JPH01248138A - マトリックスアレイ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、スイッチング素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａ
ｌ−！ｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ　＞素子を用いた
マトリックスアレイ基板に関する。

（従来の技術） 近年、液晶表示器を用いた表示装置は、時計・電卓・計
測機器等の比較的簡単なものから、パーソナル・コンピ
ューター、ワード・プロセッサー、更にはＯＡ用の端末
機器、ＴＶ画像表示等の人容量情報表示用途に使用され
てきている。こうした大容量の液晶表示装置においては
、マトリックス表示のマルチプレックス駆動方式が一般
に採用されている。ところがこの方式は、液晶自身の本
質的な特性によって、表示部分（オン画素）と非表示部
分（オフ画素）のコントラスト比の点では、２００本程
本以走査線を有する場合でも不十分であり、更に走査線
が５００本以上程度の大規模なマトリックス駆動を行な
う場合には、コントラストの劣化が致命的であった。

そして、この液晶表示装置のもつ欠点を解決するための
開発が、各所で盛んに行われている。その一つの方向が
、個々の画素を直接にスイッチ駆動するものである。そ
の場合のスイッチング素子として薄膜トランジスタが採
用されている。薄膜トランジスタを構成する半導体とし
て、これまで単結晶シリコン、多結晶シリコン、セレン
化カドミウム及びテルル等の種々の材料が提案されてき
たが、現在は非晶質シリコンが最も多く研究されている
。しかしながら、この種の液晶表示器の製造においては
、微細加工工程が数回必要となり、工程が複雑で歩留り
が悪くなることがめった。この結果、製品コストが高く
なり、また、大規模な液晶表示器の製造が著しく困難と
なっていた。

スイッチング素子列（アレイ）を用いた別の方向として
、非線形抵抗素子を用いたものがある。

非線形抵抗素子は、薄膜トランジスタの三端子に比べて
、基本的に二端子で構造が簡単であり、製造が容易であ
る。このため、製品歩留りの向上が期待でき、コスト低
下の利点がある。

非線形抵抗素子は、薄膜トランジスタと同様の材料を用
いて、接合形成したダイオードの型、間化亜鉛を用いた
バリスタの型、電極間に絶縁物を挟んだ金属−絶縁層−
金属（ＭＩＭ）型、更には金属電極間に半導電性の層（
ＭＳＩ）を用いた型等が開発されている。

このうちＭＩＭ型は、構造が最も簡単なものの一つで、
現在のところ実用化が最も近いということができる。第
４図はＭＩＭ素子を有するアレイ基板の一画素部分の一
例を示す断面図である。これを製造工程に従って説明す
ると、まず、ガラス基板（１）上にタンタル（Ｔａ＞膜
（２）をスパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法
により形成し、写真蝕刻法により所望のパターンにする
。

これにより、配線とＭＩＭの片側の電極とが形成される
。次に、Ｔａ膜（２）をクエン酸水溶液等を用いた陽極
開化法により化成し、酸化膜（３）を形成する。更に、
ＭＩＭのもう片方の電極としてクロム（Ｃｒ）膜（４）
を、薄膜形成法により形成することにより、ＭＩＭ素子
が完成する。更にこの後には、画像表示用の透明電極（
５）を形成すればよい。こうした基本的な製造技術は特
開昭５５−１６１２７３号公報に開示され、その改良技
術が特開昭５８−１７８３２０号公報等に示されている
。

（発明が解決しようとする課題） 従来のＭＩＭ素子は、特開昭５５−１６１２７３号公報
に記載されているように、ＭＩＭ素子の片側の電極を構
成する金属を配線にも用いている。このため、必ずしも
電気抵抗の小さい材料を用いることができず、多く使用
されているタンタル（β−Ｔａ）等は比較的抵抗の高い
材料でおる。配線電極の抵抗を低下させることは、表示
面積の大型化には不可欠の課題である。

この発明は上記した事情に鑑みてなされたものであり、
素子特性を損なうことなく、配線Ｎ極の抵抗を低減する
ことが可能なマトリックスアレイ基板を提供することを
目的とする。

「発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 請求項１記載の発明は、複数の表示画素部及びその各々
に電気的に接続した金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）素子
構造よりなる非線形抵抗素子を基板上に形成したマトリ
ックスアレイ基板についてのものでおり、電極配線及び
これを酸化することにより金属耐化物に転化して絶縁体
を形成するような金属として、ニオブ（Ｎｂ）とタンタ
ル（Ｔａ）の合金膜を用いている。この場合、Ｔａの組
成比は２０〜９０原子％の範囲とする。また、このよう
な合金に含まれるＮｂとＴａの総量は９５原子％以上で
あればよく、他の元素例えば炭素（Ｃ）、駿索（０）、
アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ＞等を５原子％以下の範囲
で含むことは許容される。

また、請・求項２記載の発明は、複数の表示画素部及び
その各々に電気的に接続した金属−絶縁体−金属（ＭＩ
Ｍ）素子構造よりなる非線形抵抗素子を基板上に形成し
たマトリックスアレイ基板についてのものであり、低抵
抗且つＭＩＭ素子に転化可能な合金をまず基板上に形成
する。即ち、配線型（※として十分な導電性を保持する
ために、内部特に下層部は導電率の高い組成としである
。また、上層部はＭｒＭ素子の絶縁体層に転化するのに
好ましい合金組成としである。この合金組成としては、
構成金属がＴａ１Ｍ０及びＷ等から選ばれることが望ま
しい。

更に、請求項３記載の発明は、少数の表示画素部及びそ
の各々に電気的に接続した金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ
＞素子構造よりなる非線形抵抗素子を基板上に形成した
マトリックスアレイ基板についてのものであり、基板上
に非線形抵抗素子の下部電極及び配線電極となる、抵抗
の比較的低い（少なくともβ−Ｔａの抵抗率より低い）
金属のパターンを形成し、その金属パターン及び他の基
板表面全体（膜形成時や工程上必要により除かれる部分
を考慮してほぼ全体の意味）に、非線形抵抗素子を構成
する絶縁体となるべき絶縁層を形成する。、薄膜の形成
法は蒸着、スパッタリング、ＣＶ［）　（Ｃｈｅｍｉｃ
ａ！　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）及び塗布
等といった種々の方法がおるが、この発明では、金属の
陽極化成により得られた陽極酸化膜が特性上好ましい。

従って、工程的には、金属を薄く全面に形成した後、こ
れを完全に（若干の金属層が残ることもめるが、光透過
性に影響しない程度なので問題ない）酸化して、絶縁層
を形成すればよい。

このとき、下層にある下部金属も一部醒化される場合も
あり得るので、下部金属の酸化物もある程度、ＭＩＭ素
子の絶縁層として使用可能なものでおることが好ましい
。次に、ＭＩＭ素子の上部金属のパターンの形成と透明
導電膜よりなる表示画素電極の形成を行なって、配線電
極の抵抗を下げたマトリックスアレイ基板を実現できる
。

（作　用） 請求項１記載の発明に関連して、各種組成比のＮｂ−Ｔ
ａ合金膜の試料を作成し、その比抵抗を調べたところ第
３図に示すようになった。即ち、Ｔａの組成比が９０％
以下のときに、その比抵抗は正方晶Ｔａの１８０〜２０
０μΩ・ｃｍであるのに比べて、かなり小さいことがわ
かった。そこで、各種試料について、合金膜のパターニ
ング及び陽極醸化を行い、更に、この上に電極を形成す
ることにより、ＭＩＭ素子を形成した。そして、これら
の素子について、その電流−電圧特性を測定したところ
、Ｔａ組成比が２０〜９０％のものが良好な特性を示す
ことがわかった。なお、ここでは、印加電圧の極性に対
する電流の対称性や一定電圧（例えば２　ｙ、１０Ｖ）
での電流密度の大きざを考慮した。

従って、これらの合金を用いることにより、Ｎ極配、線
抵抗を低くし、例えば液晶装置内部での印加電圧波形歪
みや、電圧実効値の低下を抑えることができ、より大型
の表示が可能となる。

そして、Ｎｂ−Ｔａ合金膜は陽極化成法により容易に酸
化でき、且つそのようにしてＭＩＭ素子を形成した場合
、非線形抵抗素子として良好な電流−電圧特性、しかる
べき電流密度や印加電圧の極性に対する電流の対称性等
を生ぜしめて、例えば大画面において優れた表示品位を
有するマトリックス型液晶表示装置を得ることができる
。

また、請求項２記載の発明に関連した実験によれば、こ
れに用いる合金においては、Ｔａの原子％の増加ととも
に、抵抗率は上昇し好ましくない結果をもたらす。例え
ば、Ｔａが８０〜１００原子％になると、抵抗率は１５
０〜２００μΩ・ｃｍと高くなる。逆に、Ｔａの比率が
低くなると、物質によって差はあるが、１０〜５０μΩ
・ｃｍと抵抗率は減少する。他方、ＭＩＭの特性として
みたときには、Ｔａが多い方が良好となる。従って、下
層部には丁ａの比率が低い層を例えば０．１〜０．３μ
ｍの厚さに形成し、その上にＴａの比率が高い層を例え
ば０．０２４μｍの厚さに形成する。そして、この上層
部は陽極酸化法により、約０．０６μｍの厚さの絶縁体
に転化する。このようにして、請求項１記載の発明と同
様の効果を有することができるようになる。

更に、請求項３記載の発明は、配線電極等になるべき金
属材料と非線形抵抗素子の絶縁体になるべき金属材料と
が各々異なり、電極金属材料をパターニングした後、全
面に別の金属材料を形成してこれを上）ホの絶縁体に変
化させているため、請求項１及び２記載の発明と同様の
効果を有することができる。ここで、この発明における
電極材料について詳しく述べる。本来、ＭＩＭ素子とし
て好ましき特性は、Ｔａを中心とした片方の電極金属の
酸化物に寄るところが大きい。この点から、ＭＩＭ素子
の絶縁体を形成する金属酸化物の金属としてタンタル（
Ｔａ）、タングステン（Ｗ＞、ニオブ（Ｎｂ＞、モリブ
デン（ＭＯ＞、アルミニウム（Ａ　！　）　、チタン（
Ｔｉ＞及びジルコニウム（Ｚｒ）等或いはこれらの合金
が推奨される。特に、Ｔａ及びＴａ−Ｗ、Ｔａ−Ｍｏ、
Ｔａ−Ｎｂ。

Ｔａ−Ｔｉ、１ａ−Ｚｒ等のＴａを主成分とする合金が
良好なＭＩＭ特性（十分な電流−電圧特性）を示すこと
が、発明者の実験により明らかになっている。これらの
酸化物層の形成方法は種々あり、いずれもこの発明に適
用可能であるが、上述の金属を所定の電解液により陽極
化成して得た膜は、特性上とりわけ好ましい。陽極酸化
では、Ｔａ及びその合金膜は約２．５倍の体積を有する
酸化物に変化する。従って、予め金属層を０．００４〜
０．０４μｍの厚さに形成しておくことにより、０．０
１〜０．１μｍの厚さの酸化膜が得られ、好ましくは、
０．０４〜０．０８μｍの厚さがよい。また、非線形抵
抗素子の下部金属は、酸化物を形成するのに用いた金属
より比抵抗が低い材料で形成することが特性上好ましい
。この理由は、下部金属が給電用の配線電極を兼ねるた
めでおり、この部分の抵抗を下げることが信号波形や走
査波形の不均一や電圧低下を防止し、より多数のライン
を駆動することを可能にするので、表示容量の増大や大
画面化という技術要請に合ってくる。しかし、ＭＩＭ素
子の特性上、金属の種類は限定される。この発明では、
絶縁体に転化すべき金属の一部が残って、下部金属の一
部と成り得ることもあるが、多くは逆に低抵抗を意図し
て選択使用された下部金属の一部が間化されて、ＭＩＭ
素子の絶縁体の一部を形成することが起こりやすい。こ
のため、低抵抗として選ばれた下部金属も、ＭＩＭ素子
の絶縁体に転化可能な材料である方がよい。例えば、絶
縁体をＴａ２０５とした場合、下部金属としてＴａとＭ
Ｏの合金、ＴａとＷの合金及びＴａとＮｂの合金等とい
ったＴａに比べて抵抗が大きく低下するような材料を選
べばよいことになる。また、絶縁体層をＴａとＭｏの合
金（重量％でＴａ：ＭＯ＝８０：２０）としたとき、下
部金属をＴａとＭＯの合金（型組％でＴａ　：Ｍｏ＝２
０：８０）としても同様の効果を期待でき、組合せは多
種存在する。

（実施例） 以下、この発明の詳細を図面を参照して説明する。

第１図は請求項１記載の発明の一実施例を示す斜視図で
あり、製造工程に従って説明する。まず、同図に示すよ
うに、例えばホウ珪酸ガラスからなる基板（１０）上に
、膜厚０．３μｍのＮｂ（６５原子％）−Ｔａ（３５原
子％）からなる合金膜を、スパッタリング法により形成
する。そして、この合金膜を配線電極（１１）と非線形
抵抗素子部の下部金属（１２）にパターニングする。こ
のためには、レジストを全面に塗布した後、マスクを用
いて光露光し現像して、レジストパターンを形成し、更
に、ケミカルドライエツチング法により合金膜のエツチ
ングを行えばよい。なお、このエツチングは、ＣＦ４と
０２ガスを等量混合したプラズマ中で行う。次に、レジ
ストを剥離した後、合金膜の表面を０．０１重量％クエ
ン酸水溶液中で陽極酸化し、０．０５μｍの陽極酸化膜
を全面に形成することにより、非線形抵抗素子部の絶縁
体（１３）が得られる。

このとき、０．０２　μｍのＮｂ−Ｔａ合金膜が０．０
５μｍの酸化膜に変化し、Ｎｂ−Ｔａ合金膜は０．２８
　、ｃｚｍの厚さが残る。続いて、Ｉ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄ
ｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）をスパッタリング法により形
成し、表示画素部（１４）にパターニングする。このた
めには、レジストを全面に塗布した後、マスクを用いて
光露光し現像して、レジストパターンを形成し、更に、
塩酸にてエツチングすればよい。そして、レジストを剥
離した後、全面にクロム（Ｃｒ）１摸を０．１５μｍの
厚さに形成する。この後、再びレジストパターンを形成
し、これを用いて表示画素部（１４）に接続される非線
形抵抗素子部の下部金属（１５）を形成する。このとき
のエツチングは、硝ヱ第２セリウム・アンモニウム１７
９と過塩素酸５ＣＣを水１０ｃｃの割合に溶解したエツ
チング液により行うことができる。そして、残ったレジ
ストを剥離することにより、非線形抵抗素子（１６）を
有する所望のマトリックスアレイ基板が得られる。

この実施例では、非線形抵抗素子（１６）の基板（１０
）に近い側の下部金属（１２）がＮｂとＭＯの合金から
なり、且つ非線形抵抗素子（１６）の絶縁体（１３）が
その合金の酸化物からなるので、配線電＆（１１）の抵
抗が従来に比べ低くなり、更に、非線形抵抗素子（１６
）の電流−電圧特性も良好である。また、この実施例で
は、上部金属（１５）をＣｒであるとしたが、その他に
Ｔｉ％Ａ！、Ｔａ。

Ｎｂ−Ｔａ等で必っても、良好な電流−電圧特性を示す
という実験結果を得ている。

次に、請求項２記載の発明の一実施例について、同じく
第１図を用いて製造工程に従って説明する。

まず、同図に示すように、例えばホウ珪酸ガラスからな
る基板（１０）上に、各々比抵抗が異なる膜厚０．２８
　μｍのＮｂ（５０１１を子％）−Ｔａ（５０原子％）
からなる合金ｒｐ＊＜下層部）、及び膜厚０．０２４μ
ｍのＮｂ（１０Ｃ９を子％）−Ｔａ（９０原子％）から
なる合金Ｐｉ（上層部）を順次、スパッタリング法によ
り連続して形成する。ここで、Ｎｂ（１０原子％）−Ｔ
ａ（９０原子％）からなる合金膜（上層部）は、Ｎｂ（
５０原子％）−７ａ（５０原子％）からなる合金膜（下
層部）に比べ、Ｔａの比率が高く比抵抗が大きくなって
いる。そして、この合金膜（上層部及び下層部）を配線
電極（１１）と非線形抵抗素子部の下部金属（１２）と
にパターニングする。このためには、レジストを全面に
塗布した後、マスクを用いて光露光し現像して、レジス
トパターンを形成し、更に、ケミカルドライエツチング
法により合金膜のエツチングを行えばよい。なお、この
エツチングは、ＣＦ４と０２ガスを等量混合したプラズ
マ中で行う。次に、レジストを剥離した後、合金膜（上
層部及び下層部）の表面を０．０１重量％クエン酸水溶
液中で陽極酸化し、上層部の合金膜０．０２４μｍを０
．０６μｍの陽極酸化膜に全面転化することにより、非
線形抵抗素子部の絶縁１本（１３）が得られる。続いて
、Ｉ　ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）をス
パッタリング法により形成し、表示画素部（１４）にパ
ターニングする。このためには、レジストを全面に塗布
した後、マスクを用いて光露光し現像して、レジストパ
ターンを形成し、更に、塩酸にてエツチングすればよい
。そして、レジストを剥離した俊、全面にＣｒ膜を０．
１５μｍの厚さに形成する。この後、再びレジストパタ
ーンを形成し、これを用いて表示画素部（１４）に接続
される非線形抵抗素子部の上部金属（１５）を形成する
。そして、残ったレジストを剥離することにより、非線
形抵抗素子（１６）を有する所望のマトリックスアレイ
基板が得られる。

この実施例では、非線形抵抗素子（１６）の基板（１０
）に近い側の下部金属（１２）がＮｂとＭｏの合金から
なり、且つ非線形抵抗素子（１６〉の絶縁体（１３）が
その合金の酸化物からなるので、配線電ｔｌ（１１）の
抵抗が従来に比べ低くなり、更に、非線形抵抗素子（１
６）の電流−電圧特性も良好である。また、この実施例
では、上部金属（１５）をＣｒであるとしたが、その他
にＴｉ、Ａ！、Ｔａ。

Ｎｂ−Ｔａ等であっても、良好な電流−電圧特性を示す
という実験結果を得ている。

第２図は請求項３記載の発明の一実施例を得るための製
造工程を示す図であり、第１図と対応する部分には同一
の符号を付しておる。まず、例えばホウ珪酸ガラスから
なる基板（１０）上に、膜厚０．１５　μｍのＭｏ−Ｔ
ａ合金（ＭＯ：Ｔａの重量比４０　：　６０．比抵抗４
０μΩ・ｃｒｎ＞からなる合金膜を、スパッタリング法
により形成する。そして、第２図（ａ）に示すように、
この合金膜を配線電極（１１）と非線形抵抗素子部の下
部金属（１２）にパターニングする。このためには、レ
ジストを全面に塗布した後、マスクを用いて光露光し現
像して、レジストパターンを形成し、更に、ケミカルド
ライエツチング法により合金膜のエツチングを行えばよ
い。なお、このエツチングは、ＣＦ４と０２ガスを等量
混合したプラズマ中で行う。次に、レジストを剥離した
後、下部金属（１２）より比抵抗が高いＴａ膜をスパッ
タリング法により０．０２μｍ形成する。そして、クエ
ン酸水溶液中に基板（１０）を挿入し、陽極酸化法によ
り上）ホのＴａ膜を全面転化して、第２図（ｂ）に示す
ように、０．０５μｍのＴａ駿化膜を非線形抵抗素子部
の絶縁体（１３）として形成する。このＴａｒ！ｉ化膜
は透明なので、非線形抵抗素子以外の基板（１０）上で
は透明な絶縁体として存在することになる。次に、全面
にＣｒ膜を０．１５μｍの厚さに形成した後、フォトリ
ソグラフィー工程を用い、第２図（Ｃ）に示すように、
非線形抵抗素子部の上部金属（１５）を形成する。続い
て、ＩＴＯをスパッタリング法により形成し、フォトリ
ソグラフィー工程を用い、第２図（ｄ＞に示すように、
非線形抵抗素子部の上部金属（１５）に接続される表示
画素部（１４）にバターニングする。こうして、非線形
抵抗素子（１６）を有する所望のマトリックスアレイ基
板が得られる。

この実施例では、基板（１０）上に非線形抵抗素子部の
下部金属（１２）及び配線電極（１１）となる抵抗の比
較的低い金属のパターンを形成するとともに、下部金属
（１２）として好適な金属を薄く全面に形成した後、こ
れを完全に醸化して非線形抵抗素子部の絶縁体（１３）
を得ている。この結果、今までの実施例と同様に、配線
電極（１１）の抵抗が従来に比べ低くなり、更に、非線
形抵抗素子（１６）の電流−電圧特性も良好である。ま
た、配線電極（１１）及び下部金属（１２）上に、これ
らを覆うように絶縁膜を被覆することになっているので
、その上に上部金属（１５）を形成したときに、パター
ンエツジ部分で上部金属（１５〉の配線部分がゆるやか
に積層され、ステップカバレージがよくなる。即ち、上
部金属（１５）の配線部分の段切れといった欠陥を引き
起こす要因を削除できるので、歩留り向上に役立つ。

なお、１ｑられたマトリックスアレイ基板からマトリッ
クス型液晶表示装置を形成するには、例えば次のように
すればよい。得られたマトリックスアレイ基板の非線形
抵抗素子形成面に更に、ポリイミド樹脂からなる配向膜
を塗布・焼成しラビングすることにより、液晶配向方向
を規制する。−方別に、パイレックスガラスからなる基
板上にＩＴｏからなる共通電極を形成し且つポリイミド
樹脂からなる配向膜とラビングによって液晶配向方向を
規制した対向基板を用意し、液晶の分子長軸方向が側基
板間で約９０”ねじれるように、５〜２０ノの間隔を保
って保持させ、液晶を注入する。そして、こうして構成
した液晶セルの外側に、偏光軸を約９０”ねじった形で
偏光板を配置すればよい。

［発明の効果］ この発明における請求項１記載のマトリックスアレイ基
板は、非線形抵抗素子の基板に近い側の下部金属をＮｂ
とｌａの合金とし、非線形抵抗素子の絶縁体をこの合金
の酸化物としている。また、請求項２記載のマトリック
スアレイ基板は、非線形抵抗素子の下部金属を比抵抗が
異なる上層部と下層部の金属から構成し、非線形抵抗素
子の絶縁体は上層部の一部を転化されてなっている。更
に、請求項３記載のマトリックスアレイ基板は、非線形
抵抗素子の絶縁体は基板の全面に渡って形成され、非線
形抵抗素子の下部金属より比抵抗が大ぎい金属を転化し
てなっている。

この結果、この発明は、非線形抵抗素子の特性を損なう
ことなく、配線電極の抵抗の低減化を容易に実現でき、
例えば大規模なマトリックス型液晶表示装置の実用化に
非常に有効である。

【図面の簡単な説明】 第１図は請求項１及び請求項２記載の発明の一実施例を
示す概略斜視図、第２図は請求項３記載の発明の一実施
例を得るための製造工程を説明するための断面図、第３
図はＮｂ−Ｔａ合金におけるＴａ組成比と比抵抗との関
係を示す図、第４図は従来のマトリックスアレイ基板の
一画素部分の一例を示す断面図でおる。 （１０）・・・・・・基板 （１２）・・・・・・下部金属 （１３）・・・・・・絶縁体 （１４）・・・・・・表示画素部 （１５）・・・・・・上部金属 （１６）・・・・・・非線形抵抗素子

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の表示画素部及びその各々に電気的に接続し
   た金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）素子構造よりなる非線
   形抵抗素子を基板上に形成したマトリックスアレイ基板
   において、前記非線形抵抗素子の前記基板に近い側の下
   部金属がニオブとタンタルの合金からなり、且つ前記非
   線形抵抗素子の前記絶縁体が前記合金の酸化物からなる
   ことを特徴とするマトリックスアレイ基板。
2. （２）複数の表示画素部及びその各々に電気的に接続し
   た金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）素子構造よりなる非線
   形抵抗素子を基板上に形成したマトリックスアレイ基板
   において、前記非線形抵抗素子の前記基板に近い側の下
   部金属は比抵抗が異なる上層部と下層部の金属からなり
   、前記非線形抵抗素子の前記絶縁体は前記下層部より比
   抵抗が大きい前記上層部の一部を転化してなることを特
   徴とするマトリックスアレイ基板。
3. （３）複数の表示画素部及びその各々に電気的に接続し
   た金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）素子構造よりなる非線
   形抵抗素子を基板上に形成したマトリックスアレイ基板
   において、前記非線形抵抗素子の前記絶縁体は前記基板
   の全面に渡って形成され且つ前記非線形抵抗素子の前記
   基板に近い側の下部金属より比抵抗が大きい金属を転化
   してなることを特徴とするマトリックスアレイ基板。