JPS6076751A - 電子写真用感光体製造装置 - Google Patents
電子写真用感光体製造装置Info
- Publication number
- JPS6076751A JPS6076751A JP18557483A JP18557483A JPS6076751A JP S6076751 A JPS6076751 A JP S6076751A JP 18557483 A JP18557483 A JP 18557483A JP 18557483 A JP18557483 A JP 18557483A JP S6076751 A JPS6076751 A JP S6076751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- positive ions
- film
- high frequency
- sensitive body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用感光体製造装置ρのｔ極溝造に関
するものである。
するものである。
第１図に従来匣用されている電子写真用感光体製造装置
の概略図を示１−０ ２１Ｎ１図において、１は真空槽、２は高周波を印加す
る電極、３は導電性基板上セットする基板ホルダー、４
は高周波電源、５はモノ７ラン、水素、シホラン等のガ
スボンベ、６にマスフローコントローラでガス流量の精
密制御を行なう、真空槽１げメインパルプ７全通して高
真空排気系８に接続され、また、荒引きバルブ９を１中
してメカニカルブースターポンプ及びロータリーポンプ
より成る低真空排気系１０に接続されている。
の概略図を示１−０ ２１Ｎ１図において、１は真空槽、２は高周波を印加す
る電極、３は導電性基板上セットする基板ホルダー、４
は高周波電源、５はモノ７ラン、水素、シホラン等のガ
スボンベ、６にマスフローコントローラでガス流量の精
密制御を行なう、真空槽１げメインパルプ７全通して高
真空排気系８に接続され、また、荒引きバルブ９を１中
してメカニカルブースターポンプ及びロータリーポンプ
より成る低真空排気系１０に接続されている。
操作方法としては、まず基板ホルダー６に４電性基板を
セットし、真空排気系により所定の真空度まで排気する
。続いて、モノシラン等の所定のガスｆ−ｒスフローコ
ントローラーにより流ｉｋ制御し、ガス導入口よす真空
槽１内へ専き所定の圧力に保ちつつ、電極２に筒周ｅを
印加して、プラズマを発生させ、導電性基板上に非晶質
半導体体を成長させる。
セットし、真空排気系により所定の真空度まで排気する
。続いて、モノシラン等の所定のガスｆ−ｒスフローコ
ントローラーにより流ｉｋ制御し、ガス導入口よす真空
槽１内へ専き所定の圧力に保ちつつ、電極２に筒周ｅを
印加して、プラズマを発生させ、導電性基板上に非晶質
半導体体を成長させる。
この時、印加する高周波の周波数が高く（ン数ＭＨ２）
、放電電力が小さい場合には、印加された高周波′電界
により分解された正イオどと電子の内、質量の軽い′電
子は電界により加速され／）が、一方電子に比べて質量
の大きい正イオンは高周波電界の反転に追随できず、も
どの位ｉｉＺの周辺にとどまるものと考えられている。
、放電電力が小さい場合には、印加された高周波′電界
により分解された正イオどと電子の内、質量の軽い′電
子は電界により加速され／）が、一方電子に比べて質量
の大きい正イオンは高周波電界の反転に追随できず、も
どの位ｉｉＺの周辺にとどまるものと考えられている。
と′ころが、周波数の高い電源は、装置が大型で高価に
なる他、取り扱いも難しくなる為、低周波化が望まれて
いる、また、放電電力に関しても、製品の低価格化の必
要力・ら、成膜速度を上げて成膜時間を短くする必要が
あり、放電電力を上げて成膜速度の向上を図る必要が生
じている。
なる他、取り扱いも難しくなる為、低周波化が望まれて
いる、また、放電電力に関しても、製品の低価格化の必
要力・ら、成膜速度を上げて成膜時間を短くする必要が
あり、放電電力を上げて成膜速度の向上を図る必要が生
じている。
この様な要求から、低周波数の電源を用いた場合、分、
Ａ１子された正イオンが同一方向の電界に加速される時
間が長くなり、正イオンの移動度も大きくなる。また、
放電電力を上げた場合も、分解が促進され、分解される
電子、正イオンの絶対数が増加すると共に、それらの移
動度も大きくなる。
Ａ１子された正イオンが同一方向の電界に加速される時
間が長くなり、正イオンの移動度も大きくなる。また、
放電電力を上げた場合も、分解が促進され、分解される
電子、正イオンの絶対数が増加すると共に、それらの移
動度も大きくなる。
結果として、低周波数の電源を用いた場合も、放′１（
℃電力を上げた場合も、分解、加速された電子や正イオ
ンの膜表面への衝突による温度上昇や正イオンによると
思われる膜のスパッタが顕著になる。
℃電力を上げた場合も、分解、加速された電子や正イオ
ンの膜表面への衝突による温度上昇や正イオンによると
思われる膜のスパッタが顕著になる。
従来の装置でに、高周波により分解、加速された電子や
正イオンが直かに膜表面に衝突する為、低周波の電源を
用いた場合や成膜速度を上げる為に放電電力を上げた場
合、基板温度の上昇や膜のスパッタが顕著にみられ、良
好な膜質全有する感光体の作製が困難であった、 本発明はこの様な欠点を除去するもので、試料ホルダー
の周りに網状若しくは多数の穴を有する電極を配し、該
電極と基板ホルダーとを同電位に保つか、若しくはバイ
アスケ適宜印加することにより、分解、加速された正イ
オンによる膜のスパッタや電子や正イオンの衝突による
基板温度上昇の低減全目的とするものである、 次に、本発明の実施例について、図面とともに詳細に説
明すり。
正イオンが直かに膜表面に衝突する為、低周波の電源を
用いた場合や成膜速度を上げる為に放電電力を上げた場
合、基板温度の上昇や膜のスパッタが顕著にみられ、良
好な膜質全有する感光体の作製が困難であった、 本発明はこの様な欠点を除去するもので、試料ホルダー
の周りに網状若しくは多数の穴を有する電極を配し、該
電極と基板ホルダーとを同電位に保つか、若しくはバイ
アスケ適宜印加することにより、分解、加速された正イ
オンによる膜のスパッタや電子や正イオンの衝突による
基板温度上昇の低減全目的とするものである、 次に、本発明の実施例について、図面とともに詳細に説
明すり。
実施例１
第２図に、本発明に基づ〈実施例の概略図？示す。この
うち（ａ）に平面図であり、（ｂ）は正面図である。
うち（ａ）に平面図であり、（ｂ）は正面図である。
第２図において、１１は真空槽、１２は２８電性基４４
セツトする基板ホルダーで朕地されている。
セツトする基板ホルダーで朕地されている。
１３は高周波電源で電極１４に高部ｅｋ印加する。
１５は本発明に基づく網状若しくは多数の穴を有する電
極であり、試料ホルダーと同電位に保たれている。１６
は排気口、１７にガス棉入口である。
極であり、試料ホルダーと同電位に保たれている。１６
は排気口、１７にガス棉入口である。
上述の様な賊極ヲ基板ホルダーの周りに配して試料ホル
ダーと同電位に保つことによジ、分解、加速された電子
や正イオンの一部に、該電極と衝突する為、直かに膜表
面に衝突する′電子や正イオンの数を減少させることが
できる。
ダーと同電位に保つことによジ、分解、加速された電子
や正イオンの一部に、該電極と衝突する為、直かに膜表
面に衝突する′電子や正イオンの数を減少させることが
できる。
第１図に示した従来の装置では、１０μｒｎ、 ／ Ｈ
以上の成膜速度を得る為に放電電力を上げると、基板温
度を所定の値（≦２００℃）に保つことができなかった
が、第２図に示した電極構造を有する装置では、成膜時
の基板温度の変化が少さくなジ、基板温度を所定の値以
内に押さえることができた。また、外観も美しく、ピン
ホールもほとんどみられない感光体が得られた。感光特
性に関しても、成膜時間２時間、膜厚〜２０μｍの膜で
帯電電位〜５００ｖ１ Ｅｌｈ〜０．２ ａｄ ／ ８
ｒｇの特性が得られた。
以上の成膜速度を得る為に放電電力を上げると、基板温
度を所定の値（≦２００℃）に保つことができなかった
が、第２図に示した電極構造を有する装置では、成膜時
の基板温度の変化が少さくなジ、基板温度を所定の値以
内に押さえることができた。また、外観も美しく、ピン
ホールもほとんどみられない感光体が得られた。感光特
性に関しても、成膜時間２時間、膜厚〜２０μｍの膜で
帯電電位〜５００ｖ１ Ｅｌｈ〜０．２ ａｄ ／ ８
ｒｇの特性が得られた。
実施例２
第３図に本発明に基づ〈実施例の電極構造の概略図を示
す。
す。
第６図において、１８は導電性基板をセントする基板ホ
ルダー、１９は高周波電源で電極２０に高周波を印加す
る。２１は本発明に基づく網状若しくは多数の穴を有す
る電極で接地されている。
ルダー、１９は高周波電源で電極２０に高周波を印加す
る。２１は本発明に基づく網状若しくは多数の穴を有す
る電極で接地されている。
尚、試料ホルダー１８と該電極２１に、直流電源２２を
介して結ばれている。
介して結ばれている。
第３図に示した装置でに、電極２１ｉａ接地され基板ホ
ルダーは実施例１と異なり直流＊ａにより正にバイアス
されている、これに、実施例１でに網状若しくは多数の
穴葡有する電極が障壁となって、電子や正イオンの膜表
面への衝突を低減していたが、本実施例でに、さらに試
料ホルダー側を正にバイアスすることにより、加速され
た正イオンによるスパッタ効果のよジ一層の低減を意図
したものである。
ルダーは実施例１と異なり直流＊ａにより正にバイアス
されている、これに、実施例１でに網状若しくは多数の
穴葡有する電極が障壁となって、電子や正イオンの膜表
面への衝突を低減していたが、本実施例でに、さらに試
料ホルダー側を正にバイアスすることにより、加速され
た正イオンによるスパッタ効果のよジ一層の低減を意図
したものである。
第５図に示した装置で、成膜速度〜１３μｍ ／ Ｈで
実験したところ、温度上昇も小さく、外債も良好な感光
体が得られた。感光特性に関しても、成膜時間２時間、
膜厚〜２６μｍの膜で帯電重信〜７００ＶＸ ＥＶ２〜
０．１７ ｅｒａ ／ ｅｒＲという良好な結果が得ら
れた。
実験したところ、温度上昇も小さく、外債も良好な感光
体が得られた。感光特性に関しても、成膜時間２時間、
膜厚〜２６μｍの膜で帯電重信〜７００ＶＸ ＥＶ２〜
０．１７ ｅｒａ ／ ｅｒＲという良好な結果が得ら
れた。
以上述べた様に、本発明によれば放電電力を上げての高
速成膜時や、低い周波数（く数ＭＨｚ ）の電源を用い
た場合顕著にみられた膜のスパッタや成膜時の著しい基
板温度上昇を低減し、良好な感光特性金有する感光体を
作製できる。
速成膜時や、低い周波数（く数ＭＨｚ ）の電源を用い
た場合顕著にみられた膜のスパッタや成膜時の著しい基
板温度上昇を低減し、良好な感光特性金有する感光体を
作製できる。
第１図は従来使用されている電子写真用感−）を体製造
装置の概略図である。１．真空槽、２．電極、３、基鈑
ホルタ”−１４，高周波電源、５．ガスボンベ、６．マ
スフローコントローラー、７．メインパルプ、８．高真
空排気系、９．荒引きバルブ、ＩＱ、低真空排気系。 第２図は本発明に基づく一実施例の概略図で、（８）は
平面図で、（ｂ）は正面図である。１１．真空槽、１２
、基板ホルダー、１３．高周波電源、１４゜電極、１５
１本発明に基づく網状若しくは多数の穴を有する電極、
１６．排気口、１７．ガス導入口。 第３図に本発明に基つく一実施例の電極構造の概略図で
ある。１Ｂ、基鈑ホルダー、１９．高周波′電源、２０
．電極、２１１本発明に基づく電極、２２、直流電源。 以 上 出１碩六 株式会社諏訪情工合 代理人 弁理士最上 務 第１図 第２図
装置の概略図である。１．真空槽、２．電極、３、基鈑
ホルタ”−１４，高周波電源、５．ガスボンベ、６．マ
スフローコントローラー、７．メインパルプ、８．高真
空排気系、９．荒引きバルブ、ＩＱ、低真空排気系。 第２図は本発明に基づく一実施例の概略図で、（８）は
平面図で、（ｂ）は正面図である。１１．真空槽、１２
、基板ホルダー、１３．高周波電源、１４゜電極、１５
１本発明に基づく網状若しくは多数の穴を有する電極、
１６．排気口、１７．ガス導入口。 第３図に本発明に基つく一実施例の電極構造の概略図で
ある。１Ｂ、基鈑ホルダー、１９．高周波′電源、２０
．電極、２１１本発明に基づく電極、２２、直流電源。 以 上 出１碩六 株式会社諏訪情工合 代理人 弁理士最上 務 第１図 第２図
Claims (1)
- 真空槽内に所定のガスを導入してＪ９ｒ定の圧力に保ち
、電極に高周波全印加して導電性基板上に非晶質半導体
を成長させる装置において、導電性基板の周りに網状若
しくは多数の穴を有する電極を配したことを特徴とする
電子写真用感光体製造装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18557483A JPS6076751A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 電子写真用感光体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18557483A JPS6076751A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 電子写真用感光体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6076751A true JPS6076751A (ja) | 1985-05-01 |
Family
ID=16173186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18557483A Pending JPS6076751A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 電子写真用感光体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6076751A (ja) |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18557483A patent/JPS6076751A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002093721A (ja) | 堆積膜形成方法及び装置 | |
| JP3146112B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6076751A (ja) | 電子写真用感光体製造装置 | |
| JPS61127866A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0769790A (ja) | 薄膜作製装置 | |
| US5945353A (en) | Plasma processing method | |
| JP2626339B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3006029B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH06280030A (ja) | 薄膜作成装置 | |
| JPH02166283A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPS6124467B2 (ja) | ||
| JPH0124536B2 (ja) | ||
| JPH0561350B2 (ja) | ||
| JPS6066422A (ja) | 半導体製造法 | |
| CN116053107B (zh) | 等离子体工艺处理装置 | |
| JPS60189925A (ja) | 高周波放電反応装置 | |
| JPS59199037A (ja) | 薄膜生成装置 | |
| JPH03123022A (ja) | プラズマ成膜装置 | |
| JPS62238370A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS60115220A (ja) | 三極グロ−放電型表面処理装置 | |
| JPH10251856A (ja) | アモルファスシリコン膜の成膜方法及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS61115354A (ja) | 非晶質半導体太陽電池 | |
| JP2551028Y2 (ja) | 光起電力装置の製造装置 | |
| JPH0614478Y2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH01215982A (ja) | 膜形成装置 |