JPH0766513B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JPH0766513B2
JPH0766513B2 JP17694186A JP17694186A JPH0766513B2 JP H0766513 B2 JPH0766513 B2 JP H0766513B2 JP 17694186 A JP17694186 A JP 17694186A JP 17694186 A JP17694186 A JP 17694186A JP H0766513 B2 JPH0766513 B2 JP H0766513B2
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JP
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magnetic recording
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tape
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紘一 篠原
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適する磁気テープ,磁気ディ
スク等の磁気記録媒体に関する。
従来の技術 磁気記録の高密度化の進歩は目覚しく、結晶剤中に、強
磁性微粒子を分散した塗布型磁性層を用いて極限まで高
められてきており、今後は、強磁性金属薄膜を磁気記録
層とする媒体により、高密度化が進むことが予測され
る。
一方、高密度化の前提として磁気ヘッドと磁気記録媒体
の高速摺動の安定化を中心にした、ヘッド・媒体間のイ
ンタフェース上の課題を解決することが必要となる。
磁気記録媒体側からみると、耐久性と磁気変換特性とり
わけ、信号出力だけでなくノイズ(以下、S/Nと記す)
の改良された特性をいかに高水準で調和するかが、重要
で、強磁性金属薄膜を部分酸化する方法、磁気記録層を
微細に凹凸化する方法、保護膜を設ける方法等が各方面
にて検討されている(例えば米国特許第4,564,549号明
細書,米国特許第4,565,734号明細書)。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記した構成では、記録波長が、0.8μm
程度であれば、実用に供し得る系もあるが、0.7〜0.3μ
mなどと、より短波長化が進むと、十分なS/Nが確保出
来ないため改良が望まれている。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、短波長での
十分なS/Nを与えることの出来る磁気記録媒体を提供す
るものである。
問題点を解決するための手段 上記した問題点を解決するために本発明の磁気記録媒体
は、高分子フィルム上に、柱状結晶粒子から成る薄膜磁
気記録層を配し、該柱状結晶粒子の表面が、炭素薄膜で
被覆されたようにしたものである。
作用 本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、磁性層
と磁気ヘッドの摺動時の摩擦抵抗が著しく小さくするこ
とができ、保護膜として別途配設するのと異なり、結晶
粒子を被覆しているので、炭素薄膜の厚みが小さくでき
るので、スペーシング損失が少なくなり、良好なS/Nを
与えることができることになる。
実施例 以下、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
しく説明する。
第1図は本発明の実施例に係る磁気記録媒体の拡大断面
図で、図中、1は厚みが9.5μmのポリエチレンテレフ
タレートフィルムのごとき高分子フィルム、2は炭素薄
膜で被覆された柱状結晶微粒子から成る磁気記録層、3
は潤滑層である。
第2図は柱状結晶微粒子の模式断面図で、第2図で、4
は柱状結晶粒子の該部で、磁性をになう部分である。5
は第1の炭素薄膜、6は第2の炭素薄膜で、磁気ヘッド
と接触する側の5は、後述する様に、ダイヤモンド状硬
質炭素(以下、D.L.C膜と記す)膜であることが好まし
い。必須用件でないのは、炭素薄膜で構成し、その上に
D.L.C膜を別途配することで、磁気記録媒体を構成して
もよいからである。
第3図は、本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着機
の一例の要部構成図で、図中、7は真空槽で、真空槽内
部8は、真空排気系9で、常に真空に保たれるように構
成される。10は高分子フィルム、11は巻出し軸、12は巻
取り軸、13はクーリングキャンで、矢印Fの方向に回転
する。14は電子ビーム蒸発源、15は限定された蒸気流
で、16は強化ガラスから成るプラズマ管、17はプラズマ
噴射孔、18は外部高周波励起コイル、19はメッシュ状電
極で、基板に対して、正電位に保たれるよう構成する。
20はガス導入孔である。
第3図の装置を用いて、本実施例の磁気記録媒体を製造
した。
高分子フィルムとして、厚み9.5μmのポリエチレンテ
レフタレートフィルムを用い、Co−Ni(Ni:20wt%)を
電子ビーム蒸着した。最小入射角は40度で、膜厚は0.16
μmに制御した。蒸着時に、プラズマ管より、カーボン
プラズマを発生させ、照射を行った。Arとメタンを1:1
の比率で導入し、13.56MHzの高周波で励起して、カーボ
ンにエネルギーを付与し、蒸着の最小入射角部にて、ダ
イヤモンド状硬質炭素となる条件で照射した。D.L.C膜
は約110Åとした。19は1200Vに保った。
この蒸着膜の上に、パーフロロベヘン酸の蒸着膜を約60
Å配した。比較テープは、蒸着中に酸素を導入し、D.L.
C膜の代わりにCo,Niの酸化膜(表面酸化層厚150Å)を
柱状結晶微粒子の表面に配したものを磁気記録層とし、
表面にパーフロロベヘン酸約60Å配したものをテープ
A、D.L.C膜約100Å、パーフロロベヘン酸約60Åを積層
したものを、テープBとして、比較した。
波長0.6μmを記録した時のS/Nは、本実施例を0(dB)
とすると、比較テープAは−1(dB),テープBは−3
(dB)であった。くり返し使用でのS/N低下について
は、−5℃では、100回,200回で本実施例は−0.4(d
B),−0.5(dB)であったが、比較テープAは、−4.8
(dB),−5.1(dB)、テープBでは−4.4(dB),−4.
5(dB)であった。40℃5%RHでは、300回のくり返し使
用でS/Nは、本実施例で−0.9(dB)、テープAでは−6.
4(dB)、テープBでは−4.5(dB)であった。
実施例では、高分子フィルムとして、ポリエチレンテレ
フタレートフィルムとしたが、他にポリイミド,ポリア
ミドイミド,ポリフェニレンサルファイド,ポリエチレ
ンナフタレート等でもよく、微粒子塗布層,ミミズ状隆
起層などを配したものでもよい。
炭素被覆した柱状結晶微粒子は、Co−Niの他に、Co−F
e,Co−Ag,Fe−Ag,Co−Cr,Co−Ce,Co−Ca,Co−Sm,Co−T
i,Co−W,Co−Mo,Co−Mg,Co−Ni−Zr,Co−Ni−Nb,Co−Cr
−Nb等でもよい。
発明の効果 以上のように本発明によれば、短波長記録で良好なS/N
を保った状態でくり返し使用できるといったすぐれた効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図、
第2図は炭素被覆柱状結晶微粒子の模式断面図、第3図
は本発明の実施例の磁気記録媒体を製造するのに用いた
蒸着装置の一例の要部断面構成図である。 1……高分子フィルム、2……磁気記録層、4……核
部、5……炭素薄膜、6……炭素薄膜、10……高分子フ
ィルム、14……電子ビーム蒸発源、16……プラズマ管、
18……高周波励起コイル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】高分子フィルム上に、柱状結晶粒子から成
    る薄膜磁気記録層を配し、該柱状結晶粒子の表面が炭素
    薄膜で被覆されていることを特徴とする磁気記録媒体。
JP17694186A 1986-07-28 1986-07-28 磁気記録媒体 Expired - Fee Related JPH0766513B2 (ja)

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