JPH01248622A - 硫化カルシウムまたは硫化ストロンチウムの反応性ドライエッチング方法及び多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
硫化カルシウムまたは硫化ストロンチウムの反応性ドライエッチング方法及び多色薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01248622A JPH01248622A JP63076715A JP7671588A JPH01248622A JP H01248622 A JPH01248622 A JP H01248622A JP 63076715 A JP63076715 A JP 63076715A JP 7671588 A JP7671588 A JP 7671588A JP H01248622 A JPH01248622 A JP H01248622A
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- JP
- Japan
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- thin film
- sulfide
- gas
- dry etching
- methyl
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- Luminescent Compositions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、硫化カルシウムあるいは硫化ストロンチウム
主成分とする薄膜を、高速、且つ再現性良くドライエツ
チングする方法に関するもの、及び上記硫化カルシウム
、硫化ストロンチウム等の硫化物を主成分とする薄膜を
蛍光体層として用いている、キャラクタ−表示、或はグ
ラフィック表示用フラットデイスプレィとして最適な多
色薄膜ＥＬ素子の製造方法に関するものである。
主成分とする薄膜を、高速、且つ再現性良くドライエツ
チングする方法に関するもの、及び上記硫化カルシウム
、硫化ストロンチウム等の硫化物を主成分とする薄膜を
蛍光体層として用いている、キャラクタ−表示、或はグ
ラフィック表示用フラットデイスプレィとして最適な多
色薄膜ＥＬ素子の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来薄膜ＥＬ素子の蛍光体薄膜層としてはＺｎＳ ：Ｍ
ｎが多く用いられていたが、最近ＺｎＳ：Ｍｎ以外の材
料でも高輝度のものが開発されるようになった。
ｎが多く用いられていたが、最近ＺｎＳ：Ｍｎ以外の材
料でも高輝度のものが開発されるようになった。
例えばＺｎＳ：Ｔｂ、Ｆは緑、ＳｒＳ：Ｃｅは青、Ｃａ
Ｓ ： Ｅｕは赤に明るく発光する。そこでこれらの材
料を用いた多色表示の１膜ＥＬ素子が多く提案されてい
る。
Ｓ ： Ｅｕは赤に明るく発光する。そこでこれらの材
料を用いた多色表示の１膜ＥＬ素子が多く提案されてい
る。
多色表示の薄膜Ｅｌ−素子を作製する場合、複数の蛍光
体層の間に電極層と必要に応じて誘電体薄膜層を挟む方
法と、複数の蛍光体薄膜層を所定のパターンに配置する
方法が考えられる。前者の方法では、電極層が複数組必
要で素子構造が非常に複雑になり、また特性も不安定と
なりやすい。−方後者の場合、素子構造の単純さや特性
の安定性の面から現実的な方法である。しかしながら、
パターンが大きければメタルマスクを用いて各蛍光体薄
膜層を形成することは可能であるが、パターンが細かい
とメタルマスクを用いての形成は実際上困難である。
体層の間に電極層と必要に応じて誘電体薄膜層を挟む方
法と、複数の蛍光体薄膜層を所定のパターンに配置する
方法が考えられる。前者の方法では、電極層が複数組必
要で素子構造が非常に複雑になり、また特性も不安定と
なりやすい。−方後者の場合、素子構造の単純さや特性
の安定性の面から現実的な方法である。しかしながら、
パターンが大きければメタルマスクを用いて各蛍光体薄
膜層を形成することは可能であるが、パターンが細かい
とメタルマスクを用いての形成は実際上困難である。
薄膜層を微細なパターンに形成するには全面に一様に薄
膜を形成した後、フォトレジストのパターンを形成し化
学的または物理的に薄膜の不用な部分を除去（エツチン
グ）する方法が一般的である。化学的なエツチング方法
としては硫酸、或は塩酸等の酸性溶液によりエツチング
が可能である。
膜を形成した後、フォトレジストのパターンを形成し化
学的または物理的に薄膜の不用な部分を除去（エツチン
グ）する方法が一般的である。化学的なエツチング方法
としては硫酸、或は塩酸等の酸性溶液によりエツチング
が可能である。
また物理的な方法としてはアルゴン等の不活性なガスを
用いてスパッタエツチングする方法、或は反応性のガス
を用いて反応性スパッタエツチングをする方法等が提案
されている。
用いてスパッタエツチングする方法、或は反応性のガス
を用いて反応性スパッタエツチングをする方法等が提案
されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながらＣａＳ、 或は５ｒＳＮ膜は酸或は水分に
非常に弱いため、化学的な方法でのエツチングは不向き
である。そのため上記硫化物薄膜のエツチングには物理
的な°方法（ドライエツチング）が望ましいと考えられ
ているが、ＣａＳ、 ＳｒＳを主成分とした薄膜を十分
な速度で且つ再現性良くエツチングする方法がなく、そ
のため多色薄膜ＥＬ素子の実現も非常に困難であった。
非常に弱いため、化学的な方法でのエツチングは不向き
である。そのため上記硫化物薄膜のエツチングには物理
的な°方法（ドライエツチング）が望ましいと考えられ
ているが、ＣａＳ、 ＳｒＳを主成分とした薄膜を十分
な速度で且つ再現性良くエツチングする方法がなく、そ
のため多色薄膜ＥＬ素子の実現も非常に困難であった。
課題を解決するための手段
ＣａＳあるいはＳｒＳを主成分とする薄膜をドライエツ
チングする手段として、メチル基、若しくはエチル基を
含む化合物のうち少なくとも一種を含むガスを用いて硫
化物薄膜の反応性ドライエツチングを行う。
チングする手段として、メチル基、若しくはエチル基を
含む化合物のうち少なくとも一種を含むガスを用いて硫
化物薄膜の反応性ドライエツチングを行う。
作用
本発明の方法によれば、プラズマにより活性化されたメ
チル基、若しくはエチル基を含む化合物のガスからメチ
ル基若しくはエチル基が解離し、基板表面でＣａＳ或は
ＳｒＳと反応し、Ｃａ或はＳｒとメチル基若しくはエチ
ル基が結合した化合物を形成する。これらの化合物は、
沸点が低いため容易に蒸発し、良好なエツチングが行え
る。
チル基、若しくはエチル基を含む化合物のガスからメチ
ル基若しくはエチル基が解離し、基板表面でＣａＳ或は
ＳｒＳと反応し、Ｃａ或はＳｒとメチル基若しくはエチ
ル基が結合した化合物を形成する。これらの化合物は、
沸点が低いため容易に蒸発し、良好なエツチングが行え
る。
また、上述の反応性ドライエツチング方法を用いること
により、蛍光体層に硫化物を用いている薄膜Ｅ’Ｌ素子
の蛍光体薄膜のパターニングを容易に行うことができ、
多色薄膜ＥＬ素子を容易に、且つ再現性良く製造するこ
とができる。
により、蛍光体層に硫化物を用いている薄膜Ｅ’Ｌ素子
の蛍光体薄膜のパターニングを容易に行うことができ、
多色薄膜ＥＬ素子を容易に、且つ再現性良く製造するこ
とができる。
実施例
実施例１
第１図に、本発明の硫化カルシウム、及び硫化ストロン
チウムの反応性ドライエツチングに用いた装置の概略図
を示す。真空容器ｌ内部には、電極対カソード２、アノ
ード３が配置されている。
チウムの反応性ドライエツチングに用いた装置の概略図
を示す。真空容器ｌ内部には、電極対カソード２、アノ
ード３が配置されている。
カソード２上には基板４が配置されている。カソード２
にはマツチング回路５を介して高周波電源６が接続され
ており、交流電圧が印加されている。
にはマツチング回路５を介して高周波電源６が接続され
ており、交流電圧が印加されている。
基板４上には被エツチング物である硫化物薄膜が形成さ
れている。また、真空容器１にはガス導入ロアが取り付
けてあり、流量計８ａ、８ｂにより所望の流量に制御さ
れたガスを真空容器１内に導入できる構造となっている
。真空容器ｌ内のガス圧力は真空排気系９により制御さ
れる。
れている。また、真空容器１にはガス導入ロアが取り付
けてあり、流量計８ａ、８ｂにより所望の流量に制御さ
れたガスを真空容器１内に導入できる構造となっている
。真空容器ｌ内のガス圧力は真空排気系９により制御さ
れる。
上述の装置を用いてＣａＳ薄膜をドライエツチングする
場合について詳しく説明する。カソード２上にＣａＳ薄
膜の形成された基板４を載置する。ＣａＳ薄膜にはスト
ライブ状にパターニングされたフォトレジストが塗布さ
れている。真空容器ｌ内を１．０×１０Ｔ５Ｔｏｒｒま
で排気後、ガス導入ロアよリメタノールとアルゴンの混
合ガスを導入する。メタノールガス及びアルゴンガスは
流量計８ａ、８ｂにより各々所望の流量になるように制
御されている。また真空容器ｌ内の圧力は、真空排気系
９により所定の一定圧力に保たれている。高周波電源６
を動作させ、マツチング回路５を通してカソード２に所
定の交流電圧を印加する。交流電圧の印加により電極間
にプラズマが発生し、ＣａＳ薄膜のエツチングが行われ
る。ＣａＳ薄膜のエツチング量が所望の値に達したら、
高周波ＴＩＥ源６の動作をとめエツチングを終了する。
場合について詳しく説明する。カソード２上にＣａＳ薄
膜の形成された基板４を載置する。ＣａＳ薄膜にはスト
ライブ状にパターニングされたフォトレジストが塗布さ
れている。真空容器ｌ内を１．０×１０Ｔ５Ｔｏｒｒま
で排気後、ガス導入ロアよリメタノールとアルゴンの混
合ガスを導入する。メタノールガス及びアルゴンガスは
流量計８ａ、８ｂにより各々所望の流量になるように制
御されている。また真空容器ｌ内の圧力は、真空排気系
９により所定の一定圧力に保たれている。高周波電源６
を動作させ、マツチング回路５を通してカソード２に所
定の交流電圧を印加する。交流電圧の印加により電極間
にプラズマが発生し、ＣａＳ薄膜のエツチングが行われ
る。ＣａＳ薄膜のエツチング量が所望の値に達したら、
高周波ＴＩＥ源６の動作をとめエツチングを終了する。
本発明の方法によるＣａＳ薄膜のエツチングは、次のよ
うな過程を経て進行していると考えられる。
うな過程を経て進行していると考えられる。
即ち、電極部に発生させたプラズマによりメタノールが
分解されメチル基（ＣＨ３）が生成される。プラズマに
より活性化されたＣ１１３は、基板上に形成されている
Ｃａとが結合しＣａとの化合物Ｃａ（ＣＨ３）２を形成
する。Ｃａ（Ｃ１１３）２は蒸気圧が高いので基板上か
ら容易に蒸発し、その結果ＣａＳ薄膜のエツチングが進
行する。
分解されメチル基（ＣＨ３）が生成される。プラズマに
より活性化されたＣ１１３は、基板上に形成されている
Ｃａとが結合しＣａとの化合物Ｃａ（ＣＨ３）２を形成
する。Ｃａ（Ｃ１１３）２は蒸気圧が高いので基板上か
ら容易に蒸発し、その結果ＣａＳ薄膜のエツチングが進
行する。
上述の装置を用い、メタノールガスの流量を９０ＳＣＣ
Ｍ、アルゴンガスの流量をＩＯ５ｃｃＭ、エツチング中
のガス圧力を５＝ＯＸ １Ｏ−２ＴｏｒｒとしてＣａＳ
薄膜のエツチングを行ったところ、５０ｎｍ／ｗｉｎと
いう従来得られなかった高いエツチング速度が得られた
。
Ｍ、アルゴンガスの流量をＩＯ５ｃｃＭ、エツチング中
のガス圧力を５＝ＯＸ １Ｏ−２ＴｏｒｒとしてＣａＳ
薄膜のエツチングを行ったところ、５０ｎｍ／ｗｉｎと
いう従来得られなかった高いエツチング速度が得られた
。
以上の実施例１では、エツチングガスとしてメタノール
とアルゴンの混合ガスを用いたが、メタノールガスのみ
でもエツチングが行える。またガスはメタノールガスに
限るものではなく、メチル基若しくはエチル基を含む化
合物のガスを少なくとも１種以上含むガスを用いても同
様の効果が得られる。
とアルゴンの混合ガスを用いたが、メタノールガスのみ
でもエツチングが行える。またガスはメタノールガスに
限るものではなく、メチル基若しくはエチル基を含む化
合物のガスを少なくとも１種以上含むガスを用いても同
様の効果が得られる。
実施例２
第２図に本発明の多色薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す。
まず（ａ）に示したように、所望のパターンの透明電極
１１、及び第１絶縁体層１２が形成されたガラス基板ｌ
Ｏ上に、第１蛍光体膜１３を形成するためのＺｎＳ：Ｔ
ｂ、Ｆ膜を共蒸着法により全面に一様に形成した。Ｚｎ
Ｓ：Ｔｂ、Ｆ膜の上にフォトレジス）１４を塗布し、透
明電極１１の１本おきに第１蛍光体膜１３のストライプ
が形成されるようにフォトレジスト１４をパターニング
する。このガラス基板ｌＯを第１図に示した装置を用い
、呈ッチングガスとしてメタノールとアルゴンの混合ガ
スを用いて反応性ドライエツチングを行い、 （ｂ）に
示したようなＺｎＳ：ＴＢ、Ｆ膜のストライブ状のパタ
ーンを形成する。この時のエツチング条件は、メタノー
ルガスの流量を９０ＳＣＣＭ、アルゴンガスの流量をＩ
Ｏ５ｃｃＭ、エツチング中のガス圧力をｓ、ｏｘ ｔＯ
−２Ｔｏｒｒとし、エツチング速度は５０ｎｍ／ｌｌ１
ｉｎであった。
１１、及び第１絶縁体層１２が形成されたガラス基板ｌ
Ｏ上に、第１蛍光体膜１３を形成するためのＺｎＳ：Ｔ
ｂ、Ｆ膜を共蒸着法により全面に一様に形成した。Ｚｎ
Ｓ：Ｔｂ、Ｆ膜の上にフォトレジス）１４を塗布し、透
明電極１１の１本おきに第１蛍光体膜１３のストライプ
が形成されるようにフォトレジスト１４をパターニング
する。このガラス基板ｌＯを第１図に示した装置を用い
、呈ッチングガスとしてメタノールとアルゴンの混合ガ
スを用いて反応性ドライエツチングを行い、 （ｂ）に
示したようなＺｎＳ：ＴＢ、Ｆ膜のストライブ状のパタ
ーンを形成する。この時のエツチング条件は、メタノー
ルガスの流量を９０ＳＣＣＭ、アルゴンガスの流量をＩ
Ｏ５ｃｃＭ、エツチング中のガス圧力をｓ、ｏｘ ｔＯ
−２Ｔｏｒｒとし、エツチング速度は５０ｎｍ／ｌｌ１
ｉｎであった。
レジストを除去し、５００℃で１時間真空中熱処理した
後、 （Ｃ）に示したように第２蛍光体膜１５を形成す
るためのＣａＳ ： Ｅｕ膜を電子ビーム蒸着法により
全面に一様に形成し、その上にフォトレジスト１６を塗
布し、第１蛍光体膜１３の形成されていない部分にフォ
トレジスト１６のストライブが残るように、フォトレジ
スト１６のパターニングを行う。次に再度第１図に示し
た装置を用い、エツチングガスとしてメタノールとアル
ゴンの混合ガスを用いて反応性ドライエツチングを行い
、 （ｄ）に示したようなＣａｂ：Ｅｕ膜のストライブ
状のパターンを形成する。この時のエツチング条件は、
メタノールガスの流量を９Ｏ５ＣＧ？、アルゴンガスの
流量をＩＯ５ｃｃＭ、エツチング中のガス圧力を５．Ｏ
Ｘ ｔｏ−２Ｔｏｒｒとし、エツチング速度は５０ｎｍ
／ｎ＋ ｉ ｎであった。レジストを除去し、５００℃
で１時間真空中熱処理をした後、 （ｅ）に示したよう
に第２絶縁体層１７、及び透明電極１１と直交する様に
ストライブ状にパターニングされた背面電極１８を形成
し、多色薄膜ＥＬ素子を完成した。
後、 （Ｃ）に示したように第２蛍光体膜１５を形成す
るためのＣａＳ ： Ｅｕ膜を電子ビーム蒸着法により
全面に一様に形成し、その上にフォトレジスト１６を塗
布し、第１蛍光体膜１３の形成されていない部分にフォ
トレジスト１６のストライブが残るように、フォトレジ
スト１６のパターニングを行う。次に再度第１図に示し
た装置を用い、エツチングガスとしてメタノールとアル
ゴンの混合ガスを用いて反応性ドライエツチングを行い
、 （ｄ）に示したようなＣａｂ：Ｅｕ膜のストライブ
状のパターンを形成する。この時のエツチング条件は、
メタノールガスの流量を９Ｏ５ＣＧ？、アルゴンガスの
流量をＩＯ５ｃｃＭ、エツチング中のガス圧力を５．Ｏ
Ｘ ｔｏ−２Ｔｏｒｒとし、エツチング速度は５０ｎｍ
／ｎ＋ ｉ ｎであった。レジストを除去し、５００℃
で１時間真空中熱処理をした後、 （ｅ）に示したよう
に第２絶縁体層１７、及び透明電極１１と直交する様に
ストライブ状にパターニングされた背面電極１８を形成
し、多色薄膜ＥＬ素子を完成した。
これらの素子を駆動したところ、第１蛍光体膜が形成さ
れている電極のみに電圧を印可した場合には緑色の発光
が、第２蛍光体膜が形成されている電極のみに電圧を印
可した場合には赤色の発光が、また全ての電極に電圧を
印可した場合には両色の混合色の発光が得られた。また
、各蛍光体膜の発光効率は、各蛍光体薄膜単独でＥＬ素
子を形成したものと同じ発光効率が得られた。
れている電極のみに電圧を印可した場合には緑色の発光
が、第２蛍光体膜が形成されている電極のみに電圧を印
可した場合には赤色の発光が、また全ての電極に電圧を
印可した場合には両色の混合色の発光が得られた。また
、各蛍光体膜の発光効率は、各蛍光体薄膜単独でＥＬ素
子を形成したものと同じ発光効率が得られた。
以上の実施例２では、第１蛍光体膜、及び第２蛍光体膜
のエツチングに際して、エツチングガスとしてメタノー
ルとアルゴンの混合ガスを用いたが、メタノールガスの
みでもエツチングが行える。
のエツチングに際して、エツチングガスとしてメタノー
ルとアルゴンの混合ガスを用いたが、メタノールガスの
みでもエツチングが行える。
またガスはメタノールガスに限るものではなく、メチル
基若しくはエチル基を含む化合物のガスを少なくとも１
種以、Ｌ含むガスを用いても同様の効果が得られる。
基若しくはエチル基を含む化合物のガスを少なくとも１
種以、Ｌ含むガスを用いても同様の効果が得られる。
また本実施例２では、ＺｎＳ：Ｔｂ、Ｆ膜、及びＣａＳ
： Ｅｕ膜の２種類の蛍光体膜を用いた多色薄膜ＥＬ
素子を形成する場合について述べたが、更に３種類以上
の蛍光体薄膜層を形成する場合にも、本発明の多色薄膜
ＥＬ素子製造方法が有効であることはいうまでもない。
： Ｅｕ膜の２種類の蛍光体膜を用いた多色薄膜ＥＬ
素子を形成する場合について述べたが、更に３種類以上
の蛍光体薄膜層を形成する場合にも、本発明の多色薄膜
ＥＬ素子製造方法が有効であることはいうまでもない。
発明の効果
本発明の硫化カルシウムまたは硫化ストロンチウムの反
応性ドライエツチング方法によれば、従来非常に困難で
あった硫化カルシウム、及び硫化ストロンチウムのドラ
イエツチングが高速で且つ再現性良く行うことが出来る
ようになった。
応性ドライエツチング方法によれば、従来非常に困難で
あった硫化カルシウム、及び硫化ストロンチウムのドラ
イエツチングが高速で且つ再現性良く行うことが出来る
ようになった。
また、本発明の多色薄膜ＥＬ素子の製造方法によれば、
蛍光体層を多層化することなく、本来の発光効率を持っ
た複数の蛍光体薄膜層を一対の電極層間に形成でき信頼
性の高い多色薄膜Ｅ Ｌ素子を提供することが可能とな
った。
蛍光体層を多層化することなく、本来の発光効率を持っ
た複数の蛍光体薄膜層を一対の電極層間に形成でき信頼
性の高い多色薄膜Ｅ Ｌ素子を提供することが可能とな
った。
第１図は、本発明の実施例における硫化カルシウムまた
は硫化ストロンチウムの反応性ドライエツチング方法に
用いる装置の概略図、第２図は、本発明の実施例におけ
る多色薄膜ＥＬ素子の製造方法の概略を示す断面図であ
る。 ｌ・・−真空容器、２・・・カソード、３・・−アノー
ド、４・・・基板、５・・・マツチング回路、６・・・
高周波電源、７・・・ガス導入口、８ａ、８ｂ・・・流
量計、９・・・真空排気系。１０・・・ガラス基板、１
１・・・透明電極、１２・・・第１絶縁体層、１３・・
・第１蛍光体膜、１４・・・フォトレジスト、１５・・
・第２蛍光体膜、１６・・・フォトレジスト、１７・・
・第２絶縁体膜、１８・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名区
ト ！ｓ２図
は硫化ストロンチウムの反応性ドライエツチング方法に
用いる装置の概略図、第２図は、本発明の実施例におけ
る多色薄膜ＥＬ素子の製造方法の概略を示す断面図であ
る。 ｌ・・−真空容器、２・・・カソード、３・・−アノー
ド、４・・・基板、５・・・マツチング回路、６・・・
高周波電源、７・・・ガス導入口、８ａ、８ｂ・・・流
量計、９・・・真空排気系。１０・・・ガラス基板、１
１・・・透明電極、１２・・・第１絶縁体層、１３・・
・第１蛍光体膜、１４・・・フォトレジスト、１５・・
・第２蛍光体膜、１６・・・フォトレジスト、１７・・
・第２絶縁体膜、１８・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名区
ト ！ｓ２図
Claims (4)
- （１）硫化カルシウム、或は硫化ストロンチウムを主成
分とする薄膜をドライエッチングする際、メチル基、若
しくはエチル基を含む化合物のガスのうち少なくとも一
種を含むガスを用いることを特徴とする硫化カルシウム
または硫化ストロンチウムの反応性ドライエッチング方
法。 - （２）硫化カルシウム、或は硫化ストロンチウムを主成
分とする薄膜のドライエッチングに用いるガスが、メチ
ルアルコール、エチルアルコール、若しくはアセトンの
うち少なくとも一種を含むガスであることを特徴とする
請求項１に記載の硫化カルシウムまたは硫化ストロンチ
ウムの反応性ドライエッチング方法。 - （３）基板上に形成した発光層、及び発光層を挟む電極
層よりなる薄膜ＥＬ素子の製造方法において、硫化物を
主成分とする蛍光体薄膜層を所定のパターンに形成する
際、メチル基、若しくはエチル基を含む化合物のガスの
うち少なくとも一種を含むガスを用いて反応性ドライエ
ッチングを行う工程を含むことを特徴とする多色薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 - （４）基板上に形成した発光層、及び発光層を挟む電極
層よりなる薄膜ＥＬ素子の製造方法において、硫化物を
主成分とする蛍光体薄膜層を所定のパターンに形成する
際、メチルアルコール、エチルアルコール、若しくはア
セトンのうち少なくとも一種を含むガスを用いて反応性
ドライエッチングを行う工程を含むことを特徴とする請
求項３に記載の多色薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076715A JPH01248622A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 硫化カルシウムまたは硫化ストロンチウムの反応性ドライエッチング方法及び多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076715A JPH01248622A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 硫化カルシウムまたは硫化ストロンチウムの反応性ドライエッチング方法及び多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248622A true JPH01248622A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13613253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63076715A Pending JPH01248622A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 硫化カルシウムまたは硫化ストロンチウムの反応性ドライエッチング方法及び多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248622A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9263393B2 (en) * | 2012-11-07 | 2016-02-16 | Globalfoundries Inc. | Sputter and surface modification etch processing for metal patterning in integrated circuits |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63076715A patent/JPH01248622A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9263393B2 (en) * | 2012-11-07 | 2016-02-16 | Globalfoundries Inc. | Sputter and surface modification etch processing for metal patterning in integrated circuits |
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