JPH01270504A - 超電導体材料の製造法 - Google Patents
超電導体材料の製造法Info
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- JPH01270504A JPH01270504A JP63095072A JP9507288A JPH01270504A JP H01270504 A JPH01270504 A JP H01270504A JP 63095072 A JP63095072 A JP 63095072A JP 9507288 A JP9507288 A JP 9507288A JP H01270504 A JPH01270504 A JP H01270504A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は超電導体材料の製造法に関する。
（従来の技術）
従来超電導体材料は、アルミナ（以下Ａｌ ２０ ｓと
する）製のるつば、こう鉢等に超電導体用原料粉体を入
れ、これを酸素雰囲気中、大気中等で焼成し２て製造し
ていた。
する）製のるつば、こう鉢等に超電導体用原料粉体を入
れ、これを酸素雰囲気中、大気中等で焼成し２て製造し
ていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記のような方法では、るっは。
こう鉢等に含まれる成分が不純物として得られる超電導
体材料中に固溶したり、るつぼ、こう鉢等内の超電導体
用原料粉体の上部と下部とでは焼成雰囲気及び焼成温度
が不均一であるため、均一な組成の超電導体材料が得ら
れないという問題がある。このため超電導特性がおちた
り、超電導体材料の含廟景が少なくなるという欠点が生
じる。
体材料中に固溶したり、るつぼ、こう鉢等内の超電導体
用原料粉体の上部と下部とでは焼成雰囲気及び焼成温度
が不均一であるため、均一な組成の超電導体材料が得ら
れないという問題がある。このため超電導特性がおちた
り、超電導体材料の含廟景が少なくなるという欠点が生
じる。
本発明は不純物の固溶が少なく、均一な組成の超電導体
材料の製造法を提供することを目的とするものである。
材料の製造法を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、超
電導体用原料粉体をジルコニア（以下Ｚｒ０ｚとする）
製又はマグネシア（以下Ｍ、ｇＯとする）製の円筒容器
内に入れ９円筒容器を回転又は回転揺動させながら焼成
すれば超電導体用原料粉体が円筒容器に固着することな
く、たえず回転するため焼成雰囲気及び焼成温度が均一
となり、これにより不純物の固溶が少なく、均一な組成
の超電導体材料が得られることを見Ｗｌ（７た。
電導体用原料粉体をジルコニア（以下Ｚｒ０ｚとする）
製又はマグネシア（以下Ｍ、ｇＯとする）製の円筒容器
内に入れ９円筒容器を回転又は回転揺動させながら焼成
すれば超電導体用原料粉体が円筒容器に固着することな
く、たえず回転するため焼成雰囲気及び焼成温度が均一
となり、これにより不純物の固溶が少なく、均一な組成
の超電導体材料が得られることを見Ｗｌ（７た。
本発明はＺｒＯ□製又はＭｇＯ製の円筒容器内に超電導
体用原料粉体を入れ、該円筒容器を回転又は回転揺動さ
せながら円筒容器内の超電導体用原料粉体を焼成する超
電導体材料の製造法に関する。
体用原料粉体を入れ、該円筒容器を回転又は回転揺動さ
せながら円筒容器内の超電導体用原料粉体を焼成する超
電導体材料の製造法に関する。
本発明において用いられる超電導体用原料粉体は特に制
限はないが、イツトリウム（以下Ｙとする）、バリウム
（以下Ｂａとする）及び銅（以下Ｃｕとする）を主成分
とし、その比率を原子比で１：２＋Ｏ，ｌｌＩ 、 Ｎ
Ｏ１！の割合に配合１−７た組成物を用いることが好寸
し７い。
限はないが、イツトリウム（以下Ｙとする）、バリウム
（以下Ｂａとする）及び銅（以下Ｃｕとする）を主成分
とし、その比率を原子比で１：２＋Ｏ，ｌｌＩ 、 Ｎ
Ｏ１！の割合に配合１−７た組成物を用いることが好寸
し７い。
円筒容器の材料は、 Ｚｒ０ｚ又はＭｇＯを主成分とし
たセラミック材料が用いられ、 Ａｊ’ｚ０３などの材
料を用いるとＡ１２ｏｓと超電導体用原料粉体とが反応
したす、 Ａ、ｌｚ Ｏ３が摩耗して得られる超電導体
材料中に混入して悪影響を及ぼす。
たセラミック材料が用いられ、 Ａｊ’ｚ０３などの材
料を用いるとＡ１２ｏｓと超電導体用原料粉体とが反応
したす、 Ａ、ｌｚ Ｏ３が摩耗して得られる超電導体
材料中に混入して悪影響を及ぼす。
また円筒容器は、超電導体用原料粉体と接触する円周部
分のみがＺｒＯ２又はＭｇＯを主成分としたセラミック
材料であってもよく２円筒容器全体がＺｒＯ２又はＭｇ
Ｏを主成分としたセラミック材料であってもよく特に制
限はない。円筒容器は多少傾けて用いてもよいが、水平
に［７て用いるのが好ましい。
分のみがＺｒＯ２又はＭｇＯを主成分としたセラミック
材料であってもよく２円筒容器全体がＺｒＯ２又はＭｇ
Ｏを主成分としたセラミック材料であってもよく特に制
限はない。円筒容器は多少傾けて用いてもよいが、水平
に［７て用いるのが好ましい。
焼成雰囲気、焼成温度及び焼成時間については特に制限
はなく、超電導体用原料粉体の種類により適宜選定する
ものとする。
はなく、超電導体用原料粉体の種類により適宜選定する
ものとする。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を引用して説明する。
実施例１
出発原料としてＹｔＯｓ （信越化学製、純度９９．
９％） 、 ＢａＣＯ３（高純度化学製、試薬特級）及
びＣｕＯ（高純度化学製、試薬特級）をＹ、 Ｂａ及び
Ｃｕの比率が原子比で１：２：３となるように秤量した
後、 ＺｒＯｘ製のボールミルで７２時時間式混合、粉
砕シフ、この後１００℃で２４時間乾燥して超電導体用
原料粉体を得だ。
９％） 、 ＢａＣＯ３（高純度化学製、試薬特級）及
びＣｕＯ（高純度化学製、試薬特級）をＹ、 Ｂａ及び
Ｃｕの比率が原子比で１：２：３となるように秤量した
後、 ＺｒＯｘ製のボールミルで７２時時間式混合、粉
砕シフ、この後１００℃で２４時間乾燥して超電導体用
原料粉体を得だ。
次に第１図に示す回転円筒型焼成炉の粉体出入口１０か
ら内径が５０ｍｍで、長さが６００＋＋ｔｍＯＺｒＣｈ
製の円筒容器６内に上記で得た超電導体用原料粉体１２
を３００ｇ入れ、モーター４を駆動してＺｒ０ｚ製の円
筒容器６を回転きせた。
ら内径が５０ｍｍで、長さが６００＋＋ｔｍＯＺｒＣｈ
製の円筒容器６内に上記で得た超電導体用原料粉体１２
を３００ｇ入れ、モーター４を駆動してＺｒ０ｚ製の円
筒容器６を回転きせた。
この後モーター回転制御装置３で回転数を１゜回転（ｒ
ｐｍ）に設定し９回転が安定したら酸素ガスをガス流量
調整計８で１．ｅ／分に調整してガス流入ロアから流し
込み９次いで発熱体制御装置２で発熱体５を加熱し、９
５０℃で５時間焼成し。
ｐｍ）に設定し９回転が安定したら酸素ガスをガス流量
調整計８で１．ｅ／分に調整してガス流入ロアから流し
込み９次いで発熱体制御装置２で発熱体５を加熱し、９
５０℃で５時間焼成し。
冷却後焼結体をＺｒＯ２製の円筒容器６から取り出し、
めのう乳鉢で粉砕して超電導体材料を得た。
めのう乳鉢で粉砕して超電導体材料を得た。
なお第１図において１は架台、９はガス排出口及び１１
は温度制御用熱電対保護管である。
は温度制御用熱電対保護管である。
実施例２
ＺｒＯ□製の円筒容器内に入れた超電導体用原料粉体を
９５０℃で１時間焼成し、それ以外は実施例１と同様の
方法で超電導体材料を得た。
９５０℃で１時間焼成し、それ以外は実施例１と同様の
方法で超電導体材料を得た。
実施例３
Ｍｇ０製の円筒容器を使用し、それ以外は実施例１と同
様の方法で超電導体材料を得た。
様の方法で超電導体材料を得た。
実施例４
Ｍｇ０ｇの円筒容器内に入れた超電導体用原料粉体を９
５０℃で１時間焼成し、それ以外は実施例１と同様の方
法で超電導体材料を得た。
５０℃で１時間焼成し、それ以外は実施例１と同様の方
法で超電導体材料を得た。
比較例１
内径が７５ｍｍで、高さが１３０閣のＺｒＱｚ製のるつ
ぼ内に実施例１で得た超電導体用原料粉末を３００ｇ入
れ、これを焼成炉中で酸素ガスを１１／分の割合で流し
込みながら９５０℃で５時間焼成し、冷却後焼結体をる
つぼから取り出し、めのう乳鉢で粉砕して超電導体材料
を得た。
ぼ内に実施例１で得た超電導体用原料粉末を３００ｇ入
れ、これを焼成炉中で酸素ガスを１１／分の割合で流し
込みながら９５０℃で５時間焼成し、冷却後焼結体をる
つぼから取り出し、めのう乳鉢で粉砕して超電導体材料
を得た。
比較例２
ｋｌｚｏｓ製のるつぼを使用し、それ以外は比較例１と
同様の方法で超電導体材料を得た。
同様の方法で超電導体材料を得た。
比較例３
Ｍｇ０製のるつぼを使用し、それ以外は比較例１と同様
の方法で超電導体材料を得た。
の方法で超電導体材料を得た。
次に各実施例及び各比較例で得られた超電導体材料につ
いて交流帯磁率法で超電導性を示１〜始める温度（Ｔ：
ｎ５ｅｊ ）及び７７Ｋにおける超電導体材料の含有量
を調べた。その結果を第１表に示す。
いて交流帯磁率法で超電導性を示１〜始める温度（Ｔ：
ｎ５ｅｊ ）及び７７Ｋにおける超電導体材料の含有量
を調べた。その結果を第１表に示す。
６一
第１表
第１表に示されるようにＴ：ｎゞ１は比較例２を除いて
ほぼ同じような値を示したが、７７Ｋにおける超電導体
材料の含有率については、実施例によって得られた本発
明になる超電導体材料は、８３容量チ以上で不純物の固
溶が少なく、かつ組成が均一であるということがわかる
。これに対し比較例によって得られた超電導体材料は、
４０容量チ以下で不純物の固溶が多く、かつ組成が不均
一であることがわかる。特に比較例２で得られた超電導
体材料は、７７Ｋにおける超電導体材料の含有率は皆無
で、不純物の固溶が極めて多く、超電導性を示す温度は
７１に以下であった。
ほぼ同じような値を示したが、７７Ｋにおける超電導体
材料の含有率については、実施例によって得られた本発
明になる超電導体材料は、８３容量チ以上で不純物の固
溶が少なく、かつ組成が均一であるということがわかる
。これに対し比較例によって得られた超電導体材料は、
４０容量チ以下で不純物の固溶が多く、かつ組成が不均
一であることがわかる。特に比較例２で得られた超電導
体材料は、７７Ｋにおける超電導体材料の含有率は皆無
で、不純物の固溶が極めて多く、超電導性を示す温度は
７１に以下であった。
（発明の効果）
本発明によって製造された超電導体材料は、不純物の固
溶が少なく９組成が均一であるため歩留りがよく、工業
的に極めて好適な超電導体材料である。
溶が少なく９組成が均一であるため歩留りがよく、工業
的に極めて好適な超電導体材料である。
第１図は本発明の超電導体材料の製造に用いられる超電
導体用原料粉体を焼成するための一例の回転円筒形焼成
炉の一部省略断面図である。 符号の説明 １・・・架台 ２・・・発熱体制御装置３・
・・モーター回転制御装置 ４・・・モーター ５・・・発熱体６・・・円筒
容器 ７・・・ガス流入口８・・・ガス流量調整
計 ９・・・ガス排出口１０・・・粉体出入口 １１・・・温度制御用熱電対保膿管 Ｊ２・・・超電導体用原料粉体
導体用原料粉体を焼成するための一例の回転円筒形焼成
炉の一部省略断面図である。 符号の説明 １・・・架台 ２・・・発熱体制御装置３・
・・モーター回転制御装置 ４・・・モーター ５・・・発熱体６・・・円筒
容器 ７・・・ガス流入口８・・・ガス流量調整
計 ９・・・ガス排出口１０・・・粉体出入口 １１・・・温度制御用熱電対保膿管 Ｊ２・・・超電導体用原料粉体
Claims (1)
- １、ジルコニア製又はマグネシア製の円筒容器内に超電
導体用原料粉体を入れ、該円筒容器を回転又は回転揺動
させながら円筒容器内の超電導体用原料粉体を焼成する
ことを特徴とする超電導体材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63095072A JPH01270504A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 超電導体材料の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63095072A JPH01270504A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 超電導体材料の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270504A true JPH01270504A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14127785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63095072A Pending JPH01270504A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 超電導体材料の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270504A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380926U (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-19 | ||
| JPH07226540A (ja) * | 1994-02-09 | 1995-08-22 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 超伝導体厚膜の燒結方法 |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP63095072A patent/JPH01270504A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380926U (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-19 | ||
| JPH07226540A (ja) * | 1994-02-09 | 1995-08-22 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 超伝導体厚膜の燒結方法 |
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