JPH01272006A - 透明導電膜 - Google Patents

透明導電膜

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Publication number
JPH01272006A
JPH01272006A JP63099417A JP9941788A JPH01272006A JP H01272006 A JPH01272006 A JP H01272006A JP 63099417 A JP63099417 A JP 63099417A JP 9941788 A JP9941788 A JP 9941788A JP H01272006 A JPH01272006 A JP H01272006A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
transparent conductive
torr
conductive film
oxide
Prior art date
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Pending
Application number
JP63099417A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Kinoshita
木下　宏行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP63099417A priority Critical patent/JPH01272006A/ja
Publication of JPH01272006A publication Critical patent/JPH01272006A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は透明導電膜に関する。
〔従来の技術〕
従来より液晶表示体、エレクトロルミネッセンス、太陽
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、銅、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜と酸化第二スズ、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛などの酸化物半導体がある。
金属薄膜は低い基板温度で容易に低抵抗の膜を作製する
ことができるが、高い透過率を得るためには膜厚を非常
に薄くしなければならず機械的強度が劣るという欠点を
持っている。一方酸化物半導体は優れた透光性と膜強度
を有しており導電性も良いことから実用的であり広く応
用されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、液晶表示体の高品質化が近年急速に進ん
でいる。ことに伴って表示体を大型化、大容量化した場
合現状の透明導電膜では抵抗が高く表示にむらが出てし
まうという課題が生じている。
そこで本発明の目的とするところは液晶表示体の高品質
化を実現させる低抵抗透明導電膜を提供することにある
。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の透明導電膜は、酸化銀がドーピングされた酸化
インジウム膜からなることを特徴としている。
〔実施例〕
真空チャンバー内に酸素とアルゴンを導入し、酸化銀を
含む酸化インジウムのターゲットを用いてＲＦマグネト
ロンスパッタ法により酸化銀がドーピングされた酸化イ
ンジウム膜を作製した。製膜条件は以下の通りである。
（１）基板 ガラス基板 （２）到達圧力 ５ｘｌ（１’Ｔｏｒｒ （３）酸素分圧 ２Ｘ１０”Ｔｏｒｒ （４）スパッタ圧力 ５Ｘ１（１”Ｔｏｒｒ （５）基板温度 １７０℃ （６）ターゲット Ｉｎバ）　ｓ　−Ａ　ｇ　＊○ この膜の比抵抗値は９．４Ｘ１０−’Ωａｍであった。
〔比較例〕
実施例と同様な条件で酸化インジウムをターゲットとし
て酸化銀を含まない酸化インジウム膜を作製した。この
膜の比抵抗値は６．６Ｘ１０−”Ω１であった。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明の透明導電膜は酸化インジウ
ムに酸化銀がドーピングされているもので非常に抵抗が
低いものであり、デイスプレィデバイスの大型化・大容
量化など高品質化に大きな効果を有するものである。な
お本発明の透明導電膜は真空蒸着法、イオンブレーティ
ング法など様々な手法により製膜可能でありその応用分
野も各種表示デバイス、太陽電池、撮像素子などの透明
電極や発熱膜、帯電防止膜、熱線反射膜、選択透過膜な
ど広い分野で応用可能である。
以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）酸化銀がドーピングされた酸化インジウム膜から
    なることを特徴とする透明導電膜。
JP63099417A 1988-04-22 1988-04-22 透明導電膜 Pending JPH01272006A (ja)

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JPH01272006A true JPH01272006A (ja) 1989-10-31

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6614840B1 (en) 1999-03-16 2003-09-02 Nec Corporation Equalizer with phase-locked loop
CN104677950A (zh) * 2015-02-15 2015-06-03 南京益得冠电子科技有限公司 用于半导体甲醛传感器的甲醛敏感材料及半导体甲醛传感器

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6614840B1 (en) 1999-03-16 2003-09-02 Nec Corporation Equalizer with phase-locked loop
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