JPH051665B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH051665B2 JPH051665B2 JP60003514A JP351485A JPH051665B2 JP H051665 B2 JPH051665 B2 JP H051665B2 JP 60003514 A JP60003514 A JP 60003514A JP 351485 A JP351485 A JP 351485A JP H051665 B2 JPH051665 B2 JP H051665B2
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- JP
- Japan
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- light
- substrate
- receiving element
- light receiving
- film
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は原稿等を読み取る光学レンズ系を用い
ない完全密着型イメージセンサに関するものであ
る。
ない完全密着型イメージセンサに関するものであ
る。
従来の技術
代表的従来例の断面図を第４図に示す。耐熱性
のガラス基板１４の上にCrの遮光金属膜１５を
透光窓２１を除いて形成しその上にSiO2の透明
絶縁膜１６を形成し、更にその上にCdS−CdSe
光導電膜を用いたプレナー型の受光素子１７と配
線部１８を形成する。配線部１８はCdS−Seとオ
ーミツク接触するNiCrの対向電極と同時に形成
する。また透光窓２０を受光素子１７に対応して
複数個設ける。移動する原稿６と受光素子１７の
間に厚み約100μのマイクロシートガラス１９を
配置して受光素子１７を保護する。LEDアレイ
等の光源５の光をガラス基板１４の裏面より透光
窓２１，２０を通して原稿面に照射し原稿面によ
る黒白の画像を受光素子１７で感知する。
のガラス基板１４の上にCrの遮光金属膜１５を
透光窓２１を除いて形成しその上にSiO2の透明
絶縁膜１６を形成し、更にその上にCdS−CdSe
光導電膜を用いたプレナー型の受光素子１７と配
線部１８を形成する。配線部１８はCdS−Seとオ
ーミツク接触するNiCrの対向電極と同時に形成
する。また透光窓２０を受光素子１７に対応して
複数個設ける。移動する原稿６と受光素子１７の
間に厚み約100μのマイクロシートガラス１９を
配置して受光素子１７を保護する。LEDアレイ
等の光源５の光をガラス基板１４の裏面より透光
窓２１，２０を通して原稿面に照射し原稿面によ
る黒白の画像を受光素子１７で感知する。
発明が解決しようとする問題点
従来例は基板の裏面から光を入れるため受光素
子に直接光が入らないよう遮光金属膜１５の蒸着
工程と60μ×90μ程度の複数の透光窓２１のフオ
トエツチング工程および透明絶縁膜１６の蒸着工
程の３工程が必要である。また受光素子１７に用
いるCdS−CdSeは活性化のため550℃〜650℃の
熱処理が必要であり、ガラス基板１７は耐熱性の
ホウケイ酸ガラスを用い基板コストが高いのが第
２の欠点である。マイクロシートガラス１９は厚
み約100μで高価で破損し易く原稿面との摩擦で
キズがつき易いのが第３の欠点である。第４の欠
点はマイクロシートガラス１９の厚みが約100μ
と大きいため線状に分割して配置した複数の受光
素子間の分解能が８本／mm従つて125μピツチ以
上細かくすることはできない。分解能を上げるた
め10μ程度の硬質透明保護層のみを受光素子１７
の上に設けマイクロシートガラス１９を除く構造
も考えらえるが、面積の小さい透光窓２１，２０
から入つた光は原稿と受光素子が接近すると受光
素子に入る光量が著しく小さくなる。本発明は従
来例の４つの欠点をすべて解決するものである。
子に直接光が入らないよう遮光金属膜１５の蒸着
工程と60μ×90μ程度の複数の透光窓２１のフオ
トエツチング工程および透明絶縁膜１６の蒸着工
程の３工程が必要である。また受光素子１７に用
いるCdS−CdSeは活性化のため550℃〜650℃の
熱処理が必要であり、ガラス基板１７は耐熱性の
ホウケイ酸ガラスを用い基板コストが高いのが第
２の欠点である。マイクロシートガラス１９は厚
み約100μで高価で破損し易く原稿面との摩擦で
キズがつき易いのが第３の欠点である。第４の欠
点はマイクロシートガラス１９の厚みが約100μ
と大きいため線状に分割して配置した複数の受光
素子間の分解能が８本／mm従つて125μピツチ以
上細かくすることはできない。分解能を上げるた
め10μ程度の硬質透明保護層のみを受光素子１７
の上に設けマイクロシートガラス１９を除く構造
も考えらえるが、面積の小さい透光窓２１，２０
から入つた光は原稿と受光素子が接近すると受光
素子に入る光量が著しく小さくなる。本発明は従
来例の４つの欠点をすべて解決するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は曲面を持つ絶縁性基板と原稿面との接
線の近傍に沿つて透明保護膜を介して受光素子を
配列した完全密着型イメージセンサであり、基板
と原稿の間にできたすき間すなわち受光素子アレ
イの側面より読み取り用の光を入射する構成であ
る。絶縁性基板は透明でも不透明でも良いが反射
性の表面を持つ方が光の利用効率は高くSiO2コ
ートしたアルミニウム、ステンレス、ポリエステ
ルやポリイミドフイルム等の可撓性基板を曲げて
凸面の形成しても良いし、また円筒や端部が曲面
を持つセラミツク、ガラス、SiO2コートした金
属等の凸面を用いても良い。受光素子は、プラズ
マCVDで200℃〜300℃の低温で製膜した水素化
アモルフアスシリコン、水素化アモルフアスゲル
マニウム、あるいはそれらの混合系材料を用いプ
レナー型の光導電素子や、サンドイツチ型のPIN
接合光起電力素子、シヨツトキー接合光起電力素
子、MIS構造光起電力素子を形成して用いること
が可能である。透明保護膜は硬質の水素化カーボ
ン、BN、BCN、SiC等をプラズマCVD、イオン
ビームスパツタリング、イオンプレーテイングに
より10μ以下の厚みで蒸着し、耐摩耗性保護膜と
して機能する。
線の近傍に沿つて透明保護膜を介して受光素子を
配列した完全密着型イメージセンサであり、基板
と原稿の間にできたすき間すなわち受光素子アレ
イの側面より読み取り用の光を入射する構成であ
る。絶縁性基板は透明でも不透明でも良いが反射
性の表面を持つ方が光の利用効率は高くSiO2コ
ートしたアルミニウム、ステンレス、ポリエステ
ルやポリイミドフイルム等の可撓性基板を曲げて
凸面の形成しても良いし、また円筒や端部が曲面
を持つセラミツク、ガラス、SiO2コートした金
属等の凸面を用いても良い。受光素子は、プラズ
マCVDで200℃〜300℃の低温で製膜した水素化
アモルフアスシリコン、水素化アモルフアスゲル
マニウム、あるいはそれらの混合系材料を用いプ
レナー型の光導電素子や、サンドイツチ型のPIN
接合光起電力素子、シヨツトキー接合光起電力素
子、MIS構造光起電力素子を形成して用いること
が可能である。透明保護膜は硬質の水素化カーボ
ン、BN、BCN、SiC等をプラズマCVD、イオン
ビームスパツタリング、イオンプレーテイングに
より10μ以下の厚みで蒸着し、耐摩耗性保護膜と
して機能する。
作 用
受光素子の側面より入射した大部分の光は原稿
面と絶縁性基板の間で反射をくり返しながら受光
素子の近傍に集まつていくため読み取りの照度が
大きくなり、透明保護膜の10μ以下の厚みで受光
素子と原稿が近接しても十分な照度が得られる。
面と絶縁性基板の間で反射をくり返しながら受光
素子の近傍に集まつていくため読み取りの照度が
大きくなり、透明保護膜の10μ以下の厚みで受光
素子と原稿が近接しても十分な照度が得られる。
実施例
第１図は本発明による実施例の断面図である。
可撓性の絶縁性基板１の上に300℃以下でプラズ
マCVDにより形成した非結晶半導体薄膜からな
る光導電素子を24本／mmすなわち45μのピツチで
１次元に配列した対向電極を持つ受光素子２を設
け、この上に透明保護膜４を蒸着して積層一体化
した。透明保護膜４を省略した基板上の受光素子
部の平面図は第２図である。絶縁性基板１を曲げ
ることによりスイツチング素子等の集積回路１２
と配線部３を一つの基板上に設けて接続すること
ができる。LEDアレイ等の光源５を受光素子の
側面部に第１図の様に配置し、原稿面に光を照射
する。透明保護膜４は硬質で原稿面との接触面積
が小さく滑りが良いしまた厚みが10μ以下である
ため、原稿と受光素子が接近し分解能が10μ程度
まで向上することができる。
可撓性の絶縁性基板１の上に300℃以下でプラズ
マCVDにより形成した非結晶半導体薄膜からな
る光導電素子を24本／mmすなわち45μのピツチで
１次元に配列した対向電極を持つ受光素子２を設
け、この上に透明保護膜４を蒸着して積層一体化
した。透明保護膜４を省略した基板上の受光素子
部の平面図は第２図である。絶縁性基板１を曲げ
ることによりスイツチング素子等の集積回路１２
と配線部３を一つの基板上に設けて接続すること
ができる。LEDアレイ等の光源５を受光素子の
側面部に第１図の様に配置し、原稿面に光を照射
する。透明保護膜４は硬質で原稿面との接触面積
が小さく滑りが良いしまた厚みが10μ以下である
ため、原稿と受光素子が接近し分解能が10μ程度
まで向上することができる。
第３図は本発明による別の実施例であり、セラ
ミツク、ガラス等の基板２７の端部に曲面を設け
て受光素子２を形成し、光源２３、スイツチング
素子等の集積回路２５，２６を同じ基板２７の上
に固定し接続したものである。２４は光源の支持
体である。
ミツク、ガラス等の基板２７の端部に曲面を設け
て受光素子２を形成し、光源２３、スイツチング
素子等の集積回路２５，２６を同じ基板２７の上
に固定し接続したものである。２４は光源の支持
体である。
一般に耐熱性の劣る可撓性基板１を用いた第１
図の実施例は、非晶質半導体薄膜を低温でプラズ
マCVDにより連続蒸着ができ平面状にできるた
めフオトエツチングも容易である。
図の実施例は、非晶質半導体薄膜を低温でプラズ
マCVDにより連続蒸着ができ平面状にできるた
めフオトエツチングも容易である。
発明の効果
本発明によれば、従来例の４つの欠点をすべて
解決し遮光膜等の工程無しに完全密着型イメージ
センサが可能であり、原稿面の照度を低下させず
に受光素子を接近させて分解能が向上でき、耐熱
ガラスやマイクロシートガラス等のコストや破損
の心配もない。更に可撓性基板を曲げる構造の場
合、量産的であるほか曲面が弾性体の働きをし原
稿送りに対する密着性を確保できる効果も発揮す
ることができる。
解決し遮光膜等の工程無しに完全密着型イメージ
センサが可能であり、原稿面の照度を低下させず
に受光素子を接近させて分解能が向上でき、耐熱
ガラスやマイクロシートガラス等のコストや破損
の心配もない。更に可撓性基板を曲げる構造の場
合、量産的であるほか曲面が弾性体の働きをし原
稿送りに対する密着性を確保できる効果も発揮す
ることができる。
第１図は本発明による一実施例のセンサの断面
図、第２図は第１図の受光素子部の概略平面図、
第３図は本発明による別の実施例のセンサの断面
図、第４図は従来のセンサの断面図である。 １……絶縁性基板、２……受光素子、４……透
明保護膜、５，２３……光源、６……原稿。
図、第２図は第１図の受光素子部の概略平面図、
第３図は本発明による別の実施例のセンサの断面
図、第４図は従来のセンサの断面図である。 １……絶縁性基板、２……受光素子、４……透
明保護膜、５，２３……光源、６……原稿。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板の凸面に複数の薄膜受光素子と透
明保護膜を積層し、この透明保護膜を介して、前
記薄膜受光素子の近傍と接する原稿面と前記基板
の凸面で形成されるすき間より読み取り用の光を
前記原稿面に入射することを特徴とする密着型イ
メージセンサ。 ２ 基板として可撓性基板を用いこの上に非晶質
半導体から成る薄膜受光素子を設け、前記基板を
曲げて凸面を形成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003514A JPS61161868A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003514A JPS61161868A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161868A JPS61161868A (ja) | 1986-07-22 |
| JPH051665B2 true JPH051665B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=11559467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003514A Granted JPS61161868A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61161868A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2700247B2 (ja) * | 1988-03-26 | 1998-01-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 炭素膜がコートされた光電変換装置の作製方法 |
| JP2007255929A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyoto Univ | 焦電型赤外線センサ |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60003514A patent/JPS61161868A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61161868A (ja) | 1986-07-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |