JPH01245703A - 電界効果トランジスタの整合回路 - Google Patents
電界効果トランジスタの整合回路Info
- Publication number
- JPH01245703A JPH01245703A JP7406288A JP7406288A JPH01245703A JP H01245703 A JPH01245703 A JP H01245703A JP 7406288 A JP7406288 A JP 7406288A JP 7406288 A JP7406288 A JP 7406288A JP H01245703 A JPH01245703 A JP H01245703A
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- Japan
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- cell
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電界効果トランジスタの整合回路に関し、特
に、整合回路を形成するストリップラインの形状に関す
るものである。
に、整合回路を形成するストリップラインの形状に関す
るものである。
従来の技術
従来この種の電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと呼ぶ
）、特にガリウムヒ素電界効果トランジスタの整合回路
はＦＥＴ本来のもつ良好な特性を利用するＬで高周波化
、高出力化に伴い重要な技術となっている。
）、特にガリウムヒ素電界効果トランジスタの整合回路
はＦＥＴ本来のもつ良好な特性を利用するＬで高周波化
、高出力化に伴い重要な技術となっている。
発明が解決しようとする課題
上述した従来の整合回路においては、高出力化を考えた
場合にＦＥＴのペレットは基本ＰＥＴを多数並べた多セ
ル構造となるために、第２図に示す如くの回路が用いら
れている。多数セルペレット１゜のゲート電極１１と入
力側誘電体基板８上のストリップライン９が金属線１５
で接続され、またドレイン電極１２と出力側誘電体基板
１３上のスリップライン１４が金属線１５で接続されて
いる。
場合にＦＥＴのペレットは基本ＰＥＴを多数並べた多セ
ル構造となるために、第２図に示す如くの回路が用いら
れている。多数セルペレット１゜のゲート電極１１と入
力側誘電体基板８上のストリップライン９が金属線１５
で接続され、またドレイン電極１２と出力側誘電体基板
１３上のスリップライン１４が金属線１５で接続されて
いる。
この時従来のものではＲＦ倍信号Ａ点からＢ点に通過す
る際に中央のｂセルを通過するのと両端のａ及びＣセル
を通過するのではその距離が異なるためにその位相に差
が生じる。従来の整合回路においては、この位相差がＲ
Ｆ特性を劣化させるという欠点を有する。
る際に中央のｂセルを通過するのと両端のａ及びＣセル
を通過するのではその距離が異なるためにその位相に差
が生じる。従来の整合回路においては、この位相差がＲ
Ｆ特性を劣化させるという欠点を有する。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした電界効果トランジスタの新
規な整合回路を提供することにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消することを可能とした電界効果トランジスタの新
規な整合回路を提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来の整合回路に対し、本発明は、整合回路を
形成するストリップラインの形状を変えることにより、
問題となるＲＦ倍信号位相差をなくすことにある。
形成するストリップラインの形状を変えることにより、
問題となるＲＦ倍信号位相差をなくすことにある。
課題を解決するための手段
前記目的を達成する為に、本発明に係る整合回路は、他
セル構造のＦＥＴを通過するＲＦ倍信号位相差をなくす
ために、ＲＦ倍信号ＦＥＴを通過する距離を同じにする
という特徴を有している。
セル構造のＦＥＴを通過するＲＦ倍信号位相差をなくす
ために、ＲＦ倍信号ＦＥＴを通過する距離を同じにする
という特徴を有している。
実施例
次に本発明をその好ましい一実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
して具体的に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す概略構成図である。
第１図を参照するに、参照番号１は入力側整合回路を形
成するための誘電体基板、２はストリップライン、３は
多セル構造のＦＥＴ、４はゲート電極、５はドレイン電
極、６は出力側整合回路を形成するための誘電体基板、
７はストリップライン、８はゲート電極４と入力側のス
トリップライン２及びトレイン電極５と出力側ストリッ
プライン７を接続するための金属線をそれぞれ示す。
成するための誘電体基板、２はストリップライン、３は
多セル構造のＦＥＴ、４はゲート電極、５はドレイン電
極、６は出力側整合回路を形成するための誘電体基板、
７はストリップライン、８はゲート電極４と入力側のス
トリップライン２及びトレイン電極５と出力側ストリッ
プライン７を接続するための金属線をそれぞれ示す。
入力側ストリップライン２は多セルＦＥＴ ３の一方の
側（Ａ点）から入力側整合回路と接続されている。また
出力側ストリップライン７は他方の側（Ｂ点）から出力
側整合回路と接続されている。
側（Ａ点）から入力側整合回路と接続されている。また
出力側ストリップライン７は他方の側（Ｂ点）から出力
側整合回路と接続されている。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、入出力の整合回路
とＦＥＴの端のセルに位置するＡ点Ｂ点において接続す
ることによりＡ点からＢ点に通過するＲＦ倍信号多セル
ＦＥＴのどのセルを通過しても距離的に同じとなって位
相差もなくなり、位相差によるＲＦ特性の劣化が除去さ
れる。このことによりＦＥＴのもつ良好な特性を十分に
引き出すことができるという効果が得られる。
とＦＥＴの端のセルに位置するＡ点Ｂ点において接続す
ることによりＡ点からＢ点に通過するＲＦ倍信号多セル
ＦＥＴのどのセルを通過しても距離的に同じとなって位
相差もなくなり、位相差によるＲＦ特性の劣化が除去さ
れる。このことによりＦＥＴのもつ良好な特性を十分に
引き出すことができるという効果が得られる。
第１図は本発明に係る整合回路の一実施例を示す概略構
成図、第２図は従来の整合回路の構成図である。 １・・・入力側整合回路を形成するための誘電体基板、
２・・・ストリップラ・イン、３・・・多セル構造ＦＥ
Ｔ、４・・・ゲート電極、５・・・ドレイン電極、６・
・・出力側整合回路を形成するための誘電体基板、７・
・・ストリップライン、８・・・金属接続線、９・・・
入力側整合回路を形成するための誘電体基板、１０・・
・ストリップライン、１１・・・多セル構造ＦＥＴ ＝
１２・・・グー１〜電極、１３・・・ドレイン電極、
１４・・・出力側整合回路を形成するための誘電体基板
、１５・・・ストリップライン、ｌも・・・金属接続線 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部 １．６：誘電体Ｘ板 ２．７ ： ストリップライン ３：イ惣セル構危ＦＥＴ ４ ： ケ゛−ト電本ｂ ５ ： ドしイシ電半缶 ８ ：金属接芹克繰 第１＠
成図、第２図は従来の整合回路の構成図である。 １・・・入力側整合回路を形成するための誘電体基板、
２・・・ストリップラ・イン、３・・・多セル構造ＦＥ
Ｔ、４・・・ゲート電極、５・・・ドレイン電極、６・
・・出力側整合回路を形成するための誘電体基板、７・
・・ストリップライン、８・・・金属接続線、９・・・
入力側整合回路を形成するための誘電体基板、１０・・
・ストリップライン、１１・・・多セル構造ＦＥＴ ＝
１２・・・グー１〜電極、１３・・・ドレイン電極、
１４・・・出力側整合回路を形成するための誘電体基板
、１５・・・ストリップライン、ｌも・・・金属接続線 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 熊谷雄太部 １．６：誘電体Ｘ板 ２．７ ： ストリップライン ３：イ惣セル構危ＦＥＴ ４ ： ケ゛−ト電本ｂ ５ ： ドしイシ電半缶 ８ ：金属接芹克繰 第１＠
Claims (1)
- 多数セルから成る電界効果トランジスタとこの電界効
果トランジスタ素子の入出力側に誘電体基板上のストリ
ップラインを用いた整合回路において、多数セルからな
る電界効果トランジスタの一方の端のセルから発し他方
の端のセルから第１の外部回路と接続する第１のストリ
ップラインを有する入力側誘電体基板と、前記他方の端
と対応する他方の端のセルから発し前記一方の端と対応
する一方の端のセルから第２の外部回路と接続する第２
のストリップラインを有する出力側誘電体基板とを含む
ことを特徴とする電界効果トランジスタの整合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7406288A JPH01245703A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 電界効果トランジスタの整合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7406288A JPH01245703A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 電界効果トランジスタの整合回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245703A true JPH01245703A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13536333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7406288A Pending JPH01245703A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 電界効果トランジスタの整合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01245703A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140211A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波電力増幅装置 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP7406288A patent/JPH01245703A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140211A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波電力増幅装置 |
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