JPH01270230A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体製造装置に関し特にオゾンガスを利
用したレジスト除去装置の改良に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来の半導体製造装置を示す断面図であり１図
において（ＩＩはチャンバー、（２）はオゾン発生装置
（３）に酸素ガスを導入する酸素ガス供給管、（４）は
生成されたオゾンをレジストの付いたウェハ（５）に供
給するオゾン吹き出しノズルである。また、（６）はウ
ェハが置かれるウェハテーブルであり、ヒーター（７）
によって温度制御を行なっている。（８）はチャンバー
内で生成されたレジスト生成物を排出する排気配管であ
る。

久に動作について説明する。あらかじめチャンバー１１
１　内のウェハテーブル（６）丘に置かれたウェハ（５
）は、ヒーター（７）によって２５０〜３００℃の高温
に温度制御されている３次にオゾン発生装置（３）に酸
素ガス供給管（２目こより酸素が導入され、高濃度オゾ
ンを発生させオゾン吹き出しノズル（４）によりチャン
バー（１１内に供給される。この高濃度オゾンは、ヒー
ター（７）の熱により活性酸素ラジカルを発生させ、ウ
ェハ［５１ｋ、のレジストを酸化分解する。

酸化分解によって生成されたレジスト反応生成物は排気
配管（８）によりチャンバー外に排出される。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体製造装置は以ｔのように構成されているの
で、ウェハ上のレジスト酸化分解速度は。

供給されるオゾンのａ度とヒーター温度によって決定さ
れる。このため、扁いレジスト酸化分解速度を得るには
、ウェハを２５０〜３００℃の高温に保たなければなら
ず、レジスト中のＮａ　などの不純物元素がウェハ内に
熱拡散され、半導体デバイスの特性が劣下するなどの問
題点があり、この対策が課題となっていた。

この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、ウェハ温室を２００℃以下に下げた状態で、商
いレジスト酸化分解速度を得られると共に、半導体デバ
イスへの不純物拡散によるダメージを低減できる半導体
製造装置を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体製造装置は、エキシマレーザ−光
を高濃度オゾンガス、あるいはウェハｔのレジストに照
射する機構を設けたものである。

〔作　用〕

この発明における半導体製造装置は、エキシマレーザ−
光によって、高Ｉ！に度オゾンより多量の活性酸素フジ
カルを発生させることができる。またエキシマレーザ−
光の照射を受けたレジストは、化学結合が分断される。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は半導体製造装置を示す断面図である、図において、
従来例の第２図と同一符号のものは同一、又は同等のも
のをなし、（９）はエキシマレーザ−発生装置、　ａａ
はそのエキシマレーザ−光である。

矢に動作について説明する。第１図において。

あらかじめチャンバー（１）内のウェハテーブル（６）
七に置かれたウェハ（５）はヒーター（７）によって１
００〜２００℃に温度制御されている。次にオゾン発生
装置（３）に酸素ガス供給管（２）により酸素が導入さ
れ。

高濃度オゾンを発生させ、オゾン吹き出しノズル（４］
によりチャンバー（１）内Ｉζ供給される。この高濃度
オゾンはヒーター（７）及びエキシマレーザ−発生装置
（９）より発生されたエキシマレーザ光αＧによって、
多量の活性酸素フジカルを発生させる。また。

ウェハ１５）　Ｊ：に照射したエキシマレーザ−光によ
りウェハ（５１、ｔ−のレジストは化学結合が分断され
る。

この化学結合が分断されたレジストが多量に生成された
活性酸素ラジカルによって酸化分解され、生成されたレ
ジスト反応生成物は排気配管（８）によりチャンバー外
に排出される。

なお、上記実施例では、チャンバー内の圧力が常圧状態
の場合の動作を示したが、減圧あるいは加圧状態でも同
様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によればヒーターとエキシマレ
ーザ−光によって高濃度オゾンより多量の活性酸素ラジ
カルを発生することができるように構成したので、ウニ
へ温度が２ｏｏ℃以下の状態にて高いレジスト酸化速度
が得られると共に、レジスト中のＮλなどの不純物元素
がウニへ内に熱拡散され、半導体デバイスの特性が劣下
することが全く無くなり、低ダメージレジスト除去装置
が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はξの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す断面図、第２図は従来の半導体製造装置を示す断面図
である。図において（１）はチャンバー、（２）は酸素
ガス供給管、（３）はオゾン発生装置、（４）はオゾン
吹き出しノズル、（５）はウェハ、（６）はウェハテー
ブル、（７）はヒーター、（８）は排気配管、（９）は
エキシマレーザ−発生ｉｉ、ａｏは工牛シマレーザー光
である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体製造装置において、オゾン発生装置に酸素を供
   給し、高濃度オゾンを発生させ、チャンバー内に導入し
   、チャンバー内にセットされたウェハ上のレジストを酸
   化分解する半導体製造装置において、ウェハ温度をヒー
   ターにて上昇させると共に、エキシマレーザー光をオゾ
   ンガスに照射することにより、オゾン分解を促進させて
   活性ラジカルの発生量を増大させ、高いアッシングレー
   トを得られることを特徴とする半導体製造装置。