JPH01250865A - プローブカード - Google Patents

プローブカード

Info

Publication number
JPH01250865A
JPH01250865A JP63079966A JP7996688A JPH01250865A JP H01250865 A JPH01250865 A JP H01250865A JP 63079966 A JP63079966 A JP 63079966A JP 7996688 A JP7996688 A JP 7996688A JP H01250865 A JPH01250865 A JP H01250865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
electrode
substrate
probe unit
probing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63079966A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0833415B2 (ja
Inventor
Masashi Saito
昌司 斉藤
Isamasa Fujikawa
藤川 勇誠
Toru Ikeda
亨 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP63079966A priority Critical patent/JPH0833415B2/ja
Publication of JPH01250865A publication Critical patent/JPH01250865A/ja
Publication of JPH0833415B2 publication Critical patent/JPH0833415B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
この発明は、例えば液晶デイスプレィの画像検査の場合
等に必要とされる、広い領域にわたって設けられた、多
数の電極群に対応可能なプロービング探針ユニットに関
するものである。
【従来の技術】
従来、ウェハ内に多数形成されたウェハチップ等の半導
体素子のプロービング検査においては、金属製探針をそ
の先端部が各素子の個々の電極位置に対応するよう接着
固定したプローブカードを用いている。このプローブカ
ードは、第5図および第6図における金属製の探針1と
、探針1を支承するセラミック等の電気絶縁体からなる
支持リング2と、プリント基板3で構成され、これらを
互いに接着剤によって固定している。 すなわち、上記金属製探針1の位置合わせを、素子の電
極座標と対応する位置に孔開は加工が施された、ガイド
等からなる適当な治具を用いて行なう。 探針1が適切な位置に並べられたところで、探針1と支
持リング2はエポキシ樹脂等の接着剤により相互に固定
される。そしてこの探針lが固定された支持リング2は
、それと同心的に孔開は加工がなされたプリント基板3
に接着され、探針1の後端はプリント基板3上に形成さ
れた導体パターン4に半田固定される。概略的には、上
記のようにして半導体素子検査用のプローブカードが製
作される。
【発明が解決しようとする問題点】
しかしながら上述の場合、支持リング2の形状や探針1
の位置合わせの方法などから、複数個の素子の各電極群
へ同時に探針1を接触させる構造とするには限界があっ
た。 さらに、第2図および第3図に示すようなガラス基板1
7上に固定された液晶デイスプレィ16を検査する際に
は、ガラス基板17上のすべての電極部18と同時に信
号のやりとりを行ない、かつ液晶デイスプレィ16を目
視によって検査することも必要となる。ここで従来の構
造のプローブカードを使用した場合、液晶デイスプレィ
16と探針1とが干渉し合う、またプリント基板3が液
晶デイスプレィ16を覆い隠す等の問題点が生じている
。 この発明は、このような従来の問題点を解消するために
なされたもので、複数個の電極群が広い領域にわたり分
散して置かれるような場合にも、適確にすべての電極へ
の探針が可能となり、また液晶デイスプレィ等の目視検
査を可能とするものである。
【問題点を解決するための手段】
すなわちこの発明のプロービング探針ユニットは、探針
群を複数、電気絶縁体からなる基板上の所定の位置に配
設したものである。 またそれぞれの探針を、金属細線をブリッジ状に取付け
て形成したことを特徴としている。 さらに上記金属細線を、ワイヤボンダでブリッジ状に取
付けたことをも特徴としている。 上記において、金属細線を固定する電気絶縁体基板を、
ガラスや石英、樹脂等の材質よりなる透明基板とし、そ
の表面には探針へ通じる導電性薄膜を形成しておくこと
が望ましい。
【作用】
この発明のプロービング探針ユニットは、その本体とな
る透明な絶縁体基板上の所定の位置へ導電性薄膜を形成
し、そこからつながるおのおのの探針群も上記基板上へ
形成した薄膜の目印を基準に設けられるため、その位置
精度は極めて高いものが得られる。 また1本1本の探針は、ワイヤボンダなどの装置を用い
て絶縁体基板上へ固定するため、その寸法や形状はプロ
ービング探針ユニット全体にわたり、安定したものが得
られる。 さらに探針ユニット本体の絶縁体基板は透明であるため
、液晶デイスプレィ等の検査の際には、基板を通してそ
の目視観察が可能となる。
【実施例】
以下この発明のプロービング探針ユニットの一実施例を
図面に基いて説明する。 図面はこの発明のプロービング探針ユニットの一実施例
を示し、第1図はプロービング探針ユニット内の探針群
の1つを抜粋した斜視図、第2図および第3図は液晶デ
イスプレィを固定した、ガラス基板上の電極をプロービ
ングしている状態を示す概略側面図、第4図はプロービ
ング探針ユニットの下面図である。 上記第一1図ないし第4図に示すように、この発明のプ
ロービング探針ユニットは、透明な電気絶縁体の基板1
1,12、この基板1.1.12上に形成された導電性
薄膜13,13°、および導電性薄膜13.13°間を
連結する金属細線14より構成されている。この金属細
線14は、液晶側のガラス基板17上に形成された電極
18に対応して複数個を一群として設けられている。そ
してこの探針群は、基板11.12上の所定の位置に複
数配設されている。上記金属細線14としては、タング
ステンやモリブデン、金合金その他のバネ弾性を有する
ものが望ましい。 液晶デイスプレィ16を載置した前記ガラス基板17よ
りやや広い第1の基板11には、導電性の薄膜13を形
成しである。その形成手段としては、リソグラフィの工
程が用いられる。まずガラスや石英等で作成した透明な
電気絶縁体の基板l1の全面に、金属蒸着やスパッタリ
ング等によってアルミニウムやクロム膜等からなる導電
性薄膜の膜付けを行なう。次いで、その膜上にフォトレ
ジストを塗布して、露光、現像により所定のマスクパタ
ーンを形成する。最後に不要部分を腐食して除去する。 なお導電性薄膜13の形成手段としては、化学メツキそ
の他の方法を用いてもよいことは勿論である。 15は、第2の基板12を固定する位置を規定するため
の目印で、必ずしも導電性である必要はないが、工程を
簡略化するためにこれも上記薄膜13と同質のものを薄
膜13の形成時に同時に形成すればよい。基板11上に
載置した第2の基板12に形成される薄膜13°につい
ても、必ずしも導電性である必要はないが、上記と同様
にして形成することができる。 第1の基板11上へ第2の基板12を固定するには、基
板11上に形成された目印15を基準とし、シアノアク
リレート系接着剤等の浸透性のよい接着剤を用いて迅速
かつ強固に行なう。 プロービングされる液晶デイスプレィ16の電極18に
直接触れるのは、第1の基板11から第2の基板12ヘ
ブリツジ状に差し渡された金属細線14の屈曲部分の突
端である。この金属細線14をどのような形状において
ブリッジ状に固定するのか、またその寸法はといった点
については、被測定物等を勘案の上適宜決定されるが、
ワイヤホンダの使用により精度よく管理することが可能
である。第2図および第3図に示した液晶デイスプレィ
の検査の場合には、基板11の薄膜形成面から金属細線
14の屈曲部の突端までの高さは、液晶デイスプレィ1
6の高さよりもやや大きくとっておく必要がある。実際
に、金属細線14と液晶側のガラス基板17上に形成さ
れた電極18とが接触する際には、金属細線14の弾性
による微小変形を利用することで、プロービング探針ユ
ニット全体にわたり金属細線14と被測定物の電極18
との接触を良好に行なうことができる。 なお第2図において、21は、液晶側のガラス基板17
を保持してXYZ軸方向とθ方向へ駆動するための真空
チャック、22は、エツジセンサ23等からの液晶側の
ガラス基板17の駆動用信号を読み取って、真空チャッ
ク21を駆動制御するためのLSIである。 次のこの発明のプロービング探針ユニットの動作につい
て説明する。 真空チャック21を駆動制御しつつ、エツジセンサ23
で液晶側のガラス基板17の位置を確認し、液晶側のガ
ラス基板17をプロービング探針ユニットに対して所定
の位置におく。そしてプロービング探針ユニットを降下
させ、金属細線14と液晶側のガラス基板17上に形成
された電極18とを接触させる。その際、ブリッジ状の
金属細線14はその弾性によって微小変形し、金属細線
14と被測定物の電極18とは非常に良好な接触状態で
接触する。 上記接触状態は、第1の基板11と第2の基板12とが
いずれも透明であるため、プロービング探針ユニット上
から目視で良好に確認することができる。
【発明の効果】
以上説明したように、この発明のプロービング探針ユニ
ットは透明な絶縁体基板上へのりソグラフィによる薄膜
形成、およびワイヤホンダ等の装置による金属細線の固
定という手段を用いることにより、従来では実現できな
かった広い領域に精度よく探針を設けることが可能とな
った。 また製造の方法も、従来の探針を1本1本並べて半田付
けする方式に比べ、ワイヤボンダ等多くの点で自動化が
導入されるため、工数の削減が期待できる。 さらに、ブリッジ状の金属細線な探針としたので、その
弾性変形により被測定物の電極との間で良好な接触状況
が得られ、しかも従来の針で作成した探針のように位置
ずれを起こすことがほとんどない。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のプロービング探針ユニットの一実施
例を示し、プロービング探針ユニット内の探針群の1つ
を抜粋した斜視図、第2図および第3図は液晶デイスプ
レィを固定したガラス基板上の電極をプロービングして
いる状態を示す概略側面図、第4図はプロービング探針
ユニットの下面図、第5図および第6図はそれぞれ従来
のプローブカードの平面図および断面図である。 1・・・探針       2・・・支持リング3・・
・プリント基板   4・・・導体パターン11.12
・・・透明絶縁体基板 13.13°・・・導電性薄膜 14・・・金属細線    15・・・目印16・・・
液晶デイスプレィ 17・・・ガラス基板   18・・・電極第  1 
 図 第2図 C璽) 第  3  図 5J4 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、導電性の探針群を複数、電気絶縁体の基板上の所定
    の位置に配設したことを特徴とするプロービング探針ユ
    ニット。 2、それぞれの探針は、金属細線をブリッジ状に取付け
    て形成してなる請求項1記載のプロービング探針ユニッ
    ト。 3、金属細線を、ワイヤボンダでブリッジ状に取付てな
    る請求項2記載のプロービング探針ユニット。 4、金属細線を固定する電気絶縁体基板は、ガラスや石
    英、樹脂等の材質よりなる透明基板であり、その表面に
    は探針へ通じる導電性薄膜が形成されている請求項1な
    いし3のいずれかに記載のプロービング探針ユニット。
JP63079966A 1988-03-31 1988-03-31 プローブカード Expired - Lifetime JPH0833415B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63079966A JPH0833415B2 (ja) 1988-03-31 1988-03-31 プローブカード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63079966A JPH0833415B2 (ja) 1988-03-31 1988-03-31 プローブカード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01250865A true JPH01250865A (ja) 1989-10-05
JPH0833415B2 JPH0833415B2 (ja) 1996-03-29

Family

ID=13705054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63079966A Expired - Lifetime JPH0833415B2 (ja) 1988-03-31 1988-03-31 プローブカード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0833415B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0429345A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd フラットディスプレイの検査方法
JPH0433353A (ja) * 1990-05-30 1992-02-04 Fujitsu Ltd Icチップの試験装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62187871U (ja) * 1986-05-22 1987-11-30

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62187871U (ja) * 1986-05-22 1987-11-30

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0429345A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd フラットディスプレイの検査方法
JPH0433353A (ja) * 1990-05-30 1992-02-04 Fujitsu Ltd Icチップの試験装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0833415B2 (ja) 1996-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6419844B1 (en) Method for fabricating calibration target for calibrating semiconductor wafer test systems
KR20010106477A (ko) 반도체소자검사용 기판의 제조방법
JPH10206464A (ja) プローブ装置
JP2012127731A (ja) 電気的接続装置及びその製造方法
JPH01250865A (ja) プローブカード
JPH11154694A (ja) ウェハ一括型測定検査用アライメント方法およびプローブカードの製造方法
JP3204146B2 (ja) コンタクトプローブおよびその製造方法、並びにコンタクトプローブを備えたプローブ装置
JP4185218B2 (ja) コンタクトプローブとその製造方法、および前記コンタクトプローブを用いたプローブ装置とその製造方法
JP3446636B2 (ja) コンタクトプローブ及びプローブ装置
JPH06174746A (ja) 耐温プローブカード
JP3346279B2 (ja) コンタクトプローブおよびそれを備えたプローブ装置並びにコンタクトプローブの製造方法
JPH1116961A (ja) 屈曲部を有する金属体およびその成形方法と前記金属体を用いたコンタクトプローブおよびその製造方法
JPH1194910A (ja) プローブ検査装置
JP4185225B2 (ja) コンタクトプローブの検査装置
JPH11352151A (ja) コンタクトプローブおよびそれを備えたプローブ装置並びにコンタクトプローブの製造方法
JPH10239399A (ja) エッジセンサー並びにそれを備えたコンタクトプローブおよびそれらを備えたプローブ装置
JPH10288629A (ja) コンタクトプローブおよびこれを備えたプローブ装置
JP4630784B2 (ja) プローブユニット及びその製造方法
JPH10221371A (ja) コンタクトプローブおよびその製造方法と前記コンタクトプローブを備えたプローブ装置
JPH10300782A (ja) プローブ装置およびその組立方法
JP2003329734A (ja) 検査装置及び検査部材とその製造方法
JPH10239353A (ja) コンタクトプローブおよびそれを備えたプローブ装置並びにコンタクトプローブの製造方法
JP3825290B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JPH1164380A (ja) 屈曲部を有する金属体の成形方法とこの成形方法を用いたコンタクトプローブの製造方法
JPS6311725Y2 (ja)