JPH01253944A - 半導体装置用部品 - Google Patents
半導体装置用部品Info
- Publication number
- JPH01253944A JPH01253944A JP63081239A JP8123988A JPH01253944A JP H01253944 A JPH01253944 A JP H01253944A JP 63081239 A JP63081239 A JP 63081239A JP 8123988 A JP8123988 A JP 8123988A JP H01253944 A JPH01253944 A JP H01253944A
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- JP
- Japan
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- metal
- cap
- aln
- alloy
- soft
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高熱伝導性を付与した高信頼性の半導体装置
用部品に関する。
用部品に関する。
［従来の技術］
高度の信頼性を要求される半導体対土用のキャップの材
料には、４２アロイ、コバールなどの低膨脹性合金材料
もしくはＡｌ２Ｏ３ムライトなどのセラミックス材料が
採用されている。その構造は、第２図並びに第３図に示
すとおりである。すなわち、図において、半導体素子３
はセラミックス基板４の上に搭載され、これにキャップ
ｌがかぶせであるが、特にキャップｌが絶縁性のあるセ
ラミックス（例えばアルミナ、ムライトなど）であると
き、すなわち、第２図の場合はキャップｌの周縁にスカ
ート状の低膨脹性合金材料の金属枠２を、又キャップ１
が導電性の低膨脹性合金材料よりなるとき、すなわち、
第３図の場合はキャップ１と半導体索子３との接触部に
絶縁層５を設けることによって、半導体索子３のリーク
電流を防ぐ構造となっている。なお、図中６はメタライ
ズ部、１１はヒートシンクである。このような構造のた
め、高気密性で高信頼性のキャップが採用されていた。
料には、４２アロイ、コバールなどの低膨脹性合金材料
もしくはＡｌ２Ｏ３ムライトなどのセラミックス材料が
採用されている。その構造は、第２図並びに第３図に示
すとおりである。すなわち、図において、半導体素子３
はセラミックス基板４の上に搭載され、これにキャップ
ｌがかぶせであるが、特にキャップｌが絶縁性のあるセ
ラミックス（例えばアルミナ、ムライトなど）であると
き、すなわち、第２図の場合はキャップｌの周縁にスカ
ート状の低膨脹性合金材料の金属枠２を、又キャップ１
が導電性の低膨脹性合金材料よりなるとき、すなわち、
第３図の場合はキャップ１と半導体索子３との接触部に
絶縁層５を設けることによって、半導体索子３のリーク
電流を防ぐ構造となっている。なお、図中６はメタライ
ズ部、１１はヒートシンクである。このような構造のた
め、高気密性で高信頼性のキャップが採用されていた。
［発明が解決しようとする問題点］
半導体素子の発熱量の増大に伴い、熱放散性の優れたキ
ャップの開発が急がれている。例えば高熱伝導性の金属
材料によるキャップを用いたとしても、前述のように絶
縁部分を設ける必要があり、コストが上昇するばかりで
なく、熱伝導性に問題が生じる。
ャップの開発が急がれている。例えば高熱伝導性の金属
材料によるキャップを用いたとしても、前述のように絶
縁部分を設ける必要があり、コストが上昇するばかりで
なく、熱伝導性に問題が生じる。
そこで、高熱伝導性でしかも絶縁性のある材料を用いた
キャップが注目されている。それらの候補材料としては
、Ｂｅ０１ＳｉＣ，ＡｌＮが考えられるが、ＢｅＯ，Ｓ
ｉＣは毒性と供給不安定の点で問題がある。したがって
ＡｌＮが最もＲ力であるが、ＡｌＮを用いた半導体装置
用部品を作製するために、ＡｌＮ表面の金属枠と接合す
る個所に金属処理を施した後、金属ろう付けで金属枠を
ろう付けする必要がある。
キャップが注目されている。それらの候補材料としては
、Ｂｅ０１ＳｉＣ，ＡｌＮが考えられるが、ＢｅＯ，Ｓ
ｉＣは毒性と供給不安定の点で問題がある。したがって
ＡｌＮが最もＲ力であるが、ＡｌＮを用いた半導体装置
用部品を作製するために、ＡｌＮ表面の金属枠と接合す
る個所に金属処理を施した後、金属ろう付けで金属枠を
ろう付けする必要がある。
金属ろう付け、例えば銀ろう（Ａｇ−Ｃｕ）付けする場
合、ＡｌＮは室温から銀ろう付は温度（７８０℃）まで
の平均熱膨脹率が５．５Ｘ１０−６に−１と小さいのに
対して、金属枠である鉄−ニッケル系合金の平均熱膨脹
率はｌ０ＸＩＯ嶋に−１（コバール）〜ＩＩＸ ｔｏ−
６ｋ ” （４２アロイ）と極めて高い。このためＡ
ｌＮキャップ内に大きな熱応力による歪が発生する結果
となり、ＡｌＮキャップにクラックや金属枠にソリや変
形が生じるため、寸法精度、気密性、信頼性の高い半導
体装置用部品を実現することはできなかった。
合、ＡｌＮは室温から銀ろう付は温度（７８０℃）まで
の平均熱膨脹率が５．５Ｘ１０−６に−１と小さいのに
対して、金属枠である鉄−ニッケル系合金の平均熱膨脹
率はｌ０ＸＩＯ嶋に−１（コバール）〜ＩＩＸ ｔｏ−
６ｋ ” （４２アロイ）と極めて高い。このためＡ
ｌＮキャップ内に大きな熱応力による歪が発生する結果
となり、ＡｌＮキャップにクラックや金属枠にソリや変
形が生じるため、寸法精度、気密性、信頼性の高い半導
体装置用部品を実現することはできなかった。
そこで本発明は高発熱量の半導体素子を実装するため、
熱放散性のよいＡｌＮキャップを用い、このＡｌＮキャ
ップに金属枠を十分な接合強度で取り付け、ソリ、変形
が少なく、高い気密性、信頼性を有する半導体装置用部
品を提供することを目的とするものである。
熱放散性のよいＡｌＮキャップを用い、このＡｌＮキャ
ップに金属枠を十分な接合強度で取り付け、ソリ、変形
が少なく、高い気密性、信頼性を有する半導体装置用部
品を提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は絶縁基板に搭載された半導体素子を気密に封止
するキャップが、軟金属層を介して低膨脹性金属製枠体
と窒化アルミニウム焼結体との接合により構成されてい
る半導体装置用部品である。
するキャップが、軟金属層を介して低膨脹性金属製枠体
と窒化アルミニウム焼結体との接合により構成されてい
る半導体装置用部品である。
上記において、金属製枠体の構造は、低熱膨脹性金属材
料と軟金属材料からなるもので、低膨脹性金属材料は、
４２アロイ、コバール、Ｆｅ−Ｎｉ合金もしくはＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金材料からなり、軟金属材料はＣｕ、Ｆｅ
、Ｎｉ。
料と軟金属材料からなるもので、低膨脹性金属材料は、
４２アロイ、コバール、Ｆｅ−Ｎｉ合金もしくはＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金材料からなり、軟金属材料はＣｕ、Ｆｅ
、Ｎｉ。
Ａｌから選ばれた金属またはそれらの合金からなる。
半導体装置用部品はＡｌＮ、軟金属層そして低熱膨脂性
金属層の順の構造からなり、ＡｌＮとそれら一体の金属
枠との接合、あるいはそれぞれの金属枠を別々にろう付
されても作用としては変りない。
金属層の順の構造からなり、ＡｌＮとそれら一体の金属
枠との接合、あるいはそれぞれの金属枠を別々にろう付
されても作用としては変りない。
具体的構成を図面に基づいて説明すると、第１図はその
一例を示すもので、■はＡｌＮ製の基板で、その表面の
一部にメタライズ部６を形成し、このメタライズ部６に
低熱膨張性金属板８を軟金属板９を介して金属ろう ７
をもって接合しである。低熱膨張性金属板８の下端はセ
ラミックス基板４に接合されている。セラミックス基板
４には半導体素子３が搭載されている。
一例を示すもので、■はＡｌＮ製の基板で、その表面の
一部にメタライズ部６を形成し、このメタライズ部６に
低熱膨張性金属板８を軟金属板９を介して金属ろう ７
をもって接合しである。低熱膨張性金属板８の下端はセ
ラミックス基板４に接合されている。セラミックス基板
４には半導体素子３が搭載されている。
さらに、ＡｌＮ製のキャップ１の上面には通常の如くヒ
ートシンク１１が取付けてあり、半導体素子３で発生し
た熱は、キャップｌを通してヒートシンク【１によって
発散され、冷却効果を高める。なお、メタライズ部６と
しては、従来から金属枠をセラミックス基板４にろう付
けする際に使用されているものでよく、例えばＷｌＭ
ｏ 、 Ｍ ｏ −Ｍ ｎ ′：！ＦをＡｌＮ製キ中キ
ヤツプ時焼成あるいはポストメタライズするか、または
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ等を真空蒸着やスパッタリングによっ
て形成する。
ートシンク１１が取付けてあり、半導体素子３で発生し
た熱は、キャップｌを通してヒートシンク【１によって
発散され、冷却効果を高める。なお、メタライズ部６と
しては、従来から金属枠をセラミックス基板４にろう付
けする際に使用されているものでよく、例えばＷｌＭ
ｏ 、 Ｍ ｏ −Ｍ ｎ ′：！ＦをＡｌＮ製キ中キ
ヤツプ時焼成あるいはポストメタライズするか、または
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ等を真空蒸着やスパッタリングによっ
て形成する。
また、使用する金属ろう ７としては、銀ろうが好まし
いが、低熱膨張性金属板８の金属材料やメタライズ層６
にろう材と濡れ性の良い金属の薄い被覆層を形成するこ
と等によって、両者を強固に接合できれば他のろう材で
あってもよい。さらに、銀ろうを用いる場合であっても
、メタライズ層にＷを用いる場合など、必要に応じてそ
の上に薄いメツキ層を形成し、又、低熱膨張性金属板の
表面にも金属ろう ７の濡れ性を安定させるために、必
要に応じてメツキ層を予め形成しておくことが好ましい
。
いが、低熱膨張性金属板８の金属材料やメタライズ層６
にろう材と濡れ性の良い金属の薄い被覆層を形成するこ
と等によって、両者を強固に接合できれば他のろう材で
あってもよい。さらに、銀ろうを用いる場合であっても
、メタライズ層にＷを用いる場合など、必要に応じてそ
の上に薄いメツキ層を形成し、又、低熱膨張性金属板の
表面にも金属ろう ７の濡れ性を安定させるために、必
要に応じてメツキ層を予め形成しておくことが好ましい
。
［作 用］
ＡｌＮ製のキャップに、低熱膨張性金属材料と軟金属材
料からなる金属板をろう付けする場合、選ばれた低熱膨
張性金属材料でも、ＡｌＮとの熱膨張率が異なるために
、それらの間に介在した軟金属層が塑性変形することに
よって応力を緩和することができて、ソリ、変形が少な
くなり、高精度、高信頼性、高気密性の半導体装置部品
を提供することができた。
料からなる金属板をろう付けする場合、選ばれた低熱膨
張性金属材料でも、ＡｌＮとの熱膨張率が異なるために
、それらの間に介在した軟金属層が塑性変形することに
よって応力を緩和することができて、ソリ、変形が少な
くなり、高精度、高信頼性、高気密性の半導体装置部品
を提供することができた。
したがって、ろう付けされる表層部が軟金属材料である
Ｃ ｕ ｓ Ｆ ｅ ） Ｎ ｌ ％ Ａ Ｉの金属あ
るいはそれらの合金からなり、それを介して低熱膨張性
金属材料である４２アロイ（Ｆｅ −４２％Ｎｉ）、コ
バール（Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ）などのＦｅ−
Ｎｉ系合金の金属板とＡｌＮ製キ中キヤツプろう付けし
た場合、熱応力が緩和されるために、接合強度が十分高
く、信頓性のある半導体装置用部品が得られる。
Ｃ ｕ ｓ Ｆ ｅ ） Ｎ ｌ ％ Ａ Ｉの金属あ
るいはそれらの合金からなり、それを介して低熱膨張性
金属材料である４２アロイ（Ｆｅ −４２％Ｎｉ）、コ
バール（Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ）などのＦｅ−
Ｎｉ系合金の金属板とＡｌＮ製キ中キヤツプろう付けし
た場合、熱応力が緩和されるために、接合強度が十分高
く、信頓性のある半導体装置用部品が得られる。
例えば、軟金属材料としてＣｕと低熱膨張性金属材料と
してコバールとの組合せからなる金属板をＡｌＮ製キ中
キヤツプろう付けする場合、銀ろう付は温度の７８０℃
ないしさらに高温から約２００℃までの温度範囲におい
て、Ｃｕが塑性変形してコバールとＡｌＮとの間で発生
した応力を緩和する。したがって、Ｃｕは熱膨張率が１
８Ｘ １０°６に−１とＡｌＮのそれに比べて極めて大
きいにも拘らず、熱応力による歪を殆ど発生することが
ない。ＣｕをＡｇろう付けする場合、Ｔめ、Ｃｕ表面に
Ｎｉめっき処理を施しておくとさらに良い。また、Ｃｕ
が無酸素銅である場合に、熱応力緩和効果は特に顕著で
ある。また、低熱膨張性金属材料として４２アロイ、コ
バールはキャップ材料として工業的に適しているのみで
なく、その熱膨張率が金属材料中でＡｌＮの熱膨張率に
近いので効果的である。又、金属枠体を軟金属板を介し
た低熱膨張性金属板とするのは、軟金属材料のみでは、
それ自体強度が低く、実用上問題があるからである。こ
のため、低熱膨張性金属材料と軟金属材料との組合せに
よる金属枠体を用いることによって、ＡｌＮ製キ中キヤ
ツプ属枠体を十分な接合強度で接合せしめることができ
、しかも、高気密性（〜Ｘ １０−” ａｔｍ−ｃｃ
／５ｅｅ） 、高精度、高信頼性のものが得られる。
してコバールとの組合せからなる金属板をＡｌＮ製キ中
キヤツプろう付けする場合、銀ろう付は温度の７８０℃
ないしさらに高温から約２００℃までの温度範囲におい
て、Ｃｕが塑性変形してコバールとＡｌＮとの間で発生
した応力を緩和する。したがって、Ｃｕは熱膨張率が１
８Ｘ １０°６に−１とＡｌＮのそれに比べて極めて大
きいにも拘らず、熱応力による歪を殆ど発生することが
ない。ＣｕをＡｇろう付けする場合、Ｔめ、Ｃｕ表面に
Ｎｉめっき処理を施しておくとさらに良い。また、Ｃｕ
が無酸素銅である場合に、熱応力緩和効果は特に顕著で
ある。また、低熱膨張性金属材料として４２アロイ、コ
バールはキャップ材料として工業的に適しているのみで
なく、その熱膨張率が金属材料中でＡｌＮの熱膨張率に
近いので効果的である。又、金属枠体を軟金属板を介し
た低熱膨張性金属板とするのは、軟金属材料のみでは、
それ自体強度が低く、実用上問題があるからである。こ
のため、低熱膨張性金属材料と軟金属材料との組合せに
よる金属枠体を用いることによって、ＡｌＮ製キ中キヤ
ツプ属枠体を十分な接合強度で接合せしめることができ
、しかも、高気密性（〜Ｘ １０−” ａｔｍ−ｃｃ
／５ｅｅ） 、高精度、高信頼性のものが得られる。
なお、ＣｕＳＣｕ合金のほかに、軟金属としてＮｉ、Ｆ
ｅ、Ａｌまたはこれらの合金の効果が大である。ただ、
Ａｌの場合は、低融点ろう材でろう付けする場合、顕著
な効果が認められた。
ｅ、Ａｌまたはこれらの合金の効果が大である。ただ、
Ａｌの場合は、低融点ろう材でろう付けする場合、顕著
な効果が認められた。
［実施例コ
Ａ Ｉ Ｎ （ｌｏｎｍ平方、厚さ３＋ｕａ）のキャッ
プの周囲に形成したＷからなるメタライジング層にＮｉ
メツキを施した後、厚さ ０．ｌｎ＋ｍの表１に示す金
属枠体をそれぞれ銀ろう付けしたく８３０℃）。
プの周囲に形成したＷからなるメタライジング層にＮｉ
メツキを施した後、厚さ ０．ｌｎ＋ｍの表１に示す金
属枠体をそれぞれ銀ろう付けしたく８３０℃）。
ただし、金属枠体の表層部にＣｕを用いる場合はろう付
は前に予めＮｉメツキ処理を行った。
は前に予めＮｉメツキ処理を行った。
これらの試料についてソリの大きさ、気密性を４−１定
し、併せて組織観察を行った。ソリの大きさは第４図に
示すａの大きさであり、気密性は第５図に示すように、
キャップをＨｅガス雰囲気におき、キャップ内部を真空
排気することによるＨｅリークチエツク法で測定した。
し、併せて組織観察を行った。ソリの大きさは第４図に
示すａの大きさであり、気密性は第５図に示すように、
キャップをＨｅガス雰囲気におき、キャップ内部を真空
排気することによるＨｅリークチエツク法で測定した。
組織観察はＡｌＮ製のキャップ１およびそれと ８．９
からなる金属枠体ｌＯとの接合部をＳＥＭ、ＯＭにより
観察し、クラック、欠陥の有無を調べた。
からなる金属枠体ｌＯとの接合部をＳＥＭ、ＯＭにより
観察し、クラック、欠陥の有無を調べた。
結果を表１に示す。
表１
［発明の効果］
本発明によれば、高熱伝導性を付与したＡ１Ｎ製のキャ
ップに対して金属枠体を高精度（ソリ、変形が少ない）
で接合でき、高気密性、高信頼性を有する半導体装置部
品が得られる。
ップに対して金属枠体を高精度（ソリ、変形が少ない）
で接合でき、高気密性、高信頼性を有する半導体装置部
品が得られる。
第１図は本発明の詳細な説明図、第２図、第３図は従来
例の説明図、第４図はソリの試験についての説明図、第
５図は気密性試験の説明図である。 ■・・・ＡｌＮ基板、２・・・金属枠、３・・・半導体
素子、４・・・セラミックス基板、５・・・絶縁層、６
・・・メタライジング部、７・・・金属ろう、８・・・
低膨張性金属板、９・・・軟金属板、１０・・・金属枠
体、１１・・・ヒートシンク。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
例の説明図、第４図はソリの試験についての説明図、第
５図は気密性試験の説明図である。 ■・・・ＡｌＮ基板、２・・・金属枠、３・・・半導体
素子、４・・・セラミックス基板、５・・・絶縁層、６
・・・メタライジング部、７・・・金属ろう、８・・・
低膨張性金属板、９・・・軟金属板、１０・・・金属枠
体、１１・・・ヒートシンク。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 小 松 秀 岳
Claims (2)
- （１）絶縁基板に搭載された半導体素子を気密に封止す
るキャップが、低膨脹性金属製枠体と窒化アルミニウム
焼結体とが軟金属材料を介して接合により構成されてい
ることを特徴とする半導体装置用部品。 - （２）低熱膨脹性金属材料は、４２アロイ、コバール、
Ｆｅ−Ｎｉ合金もしくはＦｅ−Ｎｉ− Ｃｏ合金材料であり、軟金属材料はＣｕ、 Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｌから選ばれた金属またはそれらの合金
からなる請求項（１）記載の半導体装置用部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081239A JPH01253944A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体装置用部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081239A JPH01253944A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体装置用部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253944A true JPH01253944A (ja) | 1989-10-11 |
| JPH0581184B2 JPH0581184B2 (ja) | 1993-11-11 |
Family
ID=13740879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63081239A Granted JPH01253944A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 半導体装置用部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01176939U (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-18 | ||
| JPH0361345U (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-17 |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP63081239A patent/JPH01253944A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01176939U (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-18 | ||
| JPH0361345U (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0581184B2 (ja) | 1993-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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