JPH01245425A - 炭素被覆磁気記録用媒体及びスライダーの表面処理方法 - Google Patents

炭素被覆磁気記録用媒体及びスライダーの表面処理方法

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JPH01245425A
JPH01245425A JP63316085A JP31608588A JPH01245425A JP H01245425 A JPH01245425 A JP H01245425A JP 63316085 A JP63316085 A JP 63316085A JP 31608588 A JP31608588 A JP 31608588A JP H01245425 A JPH01245425 A JP H01245425A
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slider
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plasma
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JP63316085A
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Amarjit S Brar
アマージット シング ブラー
Jagdish P Sharma
ジャグディッシュ プレセブ シャーマ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気データー記憶及び取り出し装置に関し、
特に磁気円盤又は他の媒体の表面性質、及び磁気読み取
り及び記録変換器の為のスライダーの表面性質を改良す
るための方法に関する。
〔従来の技術〕
選択された表面被覆の使用及び他の処理は、磁気媒体及
び磁気データー読み取り・記録用ヘッドのスライダーの
有効寿命及び信顆性を向上させるためのよく知られた方
法である。磁気円盤及びスライダーは、それらが互いに
相対的に動かされた時、それらの界面又は相互表面係合
領域に沿って摩耗を受ける6通常、薄い空気の膜によっ
て円盤から隔てられている浮上(flying)ヘッド
を用いた円盤駆動装置の場合でも、円盤回転の始動及び
停止を繰り返す間に表面接触により、向き合った対向(
interfacing)表面に実質的な摩耗を起こし
、!&後にはヘッドの破損に至ることがある。
従って、スライダー及び円盤の表面は、それらの靭性及
び強度を増加し、摩擦を減少せるために屡々処理されて
いる。例えば、米国特許第4.251,297号明細書
(用端)には、磁気記録用媒体と接触するように配置さ
れたスライダーの表面部分上に硼素化層を形成している
。米国特許第4.631,613号明細S(フレンチ)
には、変換器の飽和磁化を改善するためのプラズマ法が
記載されている。特に、間隙スペーサー材料及び磁極片
が、アルゴン又は窒素ガスと共にアルフエシル(^1f
esil)ターゲットを用いて付けられている。
スペーサーが通常磁気テープ又は円盤と接触している装
置に関連して、円盤とスライダーとの間の円滑性を改良
する方法が米国特許第4,649,488号明細書(中
島)に記載されている。ヘッドのスライドする表面は、
酸化ジルコニウム又は他の大きな熱膨張係数を有する材
料、特に記録用媒体の結合剤を炭化するのに充分な大き
な係数を持つ材料で被覆されている。
米国特許第4,619,861号明細書(中白)には、
磁性粉末を構成する粒子を被覆するためのプラズマ重合
法が記載されている。この方法は、分散性、縦横比(s
quareness ratio)及び磁性粉末の磁化
が改良されると言われている。媒体層を腐食から保護し
、表面潤滑性を改良する両方のための他の既知の方法は
、円盤の磁気媒体又は記録用層の上にスパッターした炭
素の不動態化層を与えることである。炭素の外側被覆は
極めて薄く、典型的には300〜400人の範囲にあり
、形成されたままでは媒体層を露出する、時々ピンホー
ルと呼ばれる微小孔を含む、炭素外側被覆で起きる他の
問題は、円盤表面上の屑、特に炭素粒子の蓄積である。
スライダーは大きな表面エネルギーの為、この屑を取り
上げる傾向があり、最終的にヘッドの破損をもたらず。
〔本発明の目的〕
従って、本発明の目的は、磁気円盤又は他の媒体の磁気
媒体層の上に与えられた炭素層の潤滑性、円滑性及び摩
耗性の特性を改良することである。
本発明の他の目的は、改良された靭性、硬度及び潤滑特
性を持ち、減少した表面エネルギーを持つ対向表面を持
つスライダーを与えることである。
本発明の更に池の目的は、磁気媒体及びスライダーの表
面特性を改良するためそれらの表面処理を行う方法を与
えることである。
更に他の目的は、磁気媒体及びスライダーの界面での摩
擦が減少し、それによって摩擦によるノイズが減少し、
信号品買が向上した磁気媒体及びスライダーを与えるこ
とである。
〔本発明の要約〕
これら及び他の目的を達成するために、炭素で外側被覆
した磁気データー記憶媒体を処理する方法において、 1) 基体、その基体上に形成された磁化可能材料の記
録用層及び該記録用層上に形成された炭素から本質的に
なる外側層を有する磁気記録用媒体をプラズマ室内に閉
じ込め、 2) 前記室内に大気圧より実質的に低い第一の選択さ
れた圧力で、一般に外囲温度で、第一の選択された長さ
の時間、不活性ガスプラズマを維持し、前記外側層の露
出した表面を実質的に清浄にし、そして 3) 前記プラズマ清浄化に続き、前記室内に媒体を入
れたまま、大気圧より実質的に低い第二の選択された圧
力で、一般に外囲温度で、第二の選択された長さの時間
、プラズマ混合物を前記室内に維持し、前記外側層の少
なくとも一部分をフッ素化し、然も、前記プラズマ混合
物は反応性ガスと不活性ガスとから本質的になり、該反
応性ガスは前記混合物の少なくとも60体積%を占め、
そして更に次の成分: CF、及びF2:の少なくとも
一方から本質的になる、  ゛ 諸工程を含む炭素外側被覆処理方法が与えられる。
好ましくは、フッ化工程は約100℃の温度及び約30
0ミリトールの圧力、又は大気圧の1/1000より幾
らか小さい圧力で行われる。600ワツトの電源で、プ
ラズマ室に伴われた一対の電極間の帯電即ち電位差を生
ずる。
好ましい不活性ガスはアルゴンであり、好ましい反応性
ガスは四フッ化炭素(CF4)である。
CF、の体積%の満足すべき範囲は、プラズマ混゛合物
の75〜85%であり、好ましい%は80%である。
この方法の結果として処理された媒体の炭素層は少なく
ともその露出した表面にそってフッ素化される。特に、
プラズマ混合物の反応性成分は炭素と結合し、長M(e
xtended chain)フルオロポリマーを形成
し、次の成分の一種票以上を含むものと思われる:ヘキ
サフルオロエタン、テトラフルオロエチレン及びテトラ
フルオロプロピレン、これらの成分は炭素層の露出した
表面上に固体潤滑剤を形成し、それらの結合特性により
表面を強化する。
プラズマ混合物は更に、不活性ガスとしてアルゴン以外
の窒素又は酸素を含むことができ、テトラフルオロメチ
ルアルデヒド及びテトラフルオロアミノメタンの形成を
もたらす、これらの成分は同様に固体潤滑剤を与え、炭
素被覆の表面靭性を実質的に改良する。
フッ素化工程は、表面の微細気孔、欠陥、くぼみ及び付
着した分子内に炭素及びフッ素のイオンをインプランテ
ーション(implantation)することと−緒
になった、アルゴンイオン又は混合物の他の不活性成分
による表面突起の食刻により、炭素層の表面円滑性を更
に実質的に向上させる。長鎖フルオロポリマーの形成と
一緒になったイオンインプランテーションは、実質的に
炭素層の強度及び靭性を増大し、その弾性を大きくし、
−層よいダンピング(damping )特性をもたら
す。
本発明の更に別な態様は、セラミック材料から形成され
たスライダー本体の露出した表面を処理するための方法
である。プラズマ室中にスライダー本体を入れたまま、
不活性ガスプラズマをその室内に維持し、記録用媒体に
関連して記述したのと実質的に同じやり方でスライダー
を食刻する。
食刻に続き、大気圧より実質的に低い圧力及び約100
℃で、少なくとも選択された深さにイオンインプランテ
ーションを行なえる選択された長さの時間プラズマ混合
物を室内に維持する。プラズマ混合物はCF4及び不活
性ガスから本質的になり、CF、は混合物の少なくとも
60体積%を占める。
この処理の結果、スライダーの露出した表面に沿ってフ
ルオロポリマーの薄い膜が形成される。
イオン インプランテーションは、フィルム全体に互っ
て、基体中深くセラミック材料分子の凝集結合強度を実
質的に増大する。更に、ヘキサフルオロエタンの如き長
鎖重合体がスライダー表面に沿って形成され、潤滑性を
改良すると考えられる。
更にフルオロポリマーはセラミックに依存して形成され
ると考えられる1例えば、スライダーが成分としてチタ
ン酸カルシウム又は酸化カルシウムを含む場合フッ化カ
ルシウム、スライダーがチタン酸カルシウム又は酸化チ
タンから少なくとも部分的になる場合には四フッ化チタ
ン、ニッケル、亜鉛及びアルミニウム酸化物のスライダ
ーの場合に形成される潤滑剤は、夫々ニフッ化ニッケル
及び三フッ化アルミニウムを含むと考えられる。
フッ素イオンは表面と反応し、炭素・フッ素フィルムを
形成し、それは表面エネルギーを減少し、従ってスライ
ダーによる屑の収り上げを減少させる。媒体及びスライ
ダー表面の潤滑性が一層よくなり、衝撃強度が増大する
ことにより、発生する粒子は一層少なくなる。摩擦の低
下は摩擦によるノイズを減少させ、データー信号を強く
することを意味する。従って、記載した方法を用いるこ
とにより、ヘッド破損件数が減少し、データー記憶装置
の有効寿命を一層長くし、信号の品質を一層向上させる
ことになる6 〔好ましい態様についての詳細な記述〕前述及び他の特
徴及び利点を一層良く認めることが出来るように、図面
を参照し以下に詳細に記述する。
図面に関し、第1図には、好ましくはアルミニウムから
形成された基体(18)に選択的に層を構成することに
より形成された磁気データー記憶円盤(16)の断面が
示されている0層(20)は無電解法により基体(18
)上にメツキされたニッケルからなる。ニッケル層(2
0)は高度の表面粗さを持ち、従って約400μin、
即ち10’人の厚さに研磨する。次にクロムの層(22
)をスパッタリングによりニッケル層の上に約10人の
厚さに付着させる。
次にクロム層の上に記録用層(24)を約200〜30
0人の厚さにスパッターする。記録用層(24)は、典
型的には、ニッケル/鉄及びニッケル/コバルト合金(
クロムを含んでいてもよい)を含む磁化可能材料から形
成される。ある場合には記録用層(24)は、スパッタ
リングの代わりにメツキにより形成する。最後に約30
0〜400人の厚さを有する炭素層(26)をスパッタ
リングにより記録用層の上に付着させる。
炭素層(26)は、腐食に対し記録用層(24)を保護
するため、又潤滑性を与えて円盤(16)と磁気データ
ー変換ヘッドのスライダー(28)との間の摩擦を減少
させるために与えられている。スライダー(28)は円
盤回転によって生ずる空気膜によって円盤の上約10μ
inの所に支持された正常な作動位置にあるように示さ
れている。従って、表面接触摩擦は作動中存在していな
いが、円盤の始動及び停止を繰り返すとスライダーと円
盤との接触が起こり、摩擦によってスライダー(28)
、円!!(16)又はその両方が損傷することがある。
腐食に対する保護及び潤滑性を与えることの外に、炭素
層(26)は希望の狭い空気膜間隔即ち浮上高さを与え
るため出来るだけ滑らかな方がよい。
密度が大きいことにある。一般に密度はスライダー(2
8)と記録用層(24)との間の間隙が狭い程増大する
。従って、炭素層(26)の厚さ及び浮上高さを最小に
することが有利である。
層(24)及び(26)だけを示している第2図の拡大
図から分かるように、炭素の外側層(Z6)は滑らかな
ではなく、多数の突起(30) 、<ぼみ即ち谷(32
)及びピンホール(34)が形成されており、ピンホー
ルは記録用層(24)を露出させ、損傷特に水分による
損傷を起こす、ピンホール(34)を無くすのに充分な
厚さの炭素を付着させると、炭素層の厚さが増大し、そ
のためスライダーと記録用層との間隔が増大し望ましく
ない、勿論スライダーの浮上高さは突起(30)を避け
るのに充分なものでなければならず、従って炭素層(2
6)の有効な厚さは突起の高さに等しい。
炭素層(26)の表面粗さは、円盤とスライダーとの間
の摩擦の原因になる。更に炭素層、特に突起(26)の
所の炭素層は円盤・スライダー接触による摩耗又は破損
を受けやすい、その結果主に炭素粒子からなる屑が蓄積
し、それがスライダーによって取り上げられる。スライ
ダー上へのそのような蓄積は最終的にヘッドの破損をも
たらす。
炭素層(26)を滑らかにし、靭性を高くし、潤滑性改
良するために、第3図に概略的に例示した気密なプラズ
マ室(36)を含む装置で円盤(16)を処理する。室
中には円盤(16)だけが示されているが、室(36)
は多くの円盤を収容するのに充分な大きさを持っていて
も良いことは分かるであろう。
その装置は、希望に応じ室を排気するために、室(36
)と流体が連通ずる排気ポンプ(38)を更に有する。
第1及び第2容器(40)、(42)が夫々管(41)
及び(43)を通って室と流体が連通ずるようになって
いる。容器(4o)及び(42)は、夫々アルゴンの如
き不活性ガス及び四フッ化炭素(CF、)の如き反応性
ガスの供給源を具えている。他のガス、例えば反応性ガ
スとしてフッ素(F2)及びアルゴンの代わりの窒素又
は酸素を用いることも出来る。弁(44)及び(46)
は、夫々室へのアルゴン及びCF4の供給を制御する。
電源(48)は接地した電極(52)に対し電極(5o
)の電位を設定し、室(36)に含まれるガスをイオン
化するのに必要な電場を発生させる。
円盤(16)を処理するため、排気ポンプ(38)′を
駆動し、室(36)を実質的に排気する。排気後、弁(
44)を開き室へアルゴンを供給し、この時点では反応
性ガスは供給しない、室内の圧力が約250ミリトール
なるまでアルゴンを室へ供給する。
次に600ワツトの電力を電1(50)に供給し、電場
を発生させてアルゴンをイオン化し、室(36)内にア
ルゴンプラズマを形成する。一般に低温プラズマとして
言及される約lOO℃の温度で食刻/清浄化が進行する
アルゴンプラズマは、負荷により約10分間室中に維持
する。アルゴンプラズマは炭素層(26)の露出した表
面を清浄にし且つ食刻し、特に突起(30)を除去する
か又は低くする。しがし、この食刻方法は、炭素層の表
面エネルギーを増大させる望ましくない効果を有する。
従って、円盤(16)を更にプラズマ処理にかける。室
(36)を再び排気し、そこで弁(44)及び(46)
を開き、アルゴンとCF、の混合物を室中に入れる。弁
(44)及び(46)は、それらを開く程度又は相対的
な時間の長さにより調節し、少なくとも60体積%のC
F、を含む混合物を与える。
好ましくは反応性ガスの%は75〜85%の範囲にあり
、特に好ましい混合物は80%のCF 4と20%のア
ルゴンである。アルゴンとCF、は、室内の圧力が20
0〜400ミリトールの範囲内、好ましくは約350ミ
リトールになるまで室内に入れる。一般に、圧力が高い
程イオンの浸透を増し、圧力が低い程プラズマの流れを
改良する。600ワツトの電力を電極50に供給し、約
100℃でプラズマ工程を進行させる1面積及び材料に
より、好ましい露出時間は25〜30分であることが判
明している。
この処理の問、室(36ン内の条件はフッ素イオンと炭
素との反応に次第に有利になり、炭素層(26)の露出
した表面に沿い且つその下に長鎖フルオロポリマーを形
成する。特に四フッ化炭素が反応性ガスであるか、又は
フッ素が反応ガスで炭素層と相互作用した後、次の反応
の一つ以上が起きると考えられる: 6CF、+2C→ 4C2F。
CF、  +C−+   C2F+ 2CF4+4C→  2C:lF− 即ち、上記フルオロポリマー、即ちヘキサフルオロエタ
ン、テトラフルオロエチレン及びテトラフルオロプロピ
レンの一種類以上が、炭素層の表面上及び炭素層中成る
深さまで形成されると考えられる。その深さはプラズマ
室内で露出される時間と共に増大する。実際に炭素層の
少なくとも一部はフッ素化され、炭素のその部分は炭素
と長鎖フルオロポリマーの薄いフィルムに変化する。
アルゴンの代わりに酸素又は窒素を室(36)へ供給し
、更にフルオロポリマーを形成する結果を与えることが
で、それは次の反応によるものと考えられる。
2CF4+02   → 2CF40 5CF1+2N2  → 4CFsN+にのように、プ
ラズマ混合物の好ましくは20〜30体積%の酸素を添
加すると、炭素層(26)の露出した表面に沿ってテト
ラフルオロメチルアルデヒドが形成されると考えられる
。同様に、混合物の約20〜30%の窒素を与えると、
ペンタフルオロアミノメタンを形成する結果になる。
長鎖フルオロポリマーの優れた結合強度により、フッ素
化された炭素フィルムは未処理炭素層よりも大きな表面
疲労及び摩耗強度を有する。更に、フッ素化された炭素
フィルムは、これらの重合体が固体潤滑剤として働くの
で、改良された潤滑性によりスライダー・円盤摩擦を減
少する。
長鎖フルオロポリマーを形成する役割の外に、プラズマ
工程中に発生した炭素とフッ素イオンは、炭素層中に、
特に微細気孔、欠陥、谷(32)及びピンホール(34
)の中にインプランテーションされ、それによってピン
ホールを埋め、湿分透過に対する有力な保護を与える。
突起(30)を除去するか又は低くするアルゴンの食刻
作用と一緒になって、このイオン インプランテーショ
ンは表面炭素層(26)を滑らかにする傾向を有する。
−緒になったイオン インプランテーションと反応生成
物の更に別の利点は、炭層(26)の表面エネルギーを
低下させ、それによって表面汚染が起きる機会を減少さ
せ、表面潤滑性を増し、腐食を防ぐことである。
処理後の円盤(16)の一部分が第4図に示されており
、第5図に一層詳細に示されている6炭素層(Z6)の
大部分はその最初の形のままになっているが、炭素と上
述の長鎖フルオロポリマーからなるフッ素化された炭素
フィルム(56)が形成されている。最初の炭素層中の
表面凹凸又は突起はアルゴン食刻により除去されるか低
くなり、微細気孔、欠陥、谷及びピンホールは少なくと
も部分的にイオ〉′のインプランテーションにより埋め
られている。従って、処理された炭素層(26)は、最
初の炭素層よりも実質的に滑らかになっている。
表面上の反応生成物フィルム及びイオン インプランテ
ーションが表面エネルギーを低下し、アルゴン食刻の表
面エネルギーを増大させる傾向を打ち消すので、全表面
エネルギーは減少する。勿論、円滑性の増大も摩擦を減
少する。それに伴われる摩擦によるノイズの減少は、変
換器ヘッドに発生する信号を向上させ、特に信号対ノイ
ズ比を向上させる。フルオロポリマーの結合性により、
表面の弾力性及びダンピング特性も改良される。
第6図はスライダー(60)及びスライダー上に結合さ
れたフェライト芯(62)ガラスを有する変換器ヘッド
を示している。スライダー(60)は本体(64)及び
二つの平行なスキー(66)及び(68)を含むカタマ
ラン(cataa+aran)型をしている。スキーの
上表面(70)及び(72)は−緒になってスライダー
(60)の対向面を構成し、それは円盤(16)の如き
円盤とその円盤の始動及び停止の時に接触する。スライ
ダー(60)はチタン酸カルシウム、NiZnフェライ
ト、チタン酸バリウム、M n Z nフェライト及び
アルシマグ(^lsimag)(A I 20) 十T
 i C)の如きセラミック材料から製造される。
スライダー(60)の表面特性、特に表面(70)及び
(72)に沿った表面特性は、円盤(16)に関連して
記述したのと同じ方法でスライダー(60)を処理する
ことにより向上させることが出来る。
特に、スライダー(60)又は多数の同様なスライダー
を室(36)中、前に記述したのと同様なアルゴンプラ
ズマ環境中に入れる。但し、好ましい時間は15〜25
分である。
フッ素化工程では、アルゴンが依然として好ましい不活
性ガスであるが、反応性ガスは四フッ化炭素だけである
円盤(16)に関連して上述した方法を、スライダー(
60)の表面特性を改良するのに用いることができる。
特に、一つ以上のスライダーを室(36)中に入れ、ア
ルゴンプラズマ食刻し、次にアルゴンと四フッ化炭素と
のプラズマガス混合物で処理することができる。この場
合もCF、はプラズマ混合物の少なくとも60%を占め
るべきであり、好ましい範囲は75〜80%であり、極
めて好ましい量は80%である。食刻及びフッ素化処理
工程は共に約100℃で行われる。この場合もフッ素化
中の圧力は200〜400ミリトールであり、好ましく
は350ミリトールである。
磁気媒体及び磁気ヘッドスライダ−の処理は同様である
が、各々の場合の望ましい結果は異なった理由から起き
る6特、円盤(16)の炭素層上に長鎖フルオロポリマ
ーを形成すると潤滑性が改良され、媒体に対するプラズ
マ処理の主たる利点になる。それとは対照的にスライダ
ーの場合には、その処理の主たる利点は表面エネルギー
の低下及び表面靭性の増大にあると思われ、その両方共
イオン インプランテーション及び生成物形成の達成の
両方の結果として起きる。従って、スライダーの為の最
適フッ素化処理時間はイオン浸透の希望する深さに大き
く依存する。浸透深さは45分間の露出で約250人で
あることが見いだされている。
しかし、更に例えば、チタン酸カルシウム スライダー
及びニッケル亜鉛フェライト スライダーの場合には、
最適露出時間は約25分であることが判明している。2
5分を越えて露出を増加してもアルゴン食刻効果がフッ
素化層の付着の利点を損ない、有害であるように見える
イオン浸透と表面上の反応生成物膜の形成の併合効果に
よって、表面エネルギーが低下することにより、通常の
作動中スライダーによって取り上げられる屑の量はかな
り減少する。この処理はスライダーセラミックの凝集結
合も同様に改良し、それによってスライダー表面靭性を
増大し、摩擦を減少する。これらの因子は総てデーター
記録用装置の寿命を長くするのに寄与する。
長鎖フルオロポリマーの形成は、磁気媒体の場合程重要
な因子ではないが、存在すると考えられる6例えば、チ
タン酸カルシウム スライダーの場合には次の反応が起
きると考えられる:Ca T i O2+ CF 4 
→Ca F 2 + T i F 2 + CO2この
ように第7図に示した如く、プラズマ処理は、イオン 
インプランテーション及び長鎖フルオロポリマーの形成
を特徴として、スライダー(60)の表面、特に表面(
70)及び(72)にフッ素化71(74)を形成する
。フルオロポリマーはスライダー(60)の潤滑性を向
上する。特に、処理されたスライダー及び処理された円
盤が組み合わせて使用される場合、低負荷での京擦は3
3〜40%減少する。
プラズマ清浄化及びフッ素化処理は、磁気媒体及びスラ
イダーに適用した場合、磁気データー読み取り及び記録
装置の有効寿命及び性能を実質的に向上する。夫々処理
された表面は、−層大きな強度及び靭性を示すと共に一
層低い表面エネルギー、従って屑を取り上げる親和力の
低下を示す。
表面潤滑性、特に媒体の表面潤滑性は、固体潤滑剤を与
える長鎖フルオロポリマーによって増大する。そのよう
な形成は、スライダーの潤滑性も同様に増大すると考え
られるが、スライダー表面持性の主たる改良はイオン浸
透から生ずる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、既知の炭素表面被覆が与えられた磁気データ
ー記憶円盤の一部分の断面図である。 第2図は、第1図の部分的拡大図である。 第3図は、プラズマ処理装置の概略的構成図である。 第4図は、本発明による処理を行なった後の第1図の磁
気媒体の断面図である。 第5図は、第4図の部分的拡大図である。 第6図は、セラミックスライダーの斜視図である6 第7図は、本発明による処理を行なった後のスライダー
の端部の図である。 16−磁気データー記憶円盤、18−基体、20〜ニツ
ケル、22−クロム、24−記録層、26−炭素層、2
8−ヘッドスライダ−13〇−突起、32− ぐぼみ、
34−ピンホール、56−フッ素化炭素膜。 代  理  人     浅  村   皓Fig、 
 / Fig、 2 Fig、 5 Fig、 6 Fig、  7

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)磁気記録用媒体上の炭素外側被覆を処理する方法
    において、 基体、その基体上に形成された磁化可能材料の記録層及
    び該記録層上の炭素外側層を有する磁気記録用媒体を室
    内に閉じ込め、 前記室内に大気圧より実質的に低い圧力で、一般に約1
    00℃の温度で、前記外側層の露出した表面領域を実質
    的に清浄にするのに必要な長さの時間不活性ガスプラズ
    マを発生させて維持し、そして 前記清浄化に続き、前記室内に大気圧より実質的に低い
    選択された圧力で、一般に約100℃の温度で、選択さ
    れた長さの時間プラズマ混合物を発生させて維持し、前
    記外側層の少なくとも一部分をフッ素化し、然も、前記
    プラズマ混合物が反応性ガスと不活性ガスとから本質的
    になり、該反応性ガスが前記混合物の少なくとも60体
    積%を占め且つ次の成分:四フッ化炭素及びフッ素:の
    少なくとも一方から本質的になる、 諸工程を含む炭素外側被覆処理方法。 (2)不活性ガスがアルゴンからなる請求項1に記載の
    方法。 (3)反応性ガスがCF_4であり、混合物の75〜8
    5体積%を占める請求項2に記載の方法。 (4)CF_4が混合物の80%を占める請求項3に記
    載の方法。 (5)選択された圧力が200〜400ミリトールの範
    囲内にある請求項2に記載の方法。 (6)選択された時間が約25〜30分である請求項2
    に記載の方法。 (7)セラミック材料から形成されたスライダー本体の
    露出表面を処理する方法において、セラミック材料から
    本質的になるスライダー本体をプラズマ室内に閉じ込め
    、 前記プラズマ室内に大気圧より実質的に低い圧力で、一
    般に室温で、前記スライダー本体の露出表面を実質的に
    食刻するように選択された長さの時間不活性ガスプラズ
    マを発生させて維持し、前記食刻に続き、前記室内に大
    気圧より実質的に低い選択された圧力で、一般に約10
    0℃の温度で、選択された長さの時間プラズマ混合物を
    発生させて維持し、少なくとも選択された深さに炭素及
    びフッ素イオンのインプランテーションを行ない、然も
    、前記プラズマ混合物は四フッ化炭素及び不活性ガスか
    ら本質的になり、前記四フッ化炭素は前記混合物の少な
    くとも60%を占める、諸工程を含む表面処理方法。 (8)不活性ガスがアルゴンからなる請求項7に記載の
    方法。 (9)四フッ化炭素が、混合物の75〜80%を占める
    請求項8に記載の方法。 (10)四フッ化炭素が混合物の80%を占める請求項
    9に記載の方法。 (11)選択された圧力が200〜400ミリトールの
    範囲内にある請求項7に記載の方法。 (12)磁気データーを記憶するための装置において、 実質的に固い基体と、 前記基体上に適用された磁化可能材料から本質的になる
    データー記憶層、及び 前記データー記憶層の上に形成された外側層で、炭素及
    びフッ素イオンが浸透し、前記炭素層の少なくとも外側
    部分上に長鎖フルオロポリマーが形成させていることを
    更に特徴とする外側層、を具えた磁気データー記憶装置
    。 (13)長鎖フルオロポリマーが次の成分:ヘキサフル
    オロエタン、テトラフルオロエチレン及びテトラフルオ
    ロプロピレン:の一種類以上を含む請求項12に記載の
    装置。 (14)基体上で、該基体と記憶層との間に形成された
    本質的にニッケルからなる層、及び前記ニッケル層と前
    記記憶層との間のクロム層を更に具えた請求項13に記
    載の装置。(15)磁気データー変換用ヘッドのための
    スライダーにおいて、 セラミック材料から本質的になり、実質的に平らな対向
    表面を有するスライダー本体で、前記対向表面を含む前
    記スライダー本体の層全体に亙って前記スライダー本体
    中へフッ素イオンがインプランテーションされているこ
    とを更に特徴とするスライダー本体、 を具えたスライダー。 (16)選択された層が、長鎖フルオロポリマーが形成
    され、特に対向表面に沿って形成させていることを更に
    特徴とする、請求項15に記載のスライダー。
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