JPH0124938Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0124938Y2 JPH0124938Y2 JP1981147367U JP14736781U JPH0124938Y2 JP H0124938 Y2 JPH0124938 Y2 JP H0124938Y2 JP 1981147367 U JP1981147367 U JP 1981147367U JP 14736781 U JP14736781 U JP 14736781U JP H0124938 Y2 JPH0124938 Y2 JP H0124938Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- guard
- base
- collector
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は高耐圧トランジスタの改良に関する。
従来の高耐圧トランジスタを第１図に示す。１は
半導体基板より成るＮ型のコレクタ領域、２はＰ
型のベース領域、３はN+型のエミツタ領域、４
はベース領域２を囲むＰ型のガード領域、５は
N+型のチヤンネルストツプ領域、６は基板表面
を被覆するシリコン酸化膜、７はベース電極、８
はエミツタ電極、９はガード領域４およびチヤン
ネルストツプ領域５に夫々オーミツク接触して酸
化膜６上に拡がるシールド電極である。なおベー
ス電極７はガード領域４側に酸化膜６上を拡張し
て設けたフイールド電極１０を有している。
従来の高耐圧トランジスタを第１図に示す。１は
半導体基板より成るＮ型のコレクタ領域、２はＰ
型のベース領域、３はN+型のエミツタ領域、４
はベース領域２を囲むＰ型のガード領域、５は
N+型のチヤンネルストツプ領域、６は基板表面
を被覆するシリコン酸化膜、７はベース電極、８
はエミツタ電極、９はガード領域４およびチヤン
ネルストツプ領域５に夫々オーミツク接触して酸
化膜６上に拡がるシールド電極である。なおベー
ス電極７はガード領域４側に酸化膜６上を拡張し
て設けたフイールド電極１０を有している。
斯るトランジスタではコレクタ接合がバイアス
すると点線で示す如く空乏層ができ、フイールド
電極１０およびガード領域４により空乏層を拡が
り易くして電界の集中を防止して高耐圧を実現し
ている。しかしながらフイールド電極１０下のコ
レクタ領域１表面はフイールド電極１０の電界に
より空乏層が拡がり易くなる反面電界により反転
するおそれがある。この結果ベース領域２とガー
ド領域４の距離が実質的に短かくなり耐圧が劣化
する危倶を有している。
すると点線で示す如く空乏層ができ、フイールド
電極１０およびガード領域４により空乏層を拡が
り易くして電界の集中を防止して高耐圧を実現し
ている。しかしながらフイールド電極１０下のコ
レクタ領域１表面はフイールド電極１０の電界に
より空乏層が拡がり易くなる反面電界により反転
するおそれがある。この結果ベース領域２とガー
ド領域４の距離が実質的に短かくなり耐圧が劣化
する危倶を有している。
本考案は斯点に鑑みてなされ、従来の欠点を完
全に除去した高耐圧トランジスタを提供するもの
であり、以下に第２図を参照して本考案の一実施
例を詳述する。
全に除去した高耐圧トランジスタを提供するもの
であり、以下に第２図を参照して本考案の一実施
例を詳述する。
本考案による高耐圧トランジスタは第２図の如
く、シリコン半導体基板より成るＮ型のコレクタ
領域１１、Ｐ型のベース領域１２、N+型のエミ
ツタ領域１３、ベース領域１２を囲みベース領域
１２から一定の間隔で離間された複数本のＰ型ガ
ード領域１４、コレクタ領域１１端部に設けられ
たN+型のチヤンネルストツプ領域１５、基板表
面を被覆するシリコン酸化膜より成る第１絶縁膜
１６、第１絶縁膜１６を被覆するシリコン窒化膜
等より成る第２絶縁膜１７、ガード領域１４およ
びチヤンネルストツプ領域１５に夫々オーミツク
接触し第１絶縁膜１６上を近傍のコレクタ領域１
１まで拡がるシールド電極１８、ベースおよびエ
ミツタ領域１２，１３にオーミツク接触し第２の
絶縁膜１７上に設けたベース電極１９およびエミ
ツタ電極２０、ベース電極１９をガード領域１４
側に延在させてベース領域１２近傍のコレクタ領
域１１を覆うように設けたフイールド電極２１よ
り構成される。
く、シリコン半導体基板より成るＮ型のコレクタ
領域１１、Ｐ型のベース領域１２、N+型のエミ
ツタ領域１３、ベース領域１２を囲みベース領域
１２から一定の間隔で離間された複数本のＰ型ガ
ード領域１４、コレクタ領域１１端部に設けられ
たN+型のチヤンネルストツプ領域１５、基板表
面を被覆するシリコン酸化膜より成る第１絶縁膜
１６、第１絶縁膜１６を被覆するシリコン窒化膜
等より成る第２絶縁膜１７、ガード領域１４およ
びチヤンネルストツプ領域１５に夫々オーミツク
接触し第１絶縁膜１６上を近傍のコレクタ領域１
１まで拡がるシールド電極１８、ベースおよびエ
ミツタ領域１２，１３にオーミツク接触し第２の
絶縁膜１７上に設けたベース電極１９およびエミ
ツタ電極２０、ベース電極１９をガード領域１４
側に延在させてベース領域１２近傍のコレクタ領
域１１を覆うように設けたフイールド電極２１よ
り構成される。
本考案の特徴はフイールド電極２１を従来と違
い第２絶縁膜１７上に設けたことにある。この構
造によりフイールド電極２１はコレクタ領域１１
表面より従来の約２倍に離間されるためにその電
界の影響が弱められ、空乏層の拡がりは若干抑え
気味にして反転を防止している。
い第２絶縁膜１７上に設けたことにある。この構
造によりフイールド電極２１はコレクタ領域１１
表面より従来の約２倍に離間されるためにその電
界の影響が弱められ、空乏層の拡がりは若干抑え
気味にして反転を防止している。
本考案の実験に依れば、第１絶縁膜１６を1.5μ
厚のシリコン酸化膜、第２絶縁膜１７を1.8μ厚の
プラズマCVD法によるシリコン窒化膜とし、ガ
ード領域１４の間隔を15μとしガード領域１４の
巾を20μとした場合において、バルク此抵抗70Ω
として従来の構造では耐圧が1300Vであつたもの
が本考案では1400Vに改善された。
厚のシリコン酸化膜、第２絶縁膜１７を1.8μ厚の
プラズマCVD法によるシリコン窒化膜とし、ガ
ード領域１４の間隔を15μとしガード領域１４の
巾を20μとした場合において、バルク此抵抗70Ω
として従来の構造では耐圧が1300Vであつたもの
が本考案では1400Vに改善された。
以上に詳述した如く本考案に依ればフイールド
電極２１の改良のみで更に高耐圧化を実現でき、
第２絶縁膜１７はトランジスタの表面保護膜とし
ても機能する。
電極２１の改良のみで更に高耐圧化を実現でき、
第２絶縁膜１７はトランジスタの表面保護膜とし
ても機能する。
第１図は従来例を説明する断面図、第２図は本
考案を説明する断面図である。 主な図番の説明、１１はコレクタ領域、１２は
ベース領域、１３はエミツタ領域、１４はガード
領域、１６は第１絶縁膜、１７は第２絶縁膜、１
８はシールド電極、２１はフイルド電極である。
考案を説明する断面図である。 主な図番の説明、１１はコレクタ領域、１２は
ベース領域、１３はエミツタ領域、１４はガード
領域、１６は第１絶縁膜、１７は第２絶縁膜、１
８はシールド電極、２１はフイルド電極である。
Claims (1)
- コレクタ領域、ベース領域およびエミツタ領域
を備え該ベース領域を囲み前記コレクタ領域にガ
ード領域を設けた高耐圧トランジスタに於て、前
記コレクタ領域表面を被覆するシリコン酸化膜上
に前記ガード領域にオーミツク接触したシールド
電極を設け、前記シリコン酸化膜を被覆するシリ
コン窒化膜上に前記ベース領域にオーミツク接触
し前記コレクタ領域側に延在するフイールド電極
を設けたことを特徴とする高耐圧トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14736781U JPS5851453U (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 高耐圧トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14736781U JPS5851453U (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 高耐圧トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851453U JPS5851453U (ja) | 1983-04-07 |
| JPH0124938Y2 true JPH0124938Y2 (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=29940228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14736781U Granted JPS5851453U (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 高耐圧トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851453U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131774A (ja) * | 1974-04-05 | 1975-10-18 | ||
| JPS516474A (en) * | 1974-07-05 | 1976-01-20 | Hitachi Ltd | Pureenakozono handotaisochi |
-
1981
- 1981-10-02 JP JP14736781U patent/JPS5851453U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5851453U (ja) | 1983-04-07 |
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