JPS6325820A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

Ａ　産業上の利用分野 Ｂ　発明の概要 Ｃ従来の技術 Ｄ　発明が解決しようとする問題点 Ｅ　問題点を解決するための手段（第１図）Ｆ　作用 Ｇ　実施例 Ｇ１一実施例（第１図〜第３図） Ｇ２他の実施例（第４図） Ｈ発明の効果 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、交流バイアス磁界を用いる、磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下ＭＲ型磁気ヘッドという）に係わる。

Ｂ　発明の概要 本発明は、交流バイアス磁界を用いるＭＲ型磁気ヘッド
において、感磁素子の両端に接続゛された１対の信号導
出線を、バイアス導線により形成されるバイアスループ
を横切ってその主面に垂直な方向に重ねて形成すること
により、バイアス導線と信号導出線との間の電磁結合を
回避して、不要交流成分が信号導出線に誘起されること
を防止するようにしたものである。

Ｃ従来の技術 従来、一般のＭＲ型磁気ヘッドは、その感磁素子が単層
の磁気抵抗効果を有する磁性層（以下ＭＲ磁性層という
）によって構成され、このＭＲ磁性層に与えられる信号
磁界に基づく抵抗変化を検出するために、センス電流が
、ＭＲ磁性層に対し、その面方向に沿い、且つ磁気記録
媒体との対接（ないしは対向）面のトランク幅方向に沿
う方向に、つまり、磁気記録媒体から与えられる信号磁
界と直交する方向に流されていた。

Ｄ　発明が解決しようとする問題点 この単層のＭＲ磁性層は、磁気異方性エネルギー、形状
異方性等に起因する静磁エネルギー等の和が層全体とし
て最小となるような磁区構造をとる。すなわち、第５図
に示すように、この単層磁性層が、長方形の薄膜磁性層
（５１）であり短辺方向に磁気異方性を有する場合、そ
の面内において、短辺方向に沿って磁化方向が交互に逆
向きの磁区（５２）　　（（５２ａ）　、　　（５２ｃ
）　　・・弓が生じると共に、これら隣り合う磁区（５
２）に関して閉ループを形成するように、その両端間に
、磁性層（５Ｉ）の長辺方向に沿って順次逆向きの磁区
（５３）（（５３ｂ　）　、　　（５３ｄ　）　　・・
・）が生じている。したがって、このような磁性層に外
部磁界が与えられると各磁区間の磁壁（５４）　、　　
（５５）が不連続に移動し、これによりバルクハウゼン
ノイズが発生するという問題があった。

このようなバルクハウゼンノイズを回避するために、本
出願人は、既に特訓昭６０−２４７７５２号において積
層ＭＲ型磁気ヘッドを提案している。

まず、第６図〜第８図を参照しながら、既提案のＭＲ型
磁気ヘッドに用いる積ＦｉＭＲ感磁素子゛について説明
する。

既提案においては、第６図に示すように、感磁素子（２
）は、非磁性中間層（３）を介して、その上下に少くと
も一方がＭＲ磁性層より成り、夫々軟磁性体より成る磁
性層（４）及び（５）の積層構造とする。非磁性中間層
（３）の厚さは、陶磁性層（４）及び（５）間に、クー
ロンの法則に従う静磁的相互作用が支配的に作用するよ
うな厚さ、例えば５〜５０００人に選定する。また、両
値性Ｎ（４）及び（５）は、その飽和磁束密度、厚さ等
の選定によって陶磁性層（４）及び（５）の磁束量が一
致するように選定される。

感磁素子（２）の陶磁性層（４）及び（５）をＭＲ磁性
層とするときは、陶磁性層（４）及び（５）は同一の材
料、寸法形状とすることが望ましいが、一方をＭＲ効果
がないか殆んどない材料によって構成するときは、この
磁性層は、ＭＲ効果のある磁性層に比し充分大なる電気
抵抗を有するようにその材料及び厚さ等の選定を行う。

既提案においては、その感磁素子（２）は、非磁性中間
層（３）を介して、磁性層（４）及び（５）が積層され
た構造とされていることによって、外部磁界が与えられ
ていない状態では、第６図に示すように、磁性層（４）
及び（５）は、矢印Ｍ４及びＭ５で示すように夫々磁化
容易軸Ａｓの方向に互いに反平行の磁化状態にあり、陶
磁性層（４）及び（５）に関して、磁束が全体的に閉じ
た状態にあり、磁壁が生じていない。

このような感磁素子（２）に対し、その磁化困難軸Ａｈ
の方向に外部磁界Ｈを強めていくと、第７図Ａに示す外
部磁界が加えられない反平行の磁化状態から、外部磁界
Ｈにより同図Ｂに示すように磁化が回転し、更に強い外
部磁界により、同図Ｃに示すように、陶磁性層（４）及
び（５）が同方向に磁化される。第７図においてはその
磁化状態を、磁性層（５）に関しては実線矢印で、磁性
層（４）に関しては破線矢印で模式的に示す。この場合
側磁性層（４）及び（５）においてその面内で磁化が回
転するので、磁壁が生ずることがない、つまり、陶磁性
層（４）及び（５）の磁化困難軸方向を磁束の伝搬方向
とすることによって磁壁移動に起因するバルクハウゼン
ノイズが回避される。

次に既提案によるＭＲ磁気ヘッドの動作を第８図を参照
して説明する。第８図は、感磁素子（２）の陶磁性層（
４）及び（５）のみを模式的に示したもので、これら磁
性層（４）及び（５）は初期状態で、同図Ａ中に示すよ
うに、幅方向に磁化容易軸Ａｅを有する。

そして内磁地層（４）および（５）にセンス電流Ｉを通
ずると、非磁性中間層（図示せず）を挟んで対向する内
磁地層（４）及び（５）にはセンス電流■と直交する互
いに逆向きの磁界が発生し、これによって磁性層（４）
及び（５）は同図に実線及び破線矢印Ｍ４及びＭ５で示
すように磁化される。

一方、この感磁部（２）に電流Ｉに沿う方向に外部から
バイアス磁界Ｈ８が与えられると、このバイアス磁界Ｈ
Ｂによって、磁性層（４）及び（５）の磁化の向きは、
同図Ｂに矢印Ｍｏｂ及びＭｓｂで示すように、所要の角
度だけ回転される。このバイアス磁界ＨＢによって与え
られる磁化の方向は、電流■の方向に対してほぼ４５°
となるように、そのバイアス磁界ＨＥの大きさが選ばれ
る。

尚、このようにバイアス磁界ＨＢによってセンス電流■
に対してほぼ４５°の磁化を与えることによって高い感
度と直線性を得ることができることについては、通常の
ＭＲ型磁気ヘッドにおいて行われていると同様である。

そして、この状態で第８図Ｃに示すように、信号磁界Ｈ
Ｓがセンス電流■に沿う方向、すなわち磁化困難軸Ａｈ
の方向に与えられると磁化が回転し、矢印Ｍ４Ｓ及びＭ
５５に示すように、その磁化の方向が時計方向及び反時
計方向にそれぞれ角度θ１及び−０１回転する。これに
よって各磁性層（４）及び（５）がＭＲ磁性層である場
合は、夫々抵抗変化が生じることになるが、このＭＲ磁
性層の抵抗の変化は角度の変化をθとするときｃｏｓ２
　θに比例するので、今、第８図Ｂにおける内磁地層（
４）及び（５）の磁化Ｍｏｂ及びＭｓｂが互いに９０°
ずれているとすると、θ、及び−θ１の変化で、内磁地
層（４）及び（５）に関して抵抗の変化の増減が一致す
る。つまり、一方の磁性ＴＩ（４１の抵抗が増加すれば
、他方の磁性層（５）もその抵抗は増加する方向に変化
する。そして、これら磁性層（４）及び（５）の抵抗変
化、すなわち感磁素子（２）の両端の端子ｔ１及びｔ２
間に抵抗変化を生じ、この抵抗変化を端子ｔ１及びｔ２
間の電圧変化として検出することができる。

第８図の例では信号磁界Ｈｓに対して略々直交する方向
に磁化容易軸Ａｅを有する磁性層について述べたが、磁
性層の主面内に磁気異方性を有しない等方的磁性層を用
いても同様である。この場合には、比較的小さなセンス
電流を流せば、磁化方向がセンス電流と直交し、つまり
信号磁界の方向と直交するため、バルクハウゼン雑音は
発生しない。

上述したように、既提案のＭＲ型磁気ヘッドにオイテハ
、ＭＲ感１素子（２１を、磁性ｊ’ｉ　（４１及び（５
）が非磁性中間層（３）の介在によって、静磁的結合状
態にあるように、つまり、クーロンの法則に従う相互作
用による結合が充分強い状態にある積層構造とされ、し
かも信号磁界Ｈ５とセンス電流Ｉの方向を同方向とした
ことによってバルクハウゼンノイズが確実に排除される
。

ところで、前述のように、ＭＲ感磁素子（２）の抵抗値
の変化はｃｏｓ２　θに比例するため、これに基く信号
出力には２次高調波歪が付随する。また、抵抗値の変化
分が高々５％程度と小さいものであるのに対して、抵抗
値の温度係数が１度当り約０．３％程度と大きいため、
温度ドリフトが大きい。

更に、動作時に磁気記録媒体と摺接する場合は、ヘッド
の温度が不規則に変化し、所謂、摺動ノイズが発生する
。

直流バイアス磁界を用いるＭＲヘッドの、上述のような
問題点を解消するために、本出願人は、特開昭６１−５
４００５号（特願昭５９−１７６４７６号）において、
交流バイアス磁界を用いる「磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置」を既に提案している。

本出願人による上述の交流型ＭＲヘッド装置は、比較的
大振幅の両極性矩形波バイアス磁界と、この矩形波に同
期させた極性反転出力とを用いることにより、単一のＭ
Ｒ感磁素子を有しながら、等測的に差動型ＭＲヘッドを
構成するものである。

これにより、特性曲線の非直線性が改善されて、歪のな
い再生信号が得られる。

また、前述の温度ドリフトや摺動ノイズはこの等測的差
動ＭＲヘッドに対して同相となるため、その影響は充分
に抑圧される。

更に矩形波による変調増幅となるため、直流を含む超低
周波磁界の検出が可能であると共に、矩形波の周波数が
高く選定されるため、増幅器の入力インピーダンスが低
い場合でも、結合コンデンサの容量を小さく選定するこ
とができる。

ところで、既提案のＭＲヘッドでは、通常、第９図に示
すように、１対の端子（２Ｃ）及び（２ｄ）に、それぞ
れ信号導出線（リード）（２ｃｃ）及び（２ｄｄ　）を
介して、積層ＭＲ感磁素子（２）が「コ」字状に接続さ
れ、他の１対の端子（１０ａ）及び（ＩＱｂ）にＭＲ感
磁素子（２）及びリード（２ｄｄ）を跨いでバイアス導
線（１０）が同じく「コ」字状に接続される。ＭＲ感磁
素子（２）からのリード（２ｃｃ）。

（２ｄｄ　）の抵抗を小さくするために、通常、端子（
２ｃ）及び（２ｄ）はバイアス導線（１０）のための端
子（１０ａ）及び（１０ｂ　）の内側に配される。

そして、第１０図に示すように、バイアス電流源（２２
）及び増幅器（２４）がＭＲヘッドの各端子と、例えば
フレキシブル印刷配線板のような多条平行リード（図示
せず）を介して接続される。なお、第１０図では、ＭＲ
感磁素子（２）にセンス電流ＩＭＲを流すための定電流
源や結合コンデンサの図示は省略されている。

ところが、ＭＲヘッドの各端子が第９図のように配設さ
れている場合、ＭＲ感磁素子（２）から、端子（２ｃ）
及び（２ｄ）を経て、増幅器（２４）に至る出力信号経
路と、バイアス電流源（２２）から、端子（１０ａ）及
び（１０ｂ）を経て、バイアス導線（１０）に至る電流
供給経路とは、かなりの長さとなる多条平行リードの区
間で電磁的に結合している。

また、ＭＲヘッド内では、端子（１０ａ）から、バイア
ス導線（１０）を経て、端子（１０ｂ）に流れるバイア
ス電流１Ｂによって発生する磁束が、積ＮＭＲ感磁素子
（２）と両リード（２ｃｃ　）及び（２ｄｄ　）によっ
て形成される信号導出ループに鎖交する。

加えて、ＭＲ感磁素子（２）及びバイアス導線（１０）
等は、後述のように、磁性基板（１）（第２図参照）に
きわめて近接しており、バイアス導線（ｌＯ）を含むバ
イアスループはＭＲ感磁素子（２）を含む信号導出ルー
プと電磁的にかなり密に結合している。

等測的には、ＭＲヘッドのこの結合状態は、第１０図に
示すように変成器Ｔ１として表わされる。

即ち、変成器Ｔ１の１次巻線（ＩＯｌ）及び２次巻線（
２１）は、バイアス導線（１０）を含むバイアスループ
及びＭＲ感磁素子（２）を含む信号導出ループをそれぞ
れ示す、なお、抵抗器（１０ｒ）及び（２ｒ）はそれぞ
れバイアス導線（１０）及びＭＲ感磁素子（２）の抵抗
器である。

このような電磁結合により、信号出力経路にバイアス電
流の周波数の不要交流成分が誘起される。

バイアス電流ｉＢの周波数は、記録信号の最高周波数の
例えば３倍以上のように、かなり高く選定されるため、
信号出力経路に誘起される不要交流成分のレベルはかな
り太き（なり、増幅器（２４）−を飽和させる虞があっ
た。

また、この不要交流成分は、前述の同期化出力信号に著
しいオフセット電圧を発生させてダイナミックレンジを
縮小させるという問題があった。

か＼る点に鑑み、本発明の目的は、信号出力経路とバイ
アス電流供給経路との間の不要な電磁結合を回避した磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを提供するところにある。

Ｅ　問題点を解決するための手段 本発明は、磁気抵抗効果型の感磁素子の一端に第１の信
号導出線が接続されると共に、感磁素子の他端に第２の
信号導出線が接続され、感磁素子にバイアス磁界を与え
るための交流バイアス電流が流れるバイアス導線により
バイアスループが形成され、第１及び第２の信号導出線
がバイアスループを横切ると共に、バイアスループの主
面に垂。

直な方向に重なって形成された磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドである。

Ｆ　作用 か＼る構成によれば、信号出力経路とバイアスループと
の電磁結合が回避されて、信号導出線からの不要交流成
分の導出が防止される。

Ｇ　実施例 Ｇ１一実施例 以下、第１図〜第３図を参照しながら、本発明による磁
気抵抗効果型磁気ヘッドをシールド型磁気ヘッドに適用
した一実施例について説明する。

本発明の一実施例の機械的構成を第１図及び第２図に示
す。この両図において、第９図に対応する部分には同一
の符号を付して一部説明を省略する。

第１図において、ＭＲ感磁素子（２）の一端（２ａ）に
幅狭のリード（２ａａ）が接続されると共に、他端（２
ｂ）に幅広のリード（２ｃｃ）が接続される。

後述のように、幅広のリード（２ｃｃ　）は下層に形成
され、このリード（２ｃｃ）及びＭＲ感磁素子（２）の
上に、適宜の絶縁層を介して、幅狭のリード（２ａａ）
が重なって形成される。これらのリード（２ａａ）及び
（２ｃｃ）並びにＭＲ感磁素子（２）は、それぞれの中
心線が同一垂直面上にあるように、対称に配設されるこ
とが望ましい。下層のリード（２ｃｃ）が端子（２ｃ）
に接続されると共に、上層のり−ド（２ａａ）が端子（
２ｄ）に接続される。バイアス導線（１０）の１対の端
子（１０ａ　）及び（１０ｂ　）が互いに隣接して配設
され、一方のリード部（１０ｂｂ）が、バイアス導線（
１０）と略ｒＵＪ字状をなすように折曲げられて、端子
（１０ｂ　）に接続される。

バイアス導線（１０）がＭＲ感磁素子（２）及び上層の
リード（２ａａ）を跨ぐと共に、バイアス導線（１０）
のリード部（１０ｂｂ）が上層及び下層のリード（２ａ
ａ）及び（２ｃｃ　）を跨いで配設される。なお、信号
導出用の端子（２ｃ）及び（２ｄ）はバイアス導線（１
０）のための端子（１０ａ）及び（１０ｂ　）の外側に
配設される。

第１図の実施例の■−■碌における断面を第２図に示す
。

第２図において、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｉ’Ｉｎ−
Ｚｎ系フェライト等の磁性基板（１１の上に、この基板
（１）が導電性を有する場合は、５ｉ０２等の非磁性絶
縁層を形成し、これの上にＭＲ感磁素子（２）を、磁気
記録媒体との対接ないしは対向面（６）に一端が臨むよ
うに形成する。ＭＲ感磁素子（２）の他端に非磁性の導
電層（２ｃｃ）を接続し、この導電層（２ｃｃ）の上に
、絶縁層を介して、導電層（２ａａ　）を形成するにの
導電層（２ａａ　）は、絶縁層に適宜設けられた窓を通
して、ＭＲ感磁素子（２）の一端に接続される。

また、導電層（２ａａ　）を横切ってこれらの上には、
絶縁層を介してバイアス導電層（１０）及び（１０ｂｂ
）を設け、更に絶縁層を介して、磁性板（１２）を設け
る。

ＭＲ素子（２）は、その磁性ｉｉ　（４）及び（５）の
うちの少くとも一方のＭＲ効果のある磁性層を、例えば
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか或いはその２種以上の合金
層によって構成し得る。また、磁性層（４）または（５
）のいずれか一方をＭＲ効果のない磁性層によって構成
する場合は、高透磁率の例えばセンダスト、Ｍｏパーマ
ロイ、Ｇｏ系アモルファス合金膜等によって構成し得る
。また非磁性中間層（３）としては、５ｔ（ｈ　＋　Ａ
ｌ３Ｎ３　＋　Ｔｉ　、　Ｍｏ等の非磁性膜によって構
成し得るものであり、各層（３）　、　（４１及び（５
）は、夫々スパッタリング等によって形成し得る。この
ようにして、例えば３００人厚のＮｉＦｅ合金磁性層を
４０人のＳｉＯ２を介してＭｉ層した４μ×４μのＭＲ
感磁素子が得られる。

上述の構成により、第１図の実施例においては、ＭＲ感
磁素子（２）からの出力信号経路のうち、ヘッドと増幅
器（２４）とを接続する多条平行リード（図示せず）の
区間ではバイアス電流ｉ　ｃｃによる磁束が鎖交せず、
この区間の電磁結合は実質的に零となる。

また、第１図の実施例においては、上層のリード（２ａ
ａ）がＭＲ感磁素子（２）及び下層のリード（２ｃｃ　
）と形成する信号導出ループは、磁性基板（１）及び磁
性板（１２）の間にあって、バイアス導線（１０）及び
そのリード部（１０ｂｂ）が形成するバイアスループと
きわめて接近している。しかしながら、信号導出ループ
とバイアスループとは、双方の主面及び通電方向がそれ
ぞれ互に垂直となる°ように配設されており、このため
、バイアス電流ｔＢによる磁束は信号導出ループと鎖交
しない。

なお、微視的には、上層のリード（２ａａ）並びに下層
のリード（２ｃｃ）及びＭＲ感磁素子（２）の幅が異な
るため、幅の差に相当する幅狭のループが信号導出ルー
プの左右の側縁に形成され、この側縁ループにバイアス
電流による磁束が鎖交すると考えられる。しかしながら
、第１図の実施例においては、信号導出ループのＭＲ１
３磁素子（２）、り一ド（２ａａ）及び（２ｃｃ）は、
各中心線を揃えて、対称に配置されているため、信号導
出ループの両側縁ループとバイアスループとの電磁結合
は互に逆極性となっている。また、ＭＲ感磁素子（２）
、リード（２ａａ）及び（２ｃｃ）が対称に配設されて
いるため、両ＩＩＩ縁ループがそれぞれバイアスループ
と重なる面積は互に等しくなり、両側縁ループとバイア
スループとの結合度もまた互に等しくなる。

この信号導出ループの両側縁ループとバイアス１　　　
　　　　ループとの結合状態は、第３図に示すように、
等測的に２個の変成器Ｔ１及びＴ２として表わされる。

そして、上述のように、左及び右の側縁ループの電磁結
合が互に逆極性であるため、例えば、第１及び第２の変
成器Ｔ１及びＴ２の各１次巻線（ＩＯｌ）及び（１０ｍ
　）が同極性で直列に接続されるに対して、各２次巻線
（２１）及び（２ｍ）が互に逆極性で並列に接続される
。これにより、第３図の両変成器Ｔ工及びＴ２の各２次
巻線（２り）及び（２ｍ）に誘起されるバイアス交流成
分が相殺される。

第１図の実施例では、下層のリード（２ｃｃ）を幅広に
すると共に、上層のリード（２ａａ）を幅狭としたが、
これとは逆に、下層のリードを幅狭に形成し、上層のリ
ードを幅広く被せるようにしてもよい。この場合も、上
述の理由から、左右対称であることが望ましい。

本実施例によれば、１対の信号導出線を、バイアスルー
プを横切ってその主面と垂直な方向に重ねて形成したた
め、信号導出ループにバイアス交流成分が導出されるこ
とがな（、増幅器の飽和。

オフセントによるダイナミックレンジの縮小等の問題が
解消される。

Ｇ２他の実施例 次に、第４図を参照しながら、本発明をヨーク型磁気へ
７ドに通用した他の実施例について説明する。

本発明の他の実施例の構成を第４図に示す。この第４図
において、第１図及び第９図に対応する部分には同一の
符号を付して重複説明を省略する。

第４図において、図示を省略した磁性基板（第２図参照
）の上に、絶縁層を介して、バイアス導線（１０）が略
ｒＵＪ字状に形成され、バイアス導線（１０）の上に、
更に絶縁層を介して、積層ＭＲ感磁素子（２）が形成さ
れる。

そして、このＭＲ感磁素子〔２）を挟んで、その前方及
び後方、すなわち記録媒体との対向ないしは対接面側と
これとは反対側との両端部に前方磁性層（８）と後方磁
性層（９）とが配置される。これら磁性層（８）及び（
９）は例えば電気伝導性を有し、かつＭＲ効果が殆どな
く、磁気異方性をセンス電流と直角方向に有する金属磁
性層によって構成される。前方磁性層（８）は、その一
端が磁気記録媒体との対接ないしは対向面に臨み、この
面から後退して配設されたＭＲ感磁素子（２）に信号磁
束を導（、所謂、ヨークである。また、後方磁性層（９
）は、絶縁層に適宜穿設された窓を通して、磁性基板（
図示を省略）に密に結合される。

本実施例においては、上層のリード（２ａａ）が前方磁
性層（８）に接続されると共に、下層のリード（２ｃｃ
）が後方磁性層（９）に接続される。

か＼る構成により、本実施例においても、前述の一実施
例と同様に、バイアスループと両信号導出ループとの電
磁結合が回避されて、信号出力経路への不要交流成分の
導出が防止される。

Ｈ発明の効果 以上詳述のように、本発明によれば、バイアス導線と磁
気抵抗効果型の感磁素子の信号導出線との間の電磁結合
に対して、感磁素子の両端に接続された信号導出線がバ
イアス導線により形成されるバイアスループを横切って
その主面に垂直な方向に正なって形成されるようにした
ので、バイアス系と信号系との間の電磁結合が回避され
て、不要交流成分の導出が防止された磁気抵抗効果型磁
気ヘッドが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの一実施例の機械的構成を示す路線平面図及び断面
図、第３図は本発明の一実施例の微視的等価回路を示す
結線図、第４図は本発明の他の実施例を示す斜視図、第
５図〜第７図は本発明を説明するための斜視図及び平面
図、第８図は既提案の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの動作
状態を説明するための概念図、第９図は既提案の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの機械的構成例を示す路線平面図、
第１０図は既提案の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの等価回
路を示す結線図である。 （２）は磁気抵抗効果型感磁素子、（２ａａ）　、　　
（２ｃｃ　）は信号導出線、（１０）はバイアス導線で
ある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 磁気抵抗効果型の感磁素子の一端に第１の信号導出線が
   接続されると共に、上記感磁素子の他端に第２の信号導
   出線が接続され、 上記感磁素子にバイアス磁界を与えるための交流バイア
   ス電流が流れるバイアス導線によりバイアスループが形
   成され、 上記第１及び第２の信号導出線が上記バイアスループを
   横切ると共に、 上記バイアスループの主面に垂直な方向に重なって形成
   されたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。