JPH03155120A - 反射型ｘ線マスク - Google Patents
反射型ｘ線マスクInfo
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- JPH03155120A JPH03155120A JP1294625A JP29462589A JPH03155120A JP H03155120 A JPH03155120 A JP H03155120A JP 1294625 A JP1294625 A JP 1294625A JP 29462589 A JP29462589 A JP 29462589A JP H03155120 A JPH03155120 A JP H03155120A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- film
- ray mask
- reflective
- reflection type
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は反射型Ｘ １ｍマスクの製法とその構造及び材
料に関する。
料に関する。
（従来の技術１
従来、Ｘ線マスクとしては、メンプラン膜上に図形状に
タングステン膜や金膜を形成し、透過型にて用いるのが
通例であった。
タングステン膜や金膜を形成し、透過型にて用いるのが
通例であった。
［発明が解決しようとする課題１
しかし、上記従来技術によるとメンブラン膜歪が大きく
、ひいては図形歪を発生すると云う課題があった。
、ひいては図形歪を発生すると云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、基枝歪によ
る図形歪のない、新しい反射型のＸ線マスクを提供する
と共に、該反射型Ｘ線マスクの図形状反射部の反射率の
高いものを提供する事を目的とする。
る図形歪のない、新しい反射型のＸ線マスクを提供する
と共に、該反射型Ｘ線マスクの図形状反射部の反射率の
高いものを提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決し、上記目的を達成する為に、本発明は
、反射型Ｘ線マスクに関し、単結晶から成るＸ線透過能
を有する基板表面に、図形状にＸ線反射能を有する単結
晶膜を形成する手段をとる。
、反射型Ｘ線マスクに関し、単結晶から成るＸ線透過能
を有する基板表面に、図形状にＸ線反射能を有する単結
晶膜を形成する手段をとる。
［実 施 例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す反射型Ｘ線マスクの製
法を示す工程順の断面図である。すなわち、例えば（Ａ
）（ｉｌｌ）結晶面を有する１ｍｍ厚程度のシリコン単
結晶等から成る単結晶基板１１の表面には、エピタキシ
ャル法によりヘテロジニアスにｌＬＬｍ厚のタングステ
ン単結晶膜等から成る単結晶膜１２を形成し、（Ｂ）前
記単結晶膜１２をホト・エツチングにより図形状単結晶
Ｉｆ！１３を残して形成したものである。
法を示す工程順の断面図である。すなわち、例えば（Ａ
）（ｉｌｌ）結晶面を有する１ｍｍ厚程度のシリコン単
結晶等から成る単結晶基板１１の表面には、エピタキシ
ャル法によりヘテロジニアスにｌＬＬｍ厚のタングステ
ン単結晶膜等から成る単結晶膜１２を形成し、（Ｂ）前
記単結晶膜１２をホト・エツチングにより図形状単結晶
Ｉｆ！１３を残して形成したものである。
第２図は本発明の他の実施例を示す反射型Ｘ線マスクの
断面図である。すなわち、単結晶基板２１の表面には、
まづ、絶縁膜２２として、熱酸化５ｉＯａ膜やＣＶ Ｄ
Ｓ ｉ Ｏ＊膜等を全面に形成後、該絶縁膜をホト・
エツチングにより図形状に窓開けし、つづいて、選択エ
ピタキシャル法により図形状単結晶膜２３を、タングス
テンあるいは金の単結晶膜を図形状に形成し、Ｘ線の反
射膜となしたものである。
断面図である。すなわち、単結晶基板２１の表面には、
まづ、絶縁膜２２として、熱酸化５ｉＯａ膜やＣＶ Ｄ
Ｓ ｉ Ｏ＊膜等を全面に形成後、該絶縁膜をホト・
エツチングにより図形状に窓開けし、つづいて、選択エ
ピタキシャル法により図形状単結晶膜２３を、タングス
テンあるいは金の単結晶膜を図形状に形成し、Ｘ線の反
射膜となしたものである。
尚、単結晶基板１１．２１は、単結晶シリコンの他、水
晶やサファイヤ等、他のＸ線透過能を有する単結晶材料
であっても良（、更に、図形状単結晶膜１３．２３はタ
ングステン単結晶膜の他、全単結晶膜やモリブデン単結
晶膜等信のｘＩｓ反射材料から成る図形状単結晶膜であ
っても良い。
晶やサファイヤ等、他のＸ線透過能を有する単結晶材料
であっても良（、更に、図形状単結晶膜１３．２３はタ
ングステン単結晶膜の他、全単結晶膜やモリブデン単結
晶膜等信のｘＩｓ反射材料から成る図形状単結晶膜であ
っても良い。
〔発明の効果〕
本発明により、図形歪のない、且つ反射型で投影できる
Ｘ線露光用のマスクが提供できる効果がある。
Ｘ線露光用のマスクが提供できる効果がある。
第１図及び第２図は、本発明の実施例を示す反射型Ｘ線
マスクの製法や材質等を示す断面図である。 １１．２１・・・単結晶基板 １２・・・・・・単結晶膜 ２２・・・・・・絶縁膜 １３．２３・・・図形状単結晶膜 以上
マスクの製法や材質等を示す断面図である。 １１．２１・・・単結晶基板 １２・・・・・・単結晶膜 ２２・・・・・・絶縁膜 １３．２３・・・図形状単結晶膜 以上
Claims (1)
- 単結晶シリコン、水晶、サファイヤ等の単結晶基板上
には図形状にモリブデン、タングステン、金、鉛等から
成る単結晶膜が形成されて成る事を特徴とする反射型Ｘ
線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294625A JPH03155120A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 反射型ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294625A JPH03155120A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 反射型ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155120A true JPH03155120A (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=17810180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1294625A Pending JPH03155120A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 反射型ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03155120A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622787A (en) * | 1993-12-09 | 1997-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mask for transferring a pattern for use in a semiconductor device and method of manufacturing the same |
| WO1999024869A1 (en) * | 1997-11-11 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correcting plate, exposure device and method of producing microdevice |
| WO1999028786A1 (en) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank and manufacturing method therefor |
| WO2000019271A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP1294625A patent/JPH03155120A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5622787A (en) * | 1993-12-09 | 1997-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mask for transferring a pattern for use in a semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US5702849A (en) * | 1993-12-09 | 1997-12-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mask for transferring a pattern for use in a semiconductor device and method of manufacturing the same |
| WO1999024869A1 (en) * | 1997-11-11 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correcting plate, exposure device and method of producing microdevice |
| US6653024B1 (en) | 1997-11-11 | 2003-11-25 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correction plate, exposure apparatus, and process of production of microdevice |
| WO1999028786A1 (en) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank and manufacturing method therefor |
| US5978441A (en) * | 1997-12-01 | 1999-11-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank and manufacturing method therefor |
| WO2000019271A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
| US6727025B1 (en) | 1998-09-30 | 2004-04-27 | Nikon Corporation | Photomask and exposure method |
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