JPH01243221A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01243221A JPH01243221A JP63068599A JP6859988A JPH01243221A JP H01243221 A JPH01243221 A JP H01243221A JP 63068599 A JP63068599 A JP 63068599A JP 6859988 A JP6859988 A JP 6859988A JP H01243221 A JPH01243221 A JP H01243221A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- diamond
- thickness direction
- hard
- carbon film
- Prior art date
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に適した強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体は、短
波長出力の大きな点が注目され今後の高密度化の重要な
担い手として期待されている〔アイ イ イ イー ト
ランスアクションオンマグネティックス（Ｉ Ｅ Ｅ
Ｅ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮＭＡＧＮＥＴ
ＩＣ３）Ｖｏｌ、ＭＡＧ−２１，Ａ３． ｐ、 ｐ−１
２１７〜１２２０ （１９８５）＃照〕。かかる分野の
磁気記録層の構成として有望視されている２ヘーノ ものは、Ｇ ｏ −Ｎ ｉ−０系斜め蒸着膜、Ｇｏ−Ｏ
ｒ高周波スパッタ膜が挙げられるが、これらの強磁性金
属薄膜は、動摩擦係数が犬きく、表面を有機系の被膜で
被覆することが一般に広く検討されているが、最近では
、炭素膜の活用が注目され、グラファイト状とダイアモ
ンド状の炭素の単独、複合〔特公昭６０−２３４０６号
公報〕や弗素を含ませること〔特開昭６３−３１０２０
号公報〕などの工夫がなされ耐久性が向上してきている
。
波長出力の大きな点が注目され今後の高密度化の重要な
担い手として期待されている〔アイ イ イ イー ト
ランスアクションオンマグネティックス（Ｉ Ｅ Ｅ
Ｅ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮＭＡＧＮＥＴ
ＩＣ３）Ｖｏｌ、ＭＡＧ−２１，Ａ３． ｐ、 ｐ−１
２１７〜１２２０ （１９８５）＃照〕。かかる分野の
磁気記録層の構成として有望視されている２ヘーノ ものは、Ｇ ｏ −Ｎ ｉ−０系斜め蒸着膜、Ｇｏ−Ｏ
ｒ高周波スパッタ膜が挙げられるが、これらの強磁性金
属薄膜は、動摩擦係数が犬きく、表面を有機系の被膜で
被覆することが一般に広く検討されているが、最近では
、炭素膜の活用が注目され、グラファイト状とダイアモ
ンド状の炭素の単独、複合〔特公昭６０−２３４０６号
公報〕や弗素を含ませること〔特開昭６３−３１０２０
号公報〕などの工夫がなされ耐久性が向上してきている
。
発明が解決しようとする課題
しかし々から、上記した構成では、今後益々記録波長が
短かくなシ、スペーシング損失が大きくなる領域では、
保護膜厚が厚く、より薄く構成しても十分な耐久性を確
保することが課題である。
短かくなシ、スペーシング損失が大きくなる領域では、
保護膜厚が厚く、より薄く構成しても十分な耐久性を確
保することが課題である。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、短波長で
のＣ／Ｎと耐久性をバランスよく改良された磁気記録媒
体を提供するものである。
のＣ／Ｎと耐久性をバランスよく改良された磁気記録媒
体を提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
強磁性金属薄膜」−に厚み方向に硬度が増３／＜； すようにしたダイアモンド状硬質炭素膜を配するように
したものである。
強磁性金属薄膜」−に厚み方向に硬度が増３／＜； すようにしたダイアモンド状硬質炭素膜を配するように
したものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、強磁性金
属薄膜とダイアモンド状硬質炭素薄膜の界面での破壊強
度が強くなり、硬質炭素薄膜を薄くでき、耐久性を落さ
ずにスペーシング損失の改善によシＣ／Ｎ改善がはかれ
ることになる。
属薄膜とダイアモンド状硬質炭素薄膜の界面での破壊強
度が強くなり、硬質炭素薄膜を薄くでき、耐久性を落さ
ずにスペーシング損失の改善によシＣ／Ｎ改善がはかれ
ることになる。
実施例
以下図面を参照しながら本発明の一実施例の磁気記録媒
体について説明する。図は本発明の一実施例に係る磁気
記録媒体の拡大断面図である。図で１はポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニ
レンサルファイド。
体について説明する。図は本発明の一実施例に係る磁気
記録媒体の拡大断面図である。図で１はポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニ
レンサルファイド。
ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリイミド
、ポリエーテルサルフォン等の高分子フィルムで、必要
なら、微粒子塗布層等の下塗り層を配したものを用いて
もよい。２はＧｏ−Ｏｒ、 Ｇｏ −Ｔｉ。
、ポリエーテルサルフォン等の高分子フィルムで、必要
なら、微粒子塗布層等の下塗り層を配したものを用いて
もよい。２はＧｏ−Ｏｒ、 Ｇｏ −Ｔｉ。
Ｃｏ−３ｍ 、Ｇｏ −Ｖ 、Ｇｏ −Ｍｏ 、Ｇｏ−
Ｎｉ 、Ｇｏ −０、Ｇｏ−Ｔａ 。
Ｎｉ 、Ｇｏ −０、Ｇｏ−Ｔａ 。
Ｇｏ −Ｐ 、 Ｇｏ−Ｎｉ −０、Ｃｏ−０ｒ−Ｎｂ
等の強磁性金属薄膜で高周波スパッタリング法、電子ビ
ーム蒸着法。
等の強磁性金属薄膜で高周波スパッタリング法、電子ビ
ーム蒸着法。
等で形成されるもので、０．０５μｍかうｏ、３μｍの
範囲の構成が好ましい。３はダイアモンド状硬質炭素薄
膜で、膜厚ば６０八から２００人の範囲が好ましく、か
つ厚み方向で、硬度が増矢するように構成する。製造方
法は、回転キャンに沿わせて巻き取りながら、複数のタ
ーゲットを配置し、グラファイトに例えばＷ、Ｍｏを混
合したターゲットを順次配し、ＡｒとＨ２の混合気体を
放電ガスにして高周波スパッタリングする方法や、ダイ
アモンド状硬讐炭素薄膜を形成しながら、イオン注入濃
度を厚み方向に変化させる等適宜工夫すればよい。４は
潤滑剤で脂肪酸、脂肪酸アミド、パーフルオロカルボン
酸、バーフルオロポリエーテル等を溶液塗布法、真空蒸
着法、ＬＢ法等で適当な膜厚に構成することで得られる
。
範囲の構成が好ましい。３はダイアモンド状硬質炭素薄
膜で、膜厚ば６０八から２００人の範囲が好ましく、か
つ厚み方向で、硬度が増矢するように構成する。製造方
法は、回転キャンに沿わせて巻き取りながら、複数のタ
ーゲットを配置し、グラファイトに例えばＷ、Ｍｏを混
合したターゲットを順次配し、ＡｒとＨ２の混合気体を
放電ガスにして高周波スパッタリングする方法や、ダイ
アモンド状硬讐炭素薄膜を形成しながら、イオン注入濃
度を厚み方向に変化させる等適宜工夫すればよい。４は
潤滑剤で脂肪酸、脂肪酸アミド、パーフルオロカルボン
酸、バーフルオロポリエーテル等を溶液塗布法、真空蒸
着法、ＬＢ法等で適当な膜厚に構成することで得られる
。
以下、更に具体的な実施例について比較例との対比で詳
しく説明する。厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に直径１２０人の５ｉｎ２盪粒子を１５
ケ／（Ｉｌｍ）２ 塗布した下塗シロ・＼−ノ 層を配し、直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、６ Ｘ１
０ （Ｔｏｒｒ）の酸素中で最小入射角４３度でＧｏ
−Ｎｉ（Ｎｉ：２０ｗｔ％）を０．１３μ電子ビ一ム蒸
着した。このフィルムを用い、直径５０ｆｍの円筒キャ
ンに沿わせて、長手方向の長さ５インチのターゲットを
人、Ｂ、Ｃと３ケ配設した装置でダイアモンド状硬質炭
素膜の厚み方向の硬さを変化させて形成した。
しく説明する。厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に直径１２０人の５ｉｎ２盪粒子を１５
ケ／（Ｉｌｍ）２ 塗布した下塗シロ・＼−ノ 層を配し、直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、６ Ｘ１
０ （Ｔｏｒｒ）の酸素中で最小入射角４３度でＧｏ
−Ｎｉ（Ｎｉ：２０ｗｔ％）を０．１３μ電子ビ一ム蒸
着した。このフィルムを用い、直径５０ｆｍの円筒キャ
ンに沿わせて、長手方向の長さ５インチのターゲットを
人、Ｂ、Ｃと３ケ配設した装置でダイアモンド状硬質炭
素膜の厚み方向の硬さを変化させて形成した。
ターゲット人はグラファイトとＭＯを面積比で調整し、
Ｍｏが１２原子％含まれる組成とし、ターゲラ）ＢはＭ
ｏが６原子％含まれる組成とし、ターゲラ）ＣはＭＯを
含まず、純粋なグラファイトをターゲットとした。Ａｒ
＋ Ｈ、、＝ ０．０８（Ｔｏｒｒ）Ａ ｒ ： Ｈ
２＝１ ： ３ 、で１３．５６（ＭＨｚ）の高周波を
ターゲ７）Ａにｏ、４（ＫＷ）、ｐ−ゲ、 ） Ｂ Ｋ
ｏ、３（ＫＷ）。
Ｍｏが１２原子％含まれる組成とし、ターゲラ）ＢはＭ
ｏが６原子％含まれる組成とし、ターゲラ）ＣはＭＯを
含まず、純粋なグラファイトをターゲットとした。Ａｒ
＋ Ｈ、、＝ ０．０８（Ｔｏｒｒ）Ａ ｒ ： Ｈ
２＝１ ： ３ 、で１３．５６（ＭＨｚ）の高周波を
ターゲ７）Ａにｏ、４（ＫＷ）、ｐ−ゲ、 ） Ｂ Ｋ
ｏ、３（ＫＷ）。
ターゲットＣにｏ、９（ＫＷ）投入し、ダイアモンド状
硬質炭素薄膜として１１０人の膜厚で形成した。
硬質炭素薄膜として１１０人の膜厚で形成した。
夫々の硬さは厳密には測定できないが、シリコンウェハ
ー」二にターゲットＡ、Ｂ、Ｃで夫々２５００Ａの膜厚
を形成したものは、ターゲラｌ−Ｃの硬度を６、、。
ー」二にターゲットＡ、Ｂ、Ｃで夫々２５００Ａの膜厚
を形成したものは、ターゲラｌ−Ｃの硬度を６、、。
１とすると、ターゲットＢ、Ａは、夫々０．８３゜０．
７であった。
７であった。
一方比較例は、ターゲラ）Ｃのみで、ダイアモンド状硬
質炭素薄膜を１１０八と２００人形成したものを準備し
た。実施例、比較例共、潤滑剤とシテパーフロロステア
リン酸６０八を真空蒸着シたのち、８ミリ幅の磁気テー
プに加工した。
質炭素薄膜を１１０八と２００人形成したものを準備し
た。実施例、比較例共、潤滑剤とシテパーフロロステア
リン酸６０八を真空蒸着シたのち、８ミリ幅の磁気テー
プに加工した。
夫々のテープを改造した８ばリビデオによりＧ／Ｎを比
較した。ギャップ長０．２６μｍのアモルファスヘッド
によシ、ホワイトビークｏ、４８μｍ。
較した。ギャップ長０．２６μｍのアモルファスヘッド
によシ、ホワイトビークｏ、４８μｍ。
帯域９（ＭＨｚ）でのＣ／Ｎを実施例の初期値をＱ（ｄ
Ｂ）として比較した。４０°Ｃｏｏ％ＲＨで記録再生を
くり返した結果、２５０回目のＣ／Ｎは、実施例が−０
，３（ｄＢ）、比較例でダイアモンド状硬質炭素膜が１
１０へのもの（テープａ）は−２，４（ｄＢ） 、 ２
２０人（チー７”ｂ）のものは−２，，１（ｄＢ）であ
った。テープｂは初期値が低いため、変化は小さいが実
施例対比で総合的に劣る。
Ｂ）として比較した。４０°Ｃｏｏ％ＲＨで記録再生を
くり返した結果、２５０回目のＣ／Ｎは、実施例が−０
，３（ｄＢ）、比較例でダイアモンド状硬質炭素膜が１
１０へのもの（テープａ）は−２，４（ｄＢ） 、 ２
２０人（チー７”ｂ）のものは−２，，１（ｄＢ）であ
った。テープｂは初期値が低いため、変化は小さいが実
施例対比で総合的に劣る。
４０°Ｃ８％ＲＨで３００回目のＣ／Ｎは実施例は−０
，６（ｄＢ）、テープａは−５，１（ｄＢ）、テープア
７、−７ ｂば−２，９（ｄＢ）であった。
，６（ｄＢ）、テープａは−５，１（ｄＢ）、テープア
７、−７ ｂば−２，９（ｄＢ）であった。
発明の効果
以」二のように本発明によれば、Ｃ／Ｎと耐久性を共に
改良した磁気記録媒体を得ることができるといったすぐ
れた効果がある。
改良した磁気記録媒体を得ることができるといったすぐ
れた効果がある。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 １ ・・・・高分子フィルム、２・・・強磁性金属薄膜
、３ ・・ダイアモンド状硬質炭素膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一高分子フィルム
る。 １ ・・・・高分子フィルム、２・・・強磁性金属薄膜
、３ ・・ダイアモンド状硬質炭素膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一高分子フィルム
Claims (1)
- 強磁性金属薄膜上に形成したダイアモンド状硬質炭素膜
が厚み方向に硬度が増すよう構成したことを特徴とする
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068599A JPH01243221A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068599A JPH01243221A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243221A true JPH01243221A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13378415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068599A Pending JPH01243221A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243221A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62289913A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068599A patent/JPH01243221A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62289913A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体 |
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