JPH01280384A - 電磁変換半導体装置 - Google Patents
電磁変換半導体装置Info
- Publication number
- JPH01280384A JPH01280384A JP63111113A JP11111388A JPH01280384A JP H01280384 A JPH01280384 A JP H01280384A JP 63111113 A JP63111113 A JP 63111113A JP 11111388 A JP11111388 A JP 11111388A JP H01280384 A JPH01280384 A JP H01280384A
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- JP
- Japan
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- electromagnetic conversion
- semiconductor device
- circuit
- electromagnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電磁変換半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来より、磁気センサーとその信号増幅手段を含む周辺
回路とをブレーナ技術により１チツプ化した電磁変換半
導体装置が利用されている。
回路とをブレーナ技術により１チツプ化した電磁変換半
導体装置が利用されている。
第２図は従来の電磁変換半導体装置の回路図であり、１
は電磁変換素子であって電源端子１１゜接地端子１２．
出力端子１３を有する。２は差動増幅回路、３は出力回
路である。
は電磁変換素子であって電源端子１１゜接地端子１２．
出力端子１３を有する。２は差動増幅回路、３は出力回
路である。
以上のように構成された電磁変換半導体装置について、
動作を説明する。まず、電磁変換素子１において、電源
端子１１を電源に接続し、接地端子１２を接地すること
により電流を流す。次に磁界を加えると一対の出力端子
１３ａ、１３ｂのあいだに出力電圧が出力される。しか
し、この出力電圧は数ｍＶと小さいため、差動増幅回路
２で増幅される。
動作を説明する。まず、電磁変換素子１において、電源
端子１１を電源に接続し、接地端子１２を接地すること
により電流を流す。次に磁界を加えると一対の出力端子
１３ａ、１３ｂのあいだに出力電圧が出力される。しか
し、この出力電圧は数ｍＶと小さいため、差動増幅回路
２で増幅される。
次に出力回路３で他の装置を駆動できるように、信号処
理を行なう。
理を行なう。
発明が解決しようとする課題
上記従来の構成によると、電磁変換素子１の出力電圧は
、ＶＨ−μ・Ｗ／Ｌ−Ｖ−Ｂ−ｆＨで表わされる。ここ
で、μは移動度、Ｗは幅、Ｌは長さ、■は電源電圧、ｆ
＋＋は補正定数である。この式において、移動度μは
温度変化によって太き（変化するため、出力電圧も温度
によって変化してしまう。
、ＶＨ−μ・Ｗ／Ｌ−Ｖ−Ｂ−ｆＨで表わされる。ここ
で、μは移動度、Ｗは幅、Ｌは長さ、■は電源電圧、ｆ
＋＋は補正定数である。この式において、移動度μは
温度変化によって太き（変化するため、出力電圧も温度
によって変化してしまう。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、半導体装
置全体としての特性が電磁変換素子の温度特性による彫
型を受けない電磁変換半導体装置を提供することを目的
とする。
置全体としての特性が電磁変換素子の温度特性による彫
型を受けない電磁変換半導体装置を提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の電磁変換半導体装
置は、電磁変換素子および同素子と同じ拡散層によって
形成された抵抗を周辺回路の構成要素となした集積回路
を備えたものである。
置は、電磁変換素子および同素子と同じ拡散層によって
形成された抵抗を周辺回路の構成要素となした集積回路
を備えたものである。
作用
この構成によって電磁変換素子と同じ拡散層を使用した
抵抗Ｒは、Ｒ−１／（μ・Ｎ−ｅ）・Ｌ／（Ｗ−ｄ）で
表わされる。この式中、μは移動度、Ｎは濃度、ｅは電
子の電荷、Ｌは長さ、Ｗは幅、ｄは厚さである。この式
から明らかなように、移動度μの変化に抵抗Ｒも連動す
る。この抵抗Ｒによって、電磁変換素子の出力電圧の温
度による変化方向と逆の特性を持つ回路を構成すること
で、温度による影響を打ち消す。
抵抗Ｒは、Ｒ−１／（μ・Ｎ−ｅ）・Ｌ／（Ｗ−ｄ）で
表わされる。この式中、μは移動度、Ｎは濃度、ｅは電
子の電荷、Ｌは長さ、Ｗは幅、ｄは厚さである。この式
から明らかなように、移動度μの変化に抵抗Ｒも連動す
る。この抵抗Ｒによって、電磁変換素子の出力電圧の温
度による変化方向と逆の特性を持つ回路を構成すること
で、温度による影響を打ち消す。
実施例
第１図は、本発明の電磁変換半導体装置の一実施例を示
す回路図である。第１図において、１は電磁変換素子、
２は差動増幅回路、３は出力回路である。２１は電磁変
換素子と同じエピタキシャル層による抵抗（Ｒ２１）、
２２はベース拡散層による抵抗（Ｒ２２）、２３はＮＰ
Ｎトランジスタ、２４はベース拡散層による抵抗（Ｒ２
４） 、２５は定電流源（Ｉ２５）であり、以上の回路
要素によって差動増幅回路２を構成する。
す回路図である。第１図において、１は電磁変換素子、
２は差動増幅回路、３は出力回路である。２１は電磁変
換素子と同じエピタキシャル層による抵抗（Ｒ２１）、
２２はベース拡散層による抵抗（Ｒ２２）、２３はＮＰ
Ｎトランジスタ、２４はベース拡散層による抵抗（Ｒ２
４） 、２５は定電流源（Ｉ２５）であり、以上の回路
要素によって差動増幅回路２を構成する。
本実施例の電磁変換半導体装置について、その動作を説
明する。まず電磁変換素子１において、電源端子１１を
電源に接続し、接地端子１２を接地することにより電流
を流す。次に磁界を加えると出力端子１３ａ、１３ｂの
あいだに出力電圧が出力される。しかし、この出力電圧
は数ｍＶと小さいため、電磁変換素子と同じエピタキシ
ャル層による抵抗Ｒ２１を含む差動増幅回路２で増幅さ
れる。次に、出力回路３で他の装置を駆動できるように
、信号処理を行なう。
明する。まず電磁変換素子１において、電源端子１１を
電源に接続し、接地端子１２を接地することにより電流
を流す。次に磁界を加えると出力端子１３ａ、１３ｂの
あいだに出力電圧が出力される。しかし、この出力電圧
は数ｍＶと小さいため、電磁変換素子と同じエピタキシ
ャル層による抵抗Ｒ２１を含む差動増幅回路２で増幅さ
れる。次に、出力回路３で他の装置を駆動できるように
、信号処理を行なう。
本実施例によると、差動増幅回路２の電圧利得Ｇは、Ｇ
＝２・（Ｒ２１＋ Ｒ２２） ／ ２・Ｒ２４＋（４１
（Ｔ／ｑ−Ｉ２５）で表わされる。ここで、ｋはボルツ
マン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子の電荷量である。そ
こで、抵抗値Ｒ２２ｒ Ｒ２４、電流源Ｉ２５． ＋
２５の温度係数を適切に決定すると、Ｒ２＋＝１／（μ
・Ｎ−ｅ）・Ｌ／（ｗ−ｄ）であるがら、差動増幅回路
２の利得Ｇの温度係数は移動度μによって決定される。
＝２・（Ｒ２１＋ Ｒ２２） ／ ２・Ｒ２４＋（４１
（Ｔ／ｑ−Ｉ２５）で表わされる。ここで、ｋはボルツ
マン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子の電荷量である。そ
こで、抵抗値Ｒ２２ｒ Ｒ２４、電流源Ｉ２５． ＋
２５の温度係数を適切に決定すると、Ｒ２＋＝１／（μ
・Ｎ−ｅ）・Ｌ／（ｗ−ｄ）であるがら、差動増幅回路
２の利得Ｇの温度係数は移動度μによって決定される。
電磁変換素子１の出力電圧、つまり、出力端子１３ａ、
１３ｂのあいだの電圧Ｖｌ＋は、Ｖ、＝μ・Ｗ／Ｌ−Ｖ
−Ｂ−ｆＩｆで表わされ、電源電圧Ｖの温度係数をＯと
すると、出力電圧Ｖｌ＋の温度係数も移動度μで決定さ
れる。
１３ｂのあいだの電圧Ｖｌ＋は、Ｖ、＝μ・Ｗ／Ｌ−Ｖ
−Ｂ−ｆＩｆで表わされ、電源電圧Ｖの温度係数をＯと
すると、出力電圧Ｖｌ＋の温度係数も移動度μで決定さ
れる。
たとえば、移動度μが温度により大きくなると、電磁変
換素子１の出力電圧ｖＨは大きくなる。ところが抵抗２
１の値Ｒ２１が小さくなり、差動増幅回路２の利得も小
さくなる。したがって温度による電磁変換素子１の出力
電圧ｖＨの変化を、差動増幅回路２で打ち消すことがで
きる。出力回路３を温度による特性変化がない構成にす
ると、半導体装置全体として温度による影響をな（する
ことができる。
換素子１の出力電圧ｖＨは大きくなる。ところが抵抗２
１の値Ｒ２１が小さくなり、差動増幅回路２の利得も小
さくなる。したがって温度による電磁変換素子１の出力
電圧ｖＨの変化を、差動増幅回路２で打ち消すことがで
きる。出力回路３を温度による特性変化がない構成にす
ると、半導体装置全体として温度による影響をな（する
ことができる。
発明の効果
本発明によれば、電磁変換素子と同じ拡散層によって形
成された抵抗で構成した回路を設けることにより、電磁
変換素子の温度による出力電圧の変化を打ち消し、温度
によって影響されない電磁変換半導体装置を実現できる
。
成された抵抗で構成した回路を設けることにより、電磁
変換素子の温度による出力電圧の変化を打ち消し、温度
によって影響されない電磁変換半導体装置を実現できる
。
第１図は本発明の一実施例電磁変換半導体装置の回路図
、第２図は従来の電磁変換半導体装置の回路図である。 １・・・・・・電磁変換素子、２・・・・・・差動増幅
回路、３・・・・・・出力回路、１１・・・・・・電源
端子、１２・旧・・接地端子、１３ａ、１３ｂ・・・・
・・出力端子、２１・・・・・・電磁変換素子と同じエ
ピタキシャル層による抵抗（Ｒ２＋）、２２・・・・・
・ベース拡散層による抵抗（Ｒ２２） 、２３・・・・
・・ＮＰＮ ）ランジスタ、２４・・・・・・ベース拡
散層による抵抗（Ｒ２４） 、２５・・・・・・定電流
源（１２５）。
、第２図は従来の電磁変換半導体装置の回路図である。 １・・・・・・電磁変換素子、２・・・・・・差動増幅
回路、３・・・・・・出力回路、１１・・・・・・電源
端子、１２・旧・・接地端子、１３ａ、１３ｂ・・・・
・・出力端子、２１・・・・・・電磁変換素子と同じエ
ピタキシャル層による抵抗（Ｒ２＋）、２２・・・・・
・ベース拡散層による抵抗（Ｒ２２） 、２３・・・・
・・ＮＰＮ ）ランジスタ、２４・・・・・・ベース拡
散層による抵抗（Ｒ２４） 、２５・・・・・・定電流
源（１２５）。
Claims (1)
- 電磁変換素子および同素子と同じ拡散層によって形成
された抵抗を周辺回路の構成要素としてそなえた電磁変
換半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111113A JPH01280384A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 電磁変換半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63111113A JPH01280384A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 電磁変換半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01280384A true JPH01280384A (ja) | 1989-11-10 |
Family
ID=14552742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63111113A Pending JPH01280384A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 電磁変換半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01280384A (ja) |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63111113A patent/JPH01280384A/ja active Pending
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