JPH04346319A - マトリックスアレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
マトリックスアレイ基板及びその製造方法Info
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- JPH04346319A JPH04346319A JP3119973A JP11997391A JPH04346319A JP H04346319 A JPH04346319 A JP H04346319A JP 3119973 A JP3119973 A JP 3119973A JP 11997391 A JP11997391 A JP 11997391A JP H04346319 A JPH04346319 A JP H04346319A
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スイッチング素子と
してＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔ
ａｌ ）素子を有するマトリックスアレイ基板及びその
製造方法に関する。
してＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔ
ａｌ ）素子を有するマトリックスアレイ基板及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示器を用いた表示装置は、
時計・電卓・計測機器等の比較的簡単なものから、パ−
ソナル・コンピュ−タ−、ワ−ドプロセッサ−、更には
ＯＡ用の端末機器、ＴＶ画像表示等の大容量情報表示用
途に使用されてきており、より高画質が求められるよう
になってきた。このスイッチング（素子列）アレイには
各種存在するが、構造が簡単で、製造が容易である二端
子の非線形抵抗素子、なかでも現在のところ実用化され
ているものとしては、ＭＩＭ型を挙げることができる。
時計・電卓・計測機器等の比較的簡単なものから、パ−
ソナル・コンピュ−タ−、ワ−ドプロセッサ−、更には
ＯＡ用の端末機器、ＴＶ画像表示等の大容量情報表示用
途に使用されてきており、より高画質が求められるよう
になってきた。このスイッチング（素子列）アレイには
各種存在するが、構造が簡単で、製造が容易である二端
子の非線形抵抗素子、なかでも現在のところ実用化され
ているものとしては、ＭＩＭ型を挙げることができる。
【０００３】図３はＭＩＭ素子を有するアレイ基板の一
画素部分の一例を示す断面図である。これを製造工程に
従って説明すると、まず、ガラス基板１上にＴａ膜２を
スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法により形
成し、写真蝕刻法によりパタ−ニングする。これにより
、配線とＭＩＭ素子の片側の電極とが形成される。次に
、Ｔａ膜２をクエン酸水溶液中で陽極酸化法により化成
し、酸化膜３を形成する。更に、ＭＩＭ素子のもう片側
の電極としてＣｒ膜４を、薄膜形成・加工法により形成
することにより、ＭＩＭ素子が完成する。更にこの後に
は、ＭＩＭ素子と接続するように画像表示用の透明電極
５を形成すればよい。こうした基本的な製造技術は特公
平１−３５３５２号公報に開示され、その改良技術が特
開昭５８−１７８３２０号公報等に示されている。
画素部分の一例を示す断面図である。これを製造工程に
従って説明すると、まず、ガラス基板１上にＴａ膜２を
スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法により形
成し、写真蝕刻法によりパタ−ニングする。これにより
、配線とＭＩＭ素子の片側の電極とが形成される。次に
、Ｔａ膜２をクエン酸水溶液中で陽極酸化法により化成
し、酸化膜３を形成する。更に、ＭＩＭ素子のもう片側
の電極としてＣｒ膜４を、薄膜形成・加工法により形成
することにより、ＭＩＭ素子が完成する。更にこの後に
は、ＭＩＭ素子と接続するように画像表示用の透明電極
５を形成すればよい。こうした基本的な製造技術は特公
平１−３５３５２号公報に開示され、その改良技術が特
開昭５８−１７８３２０号公報等に示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＩＭ素子は、
特公平１−３５３５２号公報に記載されているように、
ＭＩＭ素子の片側の電極を構成する金属を配線にも用い
ている。このため、必ずしも電気抵抗の小さい材料を用
いることができず、多く使用されているβ型のタンタル
等は比較的抵抗が高い材料である。配線電極の抵抗が高
いと、外部駆動回路から印加した駆動パルスの波形歪み
が生じ、書き込み不足によるコントラスト低下や、コン
トラスト傾斜を生じる。特に、表示画面或いは表示容量
が大きい場合には、配線の幅が狭く、長さが長くなるの
で、この傾向が顕著となる。従って、均一な高性能表示
を達成するためには、配線電極の抵抗を下げることが実
用上不可欠の課題である。しかしながら、低抵抗の別の
金属を配線電極専用として用いることは、工程数の増加
につながるため好ましくなく、可能な限り従来の材料と
工程を大幅に逸脱しない方法でこれを達成しなければな
らない。
特公平１−３５３５２号公報に記載されているように、
ＭＩＭ素子の片側の電極を構成する金属を配線にも用い
ている。このため、必ずしも電気抵抗の小さい材料を用
いることができず、多く使用されているβ型のタンタル
等は比較的抵抗が高い材料である。配線電極の抵抗が高
いと、外部駆動回路から印加した駆動パルスの波形歪み
が生じ、書き込み不足によるコントラスト低下や、コン
トラスト傾斜を生じる。特に、表示画面或いは表示容量
が大きい場合には、配線の幅が狭く、長さが長くなるの
で、この傾向が顕著となる。従って、均一な高性能表示
を達成するためには、配線電極の抵抗を下げることが実
用上不可欠の課題である。しかしながら、低抵抗の別の
金属を配線電極専用として用いることは、工程数の増加
につながるため好ましくなく、可能な限り従来の材料と
工程を大幅に逸脱しない方法でこれを達成しなければな
らない。
【０００５】この発明は上記した従来の事情に鑑みなさ
れたものであり、フォトリソグラフィー工程を従来に比
べ増加させることなく、従来と同様の材料を用いて配線
電極の抵抗を低減することが可能なマトリックスアレイ
基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 ［発明の構成］
れたものであり、フォトリソグラフィー工程を従来に比
べ増加させることなく、従来と同様の材料を用いて配線
電極の抵抗を低減することが可能なマトリックスアレイ
基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 ［発明の構成］
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明では、配線電極
として用いられていた、非線形抵抗素子を構成するＴａ
等の金属の下に、画素電極として用いるＩＴＯ膜及びそ
の上に積層したメッキ金属層を敷いた。このため、画素
電極の形成、即ちＩＴＯ膜の形成とそのパターニング、
更にＩＴＯ上へのメッキをＴａ等の非線形抵抗素子を構
成する金属の形成に先立って行なうことにより、複雑な
光露光を用いた工程の増加とはならない。ＩＴＯ上に形
成したＴａ膜は非常に低い抵抗値を示すα型に近い状態
となることが、実験の結果から判明しており、ＩＴＯ上
に単にＴａを積層したものでも配線抵抗を低下でき、こ
の構成は、本発明者の一部により既に特許出願（特願平
２−３１４３６７号）されている。しかしながら、より
大きな表示面積や、より細かい表示に対しては、配線長
さが長くなり、配線幅が狭くなるので、より一層の抵抗
の低下が望まれていた。本発明者等は、ＩＴＯ上にメッ
キ法により簡便に金属層を形成すると、その金属による
抵抗の低下はもとより、その上に形成されるＴａのα型
がより明確になり、抵抗の著しい低下が起こることを見
出だした。なお、ＩＴＯその上に形成するメッキ層は、
配線部分に限る。ＭＩＭ素子が形成されるＴａの下には
メッキ層があってはならない。α型のＴａから形成した
ＭＩＭ素子はリーク電流が大きく、スイッチング特性が
悪いため、その部分のＩＴＯは最初から取り除いたパタ
ーンを形成した後に、メッキを施し、Ｔａのパターンを
形成すればよい。このようにして、配線電極の抵抗を下
げ、且つＭＩＭ特性も従来と同等のマトリックスアレイ
基板を実現できた。
として用いられていた、非線形抵抗素子を構成するＴａ
等の金属の下に、画素電極として用いるＩＴＯ膜及びそ
の上に積層したメッキ金属層を敷いた。このため、画素
電極の形成、即ちＩＴＯ膜の形成とそのパターニング、
更にＩＴＯ上へのメッキをＴａ等の非線形抵抗素子を構
成する金属の形成に先立って行なうことにより、複雑な
光露光を用いた工程の増加とはならない。ＩＴＯ上に形
成したＴａ膜は非常に低い抵抗値を示すα型に近い状態
となることが、実験の結果から判明しており、ＩＴＯ上
に単にＴａを積層したものでも配線抵抗を低下でき、こ
の構成は、本発明者の一部により既に特許出願（特願平
２−３１４３６７号）されている。しかしながら、より
大きな表示面積や、より細かい表示に対しては、配線長
さが長くなり、配線幅が狭くなるので、より一層の抵抗
の低下が望まれていた。本発明者等は、ＩＴＯ上にメッ
キ法により簡便に金属層を形成すると、その金属による
抵抗の低下はもとより、その上に形成されるＴａのα型
がより明確になり、抵抗の著しい低下が起こることを見
出だした。なお、ＩＴＯその上に形成するメッキ層は、
配線部分に限る。ＭＩＭ素子が形成されるＴａの下には
メッキ層があってはならない。α型のＴａから形成した
ＭＩＭ素子はリーク電流が大きく、スイッチング特性が
悪いため、その部分のＩＴＯは最初から取り除いたパタ
ーンを形成した後に、メッキを施し、Ｔａのパターンを
形成すればよい。このようにして、配線電極の抵抗を下
げ、且つＭＩＭ特性も従来と同等のマトリックスアレイ
基板を実現できた。
【０００７】
【作用】非線形抵抗素子から直列につながる配線下に、
メッキ層を施したＩＴＯ膜を設けたことにより、配線構
成金属を結晶構造変化して低抵抗化することができ、大
容量・高精細の表示が可能となる。更に、ＭＩＭ構成金
属（Ｔａ）の全面下ではなく配線部分にのみ限定して、
メッキ層を施したＩＴＯ膜を設けることにより、ＭＩＭ
素子部の金属は結晶構造変化（例えばβ−Ｔａ→α−Ｔ
ａ）を起こすことなく、良好なＭＩＭ特性が期待できる
。以上に述べたこの発明に係わる、先立つ発見事実につ
いて、実験結果をまとめると次に示すようになる。
メッキ層を施したＩＴＯ膜を設けたことにより、配線構
成金属を結晶構造変化して低抵抗化することができ、大
容量・高精細の表示が可能となる。更に、ＭＩＭ構成金
属（Ｔａ）の全面下ではなく配線部分にのみ限定して、
メッキ層を施したＩＴＯ膜を設けることにより、ＭＩＭ
素子部の金属は結晶構造変化（例えばβ−Ｔａ→α−Ｔ
ａ）を起こすことなく、良好なＭＩＭ特性が期待できる
。以上に述べたこの発明に係わる、先立つ発見事実につ
いて、実験結果をまとめると次に示すようになる。
【０００８】試料
Ａ：ガラス基板上にスパッタ法で厚さ３０００オングス
トロ―ムのＴａ膜を形成した構成 Ｂ：ガラス基板上にスパッタ法で厚さ３００オングスト
ロ―ムのＩＴＯ膜を形成した後、この上にスパッタ法で
厚さ３０００オングストロ―ムのＴａ膜を形成した構成
Ｃ：ガラス基板上にスパッタ法で厚さ３００オングスト
ロ―ムのＩＴＯ膜を形成した後、この上に電解メッキ法
で厚さ１０００オングストロ―ムのＮｉ膜を形成し、更
にこの上にスパッタ法で厚さ３０００オングストロ―ム
のＴａ膜を形成した構成 Ｔａ膜の結晶構造 Ａ：β−Ｔａ Ｂ：α−Ｔａとβ−Ｔａが混在 Ｃ：α−Ｔａ Ｔａ膜の比抵抗（ＩＴＯやＮｉの寄与分は計算により除
いた値） Ａ：１６０〜１８０μΩｃｍ Ｂ： ５０〜１００μΩｃｍ Ｃ： ３５〜５０μΩｃｍ 各試料においてＴａ膜を陽極酸化して、後述の実施例と
同様の構造・寸法の素子を作成した場合のＭＩＭ素子特
性Ｉｏｆｆ （４Ｖの電圧引加時に流れる電流値で、小
さい方が好ましい） Ａ：〜１０−１３ Ａ Ｂ：〜１０−１０ Ａ Ｃ：〜１０−１０ Ａ
トロ―ムのＴａ膜を形成した構成 Ｂ：ガラス基板上にスパッタ法で厚さ３００オングスト
ロ―ムのＩＴＯ膜を形成した後、この上にスパッタ法で
厚さ３０００オングストロ―ムのＴａ膜を形成した構成
Ｃ：ガラス基板上にスパッタ法で厚さ３００オングスト
ロ―ムのＩＴＯ膜を形成した後、この上に電解メッキ法
で厚さ１０００オングストロ―ムのＮｉ膜を形成し、更
にこの上にスパッタ法で厚さ３０００オングストロ―ム
のＴａ膜を形成した構成 Ｔａ膜の結晶構造 Ａ：β−Ｔａ Ｂ：α−Ｔａとβ−Ｔａが混在 Ｃ：α−Ｔａ Ｔａ膜の比抵抗（ＩＴＯやＮｉの寄与分は計算により除
いた値） Ａ：１６０〜１８０μΩｃｍ Ｂ： ５０〜１００μΩｃｍ Ｃ： ３５〜５０μΩｃｍ 各試料においてＴａ膜を陽極酸化して、後述の実施例と
同様の構造・寸法の素子を作成した場合のＭＩＭ素子特
性Ｉｏｆｆ （４Ｖの電圧引加時に流れる電流値で、小
さい方が好ましい） Ａ：〜１０−１３ Ａ Ｂ：〜１０−１０ Ａ Ｃ：〜１０−１０ Ａ
【０００９】更に、このような構造にすることにより、
配線部分に断線が万一生じても、ＩＴＯのパターンにて
導通が補償されるという利点を有する。また、画素電極
、ＩＴＯの形成はＴａ形成以前に行うので、高温での成
膜や強いエッチャントでのパターン形成が可能となりプ
ロセス上、有益である。
配線部分に断線が万一生じても、ＩＴＯのパターンにて
導通が補償されるという利点を有する。また、画素電極
、ＩＴＯの形成はＴａ形成以前に行うので、高温での成
膜や強いエッチャントでのパターン形成が可能となりプ
ロセス上、有益である。
【００１０】Ｔａの下地であるメッキ層は、配線部のＩ
ＴＯ上に形成可能な多くの電解メッキ金属が利用可能で
あり、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｕ，Ａｇ等の
単一金属から、Ｃｕ−Ｚｎ，Ｓｎ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｗ，Ｃ
ｏ−Ｗ，Ｆｅ−Ｍｏ，Ｆｅ−Ｔａ，Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｔ
ａ等の合金、更にはそれらの積層も同様の効果を生じる
。
ＴＯ上に形成可能な多くの電解メッキ金属が利用可能で
あり、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｕ，Ａｇ等の
単一金属から、Ｃｕ−Ｚｎ，Ｓｎ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｗ，Ｃ
ｏ−Ｗ，Ｆｅ−Ｍｏ，Ｆｅ−Ｔａ，Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｔ
ａ等の合金、更にはそれらの積層も同様の効果を生じる
。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の詳細を図面を参照して説明
する。
する。
【００１２】図１と図２はこの発明の一実施例を示す工
程図であり、図１と図２において断面図は平面図のＡ−
Ａ´断面に該当する。まず、図１（ａ）に示すように、
例えばＳｉＯ２ のアルカリ防御被膜（図示せず）を表
面部に備えた１．１ｍｍ厚のガラスからなる透明基板１
０上に、例えば膜厚１０００オングストロ―ムのＩＴＯ
からなる透明導電膜１１をスパッタリング法により形成
する。このときに、透過率を高め、抵抗値を十分下げ、
エッチング加工性を上げるために、基板温度を２５０℃
に上げる。この工程は素子が形成された後、最後に画素
電極を形成するような順番の工程では、素子に熱ダメー
ジを与えるため不可能である。そこで、従来は基板を加
熱する温度を高々１８０℃程度までとし、膜質の安定化
が難しい場合があることに対する対策としていた。次に
、図１（ｂ）に示すように、透明導電膜１１上にレジス
ト（感光性樹脂）を全面塗布した後、フォトマスクを用
いて露光し、現像してレジストパターン１２を形成する
。 レジストパターン１２は、図１（ｃ）に示すように、画
素電極部Ａと配線電極部Ｂで形成し、素子形成部Ｃには
設けない。続いて、水、塩酸及び硝酸を１：１：０．１
の割合（容量比）に混合し、３０℃に加熱したエッチン
グ液により、図１（ｄ）に示すように、レジストパター
ン１２と同一の画素電極１３及び透明導電層１４を形成
し、レジストパターン１２を除去する。次に、硫酸Ｎｉ
、塩化Ｎｉ及び硼酸の混合水溶液（高温形成のＩＴＯ膜
は耐性がある）よりなるメッキ液中で電解メッキを施し
、透明導電層１４上に例えばＮｉからなる金属薄膜層１
５を形成する。続いて、膜厚３０００オングストローム
のＴａからなる薄膜１６をスパッタリング法により形成
する。次に、薄膜１６上にレジスト（感光性樹脂）を全
面塗布した後、フォトマスクを用いて露光し、現像にて
レジストパターン１７を形成する。続いて、ケミカルド
ライエッチング法により薄膜１６のエッチングを行えば
よい。ここでは、ＣＦ４ とＯ２ ガスを等量混合した
プラズマ中でエッチングを行い、パタ−ン周辺（エッジ
）部にテ−パ形状を形成する。この混合ガスのエッチン
グでは、既に形成した画素電極１３は、エッチングされ
たり、変質を起こさないことが確認されている。図２（
ａ），（ｂ）に示すように、パターニングされたＴａ膜
１８は、先に形成した透明導電層１４及び金属薄膜層１
５の配線部を被覆し、且つ素子形成部へ連続的に設ける
。引き続き、レジストパターン１７を除去した状態で、
Ｔａ膜１８を陽極として酸性電解液（０．０５重量％ク
エン酸水溶液）中で化成を行い、このときの電圧をコン
トロールすることにより、Ｔａ膜１８の表面及び側面上
に絶縁体層１９を所望の厚さに形成する。この実施例で
は、４２Ｖの電圧を印加し、膜厚７００オングストロー
ムの絶縁体層１９を得ている。また、電解液に対し露出
しているＴａ膜１８では、膜厚２８０オングストローム
が膜厚７００オングストロームのＴａ２ Ｏ５ に変化
する。次に、図２（ｃ）に示すように、全面に膜厚１５
００オングストロ―ムのＴｉ膜２０を形成する。続いて
、この上にレジスト（感光性樹脂）を全面塗布した後、
フォトマスクを用いて露光し、現像してレジストパター
ン２１を形成する。次に、ＥＤＴＡ（エチレン・ジアミ
ン・テトラ・アセティックアジド）９ｇ、水４００ｃｃ
、過酸化水素水２１６ｃｃ及びアンモニア水３０ｍｌの
割合で混ぜ、室温に保った状態で、Ｔｉ膜２０を図２（
ｄ）に示すようにエッチングし、更にこの上のレジスト
を除去する。こうして、透明基板１０上に金属−絶縁体
−金属の構成、即ち、Ｔａ膜１８−絶縁体層１９−Ｔｉ
膜２０よりなる非線形抵抗素子２２をアレイ状に配置し
、非線形抵抗素子２２に画素電極１３を直列に配置し、
透明導電層１４、金属薄膜層１５及びＴｉ膜２０を積層
してなる配線電極２３により各行又は各列方向を接続し
てなるマトリックスアレイ基板が得られる。
程図であり、図１と図２において断面図は平面図のＡ−
Ａ´断面に該当する。まず、図１（ａ）に示すように、
例えばＳｉＯ２ のアルカリ防御被膜（図示せず）を表
面部に備えた１．１ｍｍ厚のガラスからなる透明基板１
０上に、例えば膜厚１０００オングストロ―ムのＩＴＯ
からなる透明導電膜１１をスパッタリング法により形成
する。このときに、透過率を高め、抵抗値を十分下げ、
エッチング加工性を上げるために、基板温度を２５０℃
に上げる。この工程は素子が形成された後、最後に画素
電極を形成するような順番の工程では、素子に熱ダメー
ジを与えるため不可能である。そこで、従来は基板を加
熱する温度を高々１８０℃程度までとし、膜質の安定化
が難しい場合があることに対する対策としていた。次に
、図１（ｂ）に示すように、透明導電膜１１上にレジス
ト（感光性樹脂）を全面塗布した後、フォトマスクを用
いて露光し、現像してレジストパターン１２を形成する
。 レジストパターン１２は、図１（ｃ）に示すように、画
素電極部Ａと配線電極部Ｂで形成し、素子形成部Ｃには
設けない。続いて、水、塩酸及び硝酸を１：１：０．１
の割合（容量比）に混合し、３０℃に加熱したエッチン
グ液により、図１（ｄ）に示すように、レジストパター
ン１２と同一の画素電極１３及び透明導電層１４を形成
し、レジストパターン１２を除去する。次に、硫酸Ｎｉ
、塩化Ｎｉ及び硼酸の混合水溶液（高温形成のＩＴＯ膜
は耐性がある）よりなるメッキ液中で電解メッキを施し
、透明導電層１４上に例えばＮｉからなる金属薄膜層１
５を形成する。続いて、膜厚３０００オングストローム
のＴａからなる薄膜１６をスパッタリング法により形成
する。次に、薄膜１６上にレジスト（感光性樹脂）を全
面塗布した後、フォトマスクを用いて露光し、現像にて
レジストパターン１７を形成する。続いて、ケミカルド
ライエッチング法により薄膜１６のエッチングを行えば
よい。ここでは、ＣＦ４ とＯ２ ガスを等量混合した
プラズマ中でエッチングを行い、パタ−ン周辺（エッジ
）部にテ−パ形状を形成する。この混合ガスのエッチン
グでは、既に形成した画素電極１３は、エッチングされ
たり、変質を起こさないことが確認されている。図２（
ａ），（ｂ）に示すように、パターニングされたＴａ膜
１８は、先に形成した透明導電層１４及び金属薄膜層１
５の配線部を被覆し、且つ素子形成部へ連続的に設ける
。引き続き、レジストパターン１７を除去した状態で、
Ｔａ膜１８を陽極として酸性電解液（０．０５重量％ク
エン酸水溶液）中で化成を行い、このときの電圧をコン
トロールすることにより、Ｔａ膜１８の表面及び側面上
に絶縁体層１９を所望の厚さに形成する。この実施例で
は、４２Ｖの電圧を印加し、膜厚７００オングストロー
ムの絶縁体層１９を得ている。また、電解液に対し露出
しているＴａ膜１８では、膜厚２８０オングストローム
が膜厚７００オングストロームのＴａ２ Ｏ５ に変化
する。次に、図２（ｃ）に示すように、全面に膜厚１５
００オングストロ―ムのＴｉ膜２０を形成する。続いて
、この上にレジスト（感光性樹脂）を全面塗布した後、
フォトマスクを用いて露光し、現像してレジストパター
ン２１を形成する。次に、ＥＤＴＡ（エチレン・ジアミ
ン・テトラ・アセティックアジド）９ｇ、水４００ｃｃ
、過酸化水素水２１６ｃｃ及びアンモニア水３０ｍｌの
割合で混ぜ、室温に保った状態で、Ｔｉ膜２０を図２（
ｄ）に示すようにエッチングし、更にこの上のレジスト
を除去する。こうして、透明基板１０上に金属−絶縁体
−金属の構成、即ち、Ｔａ膜１８−絶縁体層１９−Ｔｉ
膜２０よりなる非線形抵抗素子２２をアレイ状に配置し
、非線形抵抗素子２２に画素電極１３を直列に配置し、
透明導電層１４、金属薄膜層１５及びＴｉ膜２０を積層
してなる配線電極２３により各行又は各列方向を接続し
てなるマトリックスアレイ基板が得られる。
【００１３】この実施例では、配線電極２３の少なくと
も一部が透明導電層１４と金属薄膜層１５を有している
ので、配線電極２３を従来に比べ低抵抗化することがで
きる。そして、透明導電層１４と金属薄膜層１５は非線
形抵抗素子２２の部分には存在しないため、良好なＭＩ
Ｍ特性を維持することができる。更に、配線電極２３は
透明導電層１４、金属薄膜層１５及びＴｉ膜２０の三層
構造であるため、従来のＴｉ膜２０のみの一層構造の場
合に比べ、断線欠陥が生じにくい。
も一部が透明導電層１４と金属薄膜層１５を有している
ので、配線電極２３を従来に比べ低抵抗化することがで
きる。そして、透明導電層１４と金属薄膜層１５は非線
形抵抗素子２２の部分には存在しないため、良好なＭＩ
Ｍ特性を維持することができる。更に、配線電極２３は
透明導電層１４、金属薄膜層１５及びＴｉ膜２０の三層
構造であるため、従来のＴｉ膜２０のみの一層構造の場
合に比べ、断線欠陥が生じにくい。
【００１４】なお、得られたマトリックスアレイ基板か
らマトリックス型液晶表示装置を形成するには、例えば
次のようにすればよい。即ち、マトリックスアレイ基板
の非線形抵抗素子形成面に更に、ポリイミド樹脂からな
る配向膜を塗布・焼成しラビングすることにより、液晶
配向方向を規制する。一方別に、例えばパイレックスガ
ラスからなる基板上に、例えばＩＴＯからなる共通電極
を形成し且つポリイミド樹脂からなる配向膜とラビング
によって液晶配向方向を規制した対向基板を用意する。 そして、液晶の分子長軸方向がマトリックスアレイ基板
と対向基板の間で約９０°ねじれるように、５〜２０μ
ｍの間隔を保って保持させ、液晶を注入する。そして、
こうして構成した液晶セルの外側に、互いの偏光軸を約
９０°ねじった形で２枚の偏光板を配置すればよい。
らマトリックス型液晶表示装置を形成するには、例えば
次のようにすればよい。即ち、マトリックスアレイ基板
の非線形抵抗素子形成面に更に、ポリイミド樹脂からな
る配向膜を塗布・焼成しラビングすることにより、液晶
配向方向を規制する。一方別に、例えばパイレックスガ
ラスからなる基板上に、例えばＩＴＯからなる共通電極
を形成し且つポリイミド樹脂からなる配向膜とラビング
によって液晶配向方向を規制した対向基板を用意する。 そして、液晶の分子長軸方向がマトリックスアレイ基板
と対向基板の間で約９０°ねじれるように、５〜２０μ
ｍの間隔を保って保持させ、液晶を注入する。そして、
こうして構成した液晶セルの外側に、互いの偏光軸を約
９０°ねじった形で２枚の偏光板を配置すればよい。
【００１５】
【発明の効果】この発明は、非線形抵抗素子の特性を損
なうことなく、配線電極の抵抗の低減化を容易に実現で
き、大規模且つ高精細のマトリックス型液晶表示装置の
実用化に非常に有効である。
なうことなく、配線電極の抵抗の低減化を容易に実現で
き、大規模且つ高精細のマトリックス型液晶表示装置の
実用化に非常に有効である。
【図１】この発明の一実施例を示す前半の工程図である
。
。
【図２】この発明の一実施例を示す後半の工程図である
。
。
【図３】従来のマトリックスアレイ基板の一画素部分の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
１０……透明基板
１３……画素電極
１４……透明導電層
１５……金属薄膜層
２２……非線形抵抗素子
２３……配線電極
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に金属−絶縁体−金属の構
成よりなる非線形抵抗素子をアレイ状に配置し、前記非
線形抵抗素子に画素電極を直列に配置し、配線電極によ
り各行又は各列方向を接続してなるマトリックスアレイ
基板において、前記配線電極の少なくとも一部が前記画
素電極を形成する透明電極材料からなる透明導電層及び
メッキ法により形成された金属薄膜層を有していること
を特徴とするマトリックスアレイ基板。 - 【請求項２】 透明基板上に金属−絶縁体−金属の構
成よりなる非線形抵抗素子をアレイ状に配置し、前記非
線形抵抗素子に画素電極を直列に配置し、配線電極によ
り各行又は各列方向を接続してなるマトリックスアレイ
基板の製造方法において、前記配線電極を形成する工程
以前に、前記非線形抵抗素子が形成される部分を除いた
配線電極となる部分の少なくとも一部の前記基板上に前
記画素電極を形成する透明電極材料からなる透明導電層
を前記画素電極と同時に形成した後、前記透明導電層上
にメッキ法により金属薄膜層を積層する工程を備えるこ
とを特徴とするマトリックスアレイ基板の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119973A JPH04346319A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | マトリックスアレイ基板及びその製造方法 |
| TW080108990A TW201343B (ja) | 1990-11-21 | 1991-11-15 | |
| EP91119766A EP0487055B1 (en) | 1990-11-21 | 1991-11-19 | Matrix array substrate |
| DE69119709T DE69119709T2 (de) | 1990-11-21 | 1991-11-19 | Substrat für Matrizenanordnung |
| US07/796,248 US5274482A (en) | 1990-11-21 | 1991-11-21 | Matrix array using MIM device and α and β tantalum electrodes |
| KR1019910020889A KR950002288B1 (ko) | 1990-11-21 | 1991-11-21 | 매트릭스 배열기판 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119973A JPH04346319A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | マトリックスアレイ基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346319A true JPH04346319A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14774780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119973A Pending JPH04346319A (ja) | 1990-11-21 | 1991-05-24 | マトリックスアレイ基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04346319A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004244318A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-02 | Sanwa Shiyurui Kk | 抗酸化作用を有する組成物及び該組成物の製造方法 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP3119973A patent/JPH04346319A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004244318A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-02 | Sanwa Shiyurui Kk | 抗酸化作用を有する組成物及び該組成物の製造方法 |
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