用いるのが保護膜で
の散乱および吸収を生じないのでよい。この保護膜によ
り表面の汚れによる光波長変換素子の特性劣化が防止で
きる。第８図にＳｉＯ２付きでなおかつアニールがある
場合と５ＩＯ２がなく、なおかつアニールもない場合の
光導波路幅と伝搬損失の関係を示す。
大幅な伝搬損失の低減が見られる。上記工程により作製
された光波長変換素子のリッジ比ｈ／ｄは０である。こ
の光波長変換素子では波長０．７８μｍの基本波Ｐ１が
１００ｍＷ入力で１０ｍＷの高調波が得られ変換効率は
１０％であった。なお第６図（ｂ）において入射部１０
より入射した基本波は光導波路２ａで高調波Ｐ２へと変
換されＬｉＮｂｏ３基板１内へ放射される。この高調波
Ｐ２は出射部１２に形成されているＡＩ膜１３がコーテ
ィングされたグレーティングより方向が変換され光導波
路２と垂直方向へ出射される。
された光波長変換素子のリッジ比ｈ／ｄは０である。こ
の光波長変換素子では波長０．７８μｍの基本波Ｐ１が
１００ｍＷ入力で１０ｍＷの高調波が得られ変換効率は
１０％であった。なお第６図（ｂ）において入射部１０
より入射した基本波は光導波路２ａで高調波Ｐ２へと変
換されＬｉＮｂｏ３基板１内へ放射される。この高調波
Ｐ２は出射部１２に形成されているＡＩ膜１３がコーテ
ィングされたグレーティングより方向が変換され光導波
路２と垂直方向へ出射される。
またＭｇＯがドーピングされている基板を用いると短波
長の光に対しても光損傷が防止でき高調波の出力変動が
ない。なおプロトン交換光導波路を上に三角形状にする
ことにより基本波の伝搬モードの形状が変化しにくくな
りさらに光損傷に強い構造となる。
長の光に対しても光損傷が防止でき高調波の出力変動が
ない。なおプロトン交換光導波路を上に三角形状にする
ことにより基本波の伝搬モードの形状が変化しにくくな
りさらに光損傷に強い構造となる。
次に第３の実施例として本発明の光波長変換素子を基本
波の波長１．０６μｍであるＹＡＧレーザの光波長変換
に適用した例について説明する。
波の波長１．０６μｍであるＹＡＧレーザの光波長変換
に適用した例について説明する。
基本構造は第１図（ａ）に示されるものを基本とし、ま
た製造方法は第１の実施例を基本とする。
た製造方法は第１の実施例を基本とする。
ただし本実施例ではＴｉによる保護マスク形成後、ざら
に保護マスク側面を滑らかにするためにウェットエツチ
ングを行フた。具体的には、３５００ＡのＴｉによる保
護マスク形成後、ＨＦ、ＨＮＯ３およびＨ２Ｏからなる
混合液（混合比１： １： ８００）中で２５°Ｃ１１
分閏ウェットエツチングを行い、Ｔ１を５０ＯＡエツチ
ングした。これにより側面の凹凸は±１００Ａ以下まで
低減された。
に保護マスク側面を滑らかにするためにウェットエツチ
ングを行フた。具体的には、３５００ＡのＴｉによる保
護マスク形成後、ＨＦ、ＨＮＯ３およびＨ２Ｏからなる
混合液（混合比１： １： ８００）中で２５°Ｃ１１
分閏ウェットエツチングを行い、Ｔ１を５０ＯＡエツチ
ングした。これにより側面の凹凸は±１００Ａ以下まで
低減された。
作製された光波長変換素子のコア部２ａの厚みは０．５
５μｍ、クラッド部２ｂの厚みは０． ２２μｍであり
リッジ比は０．４である。コア部の厚みｄはカットオフ
厚みｄ。ｕｔの１．３倍である。
５μｍ、クラッド部２ｂの厚みは０． ２２μｍであり
リッジ比は０．４である。コア部の厚みｄはカットオフ
厚みｄ。ｕｔの１．３倍である。
また、発生した波長０．５３μｍの高調波への変換効率
は１００ｍＷ入力で８．５％であった。このように基本
波の波長が変われば前述した式に従って厚みを設計すれ
は高効率に高調波への変換が行える。
は１００ｍＷ入力で８．５％であった。このように基本
波の波長が変われば前述した式に従って厚みを設計すれ
は高効率に高調波への変換が行える。
なお、０．６５〜１．６μｍの波長の基本波を用いて本
光波長変換素子による高調波発生を確認＝１５− した。
光波長変換素子による高調波発生を確認＝１５− した。
次に本発明の光波長変換素子の第４の実施例としてリッ
ジ型光導波路を内部に埋め込んだ例を説明する。第９図
（ａ）に断面図を（ｂ）に側断面図を示す。製造方法と
しては作製されたリッジ型光導波路をステアリン酸リチ
ウムを含んだステアリン酸中で熱処理することにより低
屈折率層９を形成した。低屈折率層９の屈折率はＬｉＮ
ｂＯ３基板１の屈折率より０．０１高い。低屈折率層９
の厚みは０． １μｍ、高屈折率層２の厚みは０．４μ
ｍであり幅は２μｍである。波長０． ８μｍに対する
伝搬損失は３ ｄ Ｂ ／ ｃ ｍであった。このよう
に光導波路を内部に埋め込むことによりプロトン交換光
導波路での散乱による伝搬損失が大幅に低減された。
ジ型光導波路を内部に埋め込んだ例を説明する。第９図
（ａ）に断面図を（ｂ）に側断面図を示す。製造方法と
しては作製されたリッジ型光導波路をステアリン酸リチ
ウムを含んだステアリン酸中で熱処理することにより低
屈折率層９を形成した。低屈折率層９の屈折率はＬｉＮ
ｂＯ３基板１の屈折率より０．０１高い。低屈折率層９
の厚みは０． １μｍ、高屈折率層２の厚みは０．４μ
ｍであり幅は２μｍである。波長０． ８μｍに対する
伝搬損失は３ ｄ Ｂ ／ ｃ ｍであった。このよう
に光導波路を内部に埋め込むことによりプロトン交換光
導波路での散乱による伝搬損失が大幅に低減された。
第９図（ｂ）において１１は基本波の入射部１０に形成
された入射面であり５ｌｏ２が反射防止膜３０として入
射面ｌｌ上に形成されている。これにより基本波ＰＩの
光導波路２への結合効率は１５％上昇する。また、出射
面１２は放射される高調波Ｐ２に対して垂直に研磨され
ており高調波Ｐ２はそのまま垂直に１Ｎｂ０３基板１外
に抜ける。この構成によれば温度変化ζこよる高調波の
出射角度変化の影響を受けにくい。
された入射面であり５ｌｏ２が反射防止膜３０として入
射面ｌｌ上に形成されている。これにより基本波ＰＩの
光導波路２への結合効率は１５％上昇する。また、出射
面１２は放射される高調波Ｐ２に対して垂直に研磨され
ており高調波Ｐ２はそのまま垂直に１Ｎｂ０３基板１外
に抜ける。この構成によれば温度変化ζこよる高調波の
出射角度変化の影響を受けにくい。
次に第５の実施例として本発明の光波長変換素子を光デ
ィスクの読み取りに応用した例について説明する。第１
０図にその構成を示す。半導体レーザー１６から出た基
本波Ｐ１はコリメータレンズ１７で平行光にされた後、
フォーカシングレンズ１８を用いてＬ ｉ Ｎ ｂ ０
３基板１の入射部１０に結合される。この基本波Ｐ２は
光導波路２て高調波Ｐ２に変換されＬ ｉ Ｎ ｂ ０
３基板１内に放射され出射部１２に形成されたＡ１反射
膜を有するグレーティングにより方向が変換されＬｉＮ
ｂＯ３基板１のｔ部より光導波路２の進行方向に対して
は平行光、幅方向に対しては発散光で出射される。この
高調波Ｐ２をシリンドリカルレンズ１９により発散光側
を平行光になるようにビーム成形を行い、両側ともに平
行光とする。この平行光にされた高調波Ｐ２は偏光ビー
ムスプリッタ２０を通過後、フォーカシングレンズ２１
で集光され光デイスク２２上に０． ６μｍのスポット
を結ぶ。この反射信号は再び偏光ビームスプリッタ２０
を通過後、受光器２３に入射する。波長０．８４μｍ、
出力６０ｍＷの半導体レーザ１６を用い基本波Ｐ１とし
て５０ｍＷを光導波路２内へ結合させた。これにより１
．４ｍＷの高調波Ｐ２が放射された。このうち光導波路
２が形成された面と垂直方向に１ｍＷの高調波が出射さ
れ、これが光ディスクの読み取りに使用された。
ィスクの読み取りに応用した例について説明する。第１
０図にその構成を示す。半導体レーザー１６から出た基
本波Ｐ１はコリメータレンズ１７で平行光にされた後、
フォーカシングレンズ１８を用いてＬ ｉ Ｎ ｂ ０
３基板１の入射部１０に結合される。この基本波Ｐ２は
光導波路２て高調波Ｐ２に変換されＬ ｉ Ｎ ｂ ０
３基板１内に放射され出射部１２に形成されたＡ１反射
膜を有するグレーティングにより方向が変換されＬｉＮ
ｂＯ３基板１のｔ部より光導波路２の進行方向に対して
は平行光、幅方向に対しては発散光で出射される。この
高調波Ｐ２をシリンドリカルレンズ１９により発散光側
を平行光になるようにビーム成形を行い、両側ともに平
行光とする。この平行光にされた高調波Ｐ２は偏光ビー
ムスプリッタ２０を通過後、フォーカシングレンズ２１
で集光され光デイスク２２上に０． ６μｍのスポット
を結ぶ。この反射信号は再び偏光ビームスプリッタ２０
を通過後、受光器２３に入射する。波長０．８４μｍ、
出力６０ｍＷの半導体レーザ１６を用い基本波Ｐ１とし
て５０ｍＷを光導波路２内へ結合させた。これにより１
．４ｍＷの高調波Ｐ２が放射された。このうち光導波路
２が形成された面と垂直方向に１ｍＷの高調波が出射さ
れ、これが光ディスクの読み取りに使用された。
このように本発明の光波長変換素子を用いることで従来
使用していた０、 ８μｍ帯の半導体レーザを用いた
光ディスクの読み取り系に比べて半分のスポットに紋る
ことができ光ディスクの記録密度を４倍に向とすること
ができる。また高調波を光導波路が形成されている面に
垂直に出射することにより簡単に非点収差のないスポッ
トを得ることができる。
使用していた０、 ８μｍ帯の半導体レーザを用いた
光ディスクの読み取り系に比べて半分のスポットに紋る
ことができ光ディスクの記録密度を４倍に向とすること
ができる。また高調波を光導波路が形成されている面に
垂直に出射することにより簡単に非点収差のないスポッ
トを得ることができる。
なお上述のグレーティングを用いて光導波路が形成され
ている面に対して高調波を垂直に出射ざせるという構成
はリッジ型光導波路に限らず埋め込み型、装荷型などの
各種光導波路構造に適用可能である。
ている面に対して高調波を垂直に出射ざせるという構成
はリッジ型光導波路に限らず埋め込み型、装荷型などの
各種光導波路構造に適用可能である。
発明の詳細
な説明したように本発明の光波長変換素子によれば、］
、＋ＮｂｘＴａ＋−ｘｏ３基板上に上ζこ凸でなおかつ
基本波に対してシングルモード伝搬が可能な構造となる
プロトン交換光導波路を用いることにより光の閉じ込め
を大きくし、光波長変換素子の変換効率が大幅に向上す
る。
、＋ＮｂｘＴａ＋−ｘｏ３基板上に上ζこ凸でなおかつ
基本波に対してシングルモード伝搬が可能な構造となる
プロトン交換光導波路を用いることにより光の閉じ込め
を大きくし、光波長変換素子の変換効率が大幅に向上す
る。
また、高調波を光導波路が形成されている面に対して垂
直に取り出すことにより簡単に非点収差のないスポット
を得ることができ、その実用的効果は極めて大きい。
直に取り出すことにより簡単に非点収差のないスポット
を得ることができ、その実用的効果は極めて大きい。
第１１１Ｊ（ａ）は本発明の一実施例の光波長変換素子
の構成斜視図、同（ｂ）（ｃ）は同（ａ）の素子の光導
波路に垂直、平行な面で切った断面図、第２図（ａ）〜
（ｅ）は本発明の光波長変換素子の製造方法の一例の工
程断面図、第３図はエッチ＝１９＝ ング時間とエツチング量の関係を示す図、第４図はプロ
トン交換導波路厚みに対する変換効率依存性のグラフ、
第５図はリッジ比ｈ／ｄと変換効率の関係を示す図、第
６図（ａ）、 （ｂ）は本発明の光波長変換素子の他
の実施例の光導波路に垂直、平行な図、第７図（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第３の実施例の工程断面図、第８図は
光導波路幅と伝搬損失の関係を示すグラフ、第９図（ａ
）、 （ｂ）は本発明の他の実施例の光導波路に垂直
、平行な断面図、第１０図は本発明の光波長変換素子の
応用例を示す構成図、第１１［ｍ（ａ）、 （ｂ）は
従来の光波長変換素子の斜視図、断面図、第１２図は従
来の光波長変換素子の製造方法を示す図、第１３図（ａ
）〜（ｃ）は従来の光波長変換素子の製造工程断面図で
ある。 １・・・ＬｉＮｂＯ３基板、２・・・高屈折率層、２ａ
・・・Ｊｐ部、１０・・・入射部、１２・・−出射部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はが１名−加一 ／ −−−Ｌ ｉ、ＮｂＯ３絨 ？久−−−コグ偲 第６図 δ−８．鐸項 １０− 人別部 ／ど一一−出￥Ｔ−ｗＪ α０ （ｂ） ｌど ｌＪ ／ −−−Ｌ Ｌ Ｎｂ Ｏ３五版 ？−尤盈汲落 第７図 第８図 光１１婦（、ｕｒｎ ） ノー−Ｌε〜ｂθ３１（、抜 （ａン （ｂ） ／−Ｌε〜ｂθ３Ｘ版 ？−尤導Ｉ隊 １０−入射部 ／２−Ｅ射部 第１０図 ？２ ノ −−Ｌ Ｌ ＮｂＯ２３差、イ２え、？−尤導液豚 ／ −−−ＬｔＮｂθ３ｊ≧−；し ？−光博液祿 第１２図 ’ −−−Ｉ ＬＡ／ｂ山差敦 （ａン 手続補正書（方式） 昭和６３年７ 月 ８日 ２発明の名称 光波長変換素子 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人
住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 谷
井 昭 雄 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内
の構成斜視図、同（ｂ）（ｃ）は同（ａ）の素子の光導
波路に垂直、平行な面で切った断面図、第２図（ａ）〜
（ｅ）は本発明の光波長変換素子の製造方法の一例の工
程断面図、第３図はエッチ＝１９＝ ング時間とエツチング量の関係を示す図、第４図はプロ
トン交換導波路厚みに対する変換効率依存性のグラフ、
第５図はリッジ比ｈ／ｄと変換効率の関係を示す図、第
６図（ａ）、 （ｂ）は本発明の光波長変換素子の他
の実施例の光導波路に垂直、平行な図、第７図（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第３の実施例の工程断面図、第８図は
光導波路幅と伝搬損失の関係を示すグラフ、第９図（ａ
）、 （ｂ）は本発明の他の実施例の光導波路に垂直
、平行な断面図、第１０図は本発明の光波長変換素子の
応用例を示す構成図、第１１［ｍ（ａ）、 （ｂ）は
従来の光波長変換素子の斜視図、断面図、第１２図は従
来の光波長変換素子の製造方法を示す図、第１３図（ａ
）〜（ｃ）は従来の光波長変換素子の製造工程断面図で
ある。 １・・・ＬｉＮｂＯ３基板、２・・・高屈折率層、２ａ
・・・Ｊｐ部、１０・・・入射部、１２・・−出射部。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はが１名−加一 ／ −−−Ｌ ｉ、ＮｂＯ３絨 ？久−−−コグ偲 第６図 δ−８．鐸項 １０− 人別部 ／ど一一−出￥Ｔ−ｗＪ α０ （ｂ） ｌど ｌＪ ／ −−−Ｌ Ｌ Ｎｂ Ｏ３五版 ？−尤盈汲落 第７図 第８図 光１１婦（、ｕｒｎ ） ノー−Ｌε〜ｂθ３１（、抜 （ａン （ｂ） ／−Ｌε〜ｂθ３Ｘ版 ？−尤導Ｉ隊 １０−入射部 ／２−Ｅ射部 第１０図 ？２ ノ −−Ｌ Ｌ ＮｂＯ２３差、イ２え、？−尤導液豚 ／ −−−ＬｔＮｂθ３ｊ≧−；し ？−光博液祿 第１２図 ’ −−−Ｉ ＬＡ／ｂ山差敦 （ａン 手続補正書（方式） 昭和６３年７ 月 ８日 ２発明の名称 光波長変換素子 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人
住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表者 谷
井 昭 雄 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内
Claims (4)
- （１）ＬｉＮｂ＿ＸＴａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０≦Ｘ≦
１）基板上に上に凸な形状を有しなおかつ基本波に対し
てシングルモード伝搬が可能な構造を有するプロトン交
換光導波路が形成され、前記光導波路への前記基本波の
入射部と高調波の出射部とを備えたことを特徴とする光
波長変換素子。 - （２）ＬｉＮｂ＿ＸＴａ＿１＿−＿ＸＯ＿３（０≦Ｘ≦
１）基板上に基本波に対してシングルモード伝搬が可能
な構造を有するプロトン交換光導波路と、前記基本波の
入射部と高調波が前記プロトン交換光導波路が形成され
ている面に対して垂直方向に取り出される構造となるグ
レーティングを有する高調波の出射部とを備えたことを
特徴とする光波長変換素子。 - （３）プロトン交換光導波路のコア部の厚みｄとクラッ
ド部の厚みｈとの比（ｈ／ｄ）が０≦ｈ／ｄ≦０．７の
範囲にあであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光波長変換素子。 - （４）プロトン交換光導波路のコア部の厚みｄが基本波
のカットオフ厚みの１．０５〜１．５倍であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光波長変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066595A JPH0820655B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 光波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066595A JPH0820655B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 光波長変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238631A true JPH01238631A (ja) | 1989-09-22 |
| JPH0820655B2 JPH0820655B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=13320443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066595A Expired - Fee Related JPH0820655B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 光波長変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820655B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03191332A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子およびその製造方法 |
| EP0782017A2 (en) | 1995-12-28 | 1997-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide optical wavelength conversion device, and methods for fabricating the same |
| US6002515A (en) * | 1997-01-14 | 1999-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing polarization inversion part, optical wavelength conversion element using the same, and optical waveguide |
| US6519077B1 (en) | 1999-03-23 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide, optical wavelength conversion device, method for producing the same, short wavelength light generation apparatus using the same, optical information processing apparatus using the same, coherent light generation apparatus using the same, and optical system using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61189524A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換装置 |
| JPS6315234A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066595A patent/JPH0820655B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61189524A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換装置 |
| JPS6315234A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換素子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03191332A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光波長変換素子およびその製造方法 |
| EP0782017A2 (en) | 1995-12-28 | 1997-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide optical wavelength conversion device, and methods for fabricating the same |
| US5872884A (en) * | 1995-12-28 | 1999-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide conversion device |
| US5991490A (en) * | 1995-12-28 | 1999-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide and optical wavelength conversion device |
| US6002515A (en) * | 1997-01-14 | 1999-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing polarization inversion part, optical wavelength conversion element using the same, and optical waveguide |
| US6519077B1 (en) | 1999-03-23 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical waveguide, optical wavelength conversion device, method for producing the same, short wavelength light generation apparatus using the same, optical information processing apparatus using the same, coherent light generation apparatus using the same, and optical system using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0820655B2 (ja) | 1996-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0753768B1 (en) | Wavelength changing device and laser beam generating apparatus | |
| US5991490A (en) | Optical waveguide and optical wavelength conversion device | |
| EP0382462B1 (en) | Manufacturing method of frequency doubler | |
| US5323262A (en) | Wavelength conversion device | |
| US4946240A (en) | Optical harmonic generation device | |
| JPH01238631A (ja) | 光波長変換素子 | |
| US5205904A (en) | Method to fabricate frequency doubler devices | |
| US5343484A (en) | SHG (second-harmonic generation) device | |
| JPH03191332A (ja) | 光波長変換素子およびその製造方法 | |
| JP3198649B2 (ja) | 光導波路装置 | |
| JPH0454210B2 (ja) | ||
| JPH04356031A (ja) | 入射テーパ光導波路およびそれを用いた波長変換素子 | |
| JPS6170541A (ja) | 薄膜型光学素子およびその作製方法 | |
| JP2973963B2 (ja) | 短波長光源 | |
| JPH02236505A (ja) | 入射テーパ光導波路および波長変換素子および入射テーパ光導波路製造方法 | |
| JP3036243B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JPH04368921A (ja) | 波長変換素子およびその製造方法 | |
| JP2921207B2 (ja) | 光波長変換素子およびその製造方法 | |
| JPH0247610A (ja) | グレーティング結合器及びグレーティング結合器を用いた光ヘッド装置 | |
| JPH0262520A (ja) | 光波長変換素子およびその製造方法 | |
| JPH03260604A (ja) | 光導波路及びその製造方法とこの導波路を用いた光偏向装置、光集積ヘッド並びに光情報記録再生装置 | |
| JP2855676B2 (ja) | 光導波路 | |
| JPH0350533A (ja) | 光波長変換素子およびその製造方法 | |
| JPH06230444A (ja) | 光波長変換素子及びその製造方法 | |
| JPH0827471B2 (ja) | 薄膜型光学素子の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |