JPH01270734A - サージ吸収回路 - Google Patents

サージ吸収回路

Info

Publication number
JPH01270734A
JPH01270734A JP10094188A JP10094188A JPH01270734A JP H01270734 A JPH01270734 A JP H01270734A JP 10094188 A JP10094188 A JP 10094188A JP 10094188 A JP10094188 A JP 10094188A JP H01270734 A JPH01270734 A JP H01270734A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
mov
sss
surge
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10094188A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Suzuki
健 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP10094188A priority Critical patent/JPH01270734A/ja
Publication of JPH01270734A publication Critical patent/JPH01270734A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、シリコンシンメトリカルスイッチ(以下SS
Sと略記する)とメタルオキサイドパリスク(以下MO
Wと略記する)を直列に接続したサージ吸収回路に関す
る。
従来の技術 従来、この種のサージ吸収回路は第4図に示すようにM
Ov単独で使用する事が多かった。NOVの特性として
は常時使用する電圧値ではできるだけ電流が少なく(リ
ーク電流が小さく)、またサージ電圧が入ってきた場合
にはできるだけMOVに電流を流してサージ電圧を吸収
する必要があったためにMOVの特性はシビアに要求さ
れていた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、常時使用する電圧でリーク電流を小さく
、またサージ電圧が入ってきたときMOVに電流を流し
てサージを吸収する特性はMOVの特性でも非常に難し
く、前記特性を強く要求すると製品歩溜りが悪くなると
いう欠点があった。
また、予想された以上のエネルギーのサージが入ってき
た場合には、NOVに定格電力以上の電力が加わり、M
Ovが劣化される事があった。MQVが劣化すれば常時
印加される電圧値でも電流が流れ。
電流が流れると熱を持ち、さらに劣化が進という悪循環
が起き、MOVの発熱により周辺の機器への引火または
MOVの発火等に至ることがあった。この問題を解決す
るには、定格電圧ではMOWが動作せず、またサージ電
圧のような定格電圧以下の電圧が入ってきたときにのみ
MOVが動作するようなスイッチ回路を直列に接続する
事により解決する。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記課題
を解決することを可能とした新規なサージ吸収回路を提
供することにある。
発明の従来技術に対する相違点 本発明は、前述したように従来のNOVのサージ吸収回
路にSSSを直列に接続するという相違点を有する。
課題を解決するための手段 上記目的を達成する為に、本発明に係るサージ吸収回路
は、SSSとMOVを直列に接続して小型軽星に構成さ
れる。
ここでSSSの動作を簡単に説明する。
SSSは双方向性対称スイッチ素子であるために片方向
のみで説明する。第3図に示すように、SSSの両端に
電圧が印加されるとブレークオーバ電圧VBOまでは“
OFF”であるが、ブレークオーバ電圧vBoを越える
と急激に“ON”となりオン電圧は1v前後となる。オ
ン電流は保守電流I11以下となれば“OFF”となる
、即ち、SSSは“OFF ” 。
“ON”が明確な動作をするスイッチ素子である。
また前記の如く対称的な動作を行うので、両端の電圧が
逆になれば対称的な動作曲線となる。即ち、SSSとN
OVを直列に接続する事により常時印加される電圧では
MOVは全く動作せず、はとんどSSSのリーク電流の
み流れる。
また、SSSのブレークオーバ電圧VSO以上のサージ
電圧が印加されたときには、直ちにSSSは“ON”と
なり導通状態となるために、サージ電圧はMOVのみに
加わり、MOVにてサージを吸収する事になる。この事
はサージのためMOV劣化しても常時前わる電圧ではN
OVは導通状態にならないために、通常の電圧にてのM
OV劣化という事は起こり得ない。
また、例えば電源電圧にマツチしない低い抑制電圧のM
OVでもSSSの動作電圧を規制する事により使用可能
となる、 実施例 次に、本発明をその好ましい各実施例について図面を参
照しながら詳細に説:明する。
第1図は本発明による第1の実施例を示す回路構成図で
ある。
第1図を参照するに、11は交流電源、12はSSS、
13はMOVをそれぞれ示す、 +4は負荷で特に動作
の説明には関係ない、ここで5SS12のブレークオー
バ電圧VBOは常時印加される電圧よりも高く、また吸
収しようとするサージ電圧よりも低く設定すれば、サー
ジが入ったときにのみ5SS12は“ON″となり、サ
ージ電圧はN0V13に吸収される。即ちN0VI3は
サージが入ったときにのみ回路に接続され、常時は接続
されない。
第2図は本発明による第2の実施例を示す回路構成図で
ある。
この第2の実施例においては交流電源の代わりに直流電
源11′が使用されている。
第2図において、5SS12及びMOV13共に双方向
性の特性のために基本的な回路は交流回路と同じである
。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、SSSとMOVを
直列に接続するサージ吸収回路を形成する事により、以
下のような効果が得られる。
NOVの劣化による発火等が防止できる。
NOVの特性がシビアには要求されなくなる。
NOVの抑制電圧が低いものでも使用可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による第1の実施例を示す回路構成図、
第2図は本発明による第2の実施例を示す回路構成図、
第3図はSSSの特性図、第4図は従来の回路図である
。 11・・・交流電源、I+’・・・直流電源、12・・
・SSS 、13・・・MOV 、+4・・・負荷 特許出願人   日本電気株式会社 代 理 人   弁理士 熊谷雄太部 第2因 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコンシンメトリカルスイッチとメタルオキシサイド
    バリスタを直列に接続してなるサージ吸収回路。
JP10094188A 1988-04-22 1988-04-22 サージ吸収回路 Pending JPH01270734A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10094188A JPH01270734A (ja) 1988-04-22 1988-04-22 サージ吸収回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10094188A JPH01270734A (ja) 1988-04-22 1988-04-22 サージ吸収回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01270734A true JPH01270734A (ja) 1989-10-30

Family

ID=14287379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10094188A Pending JPH01270734A (ja) 1988-04-22 1988-04-22 サージ吸収回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01270734A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04190623A (ja) * 1990-11-22 1992-07-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体応用電子機器のサージ保護装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04190623A (ja) * 1990-11-22 1992-07-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体応用電子機器のサージ保護装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3582713A (en) Overcurrent and overvoltage protection circuit for a voltage regulator
US20190229529A1 (en) Electrical protective circuit arrangement
JPH02246265A (ja) Cmos集積回路用の静電放電気からの保護回路
JPS62147914A (ja) 固体電力接点
CN223141500U (zh) 一种tbu电路
JPH0365020A (ja) 過電流保護回路と半導体装置
JPS60257576A (ja) Mis形電界効果半導体装置の入力保護回路
JPH03145918A (ja) 過電圧過電流保護回路
US3214677A (en) Circuit for controlling transient voltages to prevent premature triggering of semiconductors
JP2018064028A (ja) タップ切換器及び保護方法
US2476843A (en) Contact protection network
CN208158419U (zh) 开关电源耐压范围拓展电路和开关电源
JP3542703B2 (ja) 過電流保護回路
WO2020035712A1 (ja) スイッチング回路
JPH05276654A (ja) 半導体素子の保護方法
JPS608657B2 (ja) 交流2線式近接スイツチ
CN109756113B (zh) 抗静电保护与对地或电源短路保护的多态开关及实现方法
KR20000038281A (ko) 돌입전류 제한회로
JPH024974B2 (ja)
WO2023003039A1 (ja) 電子制御装置
JP2020030969A (ja) 過電圧抑制回路及び遮断装置
JPS5910165A (ja) ゲートターンオフサイリスタのスイッチング回路
KR20180099432A (ko) 하이브리드 한류 장치
JPH07201535A (ja) 複合型サージ吸収素子及びサージ吸収回路
JPH04190623A (ja) 半導体応用電子機器のサージ保護装置