JPH01270933A - 減圧処理装置 - Google Patents
減圧処理装置Info
- Publication number
- JPH01270933A JPH01270933A JP10035988A JP10035988A JPH01270933A JP H01270933 A JPH01270933 A JP H01270933A JP 10035988 A JP10035988 A JP 10035988A JP 10035988 A JP10035988 A JP 10035988A JP H01270933 A JPH01270933 A JP H01270933A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- dust concentration
- atmospheric pressure
- under reduced
- reduced pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、減圧処理装置に係１ノ、特に装置内をパージ
アンドフローによりクリーニングされる減圧処理装置に
関するものである。
アンドフローによりクリーニングされる減圧処理装置に
関するものである。
ドライエプチング装置等のプラズマ処理装置は一般にプ
ラズマ処理室、搬送のためのバッフ１室およびロードロ
ック室で構成されるが、プラズマ処理室ではエブチング
された粒子やデボジシ冒ン成分を有するためチャンバ内
はこれらの塵埃で汚染され、真空室として連通ずるバブ
ファ室やロードロック室も搬送を通じて汚染される。こ
のような処理室や真空室のクリーニング技術として１例
えば、特開昭６０−９１６４１号公報に記載のように排
気系とリーク系を設け、これを交互に動作してクリーニ
ングする技術が提案されている。
ラズマ処理室、搬送のためのバッフ１室およびロードロ
ック室で構成されるが、プラズマ処理室ではエブチング
された粒子やデボジシ冒ン成分を有するためチャンバ内
はこれらの塵埃で汚染され、真空室として連通ずるバブ
ファ室やロードロック室も搬送を通じて汚染される。こ
のような処理室や真空室のクリーニング技術として１例
えば、特開昭６０−９１６４１号公報に記載のように排
気系とリーク系を設け、これを交互に動作してクリーニ
ングする技術が提案されている。
上記従来技術では、クリーニングの終了を確認するため
には搬送後の試料に付着した異物数を面板欠陥装置によ
り測定し、目標値を達成するまで繰り返し行う必要があ
る。よって、クリーニングに要する時間も多大になると
いう問題点があった。
には搬送後の試料に付着した異物数を面板欠陥装置によ
り測定し、目標値を達成するまで繰り返し行う必要があ
る。よって、クリーニングに要する時間も多大になると
いう問題点があった。
本発明の目的は、クリーニングの終了を容易に検出し、
それに要する時間な足輪できる減圧処理装置を提供する
ことにある。
それに要する時間な足輪できる減圧処理装置を提供する
ことにある。
上記目的は、減圧処理装置を、装置内を減圧排気する手
段と、前記装置内を大気圧に戻す手段と、大気圧に戻さ
れた前記装置内の塵埃濃度を測定する手段とを具備した
ものとすることにより、達成される。
段と、前記装置内を大気圧に戻す手段と、大気圧に戻さ
れた前記装置内の塵埃濃度を測定する手段とを具備した
ものとすることにより、達成される。
減圧処理装置の装置内、例えば、プラズマ処理装置にお
いては、プラズマ処理室、搬送のためのバブファ室、ロ
ードロブタ室等内が減圧ｂｉ気手段の作動により減圧排
気される。その後、上記装置内は、パージ手段により大
気圧に戻される。大気正否こ戻された上記装置内の塵埃
濃度は、塵埃濃度測定手段により測定、例えば、浮遊要
項にＨ６−Ｎｅレーザを照射して塵埃からの散乱光を検
出することで測定される。このような操作が繰り返して
実施され、上記！１ｌｔＷ内の測定塵埃濃度が目標値以
下になった時点で、クリーニング動作が完了する。
いては、プラズマ処理室、搬送のためのバブファ室、ロ
ードロブタ室等内が減圧ｂｉ気手段の作動により減圧排
気される。その後、上記装置内は、パージ手段により大
気圧に戻される。大気正否こ戻された上記装置内の塵埃
濃度は、塵埃濃度測定手段により測定、例えば、浮遊要
項にＨ６−Ｎｅレーザを照射して塵埃からの散乱光を検
出することで測定される。このような操作が繰り返して
実施され、上記！１ｌｔＷ内の測定塵埃濃度が目標値以
下になった時点で、クリーニング動作が完了する。
従って、従来のように搬送後の試料に付着した異物数を
上記操作毎に測定する二とが不要になる。
上記操作毎に測定する二とが不要になる。
以下１本兄明の一実施例としてロードロック室に適用し
た場合について第１図、第２図蒼こより説明する。ロー
ドロック室１は下フタ２、上フタ３゜チャンバ４により
構成され、下フタ２．上フタ３はそｊＬぞれエアシリン
ダ等により独立に上下できる構造とするためにチャンバ
４との間に０リング５が設けられている。下フタ２が第
１図の状態から下降するとロードロック室１はバッファ
室（図示せず）あるいはプロセス室（図示せず）と連通
し、ウェハを搬送することが可能である。」−フタ３に
はウェハ受は渡しのための上下機構６とそのガイドのた
めの０リング７が設けられている。チャンバ４にはり−
クポ・−ト８とσ１気ボート９が設けられ、それぞれリ
ークガス供給系１０．排気系１１に接続されており、排
気系１１に至る配管１２にはロードロック室１内が大気
圧以上であることおよび真空であることを検出する大気
検出器１３．真空検出器１４が取り付けられている。ま
た、上フタ３Ｉこはサンプリング用ボート１５が設けら
れており、電磁弁１６を介して、ロードロック室１内よ
りサンプリングしたガス中の塵埃濃度を測定する塵埃濃
度測定ｎ１７が設けられている。なお、１を磁弁１６は
大気検出器１３の信号により動作する。
た場合について第１図、第２図蒼こより説明する。ロー
ドロック室１は下フタ２、上フタ３゜チャンバ４により
構成され、下フタ２．上フタ３はそｊＬぞれエアシリン
ダ等により独立に上下できる構造とするためにチャンバ
４との間に０リング５が設けられている。下フタ２が第
１図の状態から下降するとロードロック室１はバッファ
室（図示せず）あるいはプロセス室（図示せず）と連通
し、ウェハを搬送することが可能である。」−フタ３に
はウェハ受は渡しのための上下機構６とそのガイドのた
めの０リング７が設けられている。チャンバ４にはり−
クポ・−ト８とσ１気ボート９が設けられ、それぞれリ
ークガス供給系１０．排気系１１に接続されており、排
気系１１に至る配管１２にはロードロック室１内が大気
圧以上であることおよび真空であることを検出する大気
検出器１３．真空検出器１４が取り付けられている。ま
た、上フタ３Ｉこはサンプリング用ボート１５が設けら
れており、電磁弁１６を介して、ロードロック室１内よ
りサンプリングしたガス中の塵埃濃度を測定する塵埃濃
度測定ｎ１７が設けられている。なお、１を磁弁１６は
大気検出器１３の信号により動作する。
第２図で、ロードロック室ｌの上フタ３および下フタ２
がそれぞれに下降、上昇した状態で排気動作を行いなが
らリーク動作を行いクリーニングを実施する。また、こ
の状態では大気圧検出器１３が動作しないようにリーク
ガス流蓋が調整されており、電磁弁＋６は動作せずロー
ドロック室ｌと塵埃濃度ｆＡｌ定器１７は連通されない
。その後、リーク動作を継続して行いながら排気動作を
停止するとロードロック室ｌ内は大気圧以上となり大気
検出Ｗ １３ 、電磁弁１６が動作し、サンプリング用
ポートｂよりロードロガク室１内のり−クガスにより巻
き上げられた塵埃を含むガスが塵埃濃度測定器１７に導
かれる。そして、塵埃＠度圓定１ｉｉ１７に所定時間内
にサンプリングさｎたガスの塵埃濃度が表示される。そ
の値が目標値以下であれはクリーニングを終ｒするが、
目標値以上であればクリーニングと塵埃濃度測定動作を
目標値以下になるまで繰り返し実施する。
がそれぞれに下降、上昇した状態で排気動作を行いなが
らリーク動作を行いクリーニングを実施する。また、こ
の状態では大気圧検出器１３が動作しないようにリーク
ガス流蓋が調整されており、電磁弁＋６は動作せずロー
ドロック室ｌと塵埃濃度ｆＡｌ定器１７は連通されない
。その後、リーク動作を継続して行いながら排気動作を
停止するとロードロック室ｌ内は大気圧以上となり大気
検出Ｗ １３ 、電磁弁１６が動作し、サンプリング用
ポートｂよりロードロガク室１内のり−クガスにより巻
き上げられた塵埃を含むガスが塵埃濃度測定器１７に導
かれる。そして、塵埃＠度圓定１ｉｉ１７に所定時間内
にサンプリングさｎたガスの塵埃濃度が表示される。そ
の値が目標値以下であれはクリーニングを終ｒするが、
目標値以上であればクリーニングと塵埃濃度測定動作を
目標値以下になるまで繰り返し実施する。
なお、ロードロック室ｌ内の塵埃濃度の目標値は、塵埃
！１度と排気、リーク時の異物付着数の関係を予め実験
により求めて設定する。
！１度と排気、リーク時の異物付着数の関係を予め実験
により求めて設定する。
本実施例によれば、従来のように、搬送後の試料に付着
した異物数をクリーニング動作毎に測定することが不要
になるので、ロードロック室のクリーニングの終Ｔを容
易に検出できると共に、それに要する時間を短縮できる
。また、ロードロック室のクリーニングに要する時間を
短縮できるので、ロードロック室の稼動率を向上でき、
スループ、トな向上できる。
した異物数をクリーニング動作毎に測定することが不要
になるので、ロードロック室のクリーニングの終Ｔを容
易に検出できると共に、それに要する時間を短縮できる
。また、ロードロック室のクリーニングに要する時間を
短縮できるので、ロードロック室の稼動率を向上でき、
スループ、トな向上できる。
なお、皇紀−実施例の他（二〇−ドロブク室内ガスをサ
ンプリングすることなしに、直接ロードロック室内の塵
埃濃度を測定するように構成しても良い。また、上記一
実施例のようにロードロブタ室内ガスをサンプリングす
る場合、該力スのサンプリングは、ロードロック室内で
最も塵埃が多い場所に対応して行うよう（こした方が望
ましい。
ンプリングすることなしに、直接ロードロック室内の塵
埃濃度を測定するように構成しても良い。また、上記一
実施例のようにロードロブタ室内ガスをサンプリングす
る場合、該力スのサンプリングは、ロードロック室内で
最も塵埃が多い場所に対応して行うよう（こした方が望
ましい。
本５も明によれば、減圧処理装置内のクリーニングの終
了を容易に検出でき、それに要する時間を短縮できる効
果がある。
了を容易に検出でき、それに要する時間を短縮できる効
果がある。
１ｇ１図は本発明の一実施例の減圧処理装置のロードロ
ック室部の装置構成図、第２図は第１図でのクリーニン
グ動作線図である。 １・・・・・・ロードロック室、ｌＯ・・・・・・リー
クガス供給系、 １１・・・・・・排気系、 １３・・
・・・・大気検出器、１５・・・・・・サンプリング用
ボート、１６・・・・・・電磁弁、１７・・・・・・塵
埃濃度測定器 イ２図
ック室部の装置構成図、第２図は第１図でのクリーニン
グ動作線図である。 １・・・・・・ロードロック室、ｌＯ・・・・・・リー
クガス供給系、 １１・・・・・・排気系、 １３・・
・・・・大気検出器、１５・・・・・・サンプリング用
ボート、１６・・・・・・電磁弁、１７・・・・・・塵
埃濃度測定器 イ２図
Claims (1)
- １、減圧下で試料を処理する装置において、前記装置内
を減圧排気する手段と、前記装置内を大気圧に戻す手段
と、大気圧に戻された前記装置内の塵埃濃度を測定する
手段とを具備したことを特徴とする減圧処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035988A JPH01270933A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 減圧処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035988A JPH01270933A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 減圧処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270933A true JPH01270933A (ja) | 1989-10-30 |
Family
ID=14271886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10035988A Pending JPH01270933A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 減圧処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270933A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04281834A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-07 | Nec Yamagata Ltd | 真空装置 |
| US5259407A (en) * | 1990-06-15 | 1993-11-09 | Matrix Inc. | Surface treatment method and apparatus for a semiconductor wafer |
| US6105592A (en) * | 1997-07-21 | 2000-08-22 | Semitool, Inc. | Gas intake assembly for a wafer processing system |
| JP2022552225A (ja) * | 2019-10-08 | 2022-12-15 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板処理システムにおけるロードロックのための自動クリーニング |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP10035988A patent/JPH01270933A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5259407A (en) * | 1990-06-15 | 1993-11-09 | Matrix Inc. | Surface treatment method and apparatus for a semiconductor wafer |
| JPH04281834A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-07 | Nec Yamagata Ltd | 真空装置 |
| US6105592A (en) * | 1997-07-21 | 2000-08-22 | Semitool, Inc. | Gas intake assembly for a wafer processing system |
| JP2022552225A (ja) * | 2019-10-08 | 2022-12-15 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板処理システムにおけるロードロックのための自動クリーニング |
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