JPH0124236B2 - - Google Patents
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- JPH0124236B2 JPH0124236B2 JP10167684A JP10167684A JPH0124236B2 JP H0124236 B2 JPH0124236 B2 JP H0124236B2 JP 10167684 A JP10167684 A JP 10167684A JP 10167684 A JP10167684 A JP 10167684A JP H0124236 B2 JPH0124236 B2 JP H0124236B2
- Authority
- JP
- Japan
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- film
- electrode
- conductive
- polymer film
- pattern
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0329—Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、改良された導電性フイルム及びその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
近年、液晶表示をはじめとしたデイジタル表示
装置や、タツチペン方式の手書き入力装置、フア
クシミリ装置等の急激な需要の増加がみられる。
これらの宅内装置の入出力部品のコネクター、例
えば液晶表示装置やエレクトロクロミツク表示装
置の電極取出部の接続、タツチペンの入力、フア
クシミリにおけるイメージセンサの出力取出し等
に任意のパタン状に高導電性を有する安価なフイ
ルムが要求されている。
装置や、タツチペン方式の手書き入力装置、フア
クシミリ装置等の急激な需要の増加がみられる。
これらの宅内装置の入出力部品のコネクター、例
えば液晶表示装置やエレクトロクロミツク表示装
置の電極取出部の接続、タツチペンの入力、フア
クシミリにおけるイメージセンサの出力取出し等
に任意のパタン状に高導電性を有する安価なフイ
ルムが要求されている。
また、膜厚方向にのみ導電性を有するフイル
ム、あるいは１次元方向にのみ導電性を有するフ
イルム等の導電性に異方性を有するフイルムを安
価に製造できると、今後各種の新しい用途が期待
できる。
ム、あるいは１次元方向にのみ導電性を有するフ
イルム等の導電性に異方性を有するフイルムを安
価に製造できると、今後各種の新しい用途が期待
できる。
従来、導電性の高分子フイルムとしては、各種
の熱可塑性樹脂に導電性充てん剤を混入し、それ
を成形してフイルム化したもの、及び高分子フイ
ルムの表面に導電性の材料を蒸着、スプレー塗
布、又はメツキしたもの等が使用されてきた。そ
して、これらいずれのフイルムでも、均一な導電
性のフイルムを得ることは容易であるが、所望の
パタン状にのみ導電性を付与したフイルムを得る
には、フイルムに何らかのパタン形成工程を施す
必要がある。
の熱可塑性樹脂に導電性充てん剤を混入し、それ
を成形してフイルム化したもの、及び高分子フイ
ルムの表面に導電性の材料を蒸着、スプレー塗
布、又はメツキしたもの等が使用されてきた。そ
して、これらいずれのフイルムでも、均一な導電
性のフイルムを得ることは容易であるが、所望の
パタン状にのみ導電性を付与したフイルムを得る
には、フイルムに何らかのパタン形成工程を施す
必要がある。
他方、このような金属やカーボンとの複合系と
は異なり、高分子材自体が導電性を有する導電性
高分子材が、その高い導電性から注目を浴びてい
る。しかし、これらの材料でもパタン状に導電性
を付与することは困難である。
は異なり、高分子材自体が導電性を有する導電性
高分子材が、その高い導電性から注目を浴びてい
る。しかし、これらの材料でもパタン状に導電性
を付与することは困難である。
本発明の目的は、所望のパタン形状に導電性部
分をもつフイルム及びその製造方法を提供するこ
とにある。
分をもつフイルム及びその製造方法を提供するこ
とにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はパ
タン状に導電性を有するフイルムに関する発明で
あつて、所望のパタン形状に導電性部位を有する
電極上に形成した高分子フイルムと、該高分子フ
イルム付電極上での電解メツキにより形成した金
属材とを包含することを特徴する。
タン状に導電性を有するフイルムに関する発明で
あつて、所望のパタン形状に導電性部位を有する
電極上に形成した高分子フイルムと、該高分子フ
イルム付電極上での電解メツキにより形成した金
属材とを包含することを特徴する。
また、本発明の第２の発明は、上記フイルムの
製造方法に関する発明であつて、所望のパタン形
状に導電性部位を有する電極上に高分子フイルム
を形成する工程、及び該高分子フイルム付電極上
で電解メツキにより金属材を形成する工程の各工
程を包含することを特徴とする。
製造方法に関する発明であつて、所望のパタン形
状に導電性部位を有する電極上に高分子フイルム
を形成する工程、及び該高分子フイルム付電極上
で電解メツキにより金属材を形成する工程の各工
程を包含することを特徴とする。
更に、本発明の第３の発明は、他のパタン状に
導電性を有するフイルムに関する発明であつて、
所望のパタン形状に導電性部位を有する電極上に
形成した高分子フイルムと、該高分子フイルム付
電極上での芳香族化合物の電解重合によつて形成
した芳香族高分子材とを包含することを特徴とす
る。
導電性を有するフイルムに関する発明であつて、
所望のパタン形状に導電性部位を有する電極上に
形成した高分子フイルムと、該高分子フイルム付
電極上での芳香族化合物の電解重合によつて形成
した芳香族高分子材とを包含することを特徴とす
る。
更にまた、本発明の第４の発明は、上記第３の
発明のフイルムの製造方法に関する発明であつ
て、所望のパタン形状に導電性部位を有する電極
上に高分子フイルムを形成する工程、及び該高分
子フイルム付電極上で芳香族化合物の電解重合に
より芳香族高分子材を形成する工程の各工程を包
含することを特徴とする。
発明のフイルムの製造方法に関する発明であつ
て、所望のパタン形状に導電性部位を有する電極
上に高分子フイルムを形成する工程、及び該高分
子フイルム付電極上で芳香族化合物の電解重合に
より芳香族高分子材を形成する工程の各工程を包
含することを特徴とする。
金属の電解メツキや、芳香族化合物の電解重合
を用いることにより、電極上に導電性の金属箔
や、導電性高分子フイルムを得ることができるこ
とは良く知られている。その際、電極表面を、何
らかの手段により、所望のパタン状に導電部と絶
縁部を設け、このような電極を用いて金属材の電
解メツキや、芳香族化合物の電解重合を行うと、
導電性のパタン部にのみ金属箔や導電性高分子フ
イルムを形成できる。しかし、この方法では、得
られた金属箔や導電性高分子フイルムを電極より
単離することが困難で、特に、孤立した導電部
や、細線部では全くフイルムとして単離すること
が不可能である。
を用いることにより、電極上に導電性の金属箔
や、導電性高分子フイルムを得ることができるこ
とは良く知られている。その際、電極表面を、何
らかの手段により、所望のパタン状に導電部と絶
縁部を設け、このような電極を用いて金属材の電
解メツキや、芳香族化合物の電解重合を行うと、
導電性のパタン部にのみ金属箔や導電性高分子フ
イルムを形成できる。しかし、この方法では、得
られた金属箔や導電性高分子フイルムを電極より
単離することが困難で、特に、孤立した導電部
や、細線部では全くフイルムとして単離すること
が不可能である。
しかしながら本発明者等は電解メツキや電解酸
化重合を行う際に電極上に熱可塑性の高分子フイ
ルムをコートしておくと電極表面が絶縁化されて
いるにもかかわらず、適切な反応条件下では電解
メツキや電解酸化重合が進行することを見出し
た。このようにして得られたフイルムは絶縁性の
高分子フイルム中に電解メツキにより生成した金
属材、あるいは電解重合により生成した導電性高
分子材が分散されており、フイルム全体あるいは
フイルムの片面のみを導電性にする。
化重合を行う際に電極上に熱可塑性の高分子フイ
ルムをコートしておくと電極表面が絶縁化されて
いるにもかかわらず、適切な反応条件下では電解
メツキや電解酸化重合が進行することを見出し
た。このようにして得られたフイルムは絶縁性の
高分子フイルム中に電解メツキにより生成した金
属材、あるいは電解重合により生成した導電性高
分子材が分散されており、フイルム全体あるいは
フイルムの片面のみを導電性にする。
この方法で導電性のフイルムを得る際に、電極
に前記のようなパタン状の導電部と絶縁部を設け
ておくと、電極の導電部に接した部分の絶縁性高
分子フイルム部が導電化され、電極の絶縁部に接
した部分の絶縁性高分子フイルム部は絶縁性のま
まに保たれる。
に前記のようなパタン状の導電部と絶縁部を設け
ておくと、電極の導電部に接した部分の絶縁性高
分子フイルム部が導電化され、電極の絶縁部に接
した部分の絶縁性高分子フイルム部は絶縁性のま
まに保たれる。
このようにすると、フイルムは全体として電極
から単離することが容易である。一旦電極表面に
パタンを形成してしまえば、フイルムをはがし
て、繰返し使用することができる。更には電極を
ドラム状にすることにより連続的にパタン状の導
電性フイルムを得ることができフイルム価格を安
くできる。
から単離することが容易である。一旦電極表面に
パタンを形成してしまえば、フイルムをはがし
て、繰返し使用することができる。更には電極を
ドラム状にすることにより連続的にパタン状の導
電性フイルムを得ることができフイルム価格を安
くできる。
また、絶縁性フイルムを塗布した電極上での電
解メツキや芳香族化合物の電解重合では、重合条
件により、フイルム全体を導電性にする場合と、
フイルムの片面のみ、すなわち、電極表面に接し
ていた側のみを導電性にする場合を選択できる。
このような重合条件のパラメーターの１つに電極
の抵抗があり、抵抗の低い電極基板を用いるとフ
イルム全体を導電性にしやすく、反対に抵抗の高
い基板を用いるとフイルム全体を導電性にするの
が困難で、片面のみが導電性になりやすい。この
特徴を利用して抵抗の相対的に低い部位と高い部
位でパタンを形成した電極基板を用いると、裏面
の電極表面に接したフイルム面は全体的に導電性
になるが、表面の電解溶液に接している面は抵抗
の低いパタン部に相当する部分のみフイルムを導
電性にできる。
解メツキや芳香族化合物の電解重合では、重合条
件により、フイルム全体を導電性にする場合と、
フイルムの片面のみ、すなわち、電極表面に接し
ていた側のみを導電性にする場合を選択できる。
このような重合条件のパラメーターの１つに電極
の抵抗があり、抵抗の低い電極基板を用いるとフ
イルム全体を導電性にしやすく、反対に抵抗の高
い基板を用いるとフイルム全体を導電性にするの
が困難で、片面のみが導電性になりやすい。この
特徴を利用して抵抗の相対的に低い部位と高い部
位でパタンを形成した電極基板を用いると、裏面
の電極表面に接したフイルム面は全体的に導電性
になるが、表面の電解溶液に接している面は抵抗
の低いパタン部に相当する部分のみフイルムを導
電性にできる。
このような電極は、適当な導体面上に通常のホ
トリソグラフイ技術を適用して作製できる。電極
表面の材質としては、金、白金、パラジウム等の
貴金属あるいは酸化スズ、酸化インジウム等の導
電性金属酸化物が電解メツキ、電解重合のいずれ
にも使用できる。また、電解メツキにはこの他の
金属基板も使用できる。このような電極表面上に
レジスト材をコートし、所望のパタンを有するホ
トマスクを用いてレジスト層にパタンを露光し、
現像した後、基板を加工する。第１図に本発明に
よるパタン状電極の１例の構成の概要図を示す。
第１図において符号１は絶縁性基板、２はパタン
化した導体層、３は全体の導体層そして４はパタ
ン化した絶縁体を意味する。基板加工の際、第１
図ａのように電極導体層を直接エツチングして、
電極をパタン状にすることができる。この方法も
有効であるが、直接パタン化すると、パタン端で
電界集中が起きたり、孤立したパタンに通電でき
ないため不都合を生じる場合がある。したがつ
て、第１図ｂのように、全面導体層の上に絶縁体
でパタン化した方が、電極面全体で均一に電解メ
ツキあるいは電解重合が進行する。
トリソグラフイ技術を適用して作製できる。電極
表面の材質としては、金、白金、パラジウム等の
貴金属あるいは酸化スズ、酸化インジウム等の導
電性金属酸化物が電解メツキ、電解重合のいずれ
にも使用できる。また、電解メツキにはこの他の
金属基板も使用できる。このような電極表面上に
レジスト材をコートし、所望のパタンを有するホ
トマスクを用いてレジスト層にパタンを露光し、
現像した後、基板を加工する。第１図に本発明に
よるパタン状電極の１例の構成の概要図を示す。
第１図において符号１は絶縁性基板、２はパタン
化した導体層、３は全体の導体層そして４はパタ
ン化した絶縁体を意味する。基板加工の際、第１
図ａのように電極導体層を直接エツチングして、
電極をパタン状にすることができる。この方法も
有効であるが、直接パタン化すると、パタン端で
電界集中が起きたり、孤立したパタンに通電でき
ないため不都合を生じる場合がある。したがつ
て、第１図ｂのように、全面導体層の上に絶縁体
でパタン化した方が、電極面全体で均一に電解メ
ツキあるいは電解重合が進行する。
このような絶縁体としては、レジスト材そのも
のが使用できるが、フイルムの作製、引きはがし
を繰返すとレジストパタンがはがれやすいため、
繰返しの使用に耐えない。このため、密着力を高
くしたSiOやSiO2等の絶縁性酸化物、Si3N4、BN
等の窒化物を使用した方が望ましい。電解メツキ
を行える金属としては銅、ニツケル、白金、金、
ロジウム、銀、ルテニウム、パラジウム、インジ
ウム、アルミニウム等がある。
のが使用できるが、フイルムの作製、引きはがし
を繰返すとレジストパタンがはがれやすいため、
繰返しの使用に耐えない。このため、密着力を高
くしたSiOやSiO2等の絶縁性酸化物、Si3N4、BN
等の窒化物を使用した方が望ましい。電解メツキ
を行える金属としては銅、ニツケル、白金、金、
ロジウム、銀、ルテニウム、パラジウム、インジ
ウム、アルミニウム等がある。
他方、電解メツキにより導電化できる高分子フ
イルムとしてはポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリ酢酸ビニル、カルボメトキシセルロー
ス、メチルセルロース、ポリメチルメタクリレー
トを始めとして、これらの各種共重合体等の各種
の高分子フイルムが使用できる。また、これらの
高分子フイルムに可塑剤、安定剤、溶剤、紫外線
吸収剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフイル
ムも使用できる。
イルムとしてはポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリ酢酸ビニル、カルボメトキシセルロー
ス、メチルセルロース、ポリメチルメタクリレー
トを始めとして、これらの各種共重合体等の各種
の高分子フイルムが使用できる。また、これらの
高分子フイルムに可塑剤、安定剤、溶剤、紫外線
吸収剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフイル
ムも使用できる。
導電性の金属含有高分子フイルムを得るには高
分子フイルム種と電解メツキ液組成を選択する必
要がある。すなわち、高分子フイルム種に対し
て、フイルムを溶解させることはないが、かなり
親和性の良い電解メツキ液が良好な結果を与え
た。これは電解メツキ液中で高分子フイルムがあ
る程度膨潤し、金属イオンが高分子フイルム内に
拡散でき、電極界面で電解メツキ反応が進行する
ためと推定される。
分子フイルム種と電解メツキ液組成を選択する必
要がある。すなわち、高分子フイルム種に対し
て、フイルムを溶解させることはないが、かなり
親和性の良い電解メツキ液が良好な結果を与え
た。これは電解メツキ液中で高分子フイルムがあ
る程度膨潤し、金属イオンが高分子フイルム内に
拡散でき、電極界面で電解メツキ反応が進行する
ためと推定される。
したがつて、高分子フイルム種は用いる電解メ
ツキ液に膨潤するものであればいずれのものでも
良く、種類には限定されない。しかしながら、一
般に電解メツキ液は水系の溶剤を主成分とするた
め水に膨潤しやすい高分子フイルムは容易に導電
化できるが疎水性の高分子フイルムでも水とジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−
メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコールのジエステ
ル類等の有機溶剤を混合させることにより広範囲
な高分子フイルム中に電解メツキ金属を混入させ
て、高導電性にすることができる。
ツキ液に膨潤するものであればいずれのものでも
良く、種類には限定されない。しかしながら、一
般に電解メツキ液は水系の溶剤を主成分とするた
め水に膨潤しやすい高分子フイルムは容易に導電
化できるが疎水性の高分子フイルムでも水とジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−
メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコールのジエステ
ル類等の有機溶剤を混合させることにより広範囲
な高分子フイルム中に電解メツキ金属を混入させ
て、高導電性にすることができる。
また、電解酸化重合できる芳香族化合物として
は、ピロール、３−メチルピロール、Ｎーメチル
ピロール、チオフエン、フラン、フエノール、チ
オフエノール、セレノフエン、テルロフエン、ビ
フエニル、アズレン、ｐ−ターフエニル、ｏ−タ
ーフエニル、ｐ−クオータフエニル、２−ヒドロ
キシビフエニル、ジフエニルスルフイド、２−
（α−チエニル）チオフエン、２−（α−チエニ
ル）フラン、２−（２−ピロリル）ピロール、２
−（２−ピロリル）チオフエン、２−フエニルチ
オフエン、α−チエニルフエニルエーテル、β−
フリル−α−チエニルセレニド、２−（２−ピロ
リル）セレノフエン、２−（２−セレニエニル）
テルロフエン、Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｎ−エ
チニルカルバゾール、メチルアズレン、ピレン等
の芳香族化合物が使用できる。また、芳香族化合
物ではないが各種置換ブタジエン化合物も使用で
きる。
は、ピロール、３−メチルピロール、Ｎーメチル
ピロール、チオフエン、フラン、フエノール、チ
オフエノール、セレノフエン、テルロフエン、ビ
フエニル、アズレン、ｐ−ターフエニル、ｏ−タ
ーフエニル、ｐ−クオータフエニル、２−ヒドロ
キシビフエニル、ジフエニルスルフイド、２−
（α−チエニル）チオフエン、２−（α−チエニ
ル）フラン、２−（２−ピロリル）ピロール、２
−（２−ピロリル）チオフエン、２−フエニルチ
オフエン、α−チエニルフエニルエーテル、β−
フリル−α−チエニルセレニド、２−（２−ピロ
リル）セレノフエン、２−（２−セレニエニル）
テルロフエン、Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｎ−エ
チニルカルバゾール、メチルアズレン、ピレン等
の芳香族化合物が使用できる。また、芳香族化合
物ではないが各種置換ブタジエン化合物も使用で
きる。
また、電解重合時の電解質としては有機第４級
アンモニウム塩、無機塩、プロトン酸及びエステ
ル等種々の化合物が使用できる。溶剤としてはア
セトニトリル系のものを通常使用するが、芳香族
化合物の電解重合が可能で、適当な電解質を溶解
させるものであれば選択できる。
アンモニウム塩、無機塩、プロトン酸及びエステ
ル等種々の化合物が使用できる。溶剤としてはア
セトニトリル系のものを通常使用するが、芳香族
化合物の電解重合が可能で、適当な電解質を溶解
させるものであれば選択できる。
他方、電解重合により導電性にできる高分子フ
イルムとしてはポリ塩化ビニル系樹脂、すなわ
ち、ポリ塩化ビニル及び塩化ビニルと各種ビニル
エステル類、ビニルエーテル類、アクリル酸及び
そのエステル類、メタクリル酸及びそのエステル
類、マレイン酸及びそのエステル類、フマル酸及
びそのエステル類、無水マレイン酸、スチレンを
始めとする芳香族ビニル化合物、ハロゲン化ビニ
リデン化合物、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、プロピレン等のモノマーとの共重合体が
使用できる。また、塩化ビニリデンと各種ビニル
エステル、ビニルエーテル、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、塩化ビニル等の共重合体、
また、ポリエチレン及びエチレンと上記各種モノ
マーとの共重合体も使用できる。また用途によ
り、ポリエチレンテレフタレート、各種ゴム類も
使用できる。
イルムとしてはポリ塩化ビニル系樹脂、すなわ
ち、ポリ塩化ビニル及び塩化ビニルと各種ビニル
エステル類、ビニルエーテル類、アクリル酸及び
そのエステル類、メタクリル酸及びそのエステル
類、マレイン酸及びそのエステル類、フマル酸及
びそのエステル類、無水マレイン酸、スチレンを
始めとする芳香族ビニル化合物、ハロゲン化ビニ
リデン化合物、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、プロピレン等のモノマーとの共重合体が
使用できる。また、塩化ビニリデンと各種ビニル
エステル、ビニルエーテル、アクリロニトリル、
メタクリロニトリル、塩化ビニル等の共重合体、
また、ポリエチレン及びエチレンと上記各種モノ
マーとの共重合体も使用できる。また用途によ
り、ポリエチレンテレフタレート、各種ゴム類も
使用できる。
更に以上の樹脂に可塑剤、熱安定剤、滑剤、紫
外線吸収剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフ
イルムも使用できる。
外線吸収剤、防曇剤、顔料、染料等を配合したフ
イルムも使用できる。
本発明方法の代表例を第２図に示す。すなわち
第２図は本発明方法の代表例の製造工程図であ
る。第２図において、符号１は絶縁性基板、３は
全面導体層、４はパタン状の絶縁体、５は高分子
フイルム、６は導電化部、７は絶縁部を意味す
る。
第２図は本発明方法の代表例の製造工程図であ
る。第２図において、符号１は絶縁性基板、３は
全面導体層、４はパタン状の絶縁体、５は高分子
フイルム、６は導電化部、７は絶縁部を意味す
る。
(a) 絶縁性基板１上に導体層３を設け、この上に
リソグラフイ技術で所望のパタン状に絶縁体４
を形成し、電極基板とする。
リソグラフイ技術で所望のパタン状に絶縁体４
を形成し、電極基板とする。
(b) この上にキヤステイング、カレンダー成形、
スピンコーテイング、ドクタブレード法等の適
当な方法で高分子フイルム５をコートする。
スピンコーテイング、ドクタブレード法等の適
当な方法で高分子フイルム５をコートする。
(c) 電解メツキ液又は電解重合溶液中で電流を流
すことにより、電極の導電部にのみメツキ層あ
るいは電解重合芳香族系高分子物質を形成する
（６は導電化部、７は絶縁部）。
すことにより、電極の導電部にのみメツキ層あ
るいは電解重合芳香族系高分子物質を形成する
（６は導電化部、７は絶縁部）。
(d) フイルムを電極基板より引きはがす。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明
するが、本発明はパタン形状、絶縁性フイルム材
料、導電化したフイルムの構造等を変えることに
より無限の組合せがある。したがつて本発明はこ
れら実施例に限定されない。
するが、本発明はパタン形状、絶縁性フイルム材
料、導電化したフイルムの構造等を変えることに
より無限の組合せがある。したがつて本発明はこ
れら実施例に限定されない。
実施例 １
ガラス基板上に100Å厚のクロム及び700Å厚の
金を蒸着した後、700Åの酸化インジウムをスパ
ツタリング法で形成した。このようにして得た酸
化インジウム層を表面にした導電性基板上に、以
下のように格子パタンを形成した。まず、ホトレ
ジストAZ−1350J（シプレー社製）を2μmの厚さ
にスピンコートし、ホトマスクを用いて、0.1mm
のライン、0.1mmスペースの１次元格子パタンを
露光し、現像した。この上にSiOを2000Å蒸着し
た後、メチルエチルケトン中でリフトオフするこ
とにより、酸化インジウム表面上に0.1mm幅の絶
縁層であるSiOパタンを0.2μmピツチで作製した。
金を蒸着した後、700Åの酸化インジウムをスパ
ツタリング法で形成した。このようにして得た酸
化インジウム層を表面にした導電性基板上に、以
下のように格子パタンを形成した。まず、ホトレ
ジストAZ−1350J（シプレー社製）を2μmの厚さ
にスピンコートし、ホトマスクを用いて、0.1mm
のライン、0.1mmスペースの１次元格子パタンを
露光し、現像した。この上にSiOを2000Å蒸着し
た後、メチルエチルケトン中でリフトオフするこ
とにより、酸化インジウム表面上に0.1mm幅の絶
縁層であるSiOパタンを0.2μmピツチで作製した。
この基板上に、ポリビニルアルコール（分子量
9000、アルコール化率80％）の水溶液をキヤスト
し、厚さ10μmのポリビニルアルコールフイルム
を作成した。
9000、アルコール化率80％）の水溶液をキヤスト
し、厚さ10μmのポリビニルアルコールフイルム
を作成した。
このフイルムをコートした基板を負極とし、正
極に網目状の白金電極を用いて亜硫酸金イオンを
含む金メツキ液ニユートロネクス309（日本エレク
トロプレイテイングエンジニヤーズ社製）中で金
メツキを行つた。1.5Vの定電圧で７分間金メツ
キした後、フイルムを水洗、乾燥すると、金の析
出が認められた。フイルムは電極基板から容易に
はく離できた。得られたフイルムの電気伝導度を
測定したところ、電極の格子に平行であつた方向
で10.5S／cmの高い導電性を示したが、格子に垂
直であつた方向は10-8S／cm以下の絶縁性を示し
た。
極に網目状の白金電極を用いて亜硫酸金イオンを
含む金メツキ液ニユートロネクス309（日本エレク
トロプレイテイングエンジニヤーズ社製）中で金
メツキを行つた。1.5Vの定電圧で７分間金メツ
キした後、フイルムを水洗、乾燥すると、金の析
出が認められた。フイルムは電極基板から容易に
はく離できた。得られたフイルムの電気伝導度を
測定したところ、電極の格子に平行であつた方向
で10.5S／cmの高い導電性を示したが、格子に垂
直であつた方向は10-8S／cm以下の絶縁性を示し
た。
実施例 ２
実施例１と同様の基板上にポリ塩化ビニル（分
子量７万）のメチルエチルケトン溶液からキヤス
テイング法により厚さ20μmのフイルムを形成し
た。このフイルム付基板を、アセトニトリル−メ
チルエチルケトン（１：１）の混合溶媒に、0.3
モル／のテトラエチルアンモニウムパラトルエ
ンスルホネート、１モル／のピロールを溶解し
た電解液に、白金メツキしたチタンメツシユを対
向電極として、浸漬し、3.0Vの電圧で10分間ピ
ロールの電解重合を行うと、黒色のポリピロール
の析出が認められた。得られたフイルムは電極よ
り容易にはがすことができ、電気伝導度を測定し
たところ、電極の格子に平行であつた方向で
4.5S／cmの高い導電性を示した。他方、格子に垂
直であつた方向は10-13S／cm以下の絶縁性を示
し、高度の異方性の導電性フイルムが得られた。
子量７万）のメチルエチルケトン溶液からキヤス
テイング法により厚さ20μmのフイルムを形成し
た。このフイルム付基板を、アセトニトリル−メ
チルエチルケトン（１：１）の混合溶媒に、0.3
モル／のテトラエチルアンモニウムパラトルエ
ンスルホネート、１モル／のピロールを溶解し
た電解液に、白金メツキしたチタンメツシユを対
向電極として、浸漬し、3.0Vの電圧で10分間ピ
ロールの電解重合を行うと、黒色のポリピロール
の析出が認められた。得られたフイルムは電極よ
り容易にはがすことができ、電気伝導度を測定し
たところ、電極の格子に平行であつた方向で
4.5S／cmの高い導電性を示した。他方、格子に垂
直であつた方向は10-13S／cm以下の絶縁性を示
し、高度の異方性の導電性フイルムが得られた。
実施例 ３
ガラス基板上に100Åのクロムと700Åの白金を
蒸着した後、スパツタリング法で500Åのインジ
ウム・スズ酸化物を積層し、導電性の基板とし
た。この上に、ホトレジストAZ−1350Jを2μmの
厚さにスピンコートし、ホトマスクを用いて
50μmピツチの２次元格子パタンを露光し、現像
した。この上にSiOを2000Å蒸着した後、メチル
エチルケトン中でリフトオフを行つた。
蒸着した後、スパツタリング法で500Åのインジ
ウム・スズ酸化物を積層し、導電性の基板とし
た。この上に、ホトレジストAZ−1350Jを2μmの
厚さにスピンコートし、ホトマスクを用いて
50μmピツチの２次元格子パタンを露光し、現像
した。この上にSiOを2000Å蒸着した後、メチル
エチルケトン中でリフトオフを行つた。
このようにして導電性のインジウム・スズ酸化
物表面上に絶縁性のSiOの２次元格子パタンを形
成した。この表面は50μm間隔に孤立した導電性
パタンが得られている。この基板上に塩化ビニリ
デン−塩化ビニル（75：25）共重合体フイルムを
キヤステイング法により15μmの厚さにコートし
た。このフイルム付基板を、白金メツキしたチタ
ンメツシユ電極と共に、チオフエン（１モル／
）、テトラエチルアンモニウムパークロレート
（0.3モル／）を含むアセトニトリル−テトラヒ
ドロフラン（２：１）溶液に浸漬し、10分間、
4.0Vでチオフエンの電解重合を行つた。その結
果、緑色のポリチオフエンの生成が認められた。
このフイルムを電極基板よりはく離し、電気伝導
度を測定したところ、フイルム面上では10-12S／
cm以下の絶縁性であつたが、膜厚方向の電気伝導
度は1.5S／cmであつた。このようにして、膜厚方
向にのみ導電性を有するフイルムが得られた。
物表面上に絶縁性のSiOの２次元格子パタンを形
成した。この表面は50μm間隔に孤立した導電性
パタンが得られている。この基板上に塩化ビニリ
デン−塩化ビニル（75：25）共重合体フイルムを
キヤステイング法により15μmの厚さにコートし
た。このフイルム付基板を、白金メツキしたチタ
ンメツシユ電極と共に、チオフエン（１モル／
）、テトラエチルアンモニウムパークロレート
（0.3モル／）を含むアセトニトリル−テトラヒ
ドロフラン（２：１）溶液に浸漬し、10分間、
4.0Vでチオフエンの電解重合を行つた。その結
果、緑色のポリチオフエンの生成が認められた。
このフイルムを電極基板よりはく離し、電気伝導
度を測定したところ、フイルム面上では10-12S／
cm以下の絶縁性であつたが、膜厚方向の電気伝導
度は1.5S／cmであつた。このようにして、膜厚方
向にのみ導電性を有するフイルムが得られた。
実施例 ４
ガラス基板上に100Åのクロムと1000Åの金を
蒸着後、2000Åのインジウム・スズ酸化物を積層
した。この上にホトレジストAZ−1350Jを2μmの
厚さにスピンコートし、ホトマスクを用いて
50μmのライン、50μmのスペースの１次元格子パ
タンの露光し、現像した。この後、平行平板型反
応性イオンエツチング装置を用いてCBrF3をエツ
チングガスとしてガス圧20ミリトル、流量
20SCCM、パワー100Wの条件下でインジウム・
スズ酸化物層を1200Åエツチングした。プラズマ
アツシヤー装置で残つたAZレジストを除去する
と金の上に800Å厚と2000Å厚のインジウム・ス
ズ酸化物層が50μmおきに１次元格子状に並んだ
電極基板が得られた。
蒸着後、2000Åのインジウム・スズ酸化物を積層
した。この上にホトレジストAZ−1350Jを2μmの
厚さにスピンコートし、ホトマスクを用いて
50μmのライン、50μmのスペースの１次元格子パ
タンの露光し、現像した。この後、平行平板型反
応性イオンエツチング装置を用いてCBrF3をエツ
チングガスとしてガス圧20ミリトル、流量
20SCCM、パワー100Wの条件下でインジウム・
スズ酸化物層を1200Åエツチングした。プラズマ
アツシヤー装置で残つたAZレジストを除去する
と金の上に800Å厚と2000Å厚のインジウム・ス
ズ酸化物層が50μmおきに１次元格子状に並んだ
電極基板が得られた。
この電極基板上に厚さ20μmのポリ塩化ビニル
フイルム（分子量７万）をキヤスト法で形成し
た。得られたフイルム付電極基板を実施例２と同
様の条件でピロールの電解重合を行つたところ、
ポリピロールの形成がフイルム全面で生じた。こ
のフイルムは電極基板から容易に引きはがすこと
ができ、その電気伝導度を測定したところ、電極
基板面に接触していた裏面で１次元格子に平行で
あつた方向が12S／cm、垂直であつた方向が
8.5S／cmと両方向共に高い導電性を示した。他
方、電解溶液に接していた表面では格子に平行で
あつた方向で6.8S／cm、格子に垂直であつた方向
は10-12S／cm以下の絶縁性を示した。このよう
に、電極表面に比抵抗の異なる導電体で格子パタ
ンを形成し、電解重合条件を適切に選択すること
により、片面は全面導電性、反対面はパタン状に
異方性の導電性をもつたフイルムが作製できた。
フイルム（分子量７万）をキヤスト法で形成し
た。得られたフイルム付電極基板を実施例２と同
様の条件でピロールの電解重合を行つたところ、
ポリピロールの形成がフイルム全面で生じた。こ
のフイルムは電極基板から容易に引きはがすこと
ができ、その電気伝導度を測定したところ、電極
基板面に接触していた裏面で１次元格子に平行で
あつた方向が12S／cm、垂直であつた方向が
8.5S／cmと両方向共に高い導電性を示した。他
方、電解溶液に接していた表面では格子に平行で
あつた方向で6.8S／cm、格子に垂直であつた方向
は10-12S／cm以下の絶縁性を示した。このよう
に、電極表面に比抵抗の異なる導電体で格子パタ
ンを形成し、電解重合条件を適切に選択すること
により、片面は全面導電性、反対面はパタン状に
異方性の導電性をもつたフイルムが作製できた。
以上説明したように、本発明に従つて所望のパ
タン状に導電部位を有する電極を用いて、この上
に高分子フイルムをコートしてから金属材の電解
メツキあるいは芳香族化合物の電解重合を行うと
電極上の導電部位のパタン形状に導電性を有する
高分子フイルムが得られることから、種々の異方
性の導電性あるいは特殊な回路状に導電性を有す
るフイルムを容易に製造できる利点がある。
タン状に導電部位を有する電極を用いて、この上
に高分子フイルムをコートしてから金属材の電解
メツキあるいは芳香族化合物の電解重合を行うと
電極上の導電部位のパタン形状に導電性を有する
高分子フイルムが得られることから、種々の異方
性の導電性あるいは特殊な回路状に導電性を有す
るフイルムを容易に製造できる利点がある。
これらのフイルムは各種平面入力装置の入力用
パタン化導電層、表示素子の入力端子、イメージ
センサの出力端子等種々の産業分野で使用でき
る。
パタン化導電層、表示素子の入力端子、イメージ
センサの出力端子等種々の産業分野で使用でき
る。
第１図は本発明におけるパタン状電極の１例の
構成の概要図そして第２図は本発明方法の代表例
の製造工程図である。 １：絶縁性基板、２：パタン化した導体層、
３：全面の導体層、４：パタン化した絶縁体、
５：高分子フイルム、６：導電化部、７：絶縁
部。
構成の概要図そして第２図は本発明方法の代表例
の製造工程図である。 １：絶縁性基板、２：パタン化した導体層、
３：全面の導体層、４：パタン化した絶縁体、
５：高分子フイルム、６：導電化部、７：絶縁
部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所望のパタン形状に導電性部位を有する電極
上に形成した高分子フイルムと、該高分子フイル
ム付電極上での電解メツキにより形成した金属材
とを包含することを特徴とするパタン状に導電性
を有するフイルム。 ２ 所望のパタン形状に導電性部位を有する電極
上に高分子フイルムを形成する工程、及び該高分
子フイルム付電極上で電解メツキにより金属材を
形成する工程の各工程を包含することを特徴とす
るパタン状に導電性を有するフイルムの製造方
法。 ３ 所望のパタン形状に導電性部位を有する電極
上に形成した高分子フイルムと、該高分子フイル
ム付電極上での芳香族化合物の電解重合によつて
形成した芳香族高分子材とを包含することを特徴
とするパタン状に導電性を有するフイルム。 ４ 所望のパタン形状に導電性部位を有する電極
上に高分子フイルムを形成する工程、及び該高分
子フイルム付電極上で芳香族化合物の電解重合に
より芳香族高分子材を形成する工程の各工程を包
含することを特徴とするパタン状に導電性を有す
るフイルムの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101676A JPS60245798A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | パタン状に導電性を有するフイルム及びその製造方法 |
| DE8585303589T DE3581835D1 (de) | 1984-05-22 | 1985-05-21 | Folie aus polymerisiertem kunststoff mit leitendem muster und verfahren zur herstellung derselben. |
| EP19850303589 EP0162706B1 (en) | 1984-05-22 | 1985-05-21 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
| US06/736,491 US4608129A (en) | 1984-05-22 | 1985-05-21 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
| CA000482107A CA1243736A (en) | 1984-05-22 | 1985-05-22 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
| KR1019850003528A KR900003155B1 (ko) | 1984-05-22 | 1985-05-22 | 패턴상 도전성을 갖는 고분자 필름과 그 제조방법 |
| US07/243,242 US4898766A (en) | 1984-05-22 | 1988-09-08 | Polymer film with conductive pattern and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59101676A JPS60245798A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | パタン状に導電性を有するフイルム及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245798A JPS60245798A (ja) | 1985-12-05 |
| JPH0124236B2 true JPH0124236B2 (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=14306956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59101676A Granted JPS60245798A (ja) | 1984-05-22 | 1984-05-22 | パタン状に導電性を有するフイルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245798A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6223195A (ja) * | 1985-07-23 | 1987-01-31 | 日本写真印刷株式会社 | 導電性回路基板とその製造法 |
| JPS6251116A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-05 | 古河電気工業株式会社 | 異方性導電膜の製造方法 |
| JP2575672B2 (ja) * | 1986-11-14 | 1997-01-29 | 清蔵 宮田 | 非導電性物質のメツキ法 |
| JP5681916B2 (ja) * | 2010-11-01 | 2015-03-11 | イーメックス株式会社 | 高分子電解質複合体の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-22 JP JP59101676A patent/JPS60245798A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60245798A (ja) | 1985-12-05 |
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