JPH01289016A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPH01289016A JPH01289016A JP11870988A JP11870988A JPH01289016A JP H01289016 A JPH01289016 A JP H01289016A JP 11870988 A JP11870988 A JP 11870988A JP 11870988 A JP11870988 A JP 11870988A JP H01289016 A JPH01289016 A JP H01289016A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明導電膜に関する。
従来より液晶表示体、エレクトロルミネッセンス、太陽
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、銅、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜と酸化第二スズ、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛などの酸化物半導体がある。
電池などの電極材料として透明導電膜が利用されており
、この透明導電膜には金、銀、銅、白金、パラジウム、
アルミニウムなどの金属薄膜と酸化第二スズ、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛などの酸化物半導体がある。
金属薄膜は低い基板温度で容易に低抵抗の膜を作製する
ことができるが、高い透過率を得るためには膜厚を非常
に薄くしなければならず機械的強度が劣るという欠点を
持っている。一方酸化物半導体は優れな透光性と膜強度
を有しており導電性ら良いことから実用的であり広く応
用されている。
ことができるが、高い透過率を得るためには膜厚を非常
に薄くしなければならず機械的強度が劣るという欠点を
持っている。一方酸化物半導体は優れな透光性と膜強度
を有しており導電性ら良いことから実用的であり広く応
用されている。
〔発明が解決しようとする課題及び目的〕しかしながら
、液晶表示体の高品質化が近年急速に進んでいることに
伴って表示体を大型化、大容呈化した場合現状の透明導
電膜では抵抗が高く表示にむらが出てしまうという課題
が生じている。
、液晶表示体の高品質化が近年急速に進んでいることに
伴って表示体を大型化、大容呈化した場合現状の透明導
電膜では抵抗が高く表示にむらが出てしまうという課題
が生じている。
そこで本発明の目的とするところは液晶表示体の高品質
化を実現させる低抵抗透明導電膜を堤供することにある
。
化を実現させる低抵抗透明導電膜を堤供することにある
。
本発明の透明導電膜は、酸化銀がドーピングさ均た酸化
インジウム・スズ膜からなることを特徴としている。
インジウム・スズ膜からなることを特徴としている。
真空チャンバー内に酸素とアルゴンを導入し、酸化銀を
象む酸化インジウム・スズのターゲットを用いてＤＣマ
グネトロンスパッタ法により酸化銀がドーピングされた
酸化インジウム・スズ膜を作製した。製膜東件は以下の
通りである。
象む酸化インジウム・スズのターゲットを用いてＤＣマ
グネトロンスパッタ法により酸化銀がドーピングされた
酸化インジウム・スズ膜を作製した。製膜東件は以下の
通りである。
（１）基板
ガラス基板
（２）到達圧力
５ｘ １０−’Ｔｏ ｒ ｒ
（３）酸素分圧
４Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ
（４）スパッタ圧力
５ｘ １０−’Ｔｏ ｒ ｒ
（５）基板温度
１７０℃
（６）ターゲット
Ｉｎ２Ｏ３５ＷＴ％ＳｎＯ，−Ａｇ、０第１図は酸化銀
の量と比抵抗の値の関係を示した図である。この図から
れかるように酸化インジウム・スズに酸化銀をドーピン
グしたものは酸化銀をドーピングしていないものく酸化
銀添加量が０のもの）と比べて抵抗値が低いことがわか
る。
の量と比抵抗の値の関係を示した図である。この図から
れかるように酸化インジウム・スズに酸化銀をドーピン
グしたものは酸化銀をドーピングしていないものく酸化
銀添加量が０のもの）と比べて抵抗値が低いことがわか
る。
以上述べたように、本発明の透明導電膜は酸化インジウ
ム・スズに酸化銀かドーピングされているもので非常に
抵抗が低いものであり、デイスプレィデバイスの大型化
・大容量化など高品質化に大きな効果を有するものであ
る。なお本発明の透明導電膜は真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法など様々な手法により製膜可能でありその
応用分野も各種表示デバイス、太陽電池、撮像素子など
の透明Ｔｏ ＆や発熱膜、帯電防止膜、熱線反射膜、選
択透過膜など広い分野で応用可能である。
ム・スズに酸化銀かドーピングされているもので非常に
抵抗が低いものであり、デイスプレィデバイスの大型化
・大容量化など高品質化に大きな効果を有するものであ
る。なお本発明の透明導電膜は真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法など様々な手法により製膜可能でありその
応用分野も各種表示デバイス、太陽電池、撮像素子など
の透明Ｔｏ ＆や発熱膜、帯電防止膜、熱線反射膜、選
択透過膜など広い分野で応用可能である。
第１図は実施例における酸化銀の添加量と比抵抗の関係
を示した図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
を示した図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- （１）酸化銀がドーピングされた酸化インジウム・スズ
膜からなることを特徴とする透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11870988A JPH01289016A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11870988A JPH01289016A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01289016A true JPH01289016A (ja) | 1989-11-21 |
Family
ID=14743178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11870988A Pending JPH01289016A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01289016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005314131A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP11870988A patent/JPH01289016A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005314131A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法 |
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