JPH07226540A - 超伝導体厚膜の燒結方法 - Google Patents
超伝導体厚膜の燒結方法Info
- Publication number
- JPH07226540A JPH07226540A JP6035188A JP3518894A JPH07226540A JP H07226540 A JPH07226540 A JP H07226540A JP 6035188 A JP6035188 A JP 6035188A JP 3518894 A JP3518894 A JP 3518894A JP H07226540 A JPH07226540 A JP H07226540A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- thick film
- peripheral surface
- sintering
- cylinder
- Prior art date
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- Pending
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 筒体の内周面および／または外周面に均一な
厚さの超伝導体厚膜を燒結させる。 【構成】 筒体の内周面および／または外周面に超伝導
体材料を燒結させて超伝導体厚膜を形成する超伝導体厚
膜の燒結方法であって、円筒１を水平状態に支持し、円
筒１の内周面にコーティングした超伝導体材料ペースト
層２が半溶融状態の間中円筒１を回転させる。
厚さの超伝導体厚膜を燒結させる。 【構成】 筒体の内周面および／または外周面に超伝導
体材料を燒結させて超伝導体厚膜を形成する超伝導体厚
膜の燒結方法であって、円筒１を水平状態に支持し、円
筒１の内周面にコーティングした超伝導体材料ペースト
層２が半溶融状態の間中円筒１を回転させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、微弱な磁気をもシー
ルドすることのできる超伝導体厚膜を、筒体の内周面お
よび／または外周面に超伝導体材料を燒結させて形成す
る超伝導体厚膜の燒結方法に関するものである。
ルドすることのできる超伝導体厚膜を、筒体の内周面お
よび／または外周面に超伝導体材料を燒結させて形成す
る超伝導体厚膜の燒結方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁場に対する磁気シールド体はパ
ーマロイなどの強磁性体を用いて構成しているが、強磁
性体は低周波領域、特に、１０Ｈｚ以下で磁気シールド
効果が小さかった。そこで、周波数に依存せずに磁気シ
ールドのできる超伝導体を用いて磁気シールド体を構成
した超伝導磁気シールド体が注目されている。
ーマロイなどの強磁性体を用いて構成しているが、強磁
性体は低周波領域、特に、１０Ｈｚ以下で磁気シールド
効果が小さかった。そこで、周波数に依存せずに磁気シ
ールドのできる超伝導体を用いて磁気シールド体を構成
した超伝導磁気シールド体が注目されている。
【０００３】この超伝導体はマイスナー効果によって外
部磁界を排除する反磁作用があるため、超伝導体を用い
て構成した超伝導磁気シールド体の内部では、外部磁界
をシールドした低磁場領域が得られる。このような超伝
導磁気シールド体は、例えば基材となる筒体の内周面に
超伝導体厚膜を燒結させて形成した構成とされている。
部磁界を排除する反磁作用があるため、超伝導体を用い
て構成した超伝導磁気シールド体の内部では、外部磁界
をシールドした低磁場領域が得られる。このような超伝
導磁気シールド体は、例えば基材となる筒体の内周面に
超伝導体厚膜を燒結させて形成した構成とされている。
【０００４】図２は従来の超伝導体厚膜の燒結方法を示
す説明図である。図２において、１はＡｇ（銀）で構成
された筒体を示し、直径が４０ｍｍ〜５０ｍｍで、長さ
が２００ｍｍで、肉厚が２ｍｍとされている。２は超伝
導体材料ペースト層を示し、Ｂｉ（ビスマス）酸化物系
超伝導体、例えばＢｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ1 Ｃｕ2 Ｏx 、Ｂｉ
2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx 、またはこれらにＰｂ（鉛）
を添加した超伝導体材料をペースト状にして筒体１の内
周面に５０μｍの厚さでコーティングされている。
す説明図である。図２において、１はＡｇ（銀）で構成
された筒体を示し、直径が４０ｍｍ〜５０ｍｍで、長さ
が２００ｍｍで、肉厚が２ｍｍとされている。２は超伝
導体材料ペースト層を示し、Ｂｉ（ビスマス）酸化物系
超伝導体、例えばＢｉ2 Ｓｒ2 Ｃａ1 Ｃｕ2 Ｏx 、Ｂｉ
2 Ｓｒ2 Ｃａ2 Ｃｕ3 Ｏx 、またはこれらにＰｂ（鉛）
を添加した超伝導体材料をペースト状にして筒体１の内
周面に５０μｍの厚さでコーティングされている。
【０００５】次に、超伝導体厚膜の燒結方法について説
明する。まず、図２に示すように、内周面に超伝導体材
料ペースト層２がコーティングされた筒体１を、軸が水
平状態となるように、燒結炉内に載置する。そして、燒
結炉内を８８５°Ｃまで昇温させて超伝導体材料ペース
ト層２を半溶融状態にさせた後、例えば０．１゜Ｃ／分
の割合で１６時間かけて徐々に冷却することにより、円
筒１の内周面に超伝導体厚膜を燒結させる。
明する。まず、図２に示すように、内周面に超伝導体材
料ペースト層２がコーティングされた筒体１を、軸が水
平状態となるように、燒結炉内に載置する。そして、燒
結炉内を８８５°Ｃまで昇温させて超伝導体材料ペース
ト層２を半溶融状態にさせた後、例えば０．１゜Ｃ／分
の割合で１６時間かけて徐々に冷却することにより、円
筒１の内周面に超伝導体厚膜を燒結させる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の超伝導体厚膜の
燒結方法は、筒体１を水平状態に載置したままで超伝導
体厚膜を燒結させているので、燒結炉内を昇温させる
と、半溶融状態となって流動性を帯びた超伝導体材料ペ
ースト層２が上から下に流れ落ちる液だれ現象が発生
し、均一な厚さの超伝導体厚膜を円筒１の内周面に燒結
させることができなくなるという不都合があった。
燒結方法は、筒体１を水平状態に載置したままで超伝導
体厚膜を燒結させているので、燒結炉内を昇温させる
と、半溶融状態となって流動性を帯びた超伝導体材料ペ
ースト層２が上から下に流れ落ちる液だれ現象が発生
し、均一な厚さの超伝導体厚膜を円筒１の内周面に燒結
させることができなくなるという不都合があった。
【０００７】この発明は、上記したような不都合を解消
するためになされたもので、筒体の内周面および／また
は外周面に均一な厚さの超伝導体厚膜を燒結させること
のできる超伝導体厚膜の燒結方法を提供するものであ
る。
するためになされたもので、筒体の内周面および／また
は外周面に均一な厚さの超伝導体厚膜を燒結させること
のできる超伝導体厚膜の燒結方法を提供するものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、筒体の内周
面および／または外周面に超伝導体材料を燒結させて超
伝導体厚膜を形成する超伝導体厚膜の燒結方法であっ
て、筒体を水平状態に支持し、少なくとも超伝導体材料
が半溶融状態の間中筒体を回転させる。そして、筒体を
円筒とし、筒体の周面速度を１ｍｍ／秒〜１００ｍｍ／
秒とし、超伝導体材料をＢｉ酸化物系超伝導体材料とす
るのが好ましい。
面および／または外周面に超伝導体材料を燒結させて超
伝導体厚膜を形成する超伝導体厚膜の燒結方法であっ
て、筒体を水平状態に支持し、少なくとも超伝導体材料
が半溶融状態の間中筒体を回転させる。そして、筒体を
円筒とし、筒体の周面速度を１ｍｍ／秒〜１００ｍｍ／
秒とし、超伝導体材料をＢｉ酸化物系超伝導体材料とす
るのが好ましい。
【０００９】
【作用】この発明における超伝導体厚膜の燒結方法は、
超伝導体材料が半溶融状態の間中筒体を回転させている
ので、半溶融状態の超伝導体材料が流動しなくなる。
超伝導体材料が半溶融状態の間中筒体を回転させている
ので、半溶融状態の超伝導体材料が流動しなくなる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。 実施例１ 図１はこの発明の超伝導体厚膜の燒結方法を示す説明図
であり、図２と同一または相当部分に同一符号を付して
説明を省略する。
する。 実施例１ 図１はこの発明の超伝導体厚膜の燒結方法を示す説明図
であり、図２と同一または相当部分に同一符号を付して
説明を省略する。
【００１１】次に、超伝導体厚膜の燒結方法について説
明する。まず、図１に示すように、内周面に超伝導体材
料ペースト層２がコーティングされた筒体１の外周面の
両端部分を、軸が水平状態となるように、燒結炉内に配
設した回転機構の把持部で把持する。そして、回転機構
を動作させて円筒１を矢印方向に回転させる。次に、燒
結炉内を８８５°Ｃまで昇温させて超伝導体材料ペース
ト層２を半溶融状態にさせた後、例えば０．１゜Ｃ／分
の割合で１６時間かけて徐々に冷却することにより、円
筒１の内周面に超伝導体厚膜を燒結させる。
明する。まず、図１に示すように、内周面に超伝導体材
料ペースト層２がコーティングされた筒体１の外周面の
両端部分を、軸が水平状態となるように、燒結炉内に配
設した回転機構の把持部で把持する。そして、回転機構
を動作させて円筒１を矢印方向に回転させる。次に、燒
結炉内を８８５°Ｃまで昇温させて超伝導体材料ペース
ト層２を半溶融状態にさせた後、例えば０．１゜Ｃ／分
の割合で１６時間かけて徐々に冷却することにより、円
筒１の内周面に超伝導体厚膜を燒結させる。
【００１２】上述したように、円筒１を回転させながら
超伝導体厚膜を燒結させるので、超伝導体材料ペースト
層２は半溶融状態となって流動性を帯びても、液だれ現
象を防止することができる。したがって、流動性を帯び
た超伝導体材料ペースト層２が流動しなくなるため、始
めにコーティングした５０μｍの均一な厚さの超伝導体
厚膜を円筒１の内周面に燒結させることができる。
超伝導体厚膜を燒結させるので、超伝導体材料ペースト
層２は半溶融状態となって流動性を帯びても、液だれ現
象を防止することができる。したがって、流動性を帯び
た超伝導体材料ペースト層２が流動しなくなるため、始
めにコーティングした５０μｍの均一な厚さの超伝導体
厚膜を円筒１の内周面に燒結させることができる。
【００１３】上記した実施例は、円筒１の内周面に超伝
導体厚膜を燒結させる例で説明したが、円筒１の外周面
に超伝導体厚膜を燒結させたり、円筒１の内周面および
外周面に超伝導体厚膜を燒結させる場合にも、適用でき
ることは言うまでもない。このように円筒１の外周面に
超伝導体厚膜を燒結させる場合は円筒を内周面または端
面で水平状態に支持し、円筒の内周面および外周面に超
伝導体厚膜を燒結させる場合は円筒を端面で水平状態に
支持するとよい。
導体厚膜を燒結させる例で説明したが、円筒１の外周面
に超伝導体厚膜を燒結させたり、円筒１の内周面および
外周面に超伝導体厚膜を燒結させる場合にも、適用でき
ることは言うまでもない。このように円筒１の外周面に
超伝導体厚膜を燒結させる場合は円筒を内周面または端
面で水平状態に支持し、円筒の内周面および外周面に超
伝導体厚膜を燒結させる場合は円筒を端面で水平状態に
支持するとよい。
【００１４】そして、筒体１を燒結工程の最初から最後
まで回転させる例で説明したが、少なくとも超伝導体材
料ペースト層２が半溶融状態の間中回転させればよい。
さらに、超伝導体材料をＢｉ酸化物系超伝導体材料とし
た例で説明したが、燒結過程で半溶融状態となる超伝導
体材料であれば、適用できることは言うまでもない。
まで回転させる例で説明したが、少なくとも超伝導体材
料ペースト層２が半溶融状態の間中回転させればよい。
さらに、超伝導体材料をＢｉ酸化物系超伝導体材料とし
た例で説明したが、燒結過程で半溶融状態となる超伝導
体材料であれば、適用できることは言うまでもない。
【００１５】また、回転する円筒１の周面速度は、半溶
融状態の超伝導体材料ペースト層２が飛散しない範囲の
１ｍｍ／秒〜１００ｍｍ／秒であればよいが、１０ｍｍ
／秒〜５０ｍｍ／秒とするのが最適である。そして、筒
体を円筒１とした例で説明したが、三角筒、四角筒など
の多角筒であってもよい。
融状態の超伝導体材料ペースト層２が飛散しない範囲の
１ｍｍ／秒〜１００ｍｍ／秒であればよいが、１０ｍｍ
／秒〜５０ｍｍ／秒とするのが最適である。そして、筒
体を円筒１とした例で説明したが、三角筒、四角筒など
の多角筒であってもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、筒体
を回転させながら超伝導体厚膜を燒結させるので、超伝
導体材料は半溶融状態となって流動性を帯びても、流動
しなくなる。したがって、流動性を帯びた超伝導体材料
が流動しなくなるため、始めにコーティングした均一な
厚さの超伝導体厚膜を筒体の内周面および／または外周
面に燒結させることができる。
を回転させながら超伝導体厚膜を燒結させるので、超伝
導体材料は半溶融状態となって流動性を帯びても、流動
しなくなる。したがって、流動性を帯びた超伝導体材料
が流動しなくなるため、始めにコーティングした均一な
厚さの超伝導体厚膜を筒体の内周面および／または外周
面に燒結させることができる。
【図１】この発明の超伝導体厚膜の燒結方法を示す説明
図である。
図である。
【図２】従来の超伝導体厚膜の燒結方法を示す説明図で
ある。
ある。
１ 円筒 ２ 超伝導体材料ペースト層
Claims (4)
- 【請求項１】 筒体の内周面および／または外周面に超
伝導体材料を燒結させて超伝導体厚膜を形成する超伝導
体厚膜の燒結方法であって、 前記筒体を水平状態に支持し、 少なくとも前記超伝導体材料が半溶融状態の間中前記筒
体を回転させる、 ことを特徴とする超伝導厚膜の燒結方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の超伝導体厚膜の燒結方
法において、 前記筒体は円筒である、 ことを特徴とする超伝導体厚膜の燒結方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の超伝導
体厚膜の燒結方法において、 前記筒体の周面速度は、１ｍｍ／秒〜１００ｍｍ／秒で
ある、 ことを特徴とする超伝導体厚膜の燒結方法。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の超伝導体厚膜の燒結方法において、 前記超伝導体材料は、Ｂｉ酸化物系超伝導体材料であ
る、ことを特徴とする超伝導体厚膜の燒結方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6035188A JPH07226540A (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 超伝導体厚膜の燒結方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6035188A JPH07226540A (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 超伝導体厚膜の燒結方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07226540A true JPH07226540A (ja) | 1995-08-22 |
Family
ID=12434885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6035188A Pending JPH07226540A (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 超伝導体厚膜の燒結方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07226540A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270504A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 超電導体材料の製造法 |
| JPH02107786A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物超電導膜の形成方法 |
| JPH02192615A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-30 | Ngk Insulators Ltd | 金属被覆超電導セラミックス成形体およびその製造法 |
-
1994
- 1994-02-09 JP JP6035188A patent/JPH07226540A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270504A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 超電導体材料の製造法 |
| JPH02107786A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物超電導膜の形成方法 |
| JPH02192615A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-30 | Ngk Insulators Ltd | 金属被覆超電導セラミックス成形体およびその製造法 |
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