JPH01251760A - 強誘電体記憶装置 - Google Patents
強誘電体記憶装置Info
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- JPH01251760A JPH01251760A JP63078938A JP7893888A JPH01251760A JP H01251760 A JPH01251760 A JP H01251760A JP 63078938 A JP63078938 A JP 63078938A JP 7893888 A JP7893888 A JP 7893888A JP H01251760 A JPH01251760 A JP H01251760A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置上にＰＺＴ強誘電体膜コンデンサを
形成し、該ＰＺＴ強誘電体膜コンデンサーの電荷蓄積作
用を記憶作用として用いる強誘電体記憶装置の構造に関
する。
形成し、該ＰＺＴ強誘電体膜コンデンサーの電荷蓄積作
用を記憶作用として用いる強誘電体記憶装置の構造に関
する。
従来、半導体装置上にＰＺＴ強誘電体膜を形成した強誘
電体記憶装置は、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ／Ｆｅｂｒ
ｕａｒｙ １ Ｂ 、 １９８８ Ｐ、Ｐ、９１−９
５に示されている如く、まず、半導体装置が形成されて
成る基板上にＳ１Ｏ，膜等の誘電体膜を介して、前記半
導体装置における拡散層から前記誘電体膜に開けられた
コンタクト穴を通して、第１の電極が延在して形成され
、該電極上にＰＺＴ膜を部分的に形成し、更に、該ＰＺ
Ｔ膜上に第２の電極が形成されて成るのが通例であった
。
電体記憶装置は、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ／Ｆｅｂｒ
ｕａｒｙ １ Ｂ 、 １９８８ Ｐ、Ｐ、９１−９
５に示されている如く、まず、半導体装置が形成されて
成る基板上にＳ１Ｏ，膜等の誘電体膜を介して、前記半
導体装置における拡散層から前記誘電体膜に開けられた
コンタクト穴を通して、第１の電極が延在して形成され
、該電極上にＰＺＴ膜を部分的に形成し、更に、該ＰＺ
Ｔ膜上に第２の電極が形成されて成るのが通例であった
。
しかし、上記従来技術によると、ＰＺＴ膜形成による強
誘電体記憶装置に大面積を要し、高集積化に向かないと
云う課題と、強誘電体膜形成領域を限定する為に、強誘
電体膜領域形成工程すなわち、ホト・エツチング工程が
余分に必要となると云う課題があった。
誘電体記憶装置に大面積を要し、高集積化に向かないと
云う課題と、強誘電体膜形成領域を限定する為に、強誘
電体膜領域形成工程すなわち、ホト・エツチング工程が
余分に必要となると云う課題があった。
上記課題を解決するために、本発明は強誘電体記憶装置
に係り、 （１） 半導体基板上に拡散層領域を形成し、該拡散
層領域上に、ＰＺＴ膜を直接あるいは５１ｏ２膜等の誘
電体膜を介して、あるいはＴ１膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＳｉ
膜やｐａ膜等の電極膜を介して形成する手段をとる事、
及び、（２） 半導体基板上に５ｉｎ２膜等の誘電体
膜を介してＰＺＴ膜を電極コンタクト部を除くほぼ全面
にわたって形成する手段をとる事、である。
に係り、 （１） 半導体基板上に拡散層領域を形成し、該拡散
層領域上に、ＰＺＴ膜を直接あるいは５１ｏ２膜等の誘
電体膜を介して、あるいはＴ１膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＳｉ
膜やｐａ膜等の電極膜を介して形成する手段をとる事、
及び、（２） 半導体基板上に５ｉｎ２膜等の誘電体
膜を介してＰＺＴ膜を電極コンタクト部を除くほぼ全面
にわたって形成する手段をとる事、である。
（１） 半導体装置基板に開けるコンタクト穴部に限
定してＰＺＴ膜による電荷蓄積領域を設げる事は、強誘
電体記憶装置の集積度を向上する作用がある。又、 （２）ＰＺＴ膜は、絶縁膜であり、記憶部以外に形成し
ても、層間絶縁膜としての作用を果す事が出来、記憶領
域に限定する必要はな（、ＰＺＴ膜形成後にホト・エツ
チング工程を要する事がない等の作用がある。
定してＰＺＴ膜による電荷蓄積領域を設げる事は、強誘
電体記憶装置の集積度を向上する作用がある。又、 （２）ＰＺＴ膜は、絶縁膜であり、記憶部以外に形成し
ても、層間絶縁膜としての作用を果す事が出来、記憶領
域に限定する必要はな（、ＰＺＴ膜形成後にホト・エツ
チング工程を要する事がない等の作用がある。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す強誘電体記憶装置の断
面図である。すなわち、３１基板１上には、拡散層、２
，ＳｉＯ２膜４．ゲートＳ１０．膜５、及びゲート電極
６から成るＭＯ３型Ｆ’Ｅ Ｔのコンタクト部にはＴｉ
５１膜３等のパリや、メタルが形成され、該ＭＯ８型Ｆ
ＥＴ表面全体にｐｚＴ膜７をスパッタ法等で形成後、該
ＰＺＴ膜７は記憶部９以外のコンタクト部は穴明けされ
、電極配線８が形成されて成る。
面図である。すなわち、３１基板１上には、拡散層、２
，ＳｉＯ２膜４．ゲートＳ１０．膜５、及びゲート電極
６から成るＭＯ３型Ｆ’Ｅ Ｔのコンタクト部にはＴｉ
５１膜３等のパリや、メタルが形成され、該ＭＯ８型Ｆ
ＥＴ表面全体にｐｚＴ膜７をスパッタ法等で形成後、該
ＰＺＴ膜７は記憶部９以外のコンタクト部は穴明けされ
、電極配線８が形成されて成る。
ＴｉＳｉ膜３はＴｉ、Ｐ（１あるいはそれらの窒化する
いはシリサイド膜等であっても良く、又、記憶部９に於
ては薄いＳｉＯ２膜やＳｉ３Ｎ４膜等の誘電体膜であっ
ても良い。
いはシリサイド膜等であっても良く、又、記憶部９に於
ては薄いＳｉＯ２膜やＳｉ３Ｎ４膜等の誘電体膜であっ
ても良い。
又、ＰＺＴ膜７は必ずしもコンタクト部を除く全面に形
成する必要はなく、記憶部９に限定して形成されても良
いが、本願の特許請求の範囲第２項では、コンタクト部
を除く全面に形成する必要があるが記憶部９は必ずしも
拡散層２上に形成する必要はない。
成する必要はなく、記憶部９に限定して形成されても良
いが、本願の特許請求の範囲第２項では、コンタクト部
を除く全面に形成する必要があるが記憶部９は必ずしも
拡散層２上に形成する必要はない。
本発明により、集積度が高い強誘電体記憶装置が形成で
きる効果があり、製作工程が簡単にできる効果がある。
きる効果があり、製作工程が簡単にできる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す強誘電体記憶装置の断
面図である。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・拡散層 ５・・・・・・・・・ＴｉＳｉ膜 ４・・・・・・・・・Ｓｉｎ、膜 ５・・・・・・・・・ゲート５ｉｎ２１％６・・・・・
・・・ゲート電極 ７・・・・・・・・・ＰＺＴ膜 ８・・・・・・・・・電極配線 ９・・・・・・・・・記憶部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
面図である。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・拡散層 ５・・・・・・・・・ＴｉＳｉ膜 ４・・・・・・・・・Ｓｉｎ、膜 ５・・・・・・・・・ゲート５ｉｎ２１％６・・・・・
・・・ゲート電極 ７・・・・・・・・・ＰＺＴ膜 ８・・・・・・・・・電極配線 ９・・・・・・・・・記憶部 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (2)
- （１）半導体基板上には拡散層領域が形成され、該拡散
層領域上には鉛・ジルコニウム・チタン酸（ＰＺＴ）か
ら成る強誘電体膜が、直接あるいはＳｉＯ＿２膜等の誘
電体膜を介して、あるいはＴｉ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＳｉ
膜やＰｄ膜等の電極膜を介して形成されて成る事を特徴
とする強誘電体記憶装置。 - （２）半導体基板上にＳｉＯ＿２膜等の誘電体膜を介し
て、鉛、ジルコニウム、チタン酸から成る強誘電体膜が
電極コンタクト部を除くほぼ全面にわたって形成されて
成る事を特徴とする強誘電体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63078938A JPH01251760A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 強誘電体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63078938A JPH01251760A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 強誘電体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251760A true JPH01251760A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=13675822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63078938A Pending JPH01251760A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 強誘電体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01251760A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03218680A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-26 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置とその製造方法 |
| WO1991016731A1 (fr) * | 1990-04-24 | 1991-10-31 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semiconducteur avec materiau ferro-electrique et procede de production de ce dispositif |
| WO1991019322A1 (fr) * | 1990-06-01 | 1991-12-12 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication de dispositifs a semiconducteurs |
| WO1991019321A1 (fr) * | 1990-06-01 | 1991-12-12 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication de dispostifs a semiconducteurs |
| WO1992002048A1 (fr) * | 1990-07-24 | 1992-02-06 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur |
| WO1992002049A1 (fr) * | 1990-07-24 | 1992-02-06 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semiconducteur |
| WO1992002050A1 (fr) * | 1990-07-24 | 1992-02-06 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semiconducteur contenant un materiau ferroelectrique |
| WO1992002955A1 (fr) * | 1990-08-07 | 1992-02-20 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur |
| US5343353A (en) * | 1991-08-28 | 1994-08-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and process of producing the same |
| US5384729A (en) * | 1991-10-28 | 1995-01-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor storage device having ferroelectric film |
| US6940741B2 (en) | 1990-08-03 | 2005-09-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device and methods of operation thereof |
| EP1244144A4 (en) * | 1999-12-14 | 2007-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD OF OPERATION |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63078938A patent/JPH01251760A/ja active Pending
Cited By (13)
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| KR100349999B1 (ko) * | 1990-04-24 | 2002-12-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 강유전체를구비한반도체장치및그제조방법 |
| WO1991019322A1 (fr) * | 1990-06-01 | 1991-12-12 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication de dispositifs a semiconducteurs |
| WO1991019321A1 (fr) * | 1990-06-01 | 1991-12-12 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication de dispostifs a semiconducteurs |
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| EP1244144A4 (en) * | 1999-12-14 | 2007-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD OF OPERATION |
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