JPH01265109A - 光電スイッチ - Google Patents
光電スイッチInfo
- Publication number
- JPH01265109A JPH01265109A JP63094005A JP9400588A JPH01265109A JP H01265109 A JPH01265109 A JP H01265109A JP 63094005 A JP63094005 A JP 63094005A JP 9400588 A JP9400588 A JP 9400588A JP H01265109 A JPH01265109 A JP H01265109A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- detected
- projecting
- light emitting
- photoelectric switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＦＡ用の光電スイッチに関するものである。
［従来の技術１
従来、ＦＡ用の光電スイッチとしては、三角測量方式に
よって被検知物体までの距離を測定し、その距離が予め
設定された検知距離よりも近いかどうかを判定して物体
の有無を検出するようにしたものがあった。第６図は三
角測量方式の測ト原理を示す概略構成図であり、発光ダ
イオード、半導体レーザなどの投光素子１お上り投光レ
ンズ２よりなる投光手段３は、被検知物体Ｘに光ビーム
を照射している。一方、投光手段３の側方に所定距離Ｂ
Ｌをもって配設された受光レンズ５よりなる受光手段６
は、第７図に示すように、その光ビームの被検知物体Ｘ
による反射光を集光した集光スボッ）Ｓが位置検出素子
たる半導体装置センサ（以下ＰＳＤと称する）７上に結
像させるようになっている。ここに、ＰＳＤ７の両端出
力端子から集光スポラ）Ｓの位置に対応した相反する位
置検出信号Ｉ Ａ＝ Ｉ Ｂが得られるようになってお
り、この位置検出信号Ｉ＾ｓｒｎが入力される判定制御
手段１０では、位置検出信号■＾ｓＩＢの比Ｉ Ａ／
Ｉ ａあるいはαｎｌ＾／ Ｉ ｎを演算して被検知物
体Ｘまでの距離Ｒに対応する信号を形成し、この信号を
所定の基準電圧と比較することによって被検知物体Ｘが
検知エリア内に存在するかどうかを判定しで出力回路を
制御するようになっている。なお、ＰＳＤ７は、表面に
光電効果を有する所ｆｉｆｆ ｐ ｉ １７オトダイオ
ード構造になっており、裏面側にｎ型層が形成された高
抵抗シリコン基板（ｉ層）の表面に均一なｐ型紙抗層が
設けられ、ｐ型紙抗層の両端に設けられている一対の出
力端子とｎ型層に設けられでいる共通端子との間に集光
スポラ）Ｓの位置に対応する相反した電流よりなる位置
検出信号Ｉあ、■Ｂが流れるようになっている。
よって被検知物体までの距離を測定し、その距離が予め
設定された検知距離よりも近いかどうかを判定して物体
の有無を検出するようにしたものがあった。第６図は三
角測量方式の測ト原理を示す概略構成図であり、発光ダ
イオード、半導体レーザなどの投光素子１お上り投光レ
ンズ２よりなる投光手段３は、被検知物体Ｘに光ビーム
を照射している。一方、投光手段３の側方に所定距離Ｂ
Ｌをもって配設された受光レンズ５よりなる受光手段６
は、第７図に示すように、その光ビームの被検知物体Ｘ
による反射光を集光した集光スボッ）Ｓが位置検出素子
たる半導体装置センサ（以下ＰＳＤと称する）７上に結
像させるようになっている。ここに、ＰＳＤ７の両端出
力端子から集光スポラ）Ｓの位置に対応した相反する位
置検出信号Ｉ Ａ＝ Ｉ Ｂが得られるようになってお
り、この位置検出信号Ｉ＾ｓｒｎが入力される判定制御
手段１０では、位置検出信号■＾ｓＩＢの比Ｉ Ａ／
Ｉ ａあるいはαｎｌ＾／ Ｉ ｎを演算して被検知物
体Ｘまでの距離Ｒに対応する信号を形成し、この信号を
所定の基準電圧と比較することによって被検知物体Ｘが
検知エリア内に存在するかどうかを判定しで出力回路を
制御するようになっている。なお、ＰＳＤ７は、表面に
光電効果を有する所ｆｉｆｆ ｐ ｉ １７オトダイオ
ード構造になっており、裏面側にｎ型層が形成された高
抵抗シリコン基板（ｉ層）の表面に均一なｐ型紙抗層が
設けられ、ｐ型紙抗層の両端に設けられている一対の出
力端子とｎ型層に設けられでいる共通端子との間に集光
スポラ）Ｓの位置に対応する相反した電流よりなる位置
検出信号Ｉあ、■Ｂが流れるようになっている。
また、他の従来例として、第８図および第９図に示すよ
うに、位置検出素子としてＰＳＤ７に代えて７オトダイ
オードベア８ ａ、 ８ ｂを用い、位置検出５６号Ｉ
Ａｔ １．のＳ／Ｎを改善して検出距離の長距離化を
図るようにしたちのがあった。第８図は、７オトダイオ
ード８ ｍ、 ８ ｂの分割ラインを、被検知物体Ｘが
投光方向に移動した場合における集光スポラ）Ｓの移動
方向Ｍと直交する方向（投受光軸を含む面に垂直な方向
）に形成したものであり、第９図は、分割ラインを移動
方向Ｍと斜交する方向に形成したものである。第１０図
は、判定制御手段１０の構成例を示す図であり、分割７
オトダイオード８ ａｔ Ｂ ｂからそれぞれ出力され
る位置検出信号Ｉ＾ＩＩＢ出力は、受光回路１１ａ、ｌ
ｌｂによって電圧信号ｖＡ、ＶＤに変換された後、それ
ぞれ対数増幅回路１２ｍ、１２ｂにて対数増幅され、こ
の対数増幅された信号αｎＶ＾、αｎｖＢを減算回路１
３にて減算することにより第６図に示すように、距離Ｒ
に対応した距離信号１ｎ（Ｖ＾／Ｖａ）が得られるよう
になっている。比較回路１４では、第１１図に示すよう
に、この距離信号Ｑｎ（Ｖ＾／ＶＢ）と、予め距離設定
ボリュームＶＲにて設定された基準電圧Ｖｓとを比較し
て被検知物体Ｘが検知エリアＤＥに入ったかどうかを判
定して物体検 、知信号Ｖｘを出力（例えば、距離信号
Ｑｎ（Ｖ＾／Ｖｎ）が基準電圧Ｖｓ以下になったときに
物体検知信号Ｖｘを出力）するようになっている、この
物体検知信号Ｖｘは、信号処理回路１５によって正常信
号かどうかが判定され、出力回路１６を介して出力され
る。なお、投光素子１は、ドライブ回路１７によって駆
動され、発振回路１８にて発生されたクロック信号に同
期して発光されるようになっている。一方、信号処理回
路１５では、上記クロック信号に基いて物体検知信号ｖ
×をサンプリングして正常信号か否かを判定するように
なっている。
うに、位置検出素子としてＰＳＤ７に代えて７オトダイ
オードベア８ ａ、 ８ ｂを用い、位置検出５６号Ｉ
Ａｔ １．のＳ／Ｎを改善して検出距離の長距離化を
図るようにしたちのがあった。第８図は、７オトダイオ
ード８ ｍ、 ８ ｂの分割ラインを、被検知物体Ｘが
投光方向に移動した場合における集光スポラ）Ｓの移動
方向Ｍと直交する方向（投受光軸を含む面に垂直な方向
）に形成したものであり、第９図は、分割ラインを移動
方向Ｍと斜交する方向に形成したものである。第１０図
は、判定制御手段１０の構成例を示す図であり、分割７
オトダイオード８ ａｔ Ｂ ｂからそれぞれ出力され
る位置検出信号Ｉ＾ＩＩＢ出力は、受光回路１１ａ、ｌ
ｌｂによって電圧信号ｖＡ、ＶＤに変換された後、それ
ぞれ対数増幅回路１２ｍ、１２ｂにて対数増幅され、こ
の対数増幅された信号αｎＶ＾、αｎｖＢを減算回路１
３にて減算することにより第６図に示すように、距離Ｒ
に対応した距離信号１ｎ（Ｖ＾／Ｖａ）が得られるよう
になっている。比較回路１４では、第１１図に示すよう
に、この距離信号Ｑｎ（Ｖ＾／ＶＢ）と、予め距離設定
ボリュームＶＲにて設定された基準電圧Ｖｓとを比較し
て被検知物体Ｘが検知エリアＤＥに入ったかどうかを判
定して物体検 、知信号Ｖｘを出力（例えば、距離信号
Ｑｎ（Ｖ＾／Ｖｎ）が基準電圧Ｖｓ以下になったときに
物体検知信号Ｖｘを出力）するようになっている、この
物体検知信号Ｖｘは、信号処理回路１５によって正常信
号かどうかが判定され、出力回路１６を介して出力され
る。なお、投光素子１は、ドライブ回路１７によって駆
動され、発振回路１８にて発生されたクロック信号に同
期して発光されるようになっている。一方、信号処理回
路１５では、上記クロック信号に基いて物体検知信号ｖ
×をサンプリングして正常信号か否かを判定するように
なっている。
また、受光回路１１＠、ｆｌｂには、特定周波数のパル
ス信号のみを通過させ直流成分をカットするバンドパス
フィルタ回路が設けられている。また、上記例では、１
ｎ（Ｖ＾／Ｖｅ）を演算して距離信号としテイルカ、Ｖ
Ａ／ＶＢ、（ＶＡ ＶＢ）／（ＶＡ＋Ｖ８）、１ｎ（
（Ｖａ−Ｖａ）／（Ｖａ＋Ｖａ））を演算して距離信号
とし、被検知物体Ｘが検知エリア内に存在するかどうか
を判定するように判定制御手段１０を形成しても良い。
ス信号のみを通過させ直流成分をカットするバンドパス
フィルタ回路が設けられている。また、上記例では、１
ｎ（Ｖ＾／Ｖｅ）を演算して距離信号としテイルカ、Ｖ
Ａ／ＶＢ、（ＶＡ ＶＢ）／（ＶＡ＋Ｖ８）、１ｎ（
（Ｖａ−Ｖａ）／（Ｖａ＋Ｖａ））を演算して距離信号
とし、被検知物体Ｘが検知エリア内に存在するかどうか
を判定するように判定制御手段１０を形成しても良い。
ところで、上述の従来例において、投光手段３の投光素
子１は、第１２図に示すように、光学筒３０の円錐状の
透孔３１の底部に発光ダイオードよりなる投光素子１を
配置して形成されており、発光ダイオードは、第１３図
に示すようにベース３２に発光ダイオードチップ３３を
取着し、樹脂３４をボッティングしたものを用いでいる
。
子１は、第１２図に示すように、光学筒３０の円錐状の
透孔３１の底部に発光ダイオードよりなる投光素子１を
配置して形成されており、発光ダイオードは、第１３図
に示すようにベース３２に発光ダイオードチップ３３を
取着し、樹脂３４をボッティングしたものを用いでいる
。
【発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述の従来例にあっては、発光ダイオー
ドチップ３３から発する光が透孔３１の内面で反射され
たり、第１４図および＃Ｓ１５図に示すようにベース３
２面などで反射されて投光レンズ２１に入射し、投光素
子１の周辺に乱反射光が発生し、この乱反射光によるゴ
ーストに起因した測距ｗｊ％差が生じるという問題があ
った。なお、第１４図は、発光ダイオードチップ３３か
ら側方に放射される光がベース３２面で反射（斜線を付
した部分）される様子を示すもので、第１５図は発光ダ
イオードチップ３３から放射された光の一部（入射角度
が大きい光）がボッティングされた合成樹脂表面で反射
され、さらにベース３２面および電極面で反射されてゴ
ーストが発生する様子を示すものである。
ドチップ３３から発する光が透孔３１の内面で反射され
たり、第１４図および＃Ｓ１５図に示すようにベース３
２面などで反射されて投光レンズ２１に入射し、投光素
子１の周辺に乱反射光が発生し、この乱反射光によるゴ
ーストに起因した測距ｗｊ％差が生じるという問題があ
った。なお、第１４図は、発光ダイオードチップ３３か
ら側方に放射される光がベース３２面で反射（斜線を付
した部分）される様子を示すもので、第１５図は発光ダ
イオードチップ３３から放射された光の一部（入射角度
が大きい光）がボッティングされた合成樹脂表面で反射
され、さらにベース３２面および電極面で反射されてゴ
ーストが発生する様子を示すものである。
このような乱反射光を含んだ光ビームを投光レンズ２を
通して被検知物体Ｘへ投射すると、被検知物体Ｘの表面
に形成されるスポット像の周辺部に７レアやぽけ（ゴー
スト）が生じる。ここに、被検知物体Ｘが−様な反射率
を有している場合には、この被検知物体Ｘによる反射光
を位置検出素子上に結像して６投光素子１の発光中心（
発光ダイオードチップ３３の中心）に対応した位置が検
出され、フレアやぼけに起因する測距ＷＡ差は生じない
、しかしながら、被検知物体Ｘの表面に何等かの反射率
むらが存在する場合、例えば、光ビームが投射されてい
る部分の周辺に反射率の特に高い部分が存在する場合、
フレアやぼけで生じたスポット像周辺の弱い光が強く反
射されて位置検出素子上の集光スボッ）Ｓの形状が変化
し、投光素子１の発光中心に対応した位置が検出されな
くなって測距誤差が生じる場合があるという問題があっ
た。つまり、被検知物体Ｘに反射率むらが存在する場合
には、発光ダイオードチップ３３の周辺に生じる乱反射
光によるゴーストによって測距誤差が生じるという問題
があった。
通して被検知物体Ｘへ投射すると、被検知物体Ｘの表面
に形成されるスポット像の周辺部に７レアやぽけ（ゴー
スト）が生じる。ここに、被検知物体Ｘが−様な反射率
を有している場合には、この被検知物体Ｘによる反射光
を位置検出素子上に結像して６投光素子１の発光中心（
発光ダイオードチップ３３の中心）に対応した位置が検
出され、フレアやぼけに起因する測距ＷＡ差は生じない
、しかしながら、被検知物体Ｘの表面に何等かの反射率
むらが存在する場合、例えば、光ビームが投射されてい
る部分の周辺に反射率の特に高い部分が存在する場合、
フレアやぼけで生じたスポット像周辺の弱い光が強く反
射されて位置検出素子上の集光スボッ）Ｓの形状が変化
し、投光素子１の発光中心に対応した位置が検出されな
くなって測距誤差が生じる場合があるという問題があっ
た。つまり、被検知物体Ｘに反射率むらが存在する場合
には、発光ダイオードチップ３３の周辺に生じる乱反射
光によるゴーストによって測距誤差が生じるという問題
があった。
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、その目
的とするところは、被検知物体の表面に反射率にむらが
あっても側圧誤差が発生し難く、反射率むらによる誤動
作を防止できる光電スイッチを提供することにある。
的とするところは、被検知物体の表面に反射率にむらが
あっても側圧誤差が発生し難く、反射率むらによる誤動
作を防止できる光電スイッチを提供することにある。
［課題を解決するめの手段］
本発明の光電スイッチは、光ビームを被検知物体に投光
する投光手段と、投光手段の側方に所定距離をもって配
設され光ビームの液検知物体ｌ二よる反射光を集光する
受光手段と、受光手段の結像面に配置され被検知物体が
投光方向に移動した場合における集光スポット移動を検
出する位置検出素子と、位置検出素子出力に基いて被検
知物体が所定の検知エリア内に存在するかどうかを判定
して出力回路を制御する判定制御手段とよりなる光電ス
イッチにおいて、投光手段を投光レンズと、基板に実装
された発光ダイオードチップよりなる投光素子とで形成
し、上記投光素子の側方を囲むように配設された円筒体
を投光レンズと基板との間に介装したものである。
する投光手段と、投光手段の側方に所定距離をもって配
設され光ビームの液検知物体ｌ二よる反射光を集光する
受光手段と、受光手段の結像面に配置され被検知物体が
投光方向に移動した場合における集光スポット移動を検
出する位置検出素子と、位置検出素子出力に基いて被検
知物体が所定の検知エリア内に存在するかどうかを判定
して出力回路を制御する判定制御手段とよりなる光電ス
イッチにおいて、投光手段を投光レンズと、基板に実装
された発光ダイオードチップよりなる投光素子とで形成
し、上記投光素子の側方を囲むように配設された円筒体
を投光レンズと基板との間に介装したものである。
［作 用１
− 本発明は上述のように構成されており、三
角測量方式で被検知物体までの距離を測定して被検知物
体が予め設定された検知エリア内に存在するかどうかを
判定し、出力回路を制御するようにしだ光電スイッチに
おいて、投光手段を投光レンズと、基板に実装された発
光ダイオードチップ上りなる投光素子とで形成し、この
投光素子の側方を囲むように円筒体を配設して被検知物
体に投射された光スポットにビームに７レアやばけが生
ヒないようにしているので、被検知物体の表面に反射率
むらが存在しても測距誤差が発生し難く、反射率むらに
よる誤動作を防止できるようになっている。
角測量方式で被検知物体までの距離を測定して被検知物
体が予め設定された検知エリア内に存在するかどうかを
判定し、出力回路を制御するようにしだ光電スイッチに
おいて、投光手段を投光レンズと、基板に実装された発
光ダイオードチップ上りなる投光素子とで形成し、この
投光素子の側方を囲むように円筒体を配設して被検知物
体に投射された光スポットにビームに７レアやばけが生
ヒないようにしているので、被検知物体の表面に反射率
むらが存在しても測距誤差が発生し難く、反射率むらに
よる誤動作を防止できるようになっている。
［実施例１
第１図（、）は本発明一実施例を示すもので、光ビーム
を被検知物体Ｘに投光する投光手段３と、投光手段３の
側方に所定距離をもって配設され光ビームの被検知物体
Ｘによる反射光を集光する受光手段６と、受光手段６の
結像面に配置され被検知物体Ｘが投光方向に移動した場
合における集光スポット移動を検出する位置検出素子（
Ｐ Ｓ Ｄ ７あるいは分ＩＮ７オトダイオード８ ａ
、 ８ ｂなど）と、位置検出素子出力に基いて被検知
物体Ｘが所定の検知エリア内に存在するかどうかを判定
して出力回路を制御する判定制御手ＰｉｌＯとよりなる
従来例と同様の光電スイッチにおいて、投光手段３を投
光レンズ２と、基板１９に実装された発光ダイオードチ
ップ３３よりなる投光素子１とで形成し、上記投光素子
１の側方を囲むように円筒体２０を投光レンズ２と基板
１９との間に介装したものである。実施例にあっては、
円筒体２０を投光レンＸ’２と一体成形して構成を簡略
化しており、さらに円筒体２０の下端に内っは部２０ａ
を設けて基板による反射光をより少なくしてｔする。第
１図（ｂ）は投光手段３の投光レンズ２の形状が異なる
他の構成例を示すものである。なお、実施例では、ガラ
スエポキン樹脂板、セラミック板を基板１９として用い
ているが、反射の少ない黒色系統のものを用いれば反射
光をより少なくできることは言うまでもない。
を被検知物体Ｘに投光する投光手段３と、投光手段３の
側方に所定距離をもって配設され光ビームの被検知物体
Ｘによる反射光を集光する受光手段６と、受光手段６の
結像面に配置され被検知物体Ｘが投光方向に移動した場
合における集光スポット移動を検出する位置検出素子（
Ｐ Ｓ Ｄ ７あるいは分ＩＮ７オトダイオード８ ａ
、 ８ ｂなど）と、位置検出素子出力に基いて被検知
物体Ｘが所定の検知エリア内に存在するかどうかを判定
して出力回路を制御する判定制御手ＰｉｌＯとよりなる
従来例と同様の光電スイッチにおいて、投光手段３を投
光レンズ２と、基板１９に実装された発光ダイオードチ
ップ３３よりなる投光素子１とで形成し、上記投光素子
１の側方を囲むように円筒体２０を投光レンズ２と基板
１９との間に介装したものである。実施例にあっては、
円筒体２０を投光レンＸ’２と一体成形して構成を簡略
化しており、さらに円筒体２０の下端に内っは部２０ａ
を設けて基板による反射光をより少なくしてｔする。第
１図（ｂ）は投光手段３の投光レンズ２の形状が異なる
他の構成例を示すものである。なお、実施例では、ガラ
スエポキン樹脂板、セラミック板を基板１９として用い
ているが、反射の少ない黒色系統のものを用いれば反射
光をより少なくできることは言うまでもない。
いま、発光ダイオードチップ３３よりなる投光素子１の
周囲が円筒体２０にて囲まれており、投光レンズ２に入
射する投光素子１周辺の基板反射光を少なくしているの
で、投光素子１周囲の反射によるフレアやぼけを防止す
ることができ、被検知物体Ｘの表面に反射率むらがあっ
ても、フレアやぼけに起因するゴーストにて測距誤差が
生じることがなく、誤動作が防止できるようになって−
する。
周囲が円筒体２０にて囲まれており、投光レンズ２に入
射する投光素子１周辺の基板反射光を少なくしているの
で、投光素子１周囲の反射によるフレアやぼけを防止す
ることができ、被検知物体Ｘの表面に反射率むらがあっ
ても、フレアやぼけに起因するゴーストにて測距誤差が
生じることがなく、誤動作が防止できるようになって−
する。
第２図は他の実施例を示すもので、遮光性を有する合成
樹脂にて円筒体２０を形成したものであり、円筒体２０
内面の反射を少なくするとともに、円筒体２０外からの
光の入射も防止することができるようになっている。
樹脂にて円筒体２０を形成したものであり、円筒体２０
内面の反射を少なくするとともに、円筒体２０外からの
光の入射も防止することができるようになっている。
第３図はさらに他の実施例を示すもので、投光レンズ２
に押さえ筒部２ａを一体成形し、押さえ篩部２ａによっ
て円筒体２０を確実に押さえるようにしたものである。
に押さえ筒部２ａを一体成形し、押さえ篩部２ａによっ
て円筒体２０を確実に押さえるようにしたものである。
第４図はさらに他の実施例を示すもので、透明樹脂より
なる投光レンズ２と、遮光性を有する合成樹脂よりなる
円筒体２０を２色一体成形したものであり、部品点数が
少なくなって、乱反射光のゴーストによるＩｌｌ！ＩＩ
！Ｆ差が生じないようにすることができるとともに、コ
ストを安くできるようになっている。
なる投光レンズ２と、遮光性を有する合成樹脂よりなる
円筒体２０を２色一体成形したものであり、部品点数が
少なくなって、乱反射光のゴーストによるＩｌｌ！ＩＩ
！Ｆ差が生じないようにすることができるとともに、コ
ストを安くできるようになっている。
第５図はさらに他の実施例を示すもので、投光レンズ２
に一体成形された円筒体２０の内面に遮光性＄２０ｂを
形成（ａ布あるいはメツキ）することにより乱反射光を
少なくしてゴーストによる測距誤差が生じないようにし
たものである。
に一体成形された円筒体２０の内面に遮光性＄２０ｂを
形成（ａ布あるいはメツキ）することにより乱反射光を
少なくしてゴーストによる測距誤差が生じないようにし
たものである。
なお、上記各実施例において、円筒体２０を堰堤として
合成樹脂をボッティングしても良く、ボッティングされ
た合成樹脂は流れ出ることなく発光ダイオードチップ３
３上に所定の厚さにコーティングされることになる。
合成樹脂をボッティングしても良く、ボッティングされ
た合成樹脂は流れ出ることなく発光ダイオードチップ３
３上に所定の厚さにコーティングされることになる。
［発明の効果］
本発明は上述のように構成されており、三角測量方式で
被検知物体までの距離を測定して被検知物体が予め設定
された検知エリア内に存在するかどうかを判定し、出力
回路を制御するようにした光電スイッチにおいて、投光
手段を投光レンズと、基板に実装された発光ダイオード
チップよりなる投光素子とで形成し、この投光素子の側
方を囲むように円筒体を配設して被検知物体に投射さ些
た光スポットにビームに７レアやぼけが生しないように
しているので、被検知物体の表面に反射率むらが存在し
ても測距誤差が発生し難く、反射率むらによる誤動作を
防止できるとｔｌう効果がある。
被検知物体までの距離を測定して被検知物体が予め設定
された検知エリア内に存在するかどうかを判定し、出力
回路を制御するようにした光電スイッチにおいて、投光
手段を投光レンズと、基板に実装された発光ダイオード
チップよりなる投光素子とで形成し、この投光素子の側
方を囲むように円筒体を配設して被検知物体に投射さ些
た光スポットにビームに７レアやぼけが生しないように
しているので、被検知物体の表面に反射率むらが存在し
ても測距誤差が発生し難く、反射率むらによる誤動作を
防止できるとｔｌう効果がある。
第１図（ａ）は本発明一実施例の要部断面図、第１図（
ｂ）は他の実施例の要部断面図、第２図（ａ）はさらに
他の実施例の要部断面図、第２図（ｂ）は同上の要部斜
視図、第３図はさらに他の実施例の要部断面図、第４図
はさらに他の実施例の要部断面図、第５図はさらに他の
実施例の要部断面図、第６図は本発明に係る光電スイッ
チの概略構成図、第７図乃至第９図は同上の構成および
動作を示す説明図、第１０図は同上のブロック回路図、
第１１図は同上の動作説明図、第１２図は同上の要部断
面図、第１３図は同上の要部側面図、第１４図および第
１５図は同上の問題点を示す説明図である。 １は投光素子、２は投光レンズ、３は投光手段、５は受
光レンズ、６は受光手段、８ａ〜８ｈは７すトダイオー
ド、１０は判定制御手段、１４は比較回路、１６は出力
回路、１９は基板、２０は円筒体、３３は発光ダイオー
ドチップ、Ｘは液検知物一体である。 代理人 弁理士 石 １）艮 七 １１図 第４因 第５図 瀉６図 ５！７図 Ｗ８図 第９図 第０図 第１１図 １！Ｉ２ｖ！Ｊ
ｂ）は他の実施例の要部断面図、第２図（ａ）はさらに
他の実施例の要部断面図、第２図（ｂ）は同上の要部斜
視図、第３図はさらに他の実施例の要部断面図、第４図
はさらに他の実施例の要部断面図、第５図はさらに他の
実施例の要部断面図、第６図は本発明に係る光電スイッ
チの概略構成図、第７図乃至第９図は同上の構成および
動作を示す説明図、第１０図は同上のブロック回路図、
第１１図は同上の動作説明図、第１２図は同上の要部断
面図、第１３図は同上の要部側面図、第１４図および第
１５図は同上の問題点を示す説明図である。 １は投光素子、２は投光レンズ、３は投光手段、５は受
光レンズ、６は受光手段、８ａ〜８ｈは７すトダイオー
ド、１０は判定制御手段、１４は比較回路、１６は出力
回路、１９は基板、２０は円筒体、３３は発光ダイオー
ドチップ、Ｘは液検知物一体である。 代理人 弁理士 石 １）艮 七 １１図 第４因 第５図 瀉６図 ５！７図 Ｗ８図 第９図 第０図 第１１図 １！Ｉ２ｖ！Ｊ
Claims (3)
- （１）光ビームを被検知物体に投光する投光手段と、投
光手段の側方に所定距離をもって配設され光ビームの被
検知物体による反射光を集光する受光手段と、受光手段
の結像面に配置され被検知物体が投光方向に移動した場
合における集光スポット移動を検出する位置検出素子と
、位置検出素子出力に基いて被検知物体が所定の検知エ
リア内に存在するかどうかを判定して出力回路を制御す
る判定制御手段とよりなる光電スイッチにおいて、投光
手段を投光レンズと、基板に実装された発光ダイオード
チップよりなる投光素子とで形成し、上記投光素子の側
方を囲むように配設された円筒体を投光レンズと基板と
の間に介装したことを特徴とする光電スイッチ。 - （２）円筒体を投光レンズと一体成形したことを特徴と
する請求項１記載の光電スイッチ。 - （３）円筒体に遮光性を持たせたことを特徴とする請求
項１記載の光電スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63094005A JPH01265109A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光電スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63094005A JPH01265109A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光電スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265109A true JPH01265109A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14098311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63094005A Pending JPH01265109A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 光電スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265109A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008298627A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Mikuni Corp | 赤外線センサー |
| JP5338900B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2013-11-13 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 光通信モジュール及び光通信モジュールの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5440662A (en) * | 1977-09-06 | 1979-03-30 | Minolta Camera Co Ltd | Range finder |
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| JPS6215512A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 自動焦点調節装置用発光素子 |
| JPS6217719A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 自動焦点調節装置用発光素子 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP63094005A patent/JPH01265109A/ja active Pending
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