JPH01240900A

JPH01240900A - 真空リーク保護装置

Info

Publication number: JPH01240900A
Application number: JP6771488A
Authority: JP
Inventors: Tomoaki Kawamura; 朋晃川村
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1988-03-22
Filing date: 1988-03-22
Publication date: 1989-09-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は放射光導入用ビームラインの真空リーク保護装
置に関するものである。

〔従来の技術〕

はぼ光速度まで加速された荷電粒子を蓄積した円形加速
器からはシンクロトロン放射光（以下放射光と称す）と
よばれるＸ線から赤外線に至る広いスペクトルを持つ強
力な光が放出される。近年、この広範囲な波長領域を持
つ放射光を分析、半導体用リソグラフィや光反応に利用
しようという動きが高まっている。この放射光を発生す
る円形加速器は高速で高エネルギーの電子を周回させる
ため、通常１０　　Ｔａｒｔ以下の超高真空状態に保た
れている。

しかし、放射光を利用する実験装置は必ずしも超高真空
ではなく、特Ｋ　ＩＪソグラフィや光反応尋においては
数Ｔｏｒｒ〜大気中での実験が必要である。

この場合、通常は放射光導入用ビームライン（以下ビー
ムラインと称す）Ｋ差動排気やＢｅ膜等を用いることに
より、実験装置の低真空の影響が円形加速器に及ぶこと
を防止している。また、万一、Ｂｅ膜の破壊等により真
空リークが生じた場合は、真空パル２制御系により真空
す−ク個所から放射光発生用円形加速器までの真空バル
ブを実験装置側（以下下流側と称す）から円形加速器側
（以下上流側と称す）まで順々に閉めるとともに、放射
光遮断用シャ、ターを閉鎖し、ビームラインの真空悪化
が円形加速器まで及ばないように保肢している。

第４図に従来のビームラインに用いている真空リーク保
護装置の概念図を示す、１は放射光遮断用シャッター、
２〜４はビームライン中に設けられた真空バルブ、５は
放射光を導入するだめの真空ダクト、６〜９はリレー出
力付き真空度測定用真空ｙ−−ｚ（以下真空ゲージと称
す）、１０はビームラインに接続された実験装置（以下
ビームライン接続用実験装置または実験装置と称す）、
１１は真空リーク保護用真空バルブ制御系（以下制御系
と称す）、１２は放射光のうちＸ線を含む高エネルギー
成分のみをカットするための放射光反射用ミラー（以下
放射光反射用ミラーと称す）である。

第４図に示すような従来の真空リーク保護装置では例え
ば真空ゲージ９の真空度が悪化した場合、第５図に示す
ようなシーケンスでバルブを遮断することにより上流側
の真空悪化を防止している。

即ち、真空リーク保論装置をスター）　（５ＴＡＲＴ）
させ、真空ゲージ９の真空が悪化した場合には、先ず真
空バルブ４の閉鎖を開始するとともに放射光遮断用シャ
ッタ１の閉鎖を開始する０次に、真空バルブ３．２の閉
鎖を順次開始する。その後、真空パル２２〜４および放
射光遮断用シャッタ１が閉鎖されて、真空リーク保護装
置の動作を終了（ＥＮＤ　）する。

しかし、通常放射光遮断用シャッター１は水冷された銅
プロ、り等で構成されておシ、その動作時間は真空バル
ブの動作時間に比べると長い、このため、上流側の真空
保護を目的としてビームライン下流の真空バルブ２〜４
および放射光遮断用シャッター１の閉鎖をほぼ同時に開
始した場合、放射光遮断用シャ、ター１により放射光が
完全く遮断されないうちに真空パルｆ２〜４が閉鎖動作
を終了してしまい、−瞬ではあるが放射光が真空バルブ
２〜４の何れかに照射されてしまう。このうち真空バル
ブ３および４に照射される放射光は放射光反射用ミラー
１２で反射された光であるため、Ｘ線等の高いエネルギ
ーを含まない光であるのに対し、真空パルｆ２に照射さ
れる可能性のある放射光は円形加速器よシ直接放射され
るものであシ、高いエネルギーを持つＸ線成分を含んで
いる。ここで真空バルブ２〜４の閉鎖時に、もし真空パ
ル２２に放射光が照射されたとすると、真空バルブ２の
壁面およびシール材であるパイトンよ）多量のガスが放
出され、上流側の真空悪化を招く可能性がある。また放
射光の真空バルブ２への照射を避けるため、真空バルブ
２の動作開始時間を遅延させた場合、下流側の真空の悪
化が上流側へ伝達され、円形加速器の真空悪化に繋がる
可能性が生じる。

このように従来装置では真空保護を目的とした放射光遮
断用シャ、ターおよび真空バルブの閉鎖措置が逆に新た
な真空悪化を招く可能性がちシ、ビームラインおよび円
形加速器の真空保護を安全に行うことができない。

〔発明が解決しようとするｌ１題）本発明の目的は、従来の装置では真空悪化に伴う真空保
護措置を行う場合、真空バルブに放射光が照射される可
能性がある、という問題を解決して安全に真空保護措置
を行うことが可能な真空リーク保膜装置を提供すること
にある。

〔除頭を解決するための手段と作用〕本発明は上記目的を達成するために、真空中に設置され
た放射光遮断用シャ、ター、および真空バルブ、および
一部を低コンダクタンス化した放射光導入用真空ダクト
、および真空度測定用真空ゲージ、および前記放射光遮
断用シャ、ター・前記真空バルブ・前記真空ｒ−ジの制
御系から構成され、放射光導入側から放射光遮断用シャ
、ター、真空バルブ、低コンダクタンスダクト、真空ｒ
−ジの順で配置された放射光導入用ビームラインを有す
る真空リーク保護装Ｒにおいて、真空ゲージにより検出
した真空度の悪化に伴い生じる放射光導入側への真空悪
化の伝達を防止するために行う放射光遮断用シャッター
および真空バルブの閉鎖措置において、真空バルブの閉
鎖動作開始を遅延させ放射光遮断用シャッターの閉鎖動
作終了後に真空バルブの閉鎖動作を開始すること、およ
び真空・々ルプの閉鎖動作開始の遅延に伴う真空バルブ
近傍の真空度悪化の影響を低コンダクタンスダクトによ
り低減することを特徴とするもので、放射光用ビームラ
インにおいて直接円形加速器から導入される放射光が照
射される可能性のある真空バルブの閉鎖開始を放射光遮
断用シャッター閉鎖後に開始するものである。

従来の技術とは、真空ノ々ルプの動作を放射光遮断用シ
ャッター動作完了後に開始すること、および真空バルブ
の動作開始時間の遅延に伴う真空バルブ付近の真空度の
悪化を低コンダクタンスダクトにより防止する点が異な
る。

従来の技術では放射光遮断用シャ、ターおよび真空バル
ブの動作時間のばらつきＫよル真空バルブに直接放射光
が照射される可能性がある、という欠点がちった。−力
木発明では放射光遮断用シャッターおよび真空バルブの
動作時間がばらついても真空バルブに放射光は照射され
ず、しかも低コンダクタンスダクトによる真空悪化状態
の遅延により真空バルブの動作開始が遅延しても真空悪
化を生じないという利点がある。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。

第１図は本実細例の概念部分を示したものである。

１３は放射光遮断用シャッター（以下シャ、ターと称す
）、１４〜Ｊ６は真空バルブ、１７〜２０はリレー出力
付き真空度測定用真空ゲージ（以下真空ｒ−ジと称す）
、２１はビームラインを構成する真空ダクト、２２はビ
ームラインの一部に設けた真空のコンダクタンスを減少
させた低コンダクタンスダクト（以下低コンダクタンス
ダクトと称す）、２３は放射光反射用ミラー（以下ぽラ
ーと称す）、２４はビームライン接続用実験装置（以下
実験装置と称す）、２５はシャ、ター１３、真空バルブ
１４〜１６および真空ゲージ１７〜２０を制御する真空
リーク保護用真空バルブ制御系（以下制御系と称す）で
ある。

本実施例において、例えば実験装置２４の真空が悪化し
た場合は第２図に示すシーケンスにより真空バルブ１４
〜１６およびシャッター１３の閉鎖を行うことによυ、
上流側の真空保譲を行う。

即ち、真空リーク保護装置がスター）　（５ＴＡＲＴ）
し真空ｒ−ジ２０が悪化した場合、シャ、ター１３およ
びｌ（空バルブ１６の閉鎖を開始する。次に真空パル２
１５の閉鎖を開始して後、シャッター１３の動作時間だ
け待機する。この間の真空ｒ−ジ１７近彷の真空の悪化
は低コンダクタンスダクト２２により遅延される。その
後、真空）９ルゾ１４の閉鎖を開始する。その後、真空
バルブ１４〜１６およびシャッター１３が閉鎖されて、
真空リーク保護装置の動作は終了（ＥＮＤ）する。

このシーケンスにおいてはＩ１１御系２！５ＶＣよシ、
電気的にバルブ１４の閉鎖を遅延させることにより、放
射光が直接バルブに照射されることなく・クルジ１４の
閉鎖動作開始を行うことができる。なお、シャッター１
３の遅延時間はあらかじめ測定しておくことによプ、求
めることが可能である。

また、バルブ１４の閉鎖動作開始の遅延時間による真空
度の態化は、低コンダクタンスダクト２２により避ける
ことができる。

さらに本実施例において、真空パルｆ１４への放射光の
照射を確実に避けるために第３図に示す様なシーケンス
により真空ノぐルプ１４〜１６およびシャッター１３を
閉めても良い、即ち、制御系２５を用い、放射光がシャ
ッター１３により遮断されたことを確認するため、シャ
ッター１３の動作終了信号の入力まで待機する。この間
の真空ゲージ１７近傍の真空の悪化は低コンダクタンス
ダクト２５により遅延される。その後、真空バルブ１４
の閉鎖動作を開始するようＫしたものである。

この場合は、真空パル２１４の゛動作開始が確実にシャ
ッター１３閉鎖後になるため、シャッター動作時間のば
らつきを避けることができ、よシ確実に真空バルブ１４
〜１６およびシャッター１３の閉鎖という保護措置をと
ることが可能となる。

本実施例はこのように低コンダクタンスダクトを利用す
ることにより、真空バルブの動作開始を真空度を悪化さ
せることなく遅延することができる構造となっているた
め、その効果として、真空度の悪化および放射光の真空
バルブへの照射を生じずに、ビームラインの真空保護措
置をとることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の真空リーク防止装置は、放
射光の真空バルブへの偶発的々照射を避けながら、ビー
ムラインの真空保護措置をとることができるという利点
があシ、例えば半導体作製装α等低真空の実験装置を接
続するビームラインの建設に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成説明図、第２図及び第
３図はそれぞれ第１図の７ｃ空バルブ及びシャッターの
閉鎖シーケンスの例を示す図、Ｍ４図は従来の真空リー
ク保護装置を示す構成説明図、第５図は第４図の真空バ
ルブ及びシャッターの閉鎖シーケンスを示す図である。１・・・放射光遮断用シャ、ター、２・・・真空バルブ
、３・・・真空バルブ、４・・・真空バルブ、５・・・
真空ダクト、６・・・リレー出力付き真空度測定用真空
ダーツ、７・・・リレー出力付き真空度測定用真空ゲー
ジ、８・・・リレー出力付き真空度測定用真空ゲージ、
９・・・リレー出力付き真空度測定用真空ゲージ、１０
・・・ビームライン接続用実験装置、１１・・・真空リ
ーク保護用真空バルブ制御系、１２・・・放射光反射用
ミラー、１３・・・放射光遮断用シャッター、１４・・
・真空バルブ、１５・・・真空バルブ、１６・・・真空
バルブ、１７・・・リレー出力付き真空度測定用真空ゲ
ージ、１８・・・リレー出力付き真空度測定用真空ｒ−
ジ、１９・・・リレー出力付き真空度δ：り定用具空ゲ
ージ、２０・・・リレー出力付き真空度測定用真空ゲー
ジ、２１・・・真空ダクト、２２・・・低コンダクタン
スダクト、２３・・・放射光反射用ミラー、２４・・・
ビームライン接続用実験装置、２５・・・真空リーク保
進用真空バルブ制御系。出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第３図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

真空中に設置された放射光遮断用シャッター、および真
空バルブ、および一部を低コンダクタンス化した放射光
導入用真空ダクト、および真空度測定用真空ゲージ、お
よび前記放射光遮断用シャッター・前記真空バルブ・前
記真空ゲージの制御系から構成され、放射光導入側から
放射光遮断用シャッター、真空バルブ、低コンダクタン
スダクト、真空ゲージの順で配置された放射光導入用ビ
ームラインを有する真空リーク保護装置において、真空
ゲージにより検出した真空度の悪化に伴い生じる放射光
導入側への真空悪化の伝達を防止するために行う放射光
遮断用シャッターおよび真空バルブの閉鎖措置において
、真空バルブの閉鎖動作開始を遅延させ放射光遮断用シ
ャッターの閉鎖動作終了後に真空バルブの閉鎖動作を開
始すること、および真空バルブの閉鎖動作開始の遅延に
伴う真空バルブ近傍の真空度悪化の影響を低コンダクタ
ンスダクトにより低減することを特徴とする真空リーク
保護装置。