JPH01269100A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
、さらに詳しくは耐久性にすぐれ、かつ高画質の放射線
画像を与えることのできる放射線画像変換パネルに関す
るものである。

〔従来の技術〕

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このｘＮｆＡ画像を得るためには被写体
を透過したＸ線を、蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射
して可視光を生じさせ、該可視光を通常の写真を逼ると
きと同様に、銀塩を使用したフィルムに照射して現像し
た、いわゆる放射線写真が利用されている。

一方、近年、銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍
光体層から直接画像を取出す方法が工夫された。この方
法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せし
め、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱エネルギー
で励起することによりこの蛍光体が上記吸収により蓄積
している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、こ
の蛍光を検出して画像化する方法である。

具体的には、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び
特開昭５５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視
光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法
が示されている。これらの方法は支持体上に輝尽性蛍光
体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するもので
、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体
を透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に
対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像（蓄積像）
を形成し、しかる後、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光
で走査することによって各部の蓄積された放射線エネル
ギーを放射させて光に変換し、この光の強弱による光信
号により画像を得るものである。この最終的な画像はハ
ードコピーとして再生しても良いし、ＣＲＴ上に再生し
ても良い。

この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スクリーン
を用いる放射線写真の場合と同様に放射線吸収率及び光
変換率（以下、両者を含めて「放射線感度」という）が
高いことは言うに及ばず、画像の粒状性が良く、しかも
、高鮮鋭性であることが要求される。

ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは、粒径１μｍ〜３０μｍ程度の粒状の輝尽性
蛍光体と有機結着材とを含む分散液を支持体（成るいは
保護層）上に塗布、乾燥して作製されるので、輝尽性蛍
光体の充填密度が低く　（充填率５０％）、放射線感度
を充分に高くするには輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする
必要があった。

一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚が薄ければ薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上
のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。

また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）或いは放射
線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構造
上トル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層の
層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放射線
量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造的乱れ
が顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下を
生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには輝尽
性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。

即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対して全く逆の傾向を示すの
で、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感度と
粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって作製さ
れてきた。

本出願人は、このような特性間の相反性に鑑みて、特願
昭６１−７３１００号において輝尽性蛍光体層に結着剤
を含有しない放射線画像変換パネル及びその製造方法を
提案している。

これによれば、前記放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層は気相堆積などの方法を用いて形成し、結着剤を含
有しないので、輝尽性蛍光体層の充填率が著しく向上す
るとともに、輝尽性蛍光体層中での輝尽励起光及び輝尽
発光の指向性が向上し、放射線画像変換パネルの放射線
に対する感度と画像の粒状性が改善されると同時に画像
の鮮鋭性も改善される。

ここに共用される放射線画像変換パネルは、放射線画像
情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギ
ーを放出するので走査後再度放射線画像の蓄積を行うこ
とができ、繰返し使用が可能である。そこで、前記放射
線画像変換パネルにおいて、得られる画像の高画質化が
望まれるのは当然のことであるが、さらに長時間の使用
に耐える性能が要求される。

そのためには前記放射線画像変換パネル中の輝尽層が外
部からの物理的或いは化学的刺激から充分に保護される
必要がある。

従来の放射線画像変換パネルにおいては、上記の問題の
解決を図るため、放射線画像変換パネルの支持体上の輝
尽性蛍光体層面を被覆する保護層を設ける方法がとられ
てきた。この保護層は例えば、特開昭５９−４２５００
号の記載の如く、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に
直接塗布して形成されるか、或いは、予め別途形成した
保護層を輝尽性蛍光体層上に接着する方法等により形成
されている。

一般的には有機高分子からなる薄い保護層が用いられて
いる、この薄い保護層は放射線画像変換パネルの鮮鋭性
を殆ど低下させないという利点がある。輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルの鮮鋭性と、保護層の厚
みとの関係を空間周波数１４ｉｐ／龍及び２Ｊｐ／龍の
ＭＴＦ（変調伝達関数）を用いて第１表に示す。

第　　１　　表 上表に示す如（、保護層が厚いほど鮮鋭性が低下する。

この原因としては、入射した輝尽励起光の輝尽性蛍光体
層表面での反射散乱が、保護層−空気界面で反射され、
輝尽性蛍光体層へ再入射することが挙げられる。

保ｇｔ層が厚いほど反射散乱光はより遠くまで到達し、
対象画素外の画素の情報を混入させる。

Ｘ線撮影に用いる一般型の増惑祇−フィルム系において
、ｌ／！ｐ／ａｍの場合のＭＴＦは約６５％、’１ｌｌ
ｐ／ａｍの場合は約３５％を示すので、放射線画像変換
パネルにおいても前記増感紙−フィルム系の数値より劣
ることは好ましくなく、従って、保護層の厚さは１０μ
ｍ以下が望ましい。

〔発明の解決しようとする問題点〕

しかしながら、気相堆積法で支持体上に形成された輝尽
性蛍光体層は、前述の如く、数々の優れた特徴を持つに
もかかわらず、輝尽性蛍光体層は支持体に対してほぼ垂
直方向に伸びた柱状構造を有するため、輝尽性蛍光体層
の周縁部は切り立っている。従って、気相堆積法で得た
放射線画像変換パネルは保護層の周縁部に亀裂が入り易
く、劣化を著しく早めた。また、輝尽性蛍光体層に柔軟
性がないことから応力に対して脆＜、特に、周縁部が支
持体から＠離し易くなった。

この発明は上記の問題点を解消するためのもので、気相
堆積法で形成された輝尽性蛍光体層における画質上の優
れた特性を保有させながら気相堆積法に起因する耐久性
の面での欠点を除去した放射線画像変換パネルを提供す
ることを目的としている。また、他の目的は剥離等によ
る輝尽性蛍光体層の破損のない放射線画像変換パネルを
提供することにある。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、この発明は気相堆積法で輝尽
性蛍光体層を支持体上に形成した放射線画像変換パネル
において、該輝尽性蛍光体層の周縁部の膜厚を連続的に
減少させるか、該輝尽性蛍光体層の周縁部に、厚さを連
続的に減少させた縁部材を設けることにより、耐久性を
向上させ得るように構成したものである。

次に、この発明を具体的に説明する。

第１図はこの発明の放射線画像変換パネル（単に変換パ
ネルと略称することもある）の周縁部の厚み方向の一部
分を示した断面図である。図において、１１は支持体、
１２は支持体１１上に形成した輝尽性蛍光体層である。

この輝尽性蛍光体層１２は周縁部１２′の膜厚が連続的
に減少（外方に向かって漸次薄肉＝傾斜）している。こ
の減少形態は第１図（ａ）の如く直面傾斜状でも、同図
（ｂ）の如く凹面傾斜状でも、同図（Ｃ）の如（凸面傾
斜状でも、同図（ｄ）の如く波面傾斜状でもよい。勿論
、この（ａ）〜（ｄｌは周縁部１２’の減少形態の代表
例を示したもので、これに限定されるものではない。

前記周縁部１２′の形状は支持体１１上に輝尽性蛍光体
層１２を成層した後、後加工で形成してもよく、成層中
に形成してもよい。前者の後加工としては、面取り加工
法、また端部を局所的に加熱溶融する方法がある。加熱
方法としてはガスレーザによる加熱が好ましい。後者と
しては例えば第２図に示す支持体ホルダー１３を使用す
る方法がある。即ち、この支持体ホルダー１３は支持体
１１の周辺を載せる棚部１４の下側に、蒸発源（図示せ
ず）からの蒸気流（矢印）１５を一部規制する突片１６
を備えてなり、この突片１６の影の部分にはその開放端
１６′より回り込んだ蒸気流１６が堆積する。従って、
開放端１６′に対して奥壁（支持体の外方寄り）１６＃
側の堆積量は当然少なくなり、層厚は連続的に減少する
ようになる。この場合、突片１６の突出量ａと、支持体
を載せる棚部１４までの距離すとを適当に選択すること
により第１図（ｄ）に示すような輝尽性蛍光体層１２の
周辺部１２′の形成が可能となる。

前記周縁部１２′の減少割合は特に限定しないが、この
発明の目的から見れば、急峻過ぎるよりもなだらかな方
がよい。尤も、なだらか過ぎると画像を得る上で有効な
輝尽性蛍光体層１２の面積が狭くなり好ましくないと言
える。

このことから、輝尽性蛍光体の厚さを（１）、厚さが減
少している範囲（長さ）を（Ｘ）とした場合、ｘ／ｌが
０．１〜１００の如く設定することが好ましく、０．５
〜５０であれば更に好ましい。

なお、上記の例では輝尽性蛍光体層１２の面積が支持体
１１より小さくなっているが、同じであっても良いこと
は勿論である。

また、輝尽性蛍光体層１２は気相堆積法により形成され
たものであるが、支持体１１と輝尽性蛍光体層１２との
間に必要に応じて接着性をよくするための接着層を設け
ても、また輝尽励起光及び又は輝尽発光の反射層若しく
は吸収層を設けてもよい。前記気相堆積法により輝尽性
蛍光体を気相成長させる方法としては蒸着法、スパッタ
法及びＣＶＤ法がある。蒸着法は支持体を蒸着装置内に
設置した後装置内を排気して１０−’Ｔｏｒｒ程度の真
空度とし、次いで輝尽性蛍光体を抵抗加熱法、エレクト
ロンビーム法等で加熱蒸発させて前記支持体表面に所望
の厚さに堆積させるもので、結着剤を含有しない輝尽性
蛍光体層が形成される。スパッタ法は蒸着法と同様に支
持体をスパッタ装置内に設置した後装置内を一端排気し
て１０−”Ｔｏｒｒ程度の真空度とし、次いでスパッタ
用のガスとして、Ａｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタ
装置内に導入して１０−　’Ｔｏｒｒ程度のガス圧とし
、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリン
グすることにより支持体表面に堆積させる。ＣＶＤ法は
目的とする輝尽性蛍光体或いは！！尽性蛍光体原料を含
有する有機金属化合物を熱、―周波電力等のエネルギー
で分解することにより、支持体上に結着剤を含有しない
輝尽性蛍光体層を得る方法である。

第３図は輝尽性蛍光体層の周縁部に厚さを連続的に減少
させた縁部材を設けた放射線画像変換パネルを示した断
面図である。図において、３１は輝尽性蛍光体層、３２
は支持体、３３は縁部材である。縁部材３３としては、
同図（ａｌの如く輝尽性蛍光体層３１を形成後、該輝尽
性蛍光体層３１の端部と支持体３２の三角部に放射線硬
化型樹脂やガラス質部材を充填しても、同図偽）の如く
予め放射線硬化型樹脂やガラス質部材を用いて成形した
縁部材３３を輝尽性蛍光体層３１の端部と支持体３２の
三角部に嵌合し固定しても、同図（Ｃ）の如く支持体３
２の一部をせり上げて縁部材３３を形成したものでも、
同図＋ｄｌの如く放射線硬化型樹脂やガラス質部材或い
は有機高分子物からなる保＃１Ｍ３４の一部を、輝尽性
蛍光体Ｎ３１の端部と支持体３２の三角部に流入させて
縁部材３３を形成したものでもよい。

前記「輝尽性蛍光体」とは、最初の光もしくは高エネル
ギー放射線が照射された後に、先約、熱的、機械的、化
学的又は電気的等の刺激（輝尽励起）により、最初の光
若しくは高エネルギー放射線の照射量に対応した輝尽発
光を示す蛍光体を言うが、実用的な面から好ましくは５
００ｎｍ以上の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光
体である。

この発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍
光体としては、例えば、特開昭４８−８０４８７号に記
載されているＢａ５Ｏ，、：　Ａｘで表される蛍光体、
特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ４：　Ａｘで
表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載され
ているＳｒＳＯ４：　ＡＸで表される蛍光体、特開昭５
１−２９８８９号に記載されているＮａ１ＳＯ，、、Ｃ
ａＳＯ４及びＢａ５Ｏ，等にＭｎ、　Ｄｙ及びＴｂのう
ち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０
４８７号に記載されているＢｅａｒ　ＬｉＦ＋　Ｍｇ５
Ｏａ及びＣａＦ、等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７
号に記載されているＬｉ２Ｂ４Ｏ７：Ｃｕ、　Ａｇの蛍
光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ
ｚＯ・（Ｂ＊０ｔ）ｘ　：　Ｃｕ及びＬｉｚＯ・（Ｂｚ
（ｈ）ｘ　：Ｃｕ、　Ａｇ　　等の蛍光体、米ｌ特許第
３．８５９．５２７号に記載されている５ｒＳ＝Ｃｅｌ
Ｓ１１、ＳｒＳ　：　Ｅｕ　、　Ｓｅａ、ｔ、ａ、Ｏｚ
Ｓ　：　Ｅｕ、Ｓ１１及び（Ｚｎ、Ｃｄ　）Ｓ　：　Ｍ
ｎ、ｘで表される蛍光体が挙げられる。また、特開昭５
５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ　：Ｃｕ、　
Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘＡｌ□０．　：　Ｅｕ
で表されるアルミン酸バリウム蛍光体、及び、一般式が
ＭＩＯ・ｘｓｉｏｚ　：Ａで表されるアルカリ土類金属
珪酸塩系蛍光体が挙げられる。

また、特開昭５５−１２１４３号に記載されている一般
式が（Ｂａ＋−ｘ−ｙＭｇ　ｘ　Ｃａｙ　）　ＦＸ　：
　　Ｅｕ”で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍
光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般
式がＬｎＯＸ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１
２１４５号に記載されている一般式が（Ｂａ＋−ｘＭＩ
　ｘ　）　ＦＸ　ｉ　　ｙＡで表される蛍光体、特開昭
５５−８４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ
　：　ｘＣｅ、　ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−
１６００７８号に記載されている一般式がＭ”　ＦＸ−
ｘＡ　：　ｙＬｎで表される希土類元素付活２価金属フ
ルオロハライド蛍光体、一般式がＺｎＳ　：八ＣｄＳ　
：　Ａ、（Ｚｎ、　Ｃｄ）Ｓ　：　Ａ、Ｘ及びＣｄｓ；
　Ａ、Ｘ　テ表される蛍光体、特開昭５９−３８２７８
号に記載されている下記いずれかの一般式 ％式％ ： で表される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載
されている下記いずれかの一般式 ％式％ で表される蛍光体、特開昭６１−７２０８７号に記載さ
れている下記一般式 ％式％： で表されるアルカリハライド蛍光体、及び特開昭６１−
２２８４００号に記載されている一般弐Ｍ’　Ｘ　：ｘ
Ｂｉで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等
が挙げられる。

特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリン
グ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させ易く好ましい。

しかし、この発明の放射線画像変換パネルに用いられる
。輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であって
もよい。

この発明に係るパネルの蛍光体の層厚は、目的とする変
換パネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等
によって異なるが、１μｍ−１０００μｍの範囲、さら
に好ましくは２０μｍ〜８００μｍから選ばれるのが好
ましい。

前記支持体としては例えばアルミナ等のセラミックス板
、化学的強化ガラス、結晶化ガラス等のガラス板、アル
ミニウム、鉄、銅、クロム等の金属板或いは該金属酸化
物の被覆層を有する金属板が好ましいが、ポリエステル
フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリ
カーボネートフィルムなどのプラスチックフィルムであ
ってもよい。支持体は一層とは限らず、二層以上の多層
構造であってもよい。

また、これらの支持体の層厚は用いる支持体の材質等に
よって異なるが、一般的には８０μｍ〜３０００μｍで
あり、取り扱い上の点から、さらに好ましくは８０μｍ
〜１０００μｍである。これら支持体の表面は滑面であ
ってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる
目的でマット面としてもよい、また、支持体の表面は凹
凸面としてもよいし、個々に独立した微小タイル状板を
密に配置した表面構造としてもよい。

前記輝尽性蛍光体層１２を覆う保護層３４或いは輝尽性
蛍光体層１２の周縁部の縁部材３３として用いるガラス
質としては輝尽性蛍光体層の水分吸収による特性の低下
を防ぐために耐湿性の優れた物質が好ましい。この要求
に沿うガラス質としては酸化物ガラス系素材が挙げられ
る。即ち、珪酸塩ガラス、燐酸塩ガラス更に硼酸塩ガラ
ス等が挙げられ、特に、珪酸塩ガラスが好ましい。具体
的には、石英ガラス（ＳｉＯｌ）、鉛珪酸ガラス（Ｐｂ
Ｏ・５ｉＯｔ）、鉛硼酸ガラス（ＰｂＯ−８！０３・Ｓ
ｉＯり、亜鉛硼酸ガラス（ＺｎＯ・Ｂｔ０３・５ｉＯ２
）、アルミノ珪酸ガラス（Ａ　ｉ　ｇｏｓ　　・Ｓｔａ
ｇ）　、アルミノ石灰珪酸ガラス（ＣａＯ・ＡＪ　ｚｏ
ｓ　　・Ｓｔｏｗ）　、カルシウム珪酸ガラス（ＣａＯ
・Ｂｔｕｓ　　・Ｓｔｏｗ）等が挙げられる。また、ガ
ラス質保護層の防湿性、耐酸性等の化学耐久性或いは透
明安定性を損なわない範囲で、ＣａＯ組成の増量、Ｎａ
　ｚＯの添加を行って溶融点を下げてもよい。また、ガ
ラス粉末の粒径は１−１００μｍが好ましい。

また、保護層３４或いは輝尽性蛍光体層１２の周縁部１
２の縁部材３３として用いる有機高分子物としては、例
えば、酢酸セルロース、ニトロセルロース、エチルセル
ロース等のセルロース誘導体、或いはポリメチルメタク
リレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロ
ニトリル、ポリメチルアリルアルコール、ポリメチルビ
ニルケトン、セルロースジアセテート、セルローストリ
アセテート、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、
ポリメタクリル酸、ポリグリシン、ポリアクリルアミド
、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアミン、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド（ナイロン）、ポリ四
弗化エチレン、ポリ三弗化−塩化エチレン、ポリプロピ
レン、四弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合体、ポ
リビニルイソブチルエーテル、ポリスチレンなどが挙げ
られる。

また、保護層３４或いは輝尽性蛍光体層１２の周縁部１
２の縁部材３３として用いる放射線硬化型樹脂としては
、不飽和二重結合を有する化合物又はこれを含む組成物
であればよく、このような化合物は好ましくは不飽和二
重結合を２個以上有するプレポリマ及び／又はオリゴマ
であり、さらに、これらに不飽和二重結合を有する単量
体（ビニルモノマ）を反応性希釈剤として含有させるこ
とができる。

〔実施例〕

次に、実施例によりこの発明を説明する。

◎実施例（１） １ｆｌ厚の結晶化ガラス支持体を第２図に示すようなホ
ルダーに載置し、これを蒸着装置内にセットする。

次に、抵抗加熱用のタングステンボート中にアルカリハ
ライド輝尽性蛍光体（ＲｂＢｒ；０．０Ｏ０６Ｔ　ｌ　
）を入れて抵抗加熱用電極にセットした後、蒸着装置を
排気して２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒの真空度とする。

次いでタングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法に
よって輝尽性蛍光体を蒸発させ、前記結晶化ガラス板上
に輝尽性蛍光体層を３００μｍの厚さに堆積させた。

これにより周縁部の肉厚が、第１図ｆｄ）の如く波形状
に漸次減少したパネル原体が得られ、該パネル原体を厚
さ１５μｍの延伸ポリプロピレン保護袋に収納して特開
昭６１−２２０４９２号に述べられている方法を用いて
真空密封し、保護層を形成して本願パネルＡを製造した
。

◎実施例（２） １龍厚の結晶化ガラス支持体を蒸着装置内にセットし、
実施例（１）と同様に、抵抗加熱用のタングステンボー
ト中に、アルカリハライド輝尽性蛍光体（ＲｂＢｒ；０
．０００６Ｔ　ｌ）を入れて抵抗加熱用電極にセットし
た後、蒸着装置を排気して２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの真空
度とし、タングステンボートに電流を流して抵抗加熱法
によって輝尽性蛍光体を蒸発させ、前記結晶化ガラス板
上に輝尽性蛍光体層を３００μｍの厚さに堆積させた。

次に、この輝尽性蛍光体層の周縁に鉛硼酸ガラス（Ｐｂ
Ｏ・Ｂ２０．・ＳｉＯ□）のロンドを設置し、この部分
を６００℃で６０ｍ１ｎ加熱処理することにより第３図
（ａｌに示すように輝尽性蛍光体層の端部と支持体の三
角部に鉛硼酸ガラスを充填させてパネル原体を得、この
パネル原体に実施例（１）と同様に保護層を形成して本
願パネルＢを得た。

このようにして得られた本願パネルＡ、Ｂは輝尽性蛍光
体層の周縁部の膜厚が連続して減少しているため、保護
層の形成やその後の取扱において輝尽性蛍光体層の周縁
部が切り立っている従来パネルのように保護層の周縁部
に亀裂等の破損が生じたり、蛍光体層の破壊されるとい
ったことがなく、長期間に亘って劣化の少ないパネルで
あることが判明した。

〔発明の効果〕

以上の如く、この発明は気相堆積法で輝尽性蛍光体層を
支持体上に形成した放射線画像変換パネルにおいて、該
輝尽性蛍光体層の周縁部の膜厚を連続的に減少させるか
、輝尽性蛍光体層の周縁部に、厚さを連続的に減少させ
た縁部材を設けたことを特徴としているから、気相堆積
法で形成された輝尽性蛍光体層の特性を保有しつつ、耐
久性を向上させることができ、従って、長期間に亘って
使用可能なパネルを提供できるという優れた効果を奏す
るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜ｆｄｌはこの発明の放射線画像変換パネ
ルの断面図、第２図は成形装置の断面図、第３図はこの
発明の他の例の断面図である。 １１、　２２．　３２−支持体 １２、　２４．　３１−一輝尽性蛍光体層１２′・−周
縁部 １３−・−支持体ホルダー １４・−棚部 １５−・蒸気流 １６・−突片 第１図 第２図 第３ （Ｃ） （ｂ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）気相堆積法で輝尽性蛍光体層を支持体上に形成し
   た放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の
   周縁部の膜厚を連続的に減少させたことを特徴とする放
   射線画像変換パネル。
2. （２）気相堆積法で輝尽性蛍光体層を支持体上に形成し
   た放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の
   周縁部に、厚さを連続的に減少させた縁部材を設けたこ
   とを特徴とする放射線画像変換パネル。