JPH01243464A - 密着型イメージセンサー - Google Patents
密着型イメージセンサーInfo
- Publication number
- JPH01243464A JPH01243464A JP63070634A JP7063488A JPH01243464A JP H01243464 A JPH01243464 A JP H01243464A JP 63070634 A JP63070634 A JP 63070634A JP 7063488 A JP7063488 A JP 7063488A JP H01243464 A JPH01243464 A JP H01243464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion layer
- image sensor
- section
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は原稿と光電変換層もしくは透明保護層との間に
エアーギャップを設けた密着型イメージセンサ−に関す
る。
エアーギャップを設けた密着型イメージセンサ−に関す
る。
従来、ファクシミリ等の読み取り系をコンパクト化する
ため、数種のイメージセンサ−が提案されている。その
第１は第２図に示されるようにＩＣ技術で製造したＣＣ
Ｄ ＭＯＳ等のイメージセンサ−１を用いて原稿２を光
源３で照明し、その反射光をレンズ４によって縮小結像
して光電変換するものであり、また他のものとしては第
３図に示されるように密着型イメージセンサ−１の裏側
に光源３を配し、センサーを通過した光が原稿２に反射
し、それを密着型イメージセンサ−１の表面に設けられ
た光電変換層で受光するものである。
ため、数種のイメージセンサ−が提案されている。その
第１は第２図に示されるようにＩＣ技術で製造したＣＣ
Ｄ ＭＯＳ等のイメージセンサ−１を用いて原稿２を光
源３で照明し、その反射光をレンズ４によって縮小結像
して光電変換するものであり、また他のものとしては第
３図に示されるように密着型イメージセンサ−１の裏側
に光源３を配し、センサーを通過した光が原稿２に反射
し、それを密着型イメージセンサ−１の表面に設けられ
た光電変換層で受光するものである。
しかしながら、第２図に示されるようなものはレンズ系
を使用するので、縮率が大きいので、原稿からセンサー
までの光路長が大きく、小型化の点で不利であり、さら
には画像周辺部の分解能が悪く、光量が少なくなる等の
欠点を有するものである。また、第３図に示されるよう
なものはレンズ系を使用しない密着型イメージセンサ−
であるため、原稿が直接に光電変換層に接触する。この
ため耐摩耗性向上を目的として透明保護層を設けなけれ
ばならない。透明保護層としては硬度の大きいＳｉＯ２
＋ Ｓ ｉＮ ｒ Ｂ ’Ｎ等無機の薄膜をＣＶＤ法で
形成するが、硬い膜を形成するには基板温度を高くして
製膜する必要があり、光電変換層をいためる。また透明
な樹脂を塗布する方法では均一な膜厚が得難く、結果と
して読み取りのムラが生ずる。さらに、ガラスの表面を
必要に応じて高硬度な皮膜で覆って貼り付ける方法もあ
るが、ガラスの板厚を解像力の点で１００μｍ以下にす
る必要があり、このような薄板ガラスはハンドリングが
しにくい欠点を有する。
を使用するので、縮率が大きいので、原稿からセンサー
までの光路長が大きく、小型化の点で不利であり、さら
には画像周辺部の分解能が悪く、光量が少なくなる等の
欠点を有するものである。また、第３図に示されるよう
なものはレンズ系を使用しない密着型イメージセンサ−
であるため、原稿が直接に光電変換層に接触する。この
ため耐摩耗性向上を目的として透明保護層を設けなけれ
ばならない。透明保護層としては硬度の大きいＳｉＯ２
＋ Ｓ ｉＮ ｒ Ｂ ’Ｎ等無機の薄膜をＣＶＤ法で
形成するが、硬い膜を形成するには基板温度を高くして
製膜する必要があり、光電変換層をいためる。また透明
な樹脂を塗布する方法では均一な膜厚が得難く、結果と
して読み取りのムラが生ずる。さらに、ガラスの表面を
必要に応じて高硬度な皮膜で覆って貼り付ける方法もあ
るが、ガラスの板厚を解像力の点で１００μｍ以下にす
る必要があり、このような薄板ガラスはハンドリングが
しにくい欠点を有する。
本発明は長期信頼性に富み、安価で簡単に製造でき、し
かも解像力も従来より一段と優れた密着型イメージセン
サ−を提供することを目的とするものである。
かも解像力も従来より一段と優れた密着型イメージセン
サ−を提供することを目的とするものである。
本発明に係る密着型イメージセンサ−の特徴とするとこ
ろは、光電変換層上部を除いた近傍に保護部材を設け、
原稿と光電変換層もしくは透明保護層との間にエアーギ
ャップを保ったことにある。
ろは、光電変換層上部を除いた近傍に保護部材を設け、
原稿と光電変換層もしくは透明保護層との間にエアーギ
ャップを保ったことにある。
以下に本発明の実施例を添付図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示し、（ａ）は全体図、（
ｂ）はセンサ一部分の拡大図である。この第１図におい
て、透明基板Ｓ上には採光窓１１を有する遮光層６が設
けられ、その上に透明絶縁層７および個別化した下部電
極１２が順次積層され、この下部電極１２上には光電変
換層８が積層されている。光電変換層８は採光窓１１上
の部分は取り除き、光路が確保されるようになっている
。この光電変換層８上には上部透明電極１３が積層され
、その全体が透明保護層９で覆われている。この透明保
護層９上の光電変換層８の部分を除いた部分には保護部
材１４が設けられている。このように構成される密着型
イメージセンサ−において、原稿２は保護部材１４上を
ゴムローラ１０により押圧されて移動し、原稿２とセン
サ一部１７とは図示のようなエアーギャップ１５が確保
されることになる。すなわちエアーギャップは保護部材
１４の厚さによって決定され、原稿２と光電変換層８と
の距離が均一に保たれる。
ｂ）はセンサ一部分の拡大図である。この第１図におい
て、透明基板Ｓ上には採光窓１１を有する遮光層６が設
けられ、その上に透明絶縁層７および個別化した下部電
極１２が順次積層され、この下部電極１２上には光電変
換層８が積層されている。光電変換層８は採光窓１１上
の部分は取り除き、光路が確保されるようになっている
。この光電変換層８上には上部透明電極１３が積層され
、その全体が透明保護層９で覆われている。この透明保
護層９上の光電変換層８の部分を除いた部分には保護部
材１４が設けられている。このように構成される密着型
イメージセンサ−において、原稿２は保護部材１４上を
ゴムローラ１０により押圧されて移動し、原稿２とセン
サ一部１７とは図示のようなエアーギャップ１５が確保
されることになる。すなわちエアーギャップは保護部材
１４の厚さによって決定され、原稿２と光電変換層８と
の距離が均一に保たれる。
保護部材１４を形成するには、■板あるいは線状の部材
を接着する方法、■ＣＶＤ、蒸着、スパッタ、めっき等
で無機の膜を形成する方法、■印刷法で有機あるいは無
機の膜を形成する方法等が挙げられる。また、■の場合
は表面にＳｉ０．、ＳｉＮ、ＢＮ、ＳｉＣ等の高硬度、
もしくはフッ素樹脂等の摩擦係数の小さい樹脂の皮膜を
設けることは耐摩耗性向上に効果がある。
を接着する方法、■ＣＶＤ、蒸着、スパッタ、めっき等
で無機の膜を形成する方法、■印刷法で有機あるいは無
機の膜を形成する方法等が挙げられる。また、■の場合
は表面にＳｉ０．、ＳｉＮ、ＢＮ、ＳｉＣ等の高硬度、
もしくはフッ素樹脂等の摩擦係数の小さい樹脂の皮膜を
設けることは耐摩耗性向上に効果がある。
第４図は保護部材１４としてＣｒをめっき法で例えば３
０μｍの厚さで形成したものを示す。
０μｍの厚さで形成したものを示す。
また、第５図はステンレス保護板（７０μｍ）上にテト
ラフルオロエチレン膜１９を１〜２μｍコーティングし
、これを透明基板５に接着した保護部材１４を示す。な
お、この場合、接着層２０は１０μｍ以下となるように
する。また、ステンレス保護板のかわりに直径５０μｍ
のステンレスワイヤを用いてもよく、さらにはこのワイ
ヤ表面にプラズマＣＶＤ法でＳｉＮ膜１８を１μｍ設け
た例を第６図に示す。
ラフルオロエチレン膜１９を１〜２μｍコーティングし
、これを透明基板５に接着した保護部材１４を示す。な
お、この場合、接着層２０は１０μｍ以下となるように
する。また、ステンレス保護板のかわりに直径５０μｍ
のステンレスワイヤを用いてもよく、さらにはこのワイ
ヤ表面にプラズマＣＶＤ法でＳｉＮ膜１８を１μｍ設け
た例を第６図に示す。
このようなイメージセンサ−において、エアーギャップ
１５は１５〜１００μｍとすることが好ましい。エアー
ギャップ１５が１５μｍより狭いと光源照射時の入力信
号が小さくなり、逆に１００μｍを越えると解像力が劣
るようにする。
１５は１５〜１００μｍとすることが好ましい。エアー
ギャップ１５が１５μｍより狭いと光源照射時の入力信
号が小さくなり、逆に１００μｍを越えると解像力が劣
るようにする。
かくして、原稿とセンサ一部との距離が均一に保たれる
ので原稿からの反射光を光電変換層に安定に導くことが
でき、フォト電流ＩＰを高くとることができ、さらには
光電変換層が原稿と直接に接触することが防止され、透
明保護層が剥離すること等によって発生するダストもな
くなる。
ので原稿からの反射光を光電変換層に安定に導くことが
でき、フォト電流ＩＰを高くとることができ、さらには
光電変換層が原稿と直接に接触することが防止され、透
明保護層が剥離すること等によって発生するダストもな
くなる。
以上のような本発明によれば、原稿と光電変換層もしく
は透明保護層との間にエアーギャップができ、原稿がこ
れらと直接接触することが防止されるのでセンサ一部の
損傷が防止され、極めて簡単な構造で解像力のバラツキ
が小さく、かつ安価な密着型イメージセンサ−が得られ
る。
は透明保護層との間にエアーギャップができ、原稿がこ
れらと直接接触することが防止されるのでセンサ一部の
損傷が防止され、極めて簡単な構造で解像力のバラツキ
が小さく、かつ安価な密着型イメージセンサ−が得られ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す概略説明図である。
第２図および第３図は従来例を示す概略説明図である。
第４図〜第６図は本発明の他の実施例を示す概略説明図
である。
である。
Claims (1)
- １、透明基板上に光電変換層を設けた密着型イメージセ
ンサーにおいて、光電変換層上部を除いた近傍に保護部
材を設け、原稿と光電変換層もしくは透明保護層との間
にエアーギャップを保ったことを特徴とする密着型イメ
ージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070634A JPH01243464A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 密着型イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070634A JPH01243464A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 密着型イメージセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243464A true JPH01243464A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13437269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070634A Pending JPH01243464A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 密着型イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8320654B2 (en) | 2003-07-31 | 2012-11-27 | Yoshitomo Takaishi | Bone mineral density evaluation device and bone mineral density evaluation method |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63070634A patent/JPH01243464A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8320654B2 (en) | 2003-07-31 | 2012-11-27 | Yoshitomo Takaishi | Bone mineral density evaluation device and bone mineral density evaluation method |
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