JPH01280767A - 半導電体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、複写機、レーザビームプリンタ、　ＬＥＤプ
リンタ等画像形成装置において、静電潜像の形成を行な
う非晶質材料層からなる光導電体及びその製造方法に関
する。 （従来の技術） 近年光導電体である画像形成装置の感光体材料にあって
は、従来のセレン［Ｓｅ］　、セレン−テルル（Ｓｅ−
Ｔｅ３．硫化カドミウム〔ｃｄｓ〕等の無機感光体材料
やポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（以下ｐｃｖ、と称す
。）トリニトロフルオレン（以下ＴＮＦと称す。）等の
有機感光体材料（以下ｏｐｃと称す。）に比し表面硬度
が高く、優れた耐摩耗性、耐熱性を有し、又、無公害で
ある事から回収処理が不要であり、更には可視光全域か
ら近赤外線領域までの広い領域で分光感度を有する、ア
モルファスシリコン（以下（ａ−３ｊ、）と称す。）及
びマイクロクリスタルシリコン（以下（μＣ−５ｊ）と
称す。）等のシリコン［Ｓｉ］を含む非晶質材料が注目
されている。そして具体的には、感光体はその特性とし
て十分な帯電能を得るため、高抵抗を有し、かつ分光感
度が高く、繰り返し特性の安定性を要求される事から、
これ等の特性を満たすため、単層では無く、第５図に示
すように導電性の支持体上に電荷注入阻止層や光導電層
２表面保護層を積層した電子写真感光体が開発されてい
る。即ち第５図（イ）の第１の従来例にあっては、導電
性の支持体（１０）上に厚さ０．０ｌ−１０（μｍ＋）
の電荷注入阻止層（１１）、厚さ１Ｏ−１００Ｃ１１ｆ
ｆｌ〕の光導電層（王２）、厚さ０　、０１−１０　Ｃ
ｔｔｍ　〕の表面保護層（１３）が積層されている。 ここで電荷注入阻止層（１１）は、第１の材料としてＰ
型あるいはＮ型の（”−”’ｌ）　＋アモルファスシリ
コンゲルマニウム（以下（ａ−３ｉＧｅ）と称す。）、
アモルファス炭化シリコンゲルマニウム（以下（ａ−３
ｊ、ＧｅＣ）と称す。）、アモルファス窒化シリコン（
以下（ａ−３ｉＮ）と称す。）、アモルファス酸化シリ
コン（以下（ａ−３ｉＯ）と称す。）等の非晶質材料層
により支持体（１０）からの（負）あるいは（正）の電
荷の注入を阻止する事により、感光体（１４）に電荷保
持能を持たせるものである。そしていずれも水素あるい
はハロゲン元素が含まれている方が望ましく、価電子制
御用の不純物としては、Ｐ型にはホウ素〔Ｂ〕、ガリウ
ム〔Ｇ８〕８〕期律表第〔■ａ〕族元素が、Ｎ型にはリ
ンＣＰ〕、ヒ素（Ａｓ〕等同期律表第〔ｖａ〕族の元素
が使用されている。尚電荷注入阻止層（１１）の第２の
材料としては、（ａ−３ｉＣ）　、　（ａ−５ｉＮ）　
、　（ａ−５ｉＯ）　、アモルファス窒化ホウ素（以下
（ａ−ＢＮ）と称す。）等の高抵抗の非晶質材料あるい
は、アルミニウムＣＡ１’Ｊ、チタンｉ：Ｔｊ、、］、
亜鉛（ｚｎ〕等の酸化物。 窒化物、炭化物更には、ポリイミド、フッ素樹脂等の耐
熱性高分子等の高抵抗の絶縁性材料があり、支持体（１
０）からの（正）および／あるいは（負）の電荷の注入
を阻止する事により感光体（１４）に電荷保持能を持た
せるものである。次に光導電層（１２）を光に吸収し、
電子及び正孔対を効率良く発生させ、同時に発生された
電子及び正孔を電界により支持体（１０）方向あるいは
表面方向に迅速に輸送し得るものである。このため、極
端なＰ型あるいはＮ型では一方のキャリアが再結合を生
じ電荷の輸送を行なえない事から、フェルミレベルが禁
制帯のほぼ中央に位置する材料である事が望ましく、（
ａ−５ｊ、）　、　（ａ−５ｉＧｅ）　ｒ　（ａ−５ｉ
、Ｃ）　、　（ａ−５ｉＧｅＣ）　、　（ａ−３ｉＮ）
　。 （ａ−５ｊ、Ｃ）　、アモルファス窒化炭化シリコン（
以下（ａ−５ｊ、ＣＮ）と称す。）等の非晶質材料があ
げられ、いずれも水素あるいはハロゲン元素が含まれて
いる方が望ましい。尚、価電子制御用の不純物である同
期律表第［ｍａ：ｌ族元素や、同期律表第〔■ａ〕族元
素もフェルミレベルを禁制帯の中央付近に位置させるも
のであれば含有可能であり、例えば（ａ−５ｉ）　（７
）場合、同期律表第〔■ａ〕族元素を０．００１−１０
（ＰＰＭ）添加する事により、　フェルミレベルが禁制
帯中央に、より近づけられる。次に表面保護層（１３）
は、その目的から機械的強度が高く、化学的安定性が強
いと共に、光導電層（１２）で吸収すべき光を効率良く
透過出来、更には高抵抗であり、光導電層（１２）から
注入されたキャリアを効率良く表面まで輸送する能力を
有する事が望ましく、（ａ−３ｉＣ）　＋　（ａ−５ｉ
Ｎ）　＋　（ａ−５ｉＯ）　、　（ａ−３ｉＣＮ）　＋
　（ａ−ＢＮ）等のシリコン［Ｓｊ）、炭素〔Ｃ〕、窒
素〔Ｎ〕、酸素

〔０〕、ホウ素〔Ｂ〕等で構成され、比
抵抗値が１．０１１［Ω（１）〕以］二であり、より望
ましく比抵抗値が１．０””（Ω■〕以上の高抵抗の非
晶質材料があげられ、水素あるいはハロゲン元素は含ま
れていてもいなくても良い。 更にはアルミニウム［Ａ幻、チタン［Ｔｊ、］、亜鉛［
Ｚｎ：ｌ　。 シリコン［Ｓｉ３等の酸化物、窒化物、炭化物、あるい
は高抵抗高分子も適用可能とされている。 又、第５図（ロ）は、第２の従来例であり、第１の従来
例の光導電層（１２）に相当する部分を、キャリア発生
層（１６）とキャリア輸送層（１７）とに分離したもの
であり、キャリア発生層（１６）では光の吸収と電子及
び正孔対の発生に重点がおかれる反面、キャリア輸送層
（１７）では発生キャリアの輸送と、電荷保持能に重点
がおかれるが、キャリア発生層（１６）においても、キ
ャリアの輸送能力が高い方がより望ましい。 一方、一般には、キャリア発生層（１６）の光学的禁止
帯幅は、キャリア輸送層（１７）の光学的禁止帯幅に比
べて狭くされ、キャリア発生層（１６）は、より長波長
の光を吸収可能とされており、例えばキャリア発生層（
１６）としては、（ａ−３ｊ、）　、　（ａ−３ｉＧｅ
）　。 （ａ−３ｉＧｅＣ）等の非晶質材料が適し、キャリア輸
送層（１７）としては（ａ−５，＋、）　＋　（ａ−３
ｘＣ）　＋　（ａ−３ｊ、Ｎ）等の非晶質材料が適して
いる。更に第５図（ハ）の第３の従来例は、第２の従来
例のキャリア発生層（１６）と、キャリア輸送層（１７
）が置き換わったものであり、第５図（ニ）の第４の従
来例は、第２の従来例のキャリア輸送層（１７）に相当
する部分を、キャリア発生層（１６）を挟んで第１のキ
ャリア輸送層（１８ａ）及び第２のキャリア輸送層（１
，８ｂ）とに分離したものである。又第５図（ホ）の第
５の従来例は、第２の従来例のキャリア輸送層（１７）
に相当するキャリア輸送機能を有する最上層（２０）に
表面保護機能を兼ねさせたものであり、第５図（へ）の
第６の従来例は第４の従来例の第２のキャリア輸送層（
１８ｂ）に相当するキャリア輸送機能を有する最上層（
２１）に表面保護機能を兼ねさせたものである。 しかしながら、これら種々の従来の感光体にあっては、
いづれも長期間の使用により、感光体表面の表面抵抗が
低下し、帯電々荷量が劣下されてしまう事から、画像か
にじんだりぼけたりする画像流れを生し、ついには画像
形成不能に至るという現象を呈し、この現象は、特に多
湿下において顕著とされる。この画像流れは、感光体の
主帯電工程時、転写工程時、剥離工程時、除電工程時等
のコロナ放電時に生成される電解質を含むオゾン〔０３
〕や各種窒素化合物、金属酸化物その他酸素化合物等が
、感光体表面に除々に付着し、更に水分が吸着すること
により生じるものである。しかも前述のシリコン［Ｓｉ
３を含む非晶質材料を積層する従来の感光体にあっては
、いかに支持体表面の平滑化を図っても、各層の成膜プ
ロセスに起因し、例えば第１の従来例にあっては第６図
（イ）に示すように表面保護層（１３）表面に凹凸を生
じ、実際の表面積が大きくさお、コロナ放電生成物の付
着量が増加されると共に、凹部に付着したコロナ放電生
成物が除去されにくく、これ等付着物が画像流れを生じ
る要因とされている。尚、この表面保護層（１３）表面
の凹凸のうち０．５〜１０〔μｍ〕の大きな波形（１３
ａ）は、光導電層（１２）と表面保護層（１３）の界面
の凹凸を反映する一方、０　、５　（ｔｎｎ　）以下の
小さな凹凸のピッチ（１３ｂ）は、主として表面保護層
（１３）成膜時に生じる凹凸である。そして、このよう
な画像流れを防止するため、感光体が水分を吸着しない
よう表面を加熱し除湿をしたり、あるいは感光体・表面
を除去液でふき取ったり、プレー１〜等機械的手段によ
り付着物を除去する等試みられているが、あまり効果を
奏していない。一方成膜時の凹凸を防止するため、膜の
成長速度２反応条件。 使用原料２層厚等の成膜条件の考慮等も成されているが
、本質的な解決には至っておらず、画像流れの防止を図
れるものでは無い。このため第６図（ロ）に示すように
表面保護層（１３）凹部に微粒子や樹脂等の充填材（１
５）を充填する事によりコロナ放電生成物の凹部への付
着防止を図るものも開発されているが、このようなもの
にあっては、感光体表面に対して充填部の占める表面積
が大きくなり、しかも感光体の帯電特性を保持するため
充填材として抵抗の大きいものが使用される事から、充
填部における画像形成が不能となり、形成されたコピー
像」−に黒点状の画像欠陥を生じる一方、使用を繰り返
す間に、クリーニングプレー１・等仁の摺接により充填
部が摩耗あるいは剥離され、そこに付着物を生し、特性
の劣下を来たし−でいる。 （発明が解決しようとする問題点） 従来は成膜時の成膜プロセスに起因して感光体表面に形
成される凹凸により、コロナ放電生成物の付着量が増大
しかつ、凹部に付着したコロナ放電生成物の除去が困雛
である事から、長期間の使用により、感光体の表面抵抗
の低下を来たし、帯電能力が劣下され、画像流れを生じ
、画質が著しく劣下されるという問題を有している。 そこで本発明は上記欠点を除去するもので、感光体表面
へのコロナ放電生成物の付着量の減少を図り、更にはコ
ロナ放電生成物の除去を容易とする事により感光体の表
面抵抗の低下を防止し、画像流れの発生を防止する事に
より良好な画像を得る事が出来る電子写真感光体及びそ
の製造方法を提供する事を目的とする。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決するために複数の非晶質材料
層からなる感光体の表面層の凹部に微粒子を充填した後
、表面層を研磨し、その平滑化を図るものである。 （作　用） 本発明は上記手段により、感光体表面の平滑化を図る事
により、コロナ放電生成物の付着量を減少させ、更にク
リーニング等によるその除去を容易にし、ひいては画像
流れを防止し、画質の向上を図り、更には黒点等の画像
欠陥を防止し、又感光体特性の安定化を図るものである
。 （実施例） 以下本発明の第」−の実施例を第１−図ないし第３図を
参照しながら説明する。プラズマＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉ
−ｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎの略）を
行なう反応容器（２４）内には、導電性の支持体であり
、表面粗度０．１［４ｍｌ以下でφ７８（ｎｗｕｌの円
筒状のアルミニウムの支持体（２６）を支持するため、
ヒータ（図示せず）を内蔵し、モータ　（２７ｂ）によ
り回転される支持体（２７）が設けられ、この支持体（
２７）周囲には、１３．５６［ＭＨｚ〕の高周波電源（
２９）に接続される円筒状の電極（２８）が設けられ、
更に支持体（２７）Ｊ一方には、シランガス（Ｓ」−１
１４）　＋ジボランガスｌ：Ｂ、Ｈ，）等を必要に応じ
て供給するガス導入管（３０）が設けられている。一方
、（３１）は研磨室であり、支持体（２６）を支持する
ようモータ（３２ａ）により回転されるシャン１−（３
２）が設けられ、　更には抑圧装置（３５）により、　
シャン１〜（３２）にセラ１〜される支持体（２６）に
押圧可能となる、スポンジ状の第１及び第２の２つの研
磨布（３３ａ）　。 （：３３ｂ）が設（プられている。又、（３４）は光導
電体で一］１− ある感光体であり、支持体（２６）上に順次Ｐ型の水素
化アモルファスシリコン（以下（ａ−３ｉ　：　Ｈ）と
称す。）からなる第１層の電荷注入阻止層（３６）　、
　（ａ−５ｉ：Ｈ）からなる第２層の光導電層（３７）
、凹部にアルミナ微粒子（３９）が充填される水素化ア
モルファス炭化シリコン（以下（ａ−３ｊＣ：　Ｈ）と
称す。）からなる第３層の表面保護層（３８）が積層さ
れている。 しかして反応容器（２４）内で感光体（３４）を形成す
る場合、支持棒（２７）に支持体（２６）をセラ１〜し
た後、排気装置（図示せず）により反応容器（２４）内
を排気すると共に、ヒータ（図示せず）により支持体（
２６）を３００［”Ｃ］に加熱する。次いでガス導入管
（３０）よりシランガス〔Ｓｊ、Ｈ４）を１０００１：
ＳＣＣＭ）　、ジボランガスｌ：Ｂ２Ｈ，ｌを［：Ｂ２
ｌｌ６／　５ｊ１４４：ｌが２Ｘ１０−’となるよう反
応容器（２４）内に導入し、排気装置（図示せず）によ
り反応容器（２４）内の圧力を０．５［Ｔｏｒｒ］に維
持しつつ、モータ（２７ｂ）により支持体（２６）を回
転させながら高周波電源（２９）により０．５（ＫＷ）
の電力を支持体（２６）及び電極（２８）間に１〔分間
〕印加し、Ｐ型の（ａ−３ｊ　：　Ｈ）からなる膜厚０
　、５　（／［）の電荷注入阻止層（３６）の成膜を行
なう。この後反応容器（２４）内にシランガスＣ５１１
１４：ｌを２０００　［ＳＣＣＭ：ｌ、ジボランガスＣ
Ｂ２１Ｌ；］　を（Ｂ２Ｈｂ／　Ｓｌｌ＋４　］がｌＸ
ｌ０−７となるよう導入し、反応圧力を０．５［Ｔｏｒ
ｒ）に維持しつつ１．０１：Ｋ１１ｌ）の高周波電力を
１時間印加し、（ａ−５ｊ　：　Ｈ）からなる膜厚４８
〔μｍ〕の光導電層（３７）を成膜する。次いで今度は
反応容器（２４）内にシランガス（ＳｉＨ３Ｆを１００
０［ＳＣＣＭ］　、メタンガス［ＣＨ，）を（ＣＩｆ　
４　／　Ｓ　Ｉ　Ｈ４）が４となるよう導入し、反応圧
力を０　、５　［Ｔｏｒｒ）に維持しつつ０．５（ＫＷ
：ｌの高周波電力を２〔分間〕印加し、（ａ−３ｊ、Ｃ
：　Ｉｆ）からなる膜厚１（μｍ：ｌの表面保護層（３
８）を成膜し、全ての成膜工程を終了し、ヒータ（図示
せず）を停止させ、支持体（２６）の温度が１．００［
℃］迄低下したところで、反応容器（２４）内より支持
体（２６）を取り出す。 次いで図示しない充填装置において、支持体（２６）を
回転させつつ、ブレート（図示せず）により圧力をかけ
ながら、四フッ化エチレン樹脂（テフロン）ディスバー
ジョンで表面処理したアルミナ微粒子（３９）を、表面
保護層（３８）の凹部に充填する。次いで充填装置（図
示せず）より支持体（２６）を取り出し、研磨室（３１
）のシャツｈ（３２）にセラ１〜する。一方、第１の研
磨布（３３ａ）には、粒径２〔μｔｌｌ）のシリカ（Ｓ
ｊＯ□〕を分散したノルマンへブタン液を浸透させてお
き、排気装置（図示せず）により研磨室（３１）内の圧
力を０　、０１　［Ｔｏｒｒ］のほぼ真空状態に維持し
つつシャフト（３２）を１．ＯＯＯ［ｒ、ｐ、ｎ＋１で
回転させつつ第１の研磨布（３３ａ）を１０〔分間〕感
光体（３４）の表面保護層（３８）に押圧し研磨する。 この後、粒径０．３［μｍ〕のシリカ（ＳｉＯ□〕を分
散したノルマンへブタン液を浸透させた第２の研磨布（
３３ｂ）を約１０〔分間〕表面保護層（３８）に押圧し
研磨し、感光体（３４）を完成させる。尚この感光体（
３４）の表面粗さを、触針先端径２〔庫〕の表面粗さ計
で測定したところ、表面粗さは、０．２〔μｍＲｍａｘ
）　（Ｌ　＝０．０８１：ｍｍ〕）であった。 更にこのようにして形成された感光体（３４）を複写機
（図示せず）に実際に装着し、温度３０［’Ｃ）。 相対湿度８０〔％〕の環境下で５万枚のコピーを行なっ
たところ、アルミナ微粒子（３９）の充填及び表面の研
磨を行なわず表面粗さが０．５〔μｍＲｍａｘ）　（Ｌ
　＝０．０８［ｎｗｎｌ）の従来の感光体にあっては、
５０００枚以後、除々に画像流れを生しるようになった
のに対し、最初から最後迄、画質が劣下する事無く高解
像力の画像を得る事が出来た。尚、〔表・１〕に第１の
実施例の成膜条件を示す。 〔表・１〕 このように構成すれば、表面保護層（３８）凹部にアル
ミナ微粒子（３９）が充填され、従来に比し感光体（３
４）の表面粗さが著しく改善される事から、感光体（３
４）の実質的な表面積の縮小を図れ、コロナ放電生成物
の絶対的な付着量の減少を図れると共に付着したコロナ
放電生成物の除去も容易となり、長時間の使用によって
も表面抵抗が劣下される事が無く、画像流れによる画質
の低下を防止し、感光体の長寿命化が可能となる。 又、研磨により、アルミナ微粒子（３９）部分の表面積
も減少され、画像形成不能により画像上に黒点を生じる
事が無く、画質劣下を防止出来ると共に、クリーニング
ブレード等との摺接による表面保護層（３８）上の衝撃
が緩和され、長時間の使用によっても、充填されたアル
ミナ微粒子（３９）が、著しく摩耗されたり、あるいは
離脱される事が無く、長時間にわたる感光体特性の安定
化が可能となる。 次に本発明の第２の実施例を第４図を参照しながら説明
する。この実施例は光導電体である感光体（４１）の表
面保護層（４４）凹部にシリカ微粒子を充填するもので
あり、第１の実施例と同一部分にっいては同一符号を付
し、その説明を省略する。尚、感光体（４１）は第４図
に示すように、支持体（２６）上に順次Ｐ型の（ａ−３
ｉ　：　Ｈ）からなる第１層の電荷注入阻止層（４２）
　、　（ａ−３ｉ　：　Ｈ）からなる第２層の光導電層
（４３）、凹部にジメチル系シリコーンレジンで表面処
理した電気抵抗値１ｏ１．２〔Ω（７）〕以上のシリカ
微粒子（４６）が充填される水素化アモルファス窒化シ
リコン（以下（ａ−５ｊＮ　：　ＩＩ）と称す。）から
なる第３層の表面保護層（４４）が積層され形成されて
いる。 しかして、成膜条件は〔表・２〕に示すように設定され
るものの、成膜工程は第１の実施例と同様であり、反応
容器（２４）内において先ず支持体（２６）上に電荷性
入団止層（４２）及び光導電層（４３）、表面保護層（
４４）を形成し全ての成膜工程を終了する。 以下余白 〔表、２〕 次に反応容器（２４）より支持体（２６）を取り出し、
充填装置（図示せず）内で支持体（２６）を回転させつ
つブレード（図示せず）により圧力をかけながら、シリ
カ微粒子（４６）を表面保護層（４４）凹部に充填する
。この後、この支持体（２６）を研磨室（３１）のシャ
ツ１−（３２）にセラ１〜し、第１の実施例と同様にし
て、第１の研磨布（３３ａ）及び第２の研磨布（３３ｂ
）により感光体（３４）表面を研磨し、感光体（３４）
を完成させる。尚この感光体（３４）の表面粗さは、０
．１６〔μｍＲｍａｘ）　（Ｌ＝０．０８１：ｎｕ：ｌ
）であった。そしてこの感光体（５１）を実際に装着し
、温度３０（’Ｃ）、相対湿度８０〔％〕の環境下で５
万枚のコピーを行なったところ、シリカ微粒子（４６）
の充填及び表面の研磨を行なわず表面粗さが０．４［μ
ｍＲｍａｘ〕（Ｌ　＝０．０８［ｎｗｎ］）の従来の感
光体にあっては、９０００枚以降除々に画像流れを生じ
、画質の劣下を来たしたのに対し、最初から最後迄、画
質がかわる事無く高解像力の画像が得られた。 この様に構成すれば、第１の実施例と同様１、従来に比
しコロナ放電生成物の付着量が減少されると共に付着さ
れたコロナ放電生成物の除去も容易となり、長時間の使
用による画像流れ現象を防止し、感光体（４１）の長寿
命化が可能となる。又、その表面研磨によりシリカ微粒
子の表面積が、画像に黒点を生じない程度に減少され画
質の劣下が防止されると共に、クリーニングブレード等
との摺接によるシリカ微粒子（４６）の摩耗あるいは脱
落が一ゴ９− 防止され、長時間にわたる感光体特性の安定化が図られ
る。 尚、本発明は上記実施例に限定されず種々設計変更可能
であり、感光体の表面粗さも任意であるが、少なくとも
０．２〔ＩｍＲｍａｘ）　（Ｌ＝０．０８（ｎｎ＋））
以下で、より小さい方が望ましい。又、研磨の方法、及
び時間等も任意であり、磁気研磨、気相あるいは液相の
エツチングといわれる化学的研磨、更には磁性流体利用
ＦＦＦ　（Ｆｉｅｌｄ−ａｓｓｉｓｔｅｄ　Ｆｉｎｅ　
Ｆｉ−ｎｊ、ｓｈｉｎｇの略）、プラズマ利用ＦＦＦ　
、ラッピング等更に高精度の研磨を行なうものでも良い
。尚、研磨材としてもシリカ〔Ｓ１０□〕以外にアルミ
ナ［ＡＱ２０３〕、酸化鉄〔Ｆｅ２Ｏ３〕、炭化窒素（
Ｃ３Ｎ４］その他の微粉末であっても良い。更には感光
体の感光層の構造厚さ等も任意であるし、各層もその境
界を明確にする事無く、例えば成膜時各原料ガスの濃度
を連続的に変える事により、各層の境界における成分を
除々に換えるようにし、感光体全体としては、複数の機
能の異る層領域が存在するという状態であっても良く、
この様にすれば、各層間の境界における欠陥を防止出来
、各層間の接着性向上が可能となる。又、プラズマＣＶ
Ｄ法による各層の原料もシリコン（Ｓｉ：ｌを含有する
原料としてはシランガスｌ：ｓｉＨ，３の他、ジシラン
ガス（Ｓｘ２　Ｈｓ　）　ｒ　トリシランガス［ＳＦ、
３　Ｈ４Ｆ　＋　４フツ化ケイ素ガス］　ＳｉＦ、］等
でも良く、その地価電子制御元素の原料としては、ジボ
ラン〔Ｂ２１（Ｇ〕、ホスフィンｆ：Ｐ）１３１．３フ
ツ化ホウ素［ＢＦ３］、アルシン（ＡｓＨ３）等があり
、又、安定化原料としては、ゲルマン［ＧｅＨ，］　、
メタン［：ＣＨ４：ｌ。 エチレン〔Ｃ２Ｈ４〕、チッ素（Ｎ２　］　、アンモニ
ア［ＮＨ３］　。 酸素〔０□〕、酸化窒素［ＮｚＯ］等のガスがある。又
、成膜方法も、プラズマＣＶＤ法の他、反応性スパッタ
リング法、イオンブレーティング、法、真空蒸着法等可
能である。 更に微粒子及びその表面処理を行なう樹脂の材料あるい
は粒径等限定されず、微粒子の材料としてはシリカ、ア
ルミナ、チタニウムオキサイド。 ガラスピーズ、タルク、金属酸化物等の無機微粉末、あ
るいはテフロン、シリコーン樹脂、スチレン樹脂、アク
リル樹脂等の有機微粉末があり、その粒径は表面層凹部
に充填出来るよう少なくとも３〔μｍ〕以下とされ、望
ましくはミリ〔μｍ〕オーダとされ、更にその特性とし
て、光導電体の帯電特性を低下させないよう電気抵抗値
は１０１２〔Ω■〕以上であることが望ましい。又、微
粒子の表面処理を行なうものとしては、アクリル樹脂、
酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエステル、ポリ
ウレタン等、更には前記各樹脂を組合せたもの等を用い
ても良い。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、複数の層を有する
感光体においても表面層凹部に微粒子を充填する事によ
りその表面粗さを従来に比し縮小出来る事から、コロナ
放電生成物の付着量が減少され、更にはコロナ放電生成
物の除去も容易となり、長時間の使用による表面抵抗の
劣下を防止出来、画像流れによる画質の低下を来たす事
も無く、感光体の長寿命化が図られる。更に表面層の研
磨により、感光体と共に画像形成不能部である微粒子を
充填した部分も実質的な表面積を縮小される事から従来
のように画像−１−に黒点を生じる事も無く、画質の劣
下防止を図れると共にクリーニングブレード等による摺
接もスムースとなり、微粒子の磨耗あるいは脱落が防止
され、長時間にわたる感光体特性の安定化が可能となる
。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の第１の実施例を示し第１
図はその反応容器の概略説明図、第２図はその研磨室の
概略説明図、第３図はその感光体の一部断面図、第４図
は本発明の第２の実施例における感光体の一部断面図、
第５図及び第６図は従来の装置を示し第５図（イ）はそ
の第１の従来例の感光体の一部断面図、第５図（ロ）は
その第２の従来例の感光体の一部断面図、第５図（ハ）
はその第３の従来例の感光体の一部断面図、第５図（ニ
）はその第４の従来例の感光体の一部断面図、第５図（
ホ）はその第５の従来例の感光体の一部断面図、第５図
（へ）はその第６の従来例の感光体の一部断面図、第６
図（イ）は第５図（イ）の表面を拡大した一部断面図、
第６図（ロ）は第６図（イ）に充填材を一２３＝ 充填した状態を示す一部断面図である。 ２４・・反応容器、　　　２６・・・支持体、２７ｂ・
・・モータ、　　　　２７・・・支持棒、２８・・・電
極、　　　　　３０・・・ガス導入管、３１・研磨室、
　　　　３２・・・シャフト、３３ａ・・第１の研磨布
、３３ｂ・・・第２の研磨布、３４・・・感光体、　　
　　３８・・・表面保護層、３９・・・アルミナ微粒子
。 代理人　弁理士　　井　上　−男 第　　１　　図 ロ暴−逼す６ｉ六−票一一１−婦 手続補正書（方式） 特許庁長官　小　川　邦　夫　殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第２７９０６９号 ２、発明の名称 光導電体及びその製造方法 ３、　補正をする者 事件との関係　特許出願人 （３０７）株式会社　１芝（、よ、ヵ、□名）４、代理
人 〒１４４ 東京都大田区蒲田４丁目４１番１１号 第−津野田ビル 弁上特許事務所内 ５、補正命令の日付 発送日　昭和６３年２月２３日 ６、補正の対象 図　　面 ７、補正の内容 図面第５図（イ）第６図（ロ）とあるのを別紙のとおり
第６図（イ）第６図（ロ）と補正する。 η　　〜　　　　　＼　０

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性の支持体上にシリコンを含む複数の非晶質材
   料層が積層されるものにおいて、表面に形成される凹部
   内に微粒子が充填されると共に研磨により平滑化される
   非晶質材料層を表面層として具備する事を特徴とする光
   導電体。 ２、表面粗さが０．２〔μｍＲｍａｘ〕（Ｌ＝０．０８
   〔ｍｍ〕）以下である事を特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の光導電体。 ３、複数の非晶質材料層の各層の境界の成分量が、勾配
   を有するよう変換されている事を特徴とする特許請求の
   範囲第１項又は第２項のいづれかに記載の光導電体。 ４、導電性の支持体を収納し、シリコンを含む反応ガス
   を有する反応容器内で、シリコンを含む複数の非晶質材
   料層を積層する成膜工程完了後、表面層凹部に微粒子を
   充填し、次いで前記表面層を研磨する事を特徴とする光
   導電体の製造方法。 ５、成膜工程時、各非晶質材料層毎に反応ガスを交換す
   る事を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光導電体
   の製造方法。 ６、成膜工程時、反応ガスの成分を除々に交換する事を
   特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光導電体の製造
   方法。