JPH01246821A - 半導体基板 - Google Patents
半導体基板Info
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- JPH01246821A JPH01246821A JP7519988A JP7519988A JPH01246821A JP H01246821 A JPH01246821 A JP H01246821A JP 7519988 A JP7519988 A JP 7519988A JP 7519988 A JP7519988 A JP 7519988A JP H01246821 A JPH01246821 A JP H01246821A
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- JP
- Japan
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- film
- single crystal
- wafer
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Links
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＳＯＩウェーハの構造に関する。
［従来の技術１
従来ＳＯＩウェーハは絶縁基板上に単結晶Ｓ ｉ ＭＵ
を全面に形成するのが通例であった。
を全面に形成するのが通例であった。
［発明が解決しようとする課題１
しかし、上記従来技術によると、ＳＯＩウェーハの単結
晶Ｓｉ膜厚の絶対値とそのバラツキが測定できないと云
う課題があった。
晶Ｓｉ膜厚の絶対値とそのバラツキが測定できないと云
う課題があった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決し、ＳＯＩウェー
への単結晶Ｓｉ膜厚の絶対値測定を可能とするＳＯＩウ
ェーハ構造を提供する事を目的とする。
への単結晶Ｓｉ膜厚の絶対値測定を可能とするＳＯＩウ
ェーハ構造を提供する事を目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は半導体基板に係り
、絶縁基板又は絶縁膜上に単結晶Ｓｉ膜を形成したＳＯ
Ｉウェーハの単結晶Ｓｉ膜には穴を形成する手段をとる
。
、絶縁基板又は絶縁膜上に単結晶Ｓｉ膜を形成したＳＯ
Ｉウェーハの単結晶Ｓｉ膜には穴を形成する手段をとる
。
［作 用］
単結晶Ｓｉ膜に形成された穴部を、クリステツブ（ダイ
ヤモンド針を走査し、段部での機械的寸法変化を増巾し
て記録する装置）を用いての直接寸法測定が可能となる
作用がある。
ヤモンド針を走査し、段部での機械的寸法変化を増巾し
て記録する装置）を用いての直接寸法測定が可能となる
作用がある。
［実 施 例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＳＯＩウェーハ構造で
ある。すなわち、石英基板ｌの又は熱酸化膜を形成した
Ｓｉウェーへの表面には単結晶５ｉｆｆ！２が形成され
たオリエンテーション・フラット４を有する円型ウェー
ハの中心点やオリエンテーション・フラット４に水平及
び垂直な線上に数点マーキング穴３が形成されて成る。
ある。すなわち、石英基板ｌの又は熱酸化膜を形成した
Ｓｉウェーへの表面には単結晶５ｉｆｆ！２が形成され
たオリエンテーション・フラット４を有する円型ウェー
ハの中心点やオリエンテーション・フラット４に水平及
び垂直な線上に数点マーキング穴３が形成されて成る。
該マーキング穴３は、表面から、あるいは単結晶Ｓｉウ
ェーハを貼付けて研削する場合には予じめ、ホト・エツ
チングやドリリングにより形成することができる。
ェーハを貼付けて研削する場合には予じめ、ホト・エツ
チングやドリリングにより形成することができる。
［発明の効果］
本発明によりＳＯＩウェーハの単結晶Ｓｉ膜厚の絶対値
測定が可能となる効果がある。
測定が可能となる効果がある。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例を示すＳＯＩウ
ェーハ構造である。 ｌ・・・石英基板 ２・・・単結晶Ｓｉ膜 ３・・・マーキング穴 ４・・・オリエンテーション・フラット５７、Ａンデ帆 第１図
ェーハ構造である。 ｌ・・・石英基板 ２・・・単結晶Ｓｉ膜 ３・・・マーキング穴 ４・・・オリエンテーション・フラット５７、Ａンデ帆 第１図
Claims (1)
- 絶縁基板又は絶縁膜上に単結晶Ｓｉ膜を形成したいわ
ゆるＳＯＩ（￥Ｓ￥ｉｌｉｃｏｎ￥Ｏ￥ｎ￥Ｉ￥ｎｓｕ
ｌａｔｏｒ）ウェーハの単結晶Ｓｉ膜には穴が形成され
て成る事を特徴とする半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7519988A JPH01246821A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7519988A JPH01246821A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246821A true JPH01246821A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13569289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7519988A Pending JPH01246821A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246821A (ja) |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP7519988A patent/JPH01246821A/ja active Pending
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