JPH01280301A - 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents

電圧依存非直線抵抗体の製造方法

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JPH01280301A
JPH01280301A JP63110087A JP11008788A JPH01280301A JP H01280301 A JPH01280301 A JP H01280301A JP 63110087 A JP63110087 A JP 63110087A JP 11008788 A JP11008788 A JP 11008788A JP H01280301 A JPH01280301 A JP H01280301A
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Osamu Takahashi
修 高橋
Isao Okano
岡野 功
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電圧依存非直線抵抗体の製造方法に関する。
(従来の技術) 従来、この種の非直線抵抗体の製造方法としては、チタ
ン酸ストロンチウム(5rT103 )中のSrの一部
をMgまたはCa等と置換した材料に、WO2と、Na
Fを添加した原料を湿式混合して所望形状の成形体に成
形し、該成形体をNとHの混合ガス雰囲気中で温度13
00〜1450℃で焼成した後、更に焼結体に空気中で
温度800〜1200℃の熱処理を施す方法、或いは、
前記方法において原料中にNaFを添加する代わりに、
焼成して得られた焼結体の表面にペースト状のNaFを
例えばスクリーン印刷法により塗布し、続いて該焼結体
を空気中で温度800〜1200℃の熱処理を施す方法
が知られている。
このようにして得られた電圧依存非直線抵抗体いわゆる
バリスタは大きな静電容量を有するので、電子機器等を
雷などのサージ、誘導性パルス、ノイズ等から保護する
部品として多用されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、前記製造方法のうち前者の方法即ち原料
内に電圧依存非直線抵抗体を構成する全ての材料を含む
場合は、原料内のNaFが水に固溶するため、製造ロフ
ト毎に添加されたNaFMLが変動しやすく、その後の
焼成および熱処理工程を経て得られた電圧依存非直線抵
抗体の組成比は配合当初の組成比と異なるので、該抵抗
体の電気的特性のバラツキが多くなるという問題がある
また後者の方法即ち焼結体の表面にペースト状のNaF
を塗布した後熱処理を施す場合は、焼結体の表面にペー
スト状のNaF層を所望の均一な厚さに塗布することが
出来ないため、焼結体の表面に塗布されたNaF mに
バラツキが生じやすく、その後の熱処理工程を経て得ら
れた電圧依存非直線抵抗体の電気的特性のバラツキが多
くなる原因となる問題があり、バラツキの少ない電気的
特性を備える電圧依存非直線抵抗体の製造方法が要望さ
れている。
本発明は、前記要望を満たすべく、電気的特性にバラツ
キの少ない電圧依存非直線抵抗体を製造することが出来
る方法を提供することをその目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明は、チタン酸ストロンチウムを主成分とする原料
粉末を所望形状の成形体に形成し、該成形体をNとHの
混合ガス雰囲気中で焼成して焼結体を作成し、該焼結体
の表面にNa化合物シートを被覆して熱処理を施すこと
を特徴とする。
本発明で主成分とするチタン酸ストロンチウムは一般に
、その中に含まれているSrの一部をMgまたはCaと
置換したものを用いる。
また添加物としては、WO3,Nb2O5,La2O3
゜CeO2,Nd2O3,Y2O3,8111203,
Dy20B、  Ag2O。
CuO、MnO2,5102,A1z03のうち少なく
とも1種類が用いられ、チタン酸ストロンチウム100
に対する添加量としては一般に0.01〜5.Ooであ
る。
またバインダとしては、ポリビニルアルコール等が用い
られ、チタン酸ストロンチウム100に対する添加量と
しては一般に10−15wt%である。
またNa化合物シートにおけるNaFの有機質バインダ
としては酢酸ビニル、ニトロセルロース等が用いられ、
そしてNaF tooに対する有機質バインダの添加量
は10〜100とするのが好ましく、これより少ないと
シート強度の低下や、部分的にNaFの凝集が生じやす
く、またこれより多いと熱処理後の焼結体の表面にバイ
ンダ中のカーボンか残留しやすくなる。
また前記NaFおよび有機質バインダに添加する水の添
加量としてはスラリー粘度がB型粘度計80 rpg+
で2000 cps 〜7000 cpsになるよう調
整する。尚スラリー粘度を2000 cps−7000
cpsとしたのは粘度が2000 cps以下ではシー
トとしての寸法にバラツキが発生(乾燥前に流動する)
するからであり、また粘度が7000 cps以上では
スリラーが固すぎることにより作業性が著しく低下する
からである。
またスラリーからガラス質シートを作成するための乾燥
条件としては、空気中で温度20〜100℃、6〜24
時間とする。
尚前記スラリーに泡が発生しその泡によってNaFの欠
如する部分が生じるのを防止するために例えばイソプロ
ピルアルコールのような消泡剤を添加してもよく、その
場合NaF 100に対する消泡剤の添加量としては一
般にo、t −toとする。
また成形体をNとHの混合ガス雰囲気中で焼成する際の
混合ガスのNとHの混合比率は90〜99:10〜1と
し、また温度としては1,300 ”C〜1.450℃
とする。
また焼結体の熱処理条件としては空気中で温度950℃
〜1.200℃とする。
(作 用) Na化合物シートを用いることによって、焼結体の表面
に所望の均一な厚さのNa化合物を被覆出来る。また焼
結体の表面にNa化合物シートを被覆した後、該焼結体
に熱処理を施すことによって、Na化合物が電圧依存非
直線抵抗体中に均一に拡散される。
(実施例) 次に本発明の具体的実施例を比較例と共に説明する。
実施例 まず下記配合から成るNa化合物のスラリーを調整した
NaF            100酢酸ビニル(5
0%溶液) 「有機質バインダ」50 水                  100イソプ
ロピルアルコール 「消泡剤」        5 この調整されたスラリーを樹脂ポットで温度30℃で1
0時間撹拌した後、減圧機によりスラリー中の泡を除去
した。
続いて第1図示のように厚さ0.2關のポリエステルフ
ィルムにシリコンコーテングを施したフィルム(1)上
に前記スラリー(2)を適量置き、0.5 mlの間隔
をもったスキジー(3)を引きながらスラリーを薄層状
に形成し、該薄層状のスラリーを空気中で12時間放置
乾燥させて水分を蒸発させてガラス質シート(4)を作
成した後、得られたガラス質シート(4)をフィルム(
1)より分離した。
前記ガラス質シートの作成とは別に、チタン酸ストロン
チウム中のSrの一部をCaに置換したSr(Ca)7
10g粉末100にNb2O5を0.O1添加し、水を
加えてlO時間混合した後、乾燥し、更にバインダとし
てポリビニルアルコールを10wt%添加し、混合、造
粒して電圧依存非直線抵抗体用原料造粒粉末を作成した
更にこの電圧依存非直線抵抗体用原料造粒粉末を乾式プ
レスで成型して直径12關厚さ2關の成形体を形成した
続いてこの成形体をN 95容量%とH55容量とから
成る混合ガス雰囲気中で温度1.350℃で4時間焼成
して、半導体セラミックスから成る焼結体を作成した。
続いて第2図示のように複数個の焼結体(5)を。
熱処理用治具「内寸120 ra璽X1201111%
アルミナ製サヤ」(6)の中に詰め、全焼結体(5)の
表面に前記方法により作成された大きさ120 m+*
 X 120 !Imのガラス質シート(4)を被覆し
た。
次にガラス質シートが被覆された焼結体に空気中で温度
1200℃、4時間の熱処理を施して10ツ) 100
個の電圧依存非直線抵抗体を作成した。
更に第3図示のように上記方法で作成した各電圧依存非
直線抵抗体(7)の上下両面に銀電極(8)を形成して
実施例素子とした。
上記方法で作成された10ット100個の各実施例素子
の電気的特性としてバリスタ電圧(V+−A rVJ 
) 、ハ+)7.夕電圧のバラツキ(Vl。
Aのσ/xr%」)、非直線係数(α)、静電容量(C
rpFJ) 、tanδ「%」を調べたところ、表に示
す結果が得られた。
尚電気的特性の測定時の温度は20℃であり、またC、
tanδは1.OKHz±1.0%、1.0±0.2 
V rmsの条件下で測定した。
比較例1 ガラス質シートの代わりに該シート中のNaF量と同等
量のNaF粉末を電圧依存非直線抵抗体用原料粉末に添
加し、また焼成して得られた焼結体に直ちに熱処理を施
す以外は実施例と同一方法で比較例1素子を作成した。
またその比較例1素子の電気的特性を調べたところ、表
に示す結果が得られた。
比較例2 ガラス質シートの代わりに該シート中のNaF量と同等
量のペースト状NaFを焼結体の表面にスクリーン印刷
法で厚さ0.3mmに塗布した以外は実施例と同一方法
で比較例2素子を作成した。
またその比較例2素子の電気的特性を調べたところ、表
に示す結果が得られた。
表から明らかなように、焼結体の表面にNa化合物シー
トを被覆した後に熱処理を施す本発明の実施例の方法に
よって得られた電圧依存非直線抵抗体の電気的特性はロ
フトの1回目と2回目ともほぼ同じであり、ロット毎の
バリスタ電圧のバラツキは小さかった。これに対して原
料中にNaF粉末を添加し、また焼成された焼結体に直
ちに熱処理を施す比較例1の方法によって得られた電圧
依存非直線抵抗体および焼結体の表面にペースト状のN
aFを塗布した後に熱処理を施す比較例2の方法によっ
て得られた電圧依存非直線抵抗体の電気的特性はロット
の1回目と2回目とでは差異が大きく、しかもロット毎
のバリスタ電圧のバラツキは大きかった。
(発明の効果) このように本発明によるときは、焼成された焼結体の表
面にNaF化合物シートを被覆するようにしたので、表
面にペースト状のNaFを塗布する従来法に比して焼結
体の表面にNa化合物を所望の均一な厚さに被覆するこ
とが出来、また焼結体の表面にNa化合物を被覆した後
に熱処理を施すようにしたので、Na化合物を電圧依存
非直線抵抗体中に均一に拡散することが出来るため、電
気的特性のバラツキが極めて少ない電圧依存非直線抵抗
体を容易に製造することが出来る等の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造方法に用いるNa化合物シートの
作成工程の説明図、第2図は焼結体の表面にNa化合物
を被覆した状態の説明図、第3図は上下両面に銀電極を
形成した電圧依存非直線抵抗体を示し、(a)はその平
面図、また(b)はその側面図である。 (4)・・・Na化合物シート(ガラス質シート)(5
)・・・焼 結 体 (7)・・・電圧依存非直線抵抗体 筒1図 第2図 第3図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.チタン酸ストロンチウムを主成分とする原料粉末を
    所望形状の成形体に形成し、該成形体をNとHの混合ガ
    ス雰囲気中で焼成して焼結体を作成し、該焼結体の表面
    にNa化合物シートを被覆して熱処理を施すことを特徴
    とする電圧依存非直線抵抗体の製造方法。
  2. 2.前記Na化合物シートはNaFに有機質バインダと
    、水を添加し乾燥させたガラス質シートであることを特
    徴とする請求項第1項記載の電圧依存非直線抵抗体の製
    造方法。
JP63110087A 1988-05-06 1988-05-06 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 Expired - Lifetime JPH0812803B2 (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170903A (ja) * 1984-02-16 1985-09-04 太陽誘電株式会社 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物
JPS6179202A (ja) * 1984-09-26 1986-04-22 松下電器産業株式会社 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170903A (ja) * 1984-02-16 1985-09-04 太陽誘電株式会社 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物
JPS6179202A (ja) * 1984-09-26 1986-04-22 松下電器産業株式会社 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物の製造方法

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