JPH01241503A - マイクロレンズおよびその製造方法 - Google Patents
マイクロレンズおよびその製造方法Info
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- JPH01241503A JPH01241503A JP6870488A JP6870488A JPH01241503A JP H01241503 A JPH01241503 A JP H01241503A JP 6870488 A JP6870488 A JP 6870488A JP 6870488 A JP6870488 A JP 6870488A JP H01241503 A JPH01241503 A JP H01241503A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はマイクロレンズおよびその製造方法に関する。
（従来技術）
基板に光を照射し、所定のプログラムにより基板上のエ
ネルギー分布をコントロールし、ＣＶＤにより所望の膜
厚分布を有する物質膜を形成し、この物ｆｆ膜をレンズ
として使用するという技術が提案されている（例えば特
開昭６２−２６０１０４号公報）。
ネルギー分布をコントロールし、ＣＶＤにより所望の膜
厚分布を有する物質膜を形成し、この物ｆｆ膜をレンズ
として使用するという技術が提案されている（例えば特
開昭６２−２６０１０４号公報）。
周知の如く、レーザー光はガウス分布に従う強度分布を
もっているので基板にレーザー光を照射することにより
ガウス分布に従うプロフィルをもつ物質膜を形成できる
。この物質膜はその最大膜厚部近傍をレンズ面として使
用することが出来るが、エツチングによるレンズ面加工
を行うことによって所望の面形状のレンズとして形成で
きると考えられる。
もっているので基板にレーザー光を照射することにより
ガウス分布に従うプロフィルをもつ物質膜を形成できる
。この物質膜はその最大膜厚部近傍をレンズ面として使
用することが出来るが、エツチングによるレンズ面加工
を行うことによって所望の面形状のレンズとして形成で
きると考えられる。
しかし、エツチングによるレンズ面加工は必ずしも容易
ではなく、レーザーＣＶＤによるマイクロレンズ製造に
於いて、如何にして所望のレンズ面形状を得るかという
のが大きな問題であった。
ではなく、レーザーＣＶＤによるマイクロレンズ製造に
於いて、如何にして所望のレンズ面形状を得るかという
のが大きな問題であった。
（目 的）
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって
、新規なマイクロレンズとその製造方法の提供を目的と
する。
、新規なマイクロレンズとその製造方法の提供を目的と
する。
（構 成）
以下、本発明を特徴する
請求項１の発明は、以下の如き特徴を持つ。
材料ガスとして、５ｉＨ４，ＮＯ，ＮＨ３の混合ガスを
用い、エネルギー源としてＣＯ□レーザーの放射光の内
、上記材料ガスにエネルギー吸収されにくい波長帯の光
を用いる。
用い、エネルギー源としてＣＯ□レーザーの放射光の内
、上記材料ガスにエネルギー吸収されにくい波長帯の光
を用いる。
材料ガスにおけるｓｊＨ＜、ＮＯ，ＮＨｓの混合比を段
階的もしくは連続的に変化させつつレーザーＣＶＤを行
１て、ガウス分布状のプロフィルを持ち、且つ膜の組成
が段階的もしくは連続的に変化することにより膜の各部
が所望のエラチングレー１−を持つ物質膜を形成する。
階的もしくは連続的に変化させつつレーザーＣＶＤを行
１て、ガウス分布状のプロフィルを持ち、且つ膜の組成
が段階的もしくは連続的に変化することにより膜の各部
が所望のエラチングレー１−を持つ物質膜を形成する。
混合比の変化に於いてＮＨ３の混合比率は０を取り得る
。
。
この物質膜をエツチングして所望の表面形状のマイクロ
レンズを得る。
レンズを得る。
請求項２の発明は、以下の如き特徴を持つ。
材料ガスとして、ＳｊＬ＋ＮＯ，ＮＨｉの混合ガスを用
い、エネルギー源としてＣＯ□レーザーの放射光の内、
上記材料ガスにエネルギー吸収されにくい波長帯の光を
用いる。
い、エネルギー源としてＣＯ□レーザーの放射光の内、
上記材料ガスにエネルギー吸収されにくい波長帯の光を
用いる。
上記光をパルス照射しつつレーザーＣＶＤを行い、上記
パルス照射の制御により、所望のプロフィルを持ったＳ
ｉＯＮの物質膜をマイクロレンズとして形成する。
パルス照射の制御により、所望のプロフィルを持ったＳ
ｉＯＮの物質膜をマイクロレンズとして形成する。
請求項３の発明は、上記請求項１または２の方法で製造
されるマイクロレンズ自体である。
されるマイクロレンズ自体である。
請求項１．２ともエネルギー源としてＣＯ２レーザーの
放射光の内、材料ガスにエネルギー吸収されにくい波長
帯の光を用いるが、これには以下の如き技術的意味があ
る。即ち、材料ガスにエネルギー吸収されやすい光を照
射してレーザーＣＶＤを行うと形成される物質膜にスパ
イク状の膜成長が発生し、マイクロレンズとしての光学
性能上の欠点となる場合があるのであるが、エネルギー
源としてＣＯ□レーザーの放射光の内、材料ガスにエネ
ルギー吸収されにくい波長帯の光を用いることにより上
記スパイク状の膜成長を防止することができるのである
。
放射光の内、材料ガスにエネルギー吸収されにくい波長
帯の光を用いるが、これには以下の如き技術的意味があ
る。即ち、材料ガスにエネルギー吸収されやすい光を照
射してレーザーＣＶＤを行うと形成される物質膜にスパ
イク状の膜成長が発生し、マイクロレンズとしての光学
性能上の欠点となる場合があるのであるが、エネルギー
源としてＣＯ□レーザーの放射光の内、材料ガスにエネ
ルギー吸収されにくい波長帯の光を用いることにより上
記スパイク状の膜成長を防止することができるのである
。
（実施例）
以下、図面を参照しながら具体的な実施例に即して説明
する。
する。
第１図（Ａ）は、レーザーＣＶＤを行うための装置を説
明図的に示している。符号１はＣＯ２レーザー、符号２
はガイド光用光源であるＨｅ−Ｎｅレーザー、符号３は
Ｚｎ５ｅ板、符号４はミラー、符号５はＺｎ５ｅ集光レ
ンズ、符号６はＺｎ５ｅ窓、符号７はチャンバー、符号
８は真空ゲージ、符号９はガス導入管、符号１０は石英
基板、符号１１はロータリーポンプ、符号１２はグレー
ティングを示す。
明図的に示している。符号１はＣＯ２レーザー、符号２
はガイド光用光源であるＨｅ−Ｎｅレーザー、符号３は
Ｚｎ５ｅ板、符号４はミラー、符号５はＺｎ５ｅ集光レ
ンズ、符号６はＺｎ５ｅ窓、符号７はチャンバー、符号
８は真空ゲージ、符号９はガス導入管、符号１０は石英
基板、符号１１はロータリーポンプ、符号１２はグレー
ティングを示す。
請求項１の発明の実施例
チャンバー７内にガス導入管９により材料ガスとして、
先ずＳｉＨ４，ＮＯを１：５０の混合比（分圧比）で混
合したものを導入し、全圧１５３Ｔｏｒｒで封じ込めた
。ＣＯ□レーザー１の放射レーザー光の内、材料ガスに
エネルギー吸収されにくい波長帯の光としてＰ（２０）
をグレーティング１２により選択し、これをＺｎ５ｅ集
光レンズ５により石英基板１０上にスポット状に垂直照
射した。 Ｚｎ５ｅ集光レンズ５はｆ：１００＋ｕ＋の
ものであり、石英基板ＩＯの厚さは３８０ＩＬｍ程度、
石英基板５とＺｎ５ｅ窓６との間の距離は４ｃｍ程度で
あり石英基板１０はＺｎ５ｅ集光レンズ５による焦点位
置の前方＃１１ｃｍ程度の位置に置かれている。
先ずＳｉＨ４，ＮＯを１：５０の混合比（分圧比）で混
合したものを導入し、全圧１５３Ｔｏｒｒで封じ込めた
。ＣＯ□レーザー１の放射レーザー光の内、材料ガスに
エネルギー吸収されにくい波長帯の光としてＰ（２０）
をグレーティング１２により選択し、これをＺｎ５ｅ集
光レンズ５により石英基板１０上にスポット状に垂直照
射した。 Ｚｎ５ｅ集光レンズ５はｆ：１００＋ｕ＋の
ものであり、石英基板ＩＯの厚さは３８０ＩＬｍ程度、
石英基板５とＺｎ５ｅ窓６との間の距離は４ｃｍ程度で
あり石英基板１０はＺｎ５ｅ集光レンズ５による焦点位
置の前方＃１１ｃｍ程度の位置に置かれている。
上記レーザー光照射はパワーを１．７Ｗとして２分間行
った。続いて、チャンバー７内にＮ’Ａｓガスを追加導
入し、５ｉＨ−：ＮＯ：ＮＨｘの分圧比を１：５０：１
５に１！ＩＭし、全圧２０３Ｔｏｒｒとして、レーザー
光を上記と同様にして４分間照射した。さらにチャンバ
ー７内にＮＨ３ガスを追加導入し、 ＳｉＨ＜：Ｎｏ：
Ｎｉ＋３の分圧比を１：５０：５０に調整し、全圧３０
３Ｔｏｒｒとして、レーザー光を上記と同様にして４分
間照射した。
った。続いて、チャンバー７内にＮ’Ａｓガスを追加導
入し、５ｉＨ−：ＮＯ：ＮＨｘの分圧比を１：５０：１
５に１！ＩＭし、全圧２０３Ｔｏｒｒとして、レーザー
光を上記と同様にして４分間照射した。さらにチャンバ
ー７内にＮＨ３ガスを追加導入し、 ＳｉＨ＜：Ｎｏ：
Ｎｉ＋３の分圧比を１：５０：５０に調整し、全圧３０
３Ｔｏｒｒとして、レーザー光を上記と同様にして４分
間照射した。
この結果、第２図に実線で示す如きプロフィルを持った
、物質膜が形成された。この物質膜に対しＢ）−ＩＦエ
ツチングを８分間行ったところ、物質膜のプロフィルは
第３図の実線の如きものとなった。同図に於いて破線は
最大膜厚部分の曲率を持つ球面であり、エツチング後、
物質膜のうち上記球面に適合する部分は膜厚の４４％に
達した。従って、このようにして得られた物質膜は良好
な球面マイクロレンズとしての使用が可能である。
、物質膜が形成された。この物質膜に対しＢ）−ＩＦエ
ツチングを８分間行ったところ、物質膜のプロフィルは
第３図の実線の如きものとなった。同図に於いて破線は
最大膜厚部分の曲率を持つ球面であり、エツチング後、
物質膜のうち上記球面に適合する部分は膜厚の４４％に
達した。従って、このようにして得られた物質膜は良好
な球面マイクロレンズとしての使用が可能である。
ここで、請求項１の発明の作用を、上記実施例との関連
に於いて説明する。
に於いて説明する。
第２図で実線は成膜後の物質膜のプロフィルであり、破
線は物質膜の最大膜厚部分の曲率を持つ球面のプロフィ
ルを示す。物質膜自体のプロフィルと破線で示す球面の
プロフィルの一致する領域は比較的せまく、従って、良
好な球面レンズを得るためには物質膜に対するエツチン
グが必要となるが、物質膜のプロフィルから破線の球面
プロフィルを得る為には、第２図で斜線を施した部分を
エツチング除去しなければならない。このエツチング除
去すべき部分を見ると、物ａＳの中央部分（膜厚最大の
部分）から物質膜の裾野の方へ向かって大きく成ってお
り、従って、物質膜自体を単に一定のエツチングレート
でエツチングしても所望の球面形状は得られない、所望
の球面形状を得るには、エツチングレートが物ｆｆ膜中
央部から裾野の部分に向かうにつれて大きくなる様にエ
ツチングを行わねばならない。
線は物質膜の最大膜厚部分の曲率を持つ球面のプロフィ
ルを示す。物質膜自体のプロフィルと破線で示す球面の
プロフィルの一致する領域は比較的せまく、従って、良
好な球面レンズを得るためには物質膜に対するエツチン
グが必要となるが、物質膜のプロフィルから破線の球面
プロフィルを得る為には、第２図で斜線を施した部分を
エツチング除去しなければならない。このエツチング除
去すべき部分を見ると、物ａＳの中央部分（膜厚最大の
部分）から物質膜の裾野の方へ向かって大きく成ってお
り、従って、物質膜自体を単に一定のエツチングレート
でエツチングしても所望の球面形状は得られない、所望
の球面形状を得るには、エツチングレートが物ｆｆ膜中
央部から裾野の部分に向かうにつれて大きくなる様にエ
ツチングを行わねばならない。
このように、エツチングにより物質膜の一部を除去して
、所望のレンズ面形状を得るにあたり、物質膜各部のエ
ツチングレートを予め、エツチングに都合が良いように
分布させるというのが請求項１の発明の本質であり、こ
れを実現するために物質膜の組成を段階的もしくは連続
的に変化させるのである。
、所望のレンズ面形状を得るにあたり、物質膜各部のエ
ツチングレートを予め、エツチングに都合が良いように
分布させるというのが請求項１の発明の本質であり、こ
れを実現するために物質膜の組成を段階的もしくは連続
的に変化させるのである。
上記実施例の場合に付いて見ると、レーザーＣＶＤによ
り石英基板１０上に形成された物質膜は、その組成から
して３Ｍ構造となっている。即ち、基板ＩＯに直接形成
された層は、その組成がＳｉＯ□であり、その上に形成
される層は０リツチなＳｉＯＮの層であり、最上層はＮ
リッチなＳｉＯＮの層である。
り石英基板１０上に形成された物質膜は、その組成から
して３Ｍ構造となっている。即ち、基板ＩＯに直接形成
された層は、その組成がＳｉＯ□であり、その上に形成
される層は０リツチなＳｉＯＮの層であり、最上層はＮ
リッチなＳｉＯＮの層である。
得られた物質膜中の密度は単位時間に与えられたエネル
ギーが大きい部分程、高密度である。レーザービームの
光強度分布がガウス分布に従うことから、このことは得
られた物質膜に於いて、その中央部の膜厚の厚い部分は
ど密度が高く、裾野の方へ向かうにつれて、密度が低く
なる事を意味する。
ギーが大きい部分程、高密度である。レーザービームの
光強度分布がガウス分布に従うことから、このことは得
られた物質膜に於いて、その中央部の膜厚の厚い部分は
ど密度が高く、裾野の方へ向かうにつれて、密度が低く
なる事を意味する。
さて、物質膜に於けるＢＨＦによるエツチングレートは
物質膜の密度と組成に依存し、密度が低いほど、また０
リツチであるほどエツチングレートが高い、そこで、こ
の観点から上記実施例の３暦構造の物質膜のエツチング
レートを考えてみると、物質膜の中央部では密度が高く
、また表面層はＮリッチであるところからエツチングレ
ートは低い、しかるに膜の裾野に向かうにつれて密度が
低く成るために、表面層のＮリッチなＳｉＯＮＪｌのエ
ツチングレートが高くなり、さらにこの表面層がエツチ
ングされるとその下のＯリッチなＳｉＯＮ層は容易にエ
ツチングされるので、全体としてエツチングレートが高
くなる。結局、上記実施例の物質膜のエツチングレート
は中央部から裾野の方へ向かって次第に大きくなってお
り、従ってエツチングにより除去される膜部分は中央部
では僅かであるが、裾野の方へ向かうにつれて大きくな
るので、エツチングにより容易に球面に適合する部分を
拡大できるのである。
物質膜の密度と組成に依存し、密度が低いほど、また０
リツチであるほどエツチングレートが高い、そこで、こ
の観点から上記実施例の３暦構造の物質膜のエツチング
レートを考えてみると、物質膜の中央部では密度が高く
、また表面層はＮリッチであるところからエツチングレ
ートは低い、しかるに膜の裾野に向かうにつれて密度が
低く成るために、表面層のＮリッチなＳｉＯＮＪｌのエ
ツチングレートが高くなり、さらにこの表面層がエツチ
ングされるとその下のＯリッチなＳｉＯＮ層は容易にエ
ツチングされるので、全体としてエツチングレートが高
くなる。結局、上記実施例の物質膜のエツチングレート
は中央部から裾野の方へ向かって次第に大きくなってお
り、従ってエツチングにより除去される膜部分は中央部
では僅かであるが、裾野の方へ向かうにつれて大きくな
るので、エツチングにより容易に球面に適合する部分を
拡大できるのである。
なお、上の実施例はレンズ面形状を球面とする場合であ
るが、レンズ面形状を非球面とする場合にも、それに応
じたエツチングレート分布を物質膜組成の調整で実現で
きる。物質膜の組成変化は。
るが、レンズ面形状を非球面とする場合にも、それに応
じたエツチングレート分布を物質膜組成の調整で実現で
きる。物質膜の組成変化は。
上記実施例の様に３層構造とする場合にかぎらず。
２層構造でもあるいは４層以上の構成としても良く、ま
た組成を段階的に変えるのではなく、膜厚方向へ連続的
に変える様にしても良い。
た組成を段階的に変えるのではなく、膜厚方向へ連続的
に変える様にしても良い。
請求項２の発明の実施例
第１図（Ｂ）に示すように、第１図（Ａ）に於いて説明
した装置に、さらにチョッパー１３を配偶し、チャンバ
ー内に照射するレーザー光を間欠的に遮断できる様にし
た。
した装置に、さらにチョッパー１３を配偶し、チャンバ
ー内に照射するレーザー光を間欠的に遮断できる様にし
た。
チャンバー７内にガス導入管９により材料ガスとして、
ＳｉＨ，、Ｎｏ、ＮＨ，を１：５：３０の混合比（分圧
比）で混合したものを導入し、全圧２９ｘｌＯ”Ｐａで
封じ込めた。ＣＯ２レーザー１の放射レーザー光の内。
ＳｉＨ，、Ｎｏ、ＮＨ，を１：５：３０の混合比（分圧
比）で混合したものを導入し、全圧２９ｘｌＯ”Ｐａで
封じ込めた。ＣＯ２レーザー１の放射レーザー光の内。
上記材料ガスにエネルギー吸収されにくい波長帯の光と
してＰ（２０）をグレーティング１２により選択し、こ
れをＺｎ５ｅ集光レンズ５により石英基板１０上に直径
約ｌｌｌ１１のスポット状に垂直照射した。 Ｚｎ５ｅ
集光レンズ５はｆ＝１００ｍ１１のものであり、石英基
板ｌＯの厚さは３８０μｍ程度、石英基板５とＺｎ５ｅ
窓６との間の距離は５ｃ＋ｓ程度とした。
してＰ（２０）をグレーティング１２により選択し、こ
れをＺｎ５ｅ集光レンズ５により石英基板１０上に直径
約ｌｌｌ１１のスポット状に垂直照射した。 Ｚｎ５ｅ
集光レンズ５はｆ＝１００ｍ１１のものであり、石英基
板ｌＯの厚さは３８０μｍ程度、石英基板５とＺｎ５ｅ
窓６との間の距離は５ｃ＋ｓ程度とした。
レーザーの出力を２ｗとし、チョッパー１３によりパル
ス照射を行いつつ、レーザーＣＶＤを行った。パルス照
射は１８秒間に１秒照射の割りで周期的に１０分間行っ
た。その結果、第４図に実線で示すようなプロフィルを
持ったＳｉＯＮの物質膜が形成された。この物質膜で中
央部の球面適合部分は膜厚の３３％である。
ス照射を行いつつ、レーザーＣＶＤを行った。パルス照
射は１８秒間に１秒照射の割りで周期的に１０分間行っ
た。その結果、第４図に実線で示すようなプロフィルを
持ったＳｉＯＮの物質膜が形成された。この物質膜で中
央部の球面適合部分は膜厚の３３％である。
比較のために、レーザー照射を出力１．５ｗで１０分間
、連続的に行った結果は、第４図の破線の如きプロフィ
ルとなった。この破線のプロフィルだと球面適合部分は
膜厚の１５％であり、上記実施例のものより適合部分が
狭く１球面レンズとして用いるにはエツチングによるレ
ンズ面加工が必要となるが、実施例の場合には形成され
た物質膜自体をマイクロレンズとして使用可能である。
、連続的に行った結果は、第４図の破線の如きプロフィ
ルとなった。この破線のプロフィルだと球面適合部分は
膜厚の１５％であり、上記実施例のものより適合部分が
狭く１球面レンズとして用いるにはエツチングによるレ
ンズ面加工が必要となるが、実施例の場合には形成され
た物質膜自体をマイクロレンズとして使用可能である。
ここで請求項２の発明の作用を上記実施例との関連に於
いて説明する。
いて説明する。
周知の如く、レーザーＣＶＤによる成膜は、以下の様に
行われる。基板にレーザー光を照射すると、基板はレー
ザー光のエネルギーを吸収して温度が上昇する。この温
度上昇により基板の温度が材料ガスの反応温度のし！−
・ 道 を越えると。
行われる。基板にレーザー光を照射すると、基板はレー
ザー光のエネルギーを吸収して温度が上昇する。この温
度上昇により基板の温度が材料ガスの反応温度のし！−
・ 道 を越えると。
基板表面で反応が生じ、化合物が基板上に堆積し成膜さ
れる。反応とその堆積とは基板温度が高いほど活発に起
こるから、成膜された物質膜の膜厚は基板温度の高い所
はど厚くなる。レーザー光はガウス分布型の強度分布を
もつため、レーザー光を照射された基板の温度もガウス
分布型になり。
れる。反応とその堆積とは基板温度が高いほど活発に起
こるから、成膜された物質膜の膜厚は基板温度の高い所
はど厚くなる。レーザー光はガウス分布型の強度分布を
もつため、レーザー光を照射された基板の温度もガウス
分布型になり。
従って得られる物質膜のプロフィルもガウス分布型にな
る、しかし、レーザー光が連続照射されると、基板の温
度は熱伝導により被照射部の周りの部分でも次第に上昇
し、被照射部の周囲にも化合物の堆積が生ずるので、実
際に得られる物質膜のプロフィルは、被照射部における
レーザー光の強度分布に対して、裾野の広がった所謂積
大りのものになってしまい、球面と適合する部分が狭く
なってしまう。
る、しかし、レーザー光が連続照射されると、基板の温
度は熱伝導により被照射部の周りの部分でも次第に上昇
し、被照射部の周囲にも化合物の堆積が生ずるので、実
際に得られる物質膜のプロフィルは、被照射部における
レーザー光の強度分布に対して、裾野の広がった所謂積
大りのものになってしまい、球面と適合する部分が狭く
なってしまう。
しかるに請求項２の発明のようにレーザー光をパルス照
射するときは、照射と照射との間に基板に於ける熱の散
逸があるので、被照射部の周囲に於ける基板温度の上昇
が有効に抑えられることになり、この部分での反応・堆
積が抑制される結果。
射するときは、照射と照射との間に基板に於ける熱の散
逸があるので、被照射部の周囲に於ける基板温度の上昇
が有効に抑えられることになり、この部分での反応・堆
積が抑制される結果。
実施例のように、連続照射の場合（第４図破線のプロフ
ィル）に比して「痩せたノプロフィル（第４図実線）を
持った物質膜の成膜が可能となり、球面と適合する部分
が大きくなるのである。
ィル）に比して「痩せたノプロフィル（第４図実線）を
持った物質膜の成膜が可能となり、球面と適合する部分
が大きくなるのである。
勿論、成膜された物質膜のプロフィルの「痩せ具合」は
パルス照射の周期や照射時間等を制御することにより、
所望のレンズ面が球面形状か非球面形状かに応じて、こ
れらに良く適合する様に制御できる。
パルス照射の周期や照射時間等を制御することにより、
所望のレンズ面が球面形状か非球面形状かに応じて、こ
れらに良く適合する様に制御できる。
（効 果）
以上、本発明によれば新規なマイクロレンズおよびその
製造方法を提供できる。
製造方法を提供できる。
請求項１，２の製造方法は上記の如く構成されているの
で、いずれも所望のレンズ面形状に良く適合した、換言
すれば所望のレンズ面形状との適合領域の広いレンズ面
形状を持ったマイクロレンズを容易に製造できる。また
、請求項３のレンズは製造が容易であり、明るい、なお
、請求項１の方法で作製されたマイクロレンズはレンズ
内自体に組成の変化があるので、レンズ面形状によるレ
ンズ作用のほかに屈折率分布によるレンズ作用をも利用
できる。請求項２の製造方法に於いて、材料ガス５ＩＨ
４，Ｎｏ、Ｎ１（３の混合比は、石英基板との熱膨張率
差に起因する２成膜後の膜割れを防ぐ意味から、ＳｉＨ
４：ＮＯ：ＮＨ３＝１：５：３０程度が好ましい。
で、いずれも所望のレンズ面形状に良く適合した、換言
すれば所望のレンズ面形状との適合領域の広いレンズ面
形状を持ったマイクロレンズを容易に製造できる。また
、請求項３のレンズは製造が容易であり、明るい、なお
、請求項１の方法で作製されたマイクロレンズはレンズ
内自体に組成の変化があるので、レンズ面形状によるレ
ンズ作用のほかに屈折率分布によるレンズ作用をも利用
できる。請求項２の製造方法に於いて、材料ガス５ＩＨ
４，Ｎｏ、Ｎ１（３の混合比は、石英基板との熱膨張率
差に起因する２成膜後の膜割れを防ぐ意味から、ＳｉＨ
４：ＮＯ：ＮＨ３＝１：５：３０程度が好ましい。
第１図（Ａ）は、請求項１の発明を実施する装置の１例
を要部のみ略示する図、第１図（Ｂ）は、請求２１Ｙ２
の発明を実施する装置の１例を要部のみ略示する図、第
２図及び第３図は、請求項１の実施例を説明するための
図、第４図は、請求項２の実施例を説明するための図で
ある。 １、、、ＣＯ□レーザー、７９０．チャンバー、１０．
、、石壽ｌ 図 （Ａ） （Ｂ） Ｚ ４
を要部のみ略示する図、第１図（Ｂ）は、請求２１Ｙ２
の発明を実施する装置の１例を要部のみ略示する図、第
２図及び第３図は、請求項１の実施例を説明するための
図、第４図は、請求項２の実施例を説明するための図で
ある。 １、、、ＣＯ□レーザー、７９０．チャンバー、１０．
、、石壽ｌ 図 （Ａ） （Ｂ） Ｚ ４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザーＣＶＤによるマイクロレンズの製造方法で
あって、 材料ガスとして、ＳｉＨ＿４、ＮＯ、ＮＨ＿３の混合ガ
スを用い、エネルギー源としてＣＯ＿２レーザーの放射
光の内、上記材料ガスにエネルギー吸収されにくい波長
帯の光を用い、 材料ガスにおけるＳｉＨ＿４、ＮＯ、ＮＨ＿３の混合比
を段階的もしくは連続的に変化させつつレーザーＣＶＤ
を行って、ガウス分布状のプロフィルを持ち、且つ膜の
組成が段階的もしくは連続的に変化することにより膜の
各部が所望のエッチングレートを持つ物質膜を形成し、 この物質膜をエッチングして所望の表面形状のマイクロ
レンズを得ることを特徴とする、マイクロレンズの製造
方法。 ２、レーザーＣＶＤによるマイクロレンズの製造方法で
あって、 材料ガスとして、ＳｉＨ＿４、ＮＯ、ＮＨ＿３の混合ガ
スを用い、エネルギー源としてＣＯ＿２レーザーの放射
光の内、上記材料ガスにエネルギー吸収されにくい波長
帯の光を用い、 上記光をパルス照射しつつレーザーＣＶＤを行い、上記
パルス照射の制御により、所望のプロフィルを持ったＳ
ｉＯＮの物質膜をマイクロレンズとして形成することを
特徴とする、マイクロレンズの製造方法。 ３、請求項１または２の方法で製造されるマイクロレン
ズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6870488A JP2851280B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | マイクロレンズおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6870488A JP2851280B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | マイクロレンズおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241503A true JPH01241503A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2851280B2 JP2851280B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=13381425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6870488A Expired - Lifetime JP2851280B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | マイクロレンズおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2851280B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0565648A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Alps Electric Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
| JP2015526587A (ja) * | 2012-04-23 | 2015-09-10 | ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー， エルエルシー | 局在的大気レーザー化学蒸着 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP6870488A patent/JP2851280B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0565648A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Alps Electric Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
| JP2015526587A (ja) * | 2012-04-23 | 2015-09-10 | ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー， エルエルシー | 局在的大気レーザー化学蒸着 |
| US10208377B2 (en) | 2012-04-23 | 2019-02-19 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Localized atmospheric laser chemical vapor deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2851280B2 (ja) | 1999-01-27 |
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