JPH01268021A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH01268021A JPH01268021A JP9786388A JP9786388A JPH01268021A JP H01268021 A JPH01268021 A JP H01268021A JP 9786388 A JP9786388 A JP 9786388A JP 9786388 A JP9786388 A JP 9786388A JP H01268021 A JPH01268021 A JP H01268021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- jig
- substrate
- wafer substrate
- reaction furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は横型円筒形反応炉の半導体製造装置に関する
ものである。
ものである。
第３図は従来の半導体製造装ｅを示す画面図で５図にお
いて、０υけウェハ基板、１助はウェハ基板サセプタ治
具、ｌ：ｌは例えばカンタル線衾用いたビータである。
いて、０υけウェハ基板、１助はウェハ基板サセプタ治
具、ｌ：ｌは例えばカンタル線衾用いたビータである。
第８図に示された従来の半導体製造装置で、第８図に示
したウェハ基板Ｃυのサセプタ治具Ｑ乃上にウェハ基板
ａｎｔ並べた後、ウェハ基板すセグタ治具αカとウェハ
基板α】）を一定速度で構型円時間を置いた後、ウェハ
基板（１１３に対して加Ｍ処理及び不純物拡散２行う１
゜ この時、ウェハ基板サセプタ治具ａｚは材料と１、て例
えば石英が用いらメ１．てお秒、ウェハ基板（１１ｊ２
でて熱容竜が大きいために、ウェハ基板サセプタ治具α
力士のウェハ基板（１１１の面内温度分布に影響を及ぼ
す。ウェハ基板ａη内の温度分布金シュミレーションに
よって描いた曲線図が第４図である。ウェハ基板（１１
３のウェハ基板ザ七ブタ治具（１２１と接した付近の温
度が曲線図に示す如く、他の面内部分の温度より低い傾
向にあり、その結果、面内の不純物の砿散深度分布の悪
化？招く線源を有する。
したウェハ基板Ｃυのサセプタ治具Ｑ乃上にウェハ基板
ａｎｔ並べた後、ウェハ基板すセグタ治具αカとウェハ
基板α】）を一定速度で構型円時間を置いた後、ウェハ
基板（１１３に対して加Ｍ処理及び不純物拡散２行う１
゜ この時、ウェハ基板サセプタ治具ａｚは材料と１、て例
えば石英が用いらメ１．てお秒、ウェハ基板（１１ｊ２
でて熱容竜が大きいために、ウェハ基板サセプタ治具α
力士のウェハ基板（１１１の面内温度分布に影響を及ぼ
す。ウェハ基板ａη内の温度分布金シュミレーションに
よって描いた曲線図が第４図である。ウェハ基板（１１
３のウェハ基板ザ七ブタ治具（１２１と接した付近の温
度が曲線図に示す如く、他の面内部分の温度より低い傾
向にあり、その結果、面内の不純物の砿散深度分布の悪
化？招く線源を有する。
従来の半導体製造装置は以上のように構成されていたの
で、温度のウェハ基板内の面内分布が悪くそれが不純物
の拡散深度などに影響を及ぼすという課題を有し、又、
ウェハ基板内の均一な温度分布を得るために反応炉内Ｎ
Ｓ雰囲気中での保持に時間がかかるなどの課題があった
。
で、温度のウェハ基板内の面内分布が悪くそれが不純物
の拡散深度などに影響を及ぼすという課題を有し、又、
ウェハ基板内の均一な温度分布を得るために反応炉内Ｎ
Ｓ雰囲気中での保持に時間がかかるなどの課題があった
。
この発明は上記のような！１！題を解消するためになさ
れｔもので、ウェハ基板面内の均一な温度分布が得られ
るとともにウェハ基板サセプタ治具のローデイグ時間が
短縮でき、反応炉内Ｎ１雰囲気中での保持時間の短縮が
できる半導体製造装置を得ることを目的とする。
れｔもので、ウェハ基板面内の均一な温度分布が得られ
るとともにウェハ基板サセプタ治具のローデイグ時間が
短縮でき、反応炉内Ｎ１雰囲気中での保持時間の短縮が
できる半導体製造装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体製造装置はウエノ・基板サセプタ
治具の下部に補助ヒータを設けたものである。
治具の下部に補助ヒータを設けたものである。
この発明における半導体製造装置は補助ヒータを設ける
ことにより、ウェハ基板内の均一な温度分布が得られ、
父、ウェハ基板をのせたウェハ基板サセプタ治具のロー
ディング時間の短縮および反応炉内Ｎ、雰囲気中での保
持時間の短縮を達成する。
ことにより、ウェハ基板内の均一な温度分布が得られ、
父、ウェハ基板をのせたウェハ基板サセプタ治具のロー
ディング時間の短縮および反応炉内Ｎ、雰囲気中での保
持時間の短縮を達成する。
以下、この発明の一実施例を図につめて説明する。第１
図において、Ｕυはウェハ基板、ｕ７Ｊはウェハ基板サ
セプタ治具、賭は例えばカンタル４ｉＡを用いた反応炉
中を高温状１１９に保つヒータ、ａ４はウェハ基板サセ
プタ治具（１２１の下部に設けられた補助ヒータである
。
図において、Ｕυはウェハ基板、ｕ７Ｊはウェハ基板サ
セプタ治具、賭は例えばカンタル４ｉＡを用いた反応炉
中を高温状１１９に保つヒータ、ａ４はウェハ基板サセ
プタ治具（１２１の下部に設けられた補助ヒータである
。
第１図に示された半導体製造装置において、＠２図に示
したウェハ基板Ｑｌ）のサセプタ治具（１２１上にウェ
ハ基板（１１） ？並べた後、ウェハ基板サセプタ治具
（Ｉ２１とウニ八基板α１Ｊヲ一定速度で横型円筒形反
応炉中に挿入する。この時、前記従来の場合と逮い補助
ヒータａ４が設けられているので、ウェハ基板間つニへ
基板内の均一な温度分布ｔ−得るために長い挿入時間を
かける必要はなく、挿入時間を短縮することができる。
したウェハ基板Ｑｌ）のサセプタ治具（１２１上にウェ
ハ基板（１１） ？並べた後、ウェハ基板サセプタ治具
（Ｉ２１とウニ八基板α１Ｊヲ一定速度で横型円筒形反
応炉中に挿入する。この時、前記従来の場合と逮い補助
ヒータａ４が設けられているので、ウェハ基板間つニへ
基板内の均一な温度分布ｔ−得るために長い挿入時間を
かける必要はなく、挿入時間を短縮することができる。
ウェハ基板サセプタ治具αカ挿入後、横型円筒形反応炉
の入口部を７ランジにて閉ざし、一定時間を置いた後、
ウェハ基板αυに対して加熱処理、不純物拡散を行なう
。
の入口部を７ランジにて閉ざし、一定時間を置いた後、
ウェハ基板αυに対して加熱処理、不純物拡散を行なう
。
この時、クエへ基板すセプタ治ＡＣ１２）下部ＶｃＦｉ
補助ヒータα４が設けられているため、均一な面内の温
度分布妙；従来よりも短い時間で得られしたがって、不
純物の拡散深度に関してもより均一なウェハ基板ｔｉｌ
１面内温度分布が得られる。
補助ヒータα４が設けられているため、均一な面内の温
度分布妙；従来よりも短い時間で得られしたがって、不
純物の拡散深度に関してもより均一なウェハ基板ｔｉｌ
１面内温度分布が得られる。
以上のようにこの発明によれば、補助ヒータ倉つェハ基
板すセグタ治具の下部に設けるように構成したので、ウ
ェハ基板とウェハ基板サセプタ治具の反応炉への挿入時
間が短縮でき、また、ウェハ基板面内の温度分布を短時
間で均一にでき、それにより、不純物のウェハ基板への
拡散深度の均一な面内分布を得られる効果があるＯ
板すセグタ治具の下部に設けるように構成したので、ウ
ェハ基板とウェハ基板サセプタ治具の反応炉への挿入時
間が短縮でき、また、ウェハ基板面内の温度分布を短時
間で均一にでき、それにより、不純物のウェハ基板への
拡散深度の均一な面内分布を得られる効果があるＯ
第１図はこの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す断面側面図、第２図はウェハ基板サセプタ治具の斜視
図、第８図は従来の半導体製造装置を示す断面側面図、
第番図は反応炉内におけるウェハ基板内の温度分布をシ
ュミレーションによって描いた曲線図である。図におい
て、Ｕυはウェハ基板、０りはウェハ基板サセプタ治具
、■はヒータ、（１４は補助ヒータ％ａ翰は石英チュー
ブを示す。 なお、図中、同一符号は四−１または相当部分を示す。
す断面側面図、第２図はウェハ基板サセプタ治具の斜視
図、第８図は従来の半導体製造装置を示す断面側面図、
第番図は反応炉内におけるウェハ基板内の温度分布をシ
ュミレーションによって描いた曲線図である。図におい
て、Ｕυはウェハ基板、０りはウェハ基板サセプタ治具
、■はヒータ、（１４は補助ヒータ％ａ翰は石英チュー
ブを示す。 なお、図中、同一符号は四−１または相当部分を示す。
Claims (1)
- 横型円筒形反応炉の半導体製造装置において、前記反
応炉中にウェハ基板を挿入するウェハ基板サセプタ治具
と、前記反応炉中を２００℃〜１２００℃の高温状態に
するヒータと、前記反応炉内において前記ウェハ基板サ
セプタ治具の下部に前記ヒータを補う少なくとも一つ以
上の補助ヒータを備えたことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9786388A JPH01268021A (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9786388A JPH01268021A (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268021A true JPH01268021A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14203591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9786388A Pending JPH01268021A (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268021A (ja) |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP9786388A patent/JPH01268021A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0992625A (ja) | 熱処理用ボ−ト | |
| JPS5588323A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH01268021A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2773150B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS63181315A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS6020510A (ja) | 不純物拡散方法 | |
| JPS6319817A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2742938B2 (ja) | 半導体ウェーハ熱処理装置 | |
| KR20020033169A (ko) | 반도체 제조장치 | |
| KR200198408Y1 (ko) | 웨이퍼의 확산, 증착용 반응장치 | |
| JPS63178519A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JPS6323313A (ja) | 半導体ウエハの熱処理方法 | |
| JPS63160325A (ja) | 半導体ウエハの熱処理方法および熱処理装置 | |
| JPH07326593A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JPH04134816A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0727910B2 (ja) | ウェーハのアニール処理用基板ホルダ | |
| JPS62252932A (ja) | 半導体ウエハの熱処理装置 | |
| JPH07161640A (ja) | 熱処理炉の温度制御方法 | |
| JPH08316156A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS6211224A (ja) | 半導体ウエハの熱処理方法 | |
| JPH0493026A (ja) | 絶縁膜形成装置 | |
| JPS58180021A (ja) | 半導体基板の熱処理装置 | |
| JPS5925229A (ja) | 半導体基板の加熱方法 | |
| JPH02270329A (ja) | 短時間熱処理装置 | |
| JPH02122618A (ja) | 不純物拡散装置 |