JPH0124536B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0124536B2 JPH0124536B2 JP510882A JP510882A JPH0124536B2 JP H0124536 B2 JPH0124536 B2 JP H0124536B2 JP 510882 A JP510882 A JP 510882A JP 510882 A JP510882 A JP 510882A JP H0124536 B2 JPH0124536 B2 JP H0124536B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- film
- electrodes
- glow discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は薄膜生成装置、特にグロー放電によ
る薄膜生成装置に関する。
る薄膜生成装置に関する。
周知のようにグロー放電による薄膜の生成は、
低圧力のガス中でグロー放電を行なわせ、これに
よりガス分子を分解し、基板の表面に被着させる
ようにしたものである。従来ではこの種装置とし
て、平行平板型の一対の電極を用い、一方の電極
に基板をとりつけるか、或いは平行平板の電極と
格子状電極を用い、この格子状電極の後方に基板
を配置させ、各電極間でグロー放電を発生するよ
うにしたものが使用されていた。
低圧力のガス中でグロー放電を行なわせ、これに
よりガス分子を分解し、基板の表面に被着させる
ようにしたものである。従来ではこの種装置とし
て、平行平板型の一対の電極を用い、一方の電極
に基板をとりつけるか、或いは平行平板の電極と
格子状電極を用い、この格子状電極の後方に基板
を配置させ、各電極間でグロー放電を発生するよ
うにしたものが使用されていた。
しかし前者の構成によると、電極上に基板がと
りつけられているため、電極間に生じたプラズマ
中に基板がさらされるため、高エネルギーの粒子
が衝突し、生成された膜が損傷する恐れがある。
この点後者の構成によれば基板は格子状電極の後
方に位置しているので高エネルギー粒子の衝突に
よる膜の損傷は少ないが、反面膜の基板への付着
量したがつて膜厚を制御することが困難となる。
りつけられているため、電極間に生じたプラズマ
中に基板がさらされるため、高エネルギーの粒子
が衝突し、生成された膜が損傷する恐れがある。
この点後者の構成によれば基板は格子状電極の後
方に位置しているので高エネルギー粒子の衝突に
よる膜の損傷は少ないが、反面膜の基板への付着
量したがつて膜厚を制御することが困難となる。
この発明は高エネルギー粒子の入射を避けると
ともに、基板に入射する荷電粒子のエネルギーの
制御を可能にして、膜特性の制御を可能にするこ
とを目的とする。
ともに、基板に入射する荷電粒子のエネルギーの
制御を可能にして、膜特性の制御を可能にするこ
とを目的とする。
この発明の実施例を図によつて説明する。１は
真空槽で、真空バルブ２を介して真空ポンプ等に
より真空化（たとえば10-6Torr程度の真空度）
される。真空槽１内にはガス管３によりガス流量
を調整する調整バルブ４を介して、生成しようと
する膜に対応するガスが供給される。たとえばSi
膜を生成しようとするときはSiH4等のガスが供
給される。５は表面に膜を付着させようとする薄
膜被着体たとえば半導体装置用の基板で、基板支
持台６に支持されてあり、７は基板５を加熱する
ためのヒータである。
真空槽で、真空バルブ２を介して真空ポンプ等に
より真空化（たとえば10-6Torr程度の真空度）
される。真空槽１内にはガス管３によりガス流量
を調整する調整バルブ４を介して、生成しようと
する膜に対応するガスが供給される。たとえばSi
膜を生成しようとするときはSiH4等のガスが供
給される。５は表面に膜を付着させようとする薄
膜被着体たとえば半導体装置用の基板で、基板支
持台６に支持されてあり、７は基板５を加熱する
ためのヒータである。
８，９はグロー放電用の電極で、両電極間にグ
ロー放電を発生するための電源（図の例では直流
電源であるが高周波電源でもよい。）１０が接続
されてある。図の例では、両電極８，９のうちの
一方の電極として平等電界を形成するのに適した
ロゴスキー型（近似ロゴスキー型を含む。以下同
じ。）の電極を使用する。この種の電極は周辺部
の電界集中を避けるために適当な丸味をもたせた
構造とされている。陽極となる電極８についてロ
ゴスキー型の電極を使用している。他方の電極９
は格子状とされている。これはプラズマによつて
イオン化された荷電粒子が基板５に向かつて飛行
しやすいようにするためである。
ロー放電を発生するための電源（図の例では直流
電源であるが高周波電源でもよい。）１０が接続
されてある。図の例では、両電極８，９のうちの
一方の電極として平等電界を形成するのに適した
ロゴスキー型（近似ロゴスキー型を含む。以下同
じ。）の電極を使用する。この種の電極は周辺部
の電界集中を避けるために適当な丸味をもたせた
構造とされている。陽極となる電極８についてロ
ゴスキー型の電極を使用している。他方の電極９
は格子状とされている。これはプラズマによつて
イオン化された荷電粒子が基板５に向かつて飛行
しやすいようにするためである。
基板５と電極９との間にバイアス用の電極１１
が配置されてある。電極１１は格子状とされてあ
り、ここに与える電位によつて基板５に向う荷電
粒子を制御する。たとえば多量の荷電粒子（たと
えば正のイオン）を基板５に入射させたい場合は
負の電位を与えればよいし、入射量を減少させた
い場合は零又は正の電位を与えればよい。
が配置されてある。電極１１は格子状とされてあ
り、ここに与える電位によつて基板５に向う荷電
粒子を制御する。たとえば多量の荷電粒子（たと
えば正のイオン）を基板５に入射させたい場合は
負の電位を与えればよいし、入射量を減少させた
い場合は零又は正の電位を与えればよい。
以上の構成において、両電極８，９間に電源１
０の電圧を印加すると、グロー放電を起こしてプ
ラズマが発生する。これによつてガス管３を通し
て供給されるガスが分解されイオン化（たとえば
正のイオン）される。このとき分解されイオン化
されたガスは、負電圧が印加されている電極９の
格子をくぐつてその後方に位置する基板５の表面
に膜としてたい積するようになる。この場合電極
上に基板が存在していないため、生成される膜
は、放電により発生した高エネルギ粒子にさらさ
れることがないため損傷されることがなく、これ
によつて良質な膜が生成されるようになる。又バ
イアス用の電極１１を電極９と基板との間に配置
してあるので、膜の形成に重要な役割をもつ荷電
粒子の基板５への入射を制御することができ、所
望の性質の膜を生成することができるようにな
る。
０の電圧を印加すると、グロー放電を起こしてプ
ラズマが発生する。これによつてガス管３を通し
て供給されるガスが分解されイオン化（たとえば
正のイオン）される。このとき分解されイオン化
されたガスは、負電圧が印加されている電極９の
格子をくぐつてその後方に位置する基板５の表面
に膜としてたい積するようになる。この場合電極
上に基板が存在していないため、生成される膜
は、放電により発生した高エネルギ粒子にさらさ
れることがないため損傷されることがなく、これ
によつて良質な膜が生成されるようになる。又バ
イアス用の電極１１を電極９と基板との間に配置
してあるので、膜の形成に重要な役割をもつ荷電
粒子の基板５への入射を制御することができ、所
望の性質の膜を生成することができるようにな
る。
なお、この実施例では、一方の電極としてロゴ
スキー型の電極を用いているので、通常の平行平
板電極を使用した場合に比較して均一な電界が得
られるようになり、したがつて発生するプラズマ
に一様性をもたせることができ、均質な膜が生成
できるようになる。この場合集中電界を生じない
ことから、電極からイオン、電子等の衝突により
電極を形成する物質を放出してこれが膜に入るこ
ともなくなるようになる。
スキー型の電極を用いているので、通常の平行平
板電極を使用した場合に比較して均一な電界が得
られるようになり、したがつて発生するプラズマ
に一様性をもたせることができ、均質な膜が生成
できるようになる。この場合集中電界を生じない
ことから、電極からイオン、電子等の衝突により
電極を形成する物質を放出してこれが膜に入るこ
ともなくなるようになる。
更に、図のように基板５を上部に設けておく
と、電極からの溶解物が落下しても、膜内に入る
ことがなく都合がよい。
と、電極からの溶解物が落下しても、膜内に入る
ことがなく都合がよい。
以上詳述したようにこの発明によれば、グロー
放電によつてガスを分解して基板上に膜を生成す
るにあたり、高エネルギー粒子の入射を回避でき
るので良質な膜を生成することができるし、バイ
アス用の電極を使用しているので、膜特性の制御
が可能となるといつた効果を奏する。
放電によつてガスを分解して基板上に膜を生成す
るにあたり、高エネルギー粒子の入射を回避でき
るので良質な膜を生成することができるし、バイ
アス用の電極を使用しているので、膜特性の制御
が可能となるといつた効果を奏する。
図はこの発明の一実施例を示す断面図である。
１……真空槽、３……ガス管、５……薄膜被着
体、８……ロゴスキー型の電極、１０……電源、
１１……バイアス用の電極。
体、８……ロゴスキー型の電極、１０……電源、
１１……バイアス用の電極。
Claims (1)
- １ グロー放電によるプラズマを発生させる一対
の電極としてその一方を格子状の電極としてな
り、前記格子状の電極の後方に薄膜被着体を配置
するとともに、前記格子状の電極と前記薄膜被着
体との間にバイアス用の格子状の電極を設置して
なる薄膜生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP510882A JPS58122038A (ja) | 1982-01-16 | 1982-01-16 | 薄膜生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP510882A JPS58122038A (ja) | 1982-01-16 | 1982-01-16 | 薄膜生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122038A JPS58122038A (ja) | 1983-07-20 |
| JPH0124536B2 true JPH0124536B2 (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=11602157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP510882A Granted JPS58122038A (ja) | 1982-01-16 | 1982-01-16 | 薄膜生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122038A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077745B2 (ja) * | 1984-01-11 | 1995-01-30 | 株式会社ダイヘン | 光起電力素子の製造装置 |
| JP5282538B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2013-09-04 | 富士電機株式会社 | 容量結合型プラズマｃｖｄ装置 |
-
1982
- 1982-01-16 JP JP510882A patent/JPS58122038A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58122038A (ja) | 1983-07-20 |
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