JPH0218894A - 硫化物薄膜のエッチング方法と多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
硫化物薄膜のエッチング方法と多色薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0218894A JPH0218894A JP63169402A JP16940288A JPH0218894A JP H0218894 A JPH0218894 A JP H0218894A JP 63169402 A JP63169402 A JP 63169402A JP 16940288 A JP16940288 A JP 16940288A JP H0218894 A JPH0218894 A JP H0218894A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- etching
- film
- gas
- sulfide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、硫化ＩＷＪ薄膜を主成分とする薄膜を、高速
、且つ再現性良くドライエツチングする方法に関するも
の、及び上記硫化物を主成分とする薄膜を蛍光体層とし
て用いている、キャラクタ−表示、或はグラフィック表
示用フラットデイスプレィとして最適な多色薄膜ＥＬ素
子の製造方法に閏するものである。
、且つ再現性良くドライエツチングする方法に関するも
の、及び上記硫化物を主成分とする薄膜を蛍光体層とし
て用いている、キャラクタ−表示、或はグラフィック表
示用フラットデイスプレィとして最適な多色薄膜ＥＬ素
子の製造方法に閏するものである。
従来の技術
従来薄膜ＥＬ素子の蛍光体薄膜層としてはＺｎＳ：門７
．が多く用いられていたが、最近ＺｎＳ：Ｍｎ以外の材
料でも高輝度のものが開発されるようになった。
．が多く用いられていたが、最近ＺｎＳ：Ｍｎ以外の材
料でも高輝度のものが開発されるようになった。
例えばＺｎＳ ： Ｔｈ 、 Ｆは緑、ＳｒＳ：Ｃｅは
青、ＣａＳ ： Ｅｕは赤に明るく発光する。そこでこ
れらの材料を用いた多色表示の薄膜ＥＬ素子が多く提案
されている。
青、ＣａＳ ： Ｅｕは赤に明るく発光する。そこでこ
れらの材料を用いた多色表示の薄膜ＥＬ素子が多く提案
されている。
多色表示の薄膜ＥＬ素子を作製する場合、複数の蛍光体
層の間に電極層と必要に応じて誘電体薄膜層を挟む方法
と、複数の蛍光体薄膜層を所定のパターンに配置する方
法が考えられる。前者の方法では、電極層が複数組必要
で素子構造が非常に複雑になり、また特性も不安定とな
りやすい。−方後者の場合、素子構造の屯純さや特性の
安定性の面から現実的な方法である。しかしながら、パ
ターンが大きければメタルマスクを用いて各蛍光体薄膜
層を形成することは可能であるが、パターンが細かいと
メタルマスクを用いての形成は実際上困難である。
層の間に電極層と必要に応じて誘電体薄膜層を挟む方法
と、複数の蛍光体薄膜層を所定のパターンに配置する方
法が考えられる。前者の方法では、電極層が複数組必要
で素子構造が非常に複雑になり、また特性も不安定とな
りやすい。−方後者の場合、素子構造の屯純さや特性の
安定性の面から現実的な方法である。しかしながら、パ
ターンが大きければメタルマスクを用いて各蛍光体薄膜
層を形成することは可能であるが、パターンが細かいと
メタルマスクを用いての形成は実際上困難である。
薄膜層を微細なパターンに形成するには全面に一様に薄
膜を形成した後、フォトレジストのパターンを形成し化
学的または物理的に薄膜の不用な部分を除去（エツチン
グ）する方法が一般的である。化学的なエツチング方法
としては硫酸、或は塩酸等の酸性溶液によりエツチング
が可能である。
膜を形成した後、フォトレジストのパターンを形成し化
学的または物理的に薄膜の不用な部分を除去（エツチン
グ）する方法が一般的である。化学的なエツチング方法
としては硫酸、或は塩酸等の酸性溶液によりエツチング
が可能である。
また物理的な方法としてはアルゴン等の不活性なガスを
用いてスパッタエツチングする方法、或は反応性のガス
を用いて反応性スパッタエツチングをする方法等が提案
されている。
用いてスパッタエツチングする方法、或は反応性のガス
を用いて反応性スパッタエツチングをする方法等が提案
されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら一般に硫化物薄膜は酸或は水分に非常に弱
いため、化学的な方法でのエツチングは不向きである。
いため、化学的な方法でのエツチングは不向きである。
そのため上記硫化物薄膜のエツチングには物理的な方法
（ドライエツチング）が望ましいと考えられているが、
硫化物薄膜を主成分とした薄膜を十分な速度で且つ再現
性良くエツチングする方法がなく、そのため多色薄膜Ｅ
Ｌ素その実現も非常に困難であった。
（ドライエツチング）が望ましいと考えられているが、
硫化物薄膜を主成分とした薄膜を十分な速度で且つ再現
性良くエツチングする方法がなく、そのため多色薄膜Ｅ
Ｌ素その実現も非常に困難であった。
課題を解決するための手段
請求項１の本発明は、硫化物を主成分とする薄膜上に金
属薄膜を形成する工程と、この金属薄膜をパターニング
する工程と、この金属薄膜をマスクとしてメチル基、若
しくはエチル基を含む化合物のガスのうち少なくとも一
種を含むガスを用いて反応性ドライエッチする工程を含
む方法により硫化物を主成分とする薄膜をエツチングす
る方法である。
属薄膜を形成する工程と、この金属薄膜をパターニング
する工程と、この金属薄膜をマスクとしてメチル基、若
しくはエチル基を含む化合物のガスのうち少なくとも一
種を含むガスを用いて反応性ドライエッチする工程を含
む方法により硫化物を主成分とする薄膜をエツチングす
る方法である。
請求項３の本発明は、基板上に形成した発光層、及び発
光層を挟む電極層よりなる薄膜ＥＬ素子の製造方法にお
いて、硫化物を主成分とする薄膜上に金属薄膜を形成す
る工程と、この金属薄膜をパターニングする工程と、こ
の金属薄膜をマスクとしてメチル基、若しくはエチル基
を含む化合物のガスのうち少なくとも一種を含むガスを
用いて反応性ドライエツチングを行う工程により、硫化
物を主成分とする蛍光体薄膜層を所定のパターンに形成
する。
光層を挟む電極層よりなる薄膜ＥＬ素子の製造方法にお
いて、硫化物を主成分とする薄膜上に金属薄膜を形成す
る工程と、この金属薄膜をパターニングする工程と、こ
の金属薄膜をマスクとしてメチル基、若しくはエチル基
を含む化合物のガスのうち少なくとも一種を含むガスを
用いて反応性ドライエツチングを行う工程により、硫化
物を主成分とする蛍光体薄膜層を所定のパターンに形成
する。
作用
本発明の方法によれは、金属薄膜のパターンに覆われて
いない硫化物薄膜は、プラズマにより活性化されたメチ
ル基、若しくはエチル基を含む化合物のガスからメチル
基若しくはエチル基が解離し、基板表面で硫化物薄膜と
反応し、硫化物中の金属元素とメチル基若しくはエチル
基が結合した化合物を形成する。これらの化合物は、沸
点が低いため容易に蒸発し、良好なエツチングが行える
。
いない硫化物薄膜は、プラズマにより活性化されたメチ
ル基、若しくはエチル基を含む化合物のガスからメチル
基若しくはエチル基が解離し、基板表面で硫化物薄膜と
反応し、硫化物中の金属元素とメチル基若しくはエチル
基が結合した化合物を形成する。これらの化合物は、沸
点が低いため容易に蒸発し、良好なエツチングが行える
。
また、上述の反応性ドライエツチング方法を用いること
により、蛍光体層に硫化物を用いている薄膜ＥＬ素子の
蛍光体薄膜のパターニングを容易に行うことができ、多
色薄膜ＥＬ素子を容易に、且つ再現性良く製造すること
ができる。
により、蛍光体層に硫化物を用いている薄膜ＥＬ素子の
蛍光体薄膜のパターニングを容易に行うことができ、多
色薄膜ＥＬ素子を容易に、且つ再現性良く製造すること
ができる。
実施例
以下に、本発明を、その実施例を示す図面に基づいて説
明する。
明する。
実施例１
第２図に、本発明の実施例に係る硫化物薄膜のドライエ
ツチング方法に用いた装置の概略図を示す。真空容器１
１の内部には、電極対カソード１２、アノード１３が配
置されている。カソード１２上には基板１４が配置され
ている。カソード１２にはマツチング回路１５を介して
高周波電源１６が接続されており、交流電圧が印加され
ている。
ツチング方法に用いた装置の概略図を示す。真空容器１
１の内部には、電極対カソード１２、アノード１３が配
置されている。カソード１２上には基板１４が配置され
ている。カソード１２にはマツチング回路１５を介して
高周波電源１６が接続されており、交流電圧が印加され
ている。
基板１４上には被エツチング物である硫化物薄膜が形成
されている。また、真空容器１１にはガス導入口１７が
取り付けてあり、流量計１８により所望の流量に制御さ
れたガスを真空容器１１内に導入できる構造となってい
る。真空容器ｌｌ内のガス圧力は真空排気系１９により
制御される。
されている。また、真空容器１１にはガス導入口１７が
取り付けてあり、流量計１８により所望の流量に制御さ
れたガスを真空容器１１内に導入できる構造となってい
る。真空容器ｌｌ内のガス圧力は真空排気系１９により
制御される。
上述の装置を用いて（ａｓｈ膜をドライエツチングする
場合について詳しく説明する。カソード１２」二にＣａ
Ｓ薄膜の形成された基板１４を載置する。基板１４の拡
大図を第１図に示す。第１図（ａ）においてＣａＳ薄膜
２はガラス基板ｌの上に形成されており、さらにそのう
えにはＴａ薄膜３が成膜されている。ＣａＳ薄膜２とＴ
ａ薄膜３は同一真空中で成膜されたものである。そして
ストライブ状にパターニングされたフォトレジスト４が
塗布されている。
場合について詳しく説明する。カソード１２」二にＣａ
Ｓ薄膜の形成された基板１４を載置する。基板１４の拡
大図を第１図に示す。第１図（ａ）においてＣａＳ薄膜
２はガラス基板ｌの上に形成されており、さらにそのう
えにはＴａ薄膜３が成膜されている。ＣａＳ薄膜２とＴ
ａ薄膜３は同一真空中で成膜されたものである。そして
ストライブ状にパターニングされたフォトレジスト４が
塗布されている。
真空容器１１内を１．ＯＸ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで排気
後、ガス導入口１７より塩素とアルゴンの混合ガスを導
入する・ 塩素及びアルゴンガスは流量計１８により各
々所望の流量になるように制御されている。また真空容
器１１内の圧力は、真空排気系１９により所定の一定圧
力に保たれている。高周波電源１６を動作させ、マツチ
ング回路１５を通してカソード１２に所定の交流電圧を
印加する。交流電圧の印加により電極間にプラズマが発
生し、Ｔａｉ″Ｉｉ膜３のエツチングが行われる。Ｔａ
薄膜３のエツチング量が所望の値に達したら、高周波電
源１６の動作をとめエツチングを終了する。次いで酸素
を導入し高周波により酸素プラズマを発生させて、フォ
トレジスト４を除去する。この状態の基板１４を第１図
（ｂ）に示す。Ｔａ薄膜３のパターンがＣａ薄膜２のマ
スクとなる。エツチングガスにはメタノールガス及びア
ルゴンガスを用いる。交流電圧の印加により電極間にプ
ラズマが発生し、ＣａＳ薄膜２のエツチングが行われる
。（ａｓｈ膜２のエツチング量が所望の値に達したら、
高周波電源１６の動作をとめエツチングを終了する。次
いで、エツチングガスとして再度塩素とアルゴンの混合
ガスな導入しＴａｇ膜３のエツチングを行い、Ｃａ Ｓ
Ｒ１膜２の上から取り去る。
後、ガス導入口１７より塩素とアルゴンの混合ガスを導
入する・ 塩素及びアルゴンガスは流量計１８により各
々所望の流量になるように制御されている。また真空容
器１１内の圧力は、真空排気系１９により所定の一定圧
力に保たれている。高周波電源１６を動作させ、マツチ
ング回路１５を通してカソード１２に所定の交流電圧を
印加する。交流電圧の印加により電極間にプラズマが発
生し、Ｔａｉ″Ｉｉ膜３のエツチングが行われる。Ｔａ
薄膜３のエツチング量が所望の値に達したら、高周波電
源１６の動作をとめエツチングを終了する。次いで酸素
を導入し高周波により酸素プラズマを発生させて、フォ
トレジスト４を除去する。この状態の基板１４を第１図
（ｂ）に示す。Ｔａ薄膜３のパターンがＣａ薄膜２のマ
スクとなる。エツチングガスにはメタノールガス及びア
ルゴンガスを用いる。交流電圧の印加により電極間にプ
ラズマが発生し、ＣａＳ薄膜２のエツチングが行われる
。（ａｓｈ膜２のエツチング量が所望の値に達したら、
高周波電源１６の動作をとめエツチングを終了する。次
いで、エツチングガスとして再度塩素とアルゴンの混合
ガスな導入しＴａｇ膜３のエツチングを行い、Ｃａ Ｓ
Ｒ１膜２の上から取り去る。
本発明の方法によるＣａＳ薄膜２のエツチングは、次の
ような過程を経て進行していると考えられる。
ような過程を経て進行していると考えられる。
即ち、電極間に発生させたプラズマによりメタノールが
分解されメチル基（ＣＨ３）が生成される。プラズマに
より活性化されたＣＮ３は、ＣａＳ薄膜表面のＣａと結
合しＣａとの化合物Ｃａ（ＣＨ３）２を形成する。
分解されメチル基（ＣＨ３）が生成される。プラズマに
より活性化されたＣＮ３は、ＣａＳ薄膜表面のＣａと結
合しＣａとの化合物Ｃａ（ＣＨ３）２を形成する。
Ｃａ（ＣＬ）２は蒸気圧が高いので基板上から容易に蒸
発し、ＣａＳのもう一方の成分であるＳは■と結合し１
１２Ｓとなって蒸発する。その結果ＣａＳ薄膜２のエツ
チングが進行する。
発し、ＣａＳのもう一方の成分であるＳは■と結合し１
１２Ｓとなって蒸発する。その結果ＣａＳ薄膜２のエツ
チングが進行する。
上述の装置を用い、メタノールガスの流量を９０５ＣＣ
Ｍ、アルゴンガスの流量をｌ０５ＣＧ１、エツチング中
のガス圧力を３．８ＰａとしてＣａＳ薄膜のエツチング
を行ったところ、５０ｎｍ／ｍｉｎという従来得られな
かった高いエツチング速度が得られた。
Ｍ、アルゴンガスの流量をｌ０５ＣＧ１、エツチング中
のガス圧力を３．８ＰａとしてＣａＳ薄膜のエツチング
を行ったところ、５０ｎｍ／ｍｉｎという従来得られな
かった高いエツチング速度が得られた。
（ａｓ′ｔ＃膜上に直接フォトレジストのパターンを形
成し、これをマクスとしてＣａＳｉ膜をエツチングする
ことは可能であるが、次の問題点がある。フォトレジス
トがプラズマにより損傷を受けて変質し、剥離が困難に
なる。特に高周波電力の大きい時に損傷が激しい。又、
ＣａＳｉ膜とフォトレジストのエツチング速度比が１／
１０と小さく、大きなエツチング量は得られない。本発
明のようにマスクとして金属薄膜を用いれば以上の問題
点は解決される。
成し、これをマクスとしてＣａＳｉ膜をエツチングする
ことは可能であるが、次の問題点がある。フォトレジス
トがプラズマにより損傷を受けて変質し、剥離が困難に
なる。特に高周波電力の大きい時に損傷が激しい。又、
ＣａＳｉ膜とフォトレジストのエツチング速度比が１／
１０と小さく、大きなエツチング量は得られない。本発
明のようにマスクとして金属薄膜を用いれば以上の問題
点は解決される。
実施例２
第３図に本発明の多色薄膜Ｅｌ−素子の製造方法を示す
。まず第３図（ａ）に示したように、所望のパターンの
透明電極２２、及び第１絶縁体層２３が形成されたガラ
ス基板２１上に、第１蛍光体薄膜を形成するためのＺｎ
Ｓ：Ｔｂ、Ｆ薄膜２４とＡ１薄膜２５を蒸着法により全
面に一様に形成する。Ａ１薄膜２５の上にフォトレジス
ト２６を塗布し、透明電極２２の１本おきに第１蛍光体
薄膜のストライブが形成されるようにフォトレジスト２
６をパターニングする。この基板を第２図に示した装置
を用い、エツチングガスとして塩素とアルゴンの混合ガ
スを用いてＡｌ７ｉＩ膜２δをエツチングし、次いて酸
素ガスを導入しフォトレジスト２６を除去した。さらに
エチルアルコールとアルゴンの混合ガスを用いて反応性
ドライエツチングを行い、第３図（ｂ）に示したような
ＺｎＳ：ＴＢ、Ｆ薄膜２４のストライブ状のパターンを
形成する。この時のエツチング条件は、エチルアルコー
ルガスの流量を５０ＳＣＣ、アルゴンガスのｆｆ１ｉｌ
を５０５ＣＧＩ、エツチング中のガス圧力を３．ＯＰａ
とし、エツチング速度は４５ｎｍ／旧ｎであった。第３
図（Ｃ）に示したようにＡｌｉ膜２５は除去せずにこの
上に、第２蛍光体薄膜を形成するためのＣａＳ：Ｅｕｉ
膜２膜上７ＡＩＭ膜２８を電子ビーム蒸着法により全面
に一様に形成した。フォトレジスト２９を塗イａし、第
１蛍光体薄膜の形成されていない部分にフォトレジスト
２９のストライブが残るように、フォトレジスト２９の
パターニングを行う。次に再度第２図に示した装置を用
い、ＺｎＳ：Ｔｂ、Ｆのエツチングと同様に、Ａ１薄膜
２８、フォトレジスト２９、ＣａＳ：Ｅｕ薄膜２７の順
でドライエツチングを行い、第３図（ｄ）に示したよう
なＣａＳ：Ｅｕｉ膜２膜上７トライブ状のパターンを形
成する。この時のエツチング条件は、エチルアルコール
ガスの流量を５０ＳＣＣＭ、アルゴンガスのｔＸＥ ｆ
ｆｉを５Ｏ５ＣＧ１、エツチング中のガス圧力を３．Ｏ
Ｐａとし、エツチング速度は５０ｎｍ／ｍ団であった。
。まず第３図（ａ）に示したように、所望のパターンの
透明電極２２、及び第１絶縁体層２３が形成されたガラ
ス基板２１上に、第１蛍光体薄膜を形成するためのＺｎ
Ｓ：Ｔｂ、Ｆ薄膜２４とＡ１薄膜２５を蒸着法により全
面に一様に形成する。Ａ１薄膜２５の上にフォトレジス
ト２６を塗布し、透明電極２２の１本おきに第１蛍光体
薄膜のストライブが形成されるようにフォトレジスト２
６をパターニングする。この基板を第２図に示した装置
を用い、エツチングガスとして塩素とアルゴンの混合ガ
スを用いてＡｌ７ｉＩ膜２δをエツチングし、次いて酸
素ガスを導入しフォトレジスト２６を除去した。さらに
エチルアルコールとアルゴンの混合ガスを用いて反応性
ドライエツチングを行い、第３図（ｂ）に示したような
ＺｎＳ：ＴＢ、Ｆ薄膜２４のストライブ状のパターンを
形成する。この時のエツチング条件は、エチルアルコー
ルガスの流量を５０ＳＣＣ、アルゴンガスのｆｆ１ｉｌ
を５０５ＣＧＩ、エツチング中のガス圧力を３．ＯＰａ
とし、エツチング速度は４５ｎｍ／旧ｎであった。第３
図（Ｃ）に示したようにＡｌｉ膜２５は除去せずにこの
上に、第２蛍光体薄膜を形成するためのＣａＳ：Ｅｕｉ
膜２膜上７ＡＩＭ膜２８を電子ビーム蒸着法により全面
に一様に形成した。フォトレジスト２９を塗イａし、第
１蛍光体薄膜の形成されていない部分にフォトレジスト
２９のストライブが残るように、フォトレジスト２９の
パターニングを行う。次に再度第２図に示した装置を用
い、ＺｎＳ：Ｔｂ、Ｆのエツチングと同様に、Ａ１薄膜
２８、フォトレジスト２９、ＣａＳ：Ｅｕ薄膜２７の順
でドライエツチングを行い、第３図（ｄ）に示したよう
なＣａＳ：Ｅｕｉ膜２膜上７トライブ状のパターンを形
成する。この時のエツチング条件は、エチルアルコール
ガスの流量を５０ＳＣＣＭ、アルゴンガスのｔＸＥ ｆ
ｆｉを５Ｏ５ＣＧ１、エツチング中のガス圧力を３．Ｏ
Ｐａとし、エツチング速度は５０ｎｍ／ｍ団であった。
塩素ガスとアルゴンガスの混合ガスを用いてＡ１薄膜２
５と２８を同時に除去した。
５と２８を同時に除去した。
５００℃で１時間真空中熱処理をした後、第３図（ｅ）
に示したように第２絶縁体層３０、及び透明電極２２と
直交する様にストライブ状にパターニングされた背面電
極３１を形成し、多色薄膜ＥＬ素子を完成した。
に示したように第２絶縁体層３０、及び透明電極２２と
直交する様にストライブ状にパターニングされた背面電
極３１を形成し、多色薄膜ＥＬ素子を完成した。
この素子を駆動したところ、第１蛍光体薄膜が形成され
ている電極のみに電圧を印可した場合には緑色の発光が
、第２蛍光体薄膜が形成されている電極のみに電圧を印
可した場合には赤色の発光が、また全ての電極に電圧を
印可した場合には両便の混合色の発光が得られた。また
、各蛍光体薄膜の発光効率は、各蛍光体薄膜単独でＥＬ
素子を形成したものと同じ発光効率が得られた。
ている電極のみに電圧を印可した場合には緑色の発光が
、第２蛍光体薄膜が形成されている電極のみに電圧を印
可した場合には赤色の発光が、また全ての電極に電圧を
印可した場合には両便の混合色の発光が得られた。また
、各蛍光体薄膜の発光効率は、各蛍光体薄膜単独でＥＬ
素子を形成したものと同じ発光効率が得られた。
以上の実施例では、硫化物薄膜のエツチングに際Ｌ／
Ｔ、反応性のエツチングガスとしてメタノールとエチル
アルコールを用いたが、エツチングガスはこの２種に限
るものではなく、アセトン等のメチル基若しくはエチル
基を含む化合物のガスを少なくとも１種以上含むガスを
用いても同様の効果が得られる。
Ｔ、反応性のエツチングガスとしてメタノールとエチル
アルコールを用いたが、エツチングガスはこの２種に限
るものではなく、アセトン等のメチル基若しくはエチル
基を含む化合物のガスを少なくとも１種以上含むガスを
用いても同様の効果が得られる。
また本実施例２では、ＺｎＳ：Ｔｂ、Ｆｒ＃膜、及びＣ
ａＳ：Ｅｕ薄膜の蛍光体薄膜を用いた多色薄膜ＥＬ素子
を形成する場合について述べたが、更にＳｒＳ：Ｃｅ薄
膜や３種類以上の蛍光体薄膜層を形成する場合にも、本
発明の多色薄膜ＥＩ−素子製造方法が有効であることは
いうまでもない。
ａＳ：Ｅｕ薄膜の蛍光体薄膜を用いた多色薄膜ＥＬ素子
を形成する場合について述べたが、更にＳｒＳ：Ｃｅ薄
膜や３種類以上の蛍光体薄膜層を形成する場合にも、本
発明の多色薄膜ＥＩ−素子製造方法が有効であることは
いうまでもない。
硫化物薄膜のエツチングマスクに用いる金属薄膜として
、実施例ではＴａ薄膜及びＡ１薄膜を用いたが、Ｔｉ薄
膜やＭＯ薄膜など硫化物薄膜のエツチング時にエツチン
グ速度が小さく、その後ドライエツチングで容易に除去
できるものであれは良い。
、実施例ではＴａ薄膜及びＡ１薄膜を用いたが、Ｔｉ薄
膜やＭＯ薄膜など硫化物薄膜のエツチング時にエツチン
グ速度が小さく、その後ドライエツチングで容易に除去
できるものであれは良い。
発明の効果
本発明の硫化物薄膜のドライエツチング方法によれば、
従来非常に困難であった硫化物薄膜のドライエツチング
が高速で且つ再現性良く行うことが出来るようになった
。また、本発明の多色薄膜ＥＬ素子の製造方法によれば
、蛍光体層を多層化することなく、本来の発光効率を持
った複数の蛍光体薄膜層を一対の電極層間に形成でき信
頼性の高い多色薄膜ＥＬ素子を提供することが可能とな
った。
従来非常に困難であった硫化物薄膜のドライエツチング
が高速で且つ再現性良く行うことが出来るようになった
。また、本発明の多色薄膜ＥＬ素子の製造方法によれば
、蛍光体層を多層化することなく、本来の発光効率を持
った複数の蛍光体薄膜層を一対の電極層間に形成でき信
頼性の高い多色薄膜ＥＬ素子を提供することが可能とな
った。
第１図（ａ ） 、 （ｂ ）は、本発明の実施例に
係る硫化物薄膜のドライエツチング方法の概略を示した
図、第２図は、本発明の実施例１における硫化物薄膜の
反応性ドライエツチング、及び実施例２における多色薄
膜ＥＬ素子の製造方法の中で蛍光体層の反応性ドライエ
ツチングに用いた装置のブロック図、第３図（ａ）、（
ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は実施例２における多色
薄膜ＥＬ素子の製造方法の概略をポロである。 ｌ・・・ガラス基板、２・・・硫化物薄膜、３・・・金
属薄膜、４・・・フォトレジスト、１１・・・真空容器
、１２・・・カソード、１３・・・アノード、１／′Ｌ
・・・基板、１５・・・マッチング回路、１６・・・高
周波電源、１７・・・ガス導入口、１８・・・流量計、
１９・・・真空排気系、２１・・・ガラス基板、２２・
・・透明電極、２３・・・第１絶縁体層、２４・・・第
１蛍光体薄膜、２５．２８・・・金属薄膜、２６．２９
・・・フォトレジスト、２７・・・第２蛍光体薄膜、３
０・・・第２絶縁体薄膜、３１・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名第１図 （ａ） （ｂ）
係る硫化物薄膜のドライエツチング方法の概略を示した
図、第２図は、本発明の実施例１における硫化物薄膜の
反応性ドライエツチング、及び実施例２における多色薄
膜ＥＬ素子の製造方法の中で蛍光体層の反応性ドライエ
ツチングに用いた装置のブロック図、第３図（ａ）、（
ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は実施例２における多色
薄膜ＥＬ素子の製造方法の概略をポロである。 ｌ・・・ガラス基板、２・・・硫化物薄膜、３・・・金
属薄膜、４・・・フォトレジスト、１１・・・真空容器
、１２・・・カソード、１３・・・アノード、１／′Ｌ
・・・基板、１５・・・マッチング回路、１６・・・高
周波電源、１７・・・ガス導入口、１８・・・流量計、
１９・・・真空排気系、２１・・・ガラス基板、２２・
・・透明電極、２３・・・第１絶縁体層、２４・・・第
１蛍光体薄膜、２５．２８・・・金属薄膜、２６．２９
・・・フォトレジスト、２７・・・第２蛍光体薄膜、３
０・・・第２絶縁体薄膜、３１・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名第１図 （ａ） （ｂ）
Claims (4)
- （１）硫化物を主成分とする薄膜上に金属薄膜を形成す
る工程と、この金属薄膜をパターニングする工程と、こ
の金属薄膜をマスクとしてメチル基、若しくはエチル基
を含む化合物のガスのうち少なくとも一種を含むガスを
用いて反応性ドライエッチすることを特徴とする硫化物
薄膜のエッチング方法。 - （２）メチル基、若しくはエチル基を含む化合物のガス
が、メチルアルコール、エチルアルコール、若しくはア
セトンのうち少なくとも一種を含むガスであることを特
徴とする請求項１記載の硫化物薄膜のエッチング方法。 - （３）基板上に形成した発光層、及び発光層を挟む電極
層よりなる薄膜ＥＬ素子の製造方法において、硫化物を
主成分とする蛍光体薄膜上に金属薄膜を形成する工程と
、この金属薄膜をパターニングする工程と、この金属薄
膜をマスクとして、メチル基、若しくはエチル基を含む
化合物のガスのうち少なくとも一種を含むガスを用いて
反応性ドライエッチングを行う工程を含むことを特徴と
する多色薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - （４）メチル基、若しくはエチル基を含む化合物のガス
がメチルアルコール、エチルアルコール、若しくはアセ
トンのうち少なくとも一種を含むガスを用いて反応性ド
ライエッチングを行う工程を含むことを特徴とする請求
項３記載の多色薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169402A JPH0218894A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 硫化物薄膜のエッチング方法と多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169402A JPH0218894A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 硫化物薄膜のエッチング方法と多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218894A true JPH0218894A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15885937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63169402A Pending JPH0218894A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 硫化物薄膜のエッチング方法と多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0218894A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5888410A (en) * | 1996-04-01 | 1999-03-30 | Denso Corporation | Dry etching method and manufacturing method of manufacturing EL element using same |
| US9350981B2 (en) | 2010-06-18 | 2016-05-24 | Sony Corporation | Image display system, shutter glasses, and display apparatus |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP63169402A patent/JPH0218894A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5888410A (en) * | 1996-04-01 | 1999-03-30 | Denso Corporation | Dry etching method and manufacturing method of manufacturing EL element using same |
| US9350981B2 (en) | 2010-06-18 | 2016-05-24 | Sony Corporation | Image display system, shutter glasses, and display apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3948082B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| US6013538A (en) | Method of fabricating and patterning OLEDs | |
| US6091196A (en) | Organic electroluminescent display device and method of manufacture thereof | |
| US6821799B2 (en) | Method of fabricating a multi-color light emissive display | |
| US12527157B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same, light-emitting substrate and method of manufacturing the same, and light-emitting apparatus | |
| JP2002504699A (ja) | 干渉カラーフィルターのパターンを作成する方法 | |
| JPH11312583A (ja) | Ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH01248622A (ja) | 硫化カルシウムまたは硫化ストロンチウムの反応性ドライエッチング方法及び多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH0515037B2 (ja) | ||
| JPH09326298A (ja) | ドライエッチング方法及びｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH02152192A (ja) | 多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH02183994A (ja) | 多色薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH02207486A (ja) | 多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH02244595A (ja) | 多色薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH04366592A (ja) | 薄膜ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| JP3755182B2 (ja) | 多色薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPS63136491A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS6250958B2 (ja) | ||
| KR20020065753A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 소자의 상판 구조 및 그 제조방법 | |
| KR950006598B1 (ko) | 다색 이엘(el)소자의 제조방법 | |
| JPH02281594A (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 | |
| JPS6248359B2 (ja) | ||
| JPH04106895A (ja) | 半導体の製造方法及びｅｌ発光層の製造方法 | |
| JP3308308B2 (ja) | 薄膜ｅｌディスプレイ素子及びその製造方法 | |
| JPH01221892A (ja) | 多色発光ｅｌディスプレイ装置 |