JPH01121859A - 光導電体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、複写機、レーザビームプリンタ、　ＬＥＤプ
リンタ等画像形成装置において、静電潜像の形成を行な
う非晶質材料層からなる光導電体及びその製造方法に関
する。

（従来の技術） 近年光導電体である画像形成装置の感光体材料にあって
は、従来のセレン［Ｓｅ］　、セレン−テルル（Ｓｅ−
Ｔａ）　、硫化カドミウム［：ＣｄＳ］等の無機感光体
材料やポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（以下ＰＣＶｚと
称す、）トリニトロフルオレン（以下ＴＮＦと称す、）
等の有機感光体材料（以下ＯＰＣと称す、）に比し表面
硬度が高く、優れた耐摩耗性、耐熱性を有し、又、無公
害である事から回収処理が不要であり。

更には可視光全域から近赤外線領域までの広い領域で分
光感度を有する、アモルファスシリコン（以下（ａ−３
ｉ）と称す。）及びマイクロクリスタルシリコン（以下
（μＣ−３ｉ）と称す、）等のシリコン（Ｓｉ）を含む
非晶質材料が注目されている。そして具体的には、感光
体はその特性として十分な帯電能を得るため、高抵抗を
有し、かつ分光感度が高く、繰り返し特性の安定性を要
求される事から、これ等の特性を満たすため、単層では
無く、第５図に示すように導電性の支持体上に電荷注入
阻止層や光導電層２表面保護層を積層した電子写真感光
体が開発されている。即ち第５図（イ）の第１の従来例
にあっては、導電性の支持体（１０）上に厚さ０．０１
〜１０（ａｍ）の電荷注入阻止層（１１）、厚さ１０〜
１００〔−〕の光導電層（１２）　、厚さ０．０１〜１
０　（ｔｓ　）の表面保護層（１３）が積層されている
。

ここで電荷注入阻止層（１１）は、第１の材料としてＰ
型あるいはＮ型の（ａ−３ｉ）　、アモルファスシリコ
ンゲルマニウム（以下（ａ−５ｉＧａ）と称す、）、ア
モルファス炭化シリコンゲルマニウム（以下（ａ−Ｓｉ
ＧｅＣ）と称ス、）、アモルファス窒化シリコン（以下
（ａ−５ｉＮ）と称す。）、アモルファス酸化シリコン
（以下（ａ−５ｉＯ）と称す、）等の非晶質材料層によ
り支持体（１０）からの（負）あるいは（正）の電荷の
注入を阻止する事により、感光体（１４）に電荷保持能
を持たせるものである。そしていずれも水素あるいはハ
ロゲン元素が含まれている方が望ましく。

価電子制御用の不純物としては、Ｐ型にはホウ素〔Ｂ〕
、ガリウム（Ｇａ）等同期律表第（ｍａ）族元素が、Ｎ
型にはリン〔Ｐ〕、ヒ素（Ａｓ）等同期律表第（Ｖａｌ
族の元素が使用されている。尚電荷注入阻止層（１１）
の第２の材料としては、（ａ−５ｉＣ）、　（ａ−Ｓｉ
Ｎ）、　（ａ−ＳｉＯ）　ｅアモルファス窒化ホウ素（
以下（ａ−ＢＮ）と称す、）等の高抵抗の非晶質材料あ
るいは、アルミニウム（Ａｌｌ　、チタン（Ｔｉ）　、
亜鉛（Ｚｎ）等の酸化物。

窒化物、炭化初更には、ボ゛リイミド、フッ素樹脂等の
耐熱性高分子等の高抵抗の絶縁性材料があり、支持体（
１０）からの（正）および／あるいは（負）の電荷の注
入を阻止する事により感光体（１４）４ｍ’電荷保持能
を持た°せるものである。次に光導電層（１２）を光に
吸収し、電子及び正孔対を効率良く発生させ、同時に発
生された電子及び正孔を電界により支持体（１０）方向
あるいは表面方向に迅速に輸送し得るものである。この
ため、極端なＰ型あるいはＮ型では一方のキャリアが再
結合を生じ電荷の輸送を行なえない事から、フェルミレ
ベルが禁制帯のほぼ中央に位置する材料である事が望ま
しく、（ａ−ＳＬ）　、　（ａ−３ｉＧｅ）　、　（ａ
−５ｉＣ）　、　（ａ−５ｉＧｅＣ）　、　（ａ−５ｉ
Ｎ）　。

（ａ−５ｉＣ）　、アモルファス窒化炭化シリコン（以
下（ａ−３ｉＣＮ）と称す。）等の非晶質材料があげら
れ、いずれも水素あるいはハロゲン元素が含まれている
方が望ましい、尚１価電子制御用の不純物である同期体
表筒（Ｈａ）族元素や、同期律表第（Ｖａ）族元素もフ
ェルミレベルを禁制帯の中央付近に位置させるものであ
れば含有可能であり、例えば（ａ−５ｉ）の場合、同期
体表筒［ｍａ］族元素を０．ＯＯ１〜１０（ＰＰＭ）添
加する事により、　フェルミレベルが禁制帯中央に、よ
り近づけられる０次に表面保護層（１３）は、その目的
から機械的強度が高く、化学的安定性が強いと共に、光
導電層（１２）で吸収すべき光を効率良く透過出来、更
には高抵抗であり、光導電層（１２）から注入されたキ
ャリアを効率良く表面°まで輸送する能力を有する事が
望ましく、（ａ−ＳｉＣ）、　（ａ−３ｉＮ）、　（ａ
−ＳｉＯ）、　（ａ−３ｉＣＮ）、　（ａ−ＢＮ）等の
シリコン（Ｓｉ）　、炭素〔Ｃ〕、窒素〔Ｎ〕、酸素〔
０〕、ホウ素（Ｂ）等で構成され、比抵抗値がｔａｌｌ
［Ω口］以上であり、より望ましく比抵抗値がｔｏ１３
（０１１以上の高抵抗の非晶質材料があげられ、水素あ
るいはハロゲン元素は含まれていてもいなくても良い。

更には７）ＬｌミニウＡ　（Ａｆｆｉ）　、チタ：／　
（Ｔｉｌ　、亜鉛（Ｚｎ）。

シリコン（Ｓｉ１等の酸化物、窒化物、炭化物、あるい
は高抵抗高分子も適用可能とされている。

又、第５図（ロ）は、第２の従来例であり、第１の従来
例の光導ｉｔ層（１２）に相当する部分を、キャリア発
生層（１６）とキャリア輸送層（１７）とに分離したも
のであり、キャリア発生層（１６）では光の吸収と電子
及び正孔対の発生に重点がおかれる反面、キャリア輸送
層（１７）では発生キャリアの輸送と。

電荷保持能に重点がおかれるが、キャリア発生層（１６
）においても、キャリアの輸送能力が高い方がより望ま
しい。

一方、一般には、キャリア発生層（１６）の光学的禁止
帯幅は、キャリア輸送層（１７）の光学的禁止帯幅に比
べて狭くされ、キャリア発生層（１６）は、より長波長
の光を吸収可能とされており、例えばキャリア発生層（
１６）としては、（ａ−３ｉ）　、　（ａ−３ｉＧｅ）
　。

（ａ−５ｉＧｅＣ）等の非晶質材料が適し、キャリア輸
送層（１７）としては（ａ−３Ｌ）　、　（ａ−３ｉＣ
）　、　（ａ−５ｉＮ）等の非晶質材料が適している。

更に第５図（ハ）の第３の従来例は、第２の従来例のキ
ャリア発生層（１６）と、キャリア輸送層（１７）が置
き換わったものであり。

第５図（ニ）の第４の従来例は、第２の従来例のキャリ
ア輸送層（１７）に相当する部分を、キャリア発生層（
１６）を挟んで第１のキャリア輸送層（１８ａ）及び第
２のキャリア輸送層（１８ｂ）とに分離したちのである
。又第５図（ホ）の第５の従来例は、第２の従来例のキ
ャリア輸送Ｍ　（１７）に相当するキャリア輸送機能を
有する最上層（２０）に表面保護機能を兼ねさせたもの
であり、第５図（へ）の第６の従来例は第４の従来例の
第２のキャリア輸送層（１８ｂ）に相当するキャリア輸
送機能を有する最上層（２１）に表面保護機能を兼ねさ
せたものである。

しかしながら、これら種々の従来の感光体にあっては、
いづれも長期間の使用により、感光体表面の表面抵抗が
低下し、帯電々荷量が劣下されてしまう事から、画像か
にじんだりぼけたりする画像流れを生じ、ついには画像
形成不能に至るという現象を呈し、この現象は、特に多
湿下において顕著とされる。この画像流れは、感光体の
主帯電工程時、転写工程時、剥離工程時、除電工程時等
のコロナ放電時に生成される電解質を含むオゾン〔０，
〕や各種窒素化合物、金金属化物その他階素化合物等が
、感光体表面に除々に付着、し、更に水分が吸着するこ
とにより生じるものである。しかも前述のシリコン（Ｓ
ｉ）を含む非晶質材料を積層する従来の感光体にあって
は、いかに支持体表面の平滑化を図っても、各層の成膜
プロセスに起因し。

例えば第１の従来例にあっては第６図（イ）に示すよう
に表面保護層（１３）表面に凹凸を生じ、実際の表面積
が大きくされ、コロナ放電生成物の付着量が増加される
と共に、凹部に付着したコロナ放電生成物が除去されに
くく、これ等付着物が画像流れを生じる要因とされてい
る。尚、この表面保護層（１３）表面の凹凸のうち０．
５〜１０（ｍ）の大きな波形（１３ａ）は、光導電層（
１２）と表面保護層（１３）の界面の凹凸を反映する一
方、ｏ　、　５　（ｔｍ　］以下の小さな凹凸のピッチ
（１３ｂ）は、主として表面保護層（１３）成膜時に生
じる凹凸である。そして、このような画像流れを防止す
るため、感光体が水分を吸着しないよう表面を加熱し除
湿をしたり、あるいは感光体表面を除去液でふき取った
り、ブレード等機械的手段により付着物を除去する等試
みられているが、あまり効果を奏していない。一方成膜
時の凹凸を防止するため、膜の成長速度１反応条件。

使用原料９層厚等の成膜条件の考慮等も成されているが
、本質的な解決には至っておらず、画像流れの防止を図
れるものでは無い。このため第６図（ロ）に示すように
表面保護層（１３）凹部に微粒子や樹脂等の充填材（１
５）を充填する事によりコロナ放電生成物の凹部への付
着防止を図るものも開発されているが、このようなもの
にあっては、感光体表面に対して充填部の占める表面積
が大きくなり、しかも感光体の帯電特性を保持するため
充填材として抵抗の大きいものが使用される事から、充
填部における画像形成が不能となり、形成されたコピー
像上に黒点状の画像欠陥を生じる一方、使用を繰り返す
間に、クリーニングブレード等との摺接により充填部が
摩耗あるいは剥離され、そこに付着物を生じ、特性の劣
下を来たしている。

（発明が解決しようとする問題点） 従来は成膜時の成膜プロセスに起因して感光体表面に形
成される凹凸により、コロナ放電生成物の付着量が増大
しかつ、凹部に付着したコロナ放電生成物の除去が困難
である事から、長期間の使用により、感光体の表面抵抗
の低下を来たし、帯電能力が劣下され、画像流れを生じ
１画質が著しく劣下されるという問題を有している。

そこで本発明は上記欠点を除去するもので、感光体表面
へのコロナ放電生成物の付着量の減少を図り、更にはコ
ロナ放電生成物の除去を容易とする事により感光体の表
面抵抗の低下を防止し１画像流れの発生を防止する事に
より良好な画像を得る事が出来る電子写真感光体及びそ
の製造方法を提供する事を目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決するために複数の非晶質材料
層からなる感光体の表面層の凹部に熱可塑性材料を充填
し、更にこの熱可塑性材料を加熱溶解した後、表面層を
研磨し、その平滑化を図るものである。

（作　用） 本発明は上記手段により、感光体表面の平滑化を図る事
により、コロナ放電生成物の付着量を減少させ、更にク
リーニング等によるその除去を容易にし、ひいては画像
流れを防止し、画質の向上を図り、更には黒点等の画像
欠陥を防止し、又感光体特性の安定化を図るものである
。

（実施例） 以下本発明の第１の実施例を第１図ないし第３図を参照
しながら説明する。プラズマＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉ−ｃ
ａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎの略）を行な
う反応容器（２４）内には、導電性の支持体であり、表
面粗度０．１（ｕ）以下でφ７８（ｍ）の円筒状のアル
ミニウムの支持体（２６）を支持するため、ヒータ（図
示せず）を内蔵し、モータ（２７ｂ）により回転される
支持棒（２７）が設けられ、この支持棒（２７）周囲に
は、１３．５６ＣＭ七〕の高周波電源（２９）に接続さ
れる円筒状の電極（２８）が設けられ、更に支持体（２
７）上方には、シランガス（ＳｉＨ４）　、ジボランガ
ス（ｏｚｕｓ）等を必要に応じて供給するガス導入管（
３０）が設けられている。一方、（３１）は研磨室であ
り、支持体（２６）を支持するようモータ（３２ａ）に
より回転されるシャフト（３２）が設けられ、更には押
圧装置（３５）により、シャフト（３２）にセットされ
る支持体（２６）に押圧可能となる、スポンジ状の第１
及び第２の２つの研磨布（３３ａ）。

（３３ｂ）が設けられている。又、（３４）は光導電体
である感光体であり、支持体（２６）上に順次Ｐ型の水
素化アモルファスシリコン（以下（ａ−５ｉ　：　Ｈ）
と称す、）からなる第１層の電荷注入阻止層（３６）、
　（ａ−５ｉ　：　Ｈ）からなる第２層の光導電層（３
７）　、凹部に高抵抗の熱可塑性材料であるアクリル樹
脂（３９）が溶解埋設される水素化アモルファス炭化シ
リコン（以下（ａ−５ｉＣ：　Ｈ）と称す、）からなる
第３層の表面保護層（３８）が積層されている。

しかして反応容器（２４）内で感光体（３４）を形成す
る場合、支持棒（２７）に支持体（２６）をセットした
後、排気装！（図示せず）により反応容器（２４）内を
排気すると共に、ヒータ（図示せず）により支持体（２
６）を３００（’Ｃ）に加熱する０次いでガス導入管（
３０）よりシランガス（Ｓｉｎ４）を１０００［ＳＣＣ
Ｍ）　、ジボランガス（Ｂｉｎｓ）を（Ｂ＊　Ｈ＠　／
　ＳｉＨ４）が２Ｘ１０−’となるよう反応容器（２４
）内に導入し、排気装置Ｉ（図示せず）により反応容器
（２４）内の圧力を０．５（Ｔｏｒｒ）に維持しつつ、
モータ（２７ｂ）により支持体（２６）を回転させなが
ら高周波電源（２９）により０．５　（ＫＶ）の電力を
支持体（２６）及び電極（２８）間に１〔分間〕印加し
、Ｐ型の（ａ−５ｉ　：　Ｈ）からなる膜厚０．５　（
ｎ　）の電荷注入阻止層（３６）の成膜を行なう、この
後反応容器（２４）内にシランガス［ＳｉＨ４］を２０
００　（ＳＣＣＭ）、ジボランガス（ａｓＨｓ）を（ａ
ｇｏ＠／５ｘｕ４］がｌＸｌ０−’となるよう導入し、
反応圧力を０．５（Ｔｏｒｒ）に維持しつつ１．０（Ｋ
Ｗ）の高周波電力を１時間印加し、　（ａ−５ｉ　：　
Ｈ）からなる膜厚４８１ｍ＋）の光導電層（３７）を成
膜する。次いで今度は反応容器（２４）内にシランガス
（ＳｉＨｎ　）を１０１０００（ＳＣＣ、メタンガス（
ＣＨ４）を（ＣＨ，／ＳｉＨ，）が４となるよう導入し
、反応圧力を０．５（Ｔｏｒｒ）に維持しつつ０．５（
ＫＶ）の高周波電力を５〔分間〕印加し、（ａ−ＳｉＣ
：　Ｈ）からなる膜厚２〔虜〕の表面保護層（３８）を
成膜し、全ての成膜工程を終了し、ヒータ（図示せず）
を停止させ、支持体（２６）の温度が１００（’Ｃ）迄
低下したところで、反応容器（２４）内より支持体（２
６）を取り出す。

次いで図示しない充填装置において、支持体（２６）を
回転させつつ、ブレード（図示せず）によリ圧力をかけ
、熱可塑性材料である粒径０　、４　Ｃｔｎａ　）のア
クリル樹脂（３９）を表面保護層（３８）の凹部に充填
し、更に熱プレス装置（図示せず）中で、アクリル樹脂
（３９）を約２５０〔℃〕で加熱溶融した後、冷却し、
ｉ固する。そして冷却後支持体（２６）を熱プレス装置
より取り出し研磨室（３１）のシャフト（３２）にセッ
トする。一方、第１の研磨布（３３ａ）には、粒径２〔
沖〕のシリカ（ＳｉＯｚ　）を分散したノルマンへブタ
ン液を浸透させておき、排気装置（図示せず）により研
磨室（３１）内の圧力を０．０１（Ｔｏｒｒ）のほぼ真
空状態に維持しつつシャフト（３２）を１０００［ｒ、
ｐ、騰］で回転させつつ第１の研磨布（３３ａ）を１０
（分間〕感光体（３４）の表面保護層（３８）に押圧し
研磨する。この後、粒径０．３１ｍ１のシリカ（Ｓｉｎ
、　）を分散したノルマンへブタン液を浸透させた第２
の研磨布（３３ｂ）を約１０［分間］表面保護層（３８
）に押圧し研磨し、感光体（３４）を完成させる。尚こ
の感光体（３４）の表面粗さを、触針先端径２〔−〕の
表面粗さ計で測定したところ、表面粗さは、　０．２（
ｇＲｍａｘ〕（Ｌ　＝０．０８〔ｍ〕）であった。

更にこのようにして形成された感光体（３４）を複写機
（図示せず）に実際に装着し、温度３０（”Ｃ）。

相対湿度８０〔％〕の環境下で５万枚のコピーを行なっ
たところ、アクリル樹脂（３９）の充填及びその加熱溶
融、更には表面の研磨を行なわず表面粗さが０．５（ｇ
Ｒ＋１ａｘ）　（Ｌ　＝０．０８〔ｍｍ〕）の従来の感
光体にあっては、５０００枚以後、除々に画像流れを生
じるようになったのに対し、最初から最後迄１画質が劣
下する事無く高解像力の画像を得る事が出来た。

尚、〔表・１〕に第１の実施例の成膜条件を示す。

以下余白 〔表・１〕 このように構成すれば、表面保護層（３８）凹部にアク
リル樹脂が溶融埋設され、従来に比し感光体（３４）の
表面粗さが著しく改善される事から、感光体（３４）の
実質的な表面積の縮小を図れ、コロナ放電生成物の絶対
的な付着量の減少を図れると共に付着したコロナ放電生
成物の除去も容易となり、長時間の使用によっても表面
抵抗が劣下される事が無く、画像流れによる画質の低下
を防止し、感光体の長寿命化が可能となる。

又、研磨により、アクリル樹脂（３９）部分の表面積も
減少され、画像形成不能により画像上に黒点を生じる事
が無く１画質劣下を防止出来、更に、充填されたアクリ
ル樹脂（３９）が溶接後凝固されるので、表面保護Ｊ’
！！７　（３８）凹部での埋込み強度が増大される事か
ら、長時間の使用によっても、クリーニングブレード等
との摺接により、摩耗され、あるいは離脱される事が無
く、長時間にわたり感光体特性の安定化が図られる。

次に本発明の第２の実施例を第４図を参照しながら説明
する。この実施例は光導電体である感光体（４１）の表
面保護層（４４）凹部に高抵抗の熱可塑性材料であるポ
リスチレンの微粒子を充填するものであり、第１の実施
例と同一部分については同一符号を付し、　その説明を
省略する。尚、感光体（４１）は第４図に示すよう・に
、支持体（２６）上に順次Ｐ型の（ａ−８ｉ　：　）ｌ
）からなる第１層の電荷注入阻止層（４２）　、　（ａ
−５ｉ　：　Ｈ）からなる第２層の光導電層（４３）　
。

凹部にポリスチレン（４６）が充填される水素化アモル
ファス窒化シリコン（以下（ａ−３ｉＮ　：　ｌ（）と
称す、）からなる第３層の表面保護層（４４）が積層さ
れ形成されている。

しかして、成膜条件は〔表・２〕に示すように設定され
るものの、成膜工程は第１の実施例と同様であり、反応
容器（２４）内において先ず支持体（２６）上に電荷注
入阻止層（４２）及び光導電層（４３）　、表面保護層
（４４）を形成し全ての成膜工程を終了する。

以下余白 〔表、２〕 次に反応容器（２４）より支持体’（２６）を取り出し
、充填製Ｗｌ（図示せず）内で支持体（２６）を回転さ
せつつブレード（図示せず）により圧力をかけ、熱可塑
性材料である粒径０．３（ｍ）のポリスチレン（４６）
を表面保護層（４４）凹部に充填し、更に熱プレス装置
（図示せず）中で、ポリスチレン（４６）を約２００（
’Ｃ）で加熱溶融した後、冷却凝固する。この後、熱プ
レス装置より支持体（２６）を取り出し、この支持体（
２６）を研磨室（３１）のシャフト（３２）にセットし
、第１の実施例と同様にして、第１の研磨布（３３ａ）
及び第２の研磨布（３３ｂ）により感光体（３４）表面
を。

研磨し、感光体（３４）を完成させる。尚この感光体（
３４）の表面粗さは、　０．１６１ｓＲｍａｘｌ　（Ｌ
＝０．０８（ａｍ））であった、そしてこの感光体（５
１）を実際に装着し、温度３０［”Ｃ］、相対湿度８０
【％〕の環境下で５万枚のコピーを行なったところ、ポ
リスチレン（４６）の充填及びその加熱溶解、更には表
面の研磨を行なわず表面粗さが０．４（４Ｒｍａｘ）　
（Ｌ　＝０．０８〔ｍｍ〕）の従来の感光体にあっては
、　９０００枚以降除々に画像流れを生じ、画質の劣下
を来たしたのに対し、最初から最後迄、画質がかわる事
無く高解像力の画像が得られた。

この様に構成すれば、第１の実施例と同様、従来に比し
コロナ放電生成物の付着量が減少されると共に付着され
たコロナ放電生成物の゛除去も容易となり、長時間の使
用による画像流れ現象を防止し、感光体（４１）の長寿
命化が可能となる。

又、第１の実施例と同様、ポリスチレン（４６）は表面
保護層（３８）凹部内で溶融凝固されており、その埋込
み強度が増大される事から、その摩耗及び離脱が防止さ
れ、長時間にわたる感光体特性の安。

定住が図られると共に、その表面研磨により、ポリスチ
レン（４６）部分の表面積が画像に黒点を生じない程度
に減少され、画質の劣下が防止される。

尚１本発明は上記実施例に限定されず種々設計変更可能
であり、感光体の表面粗さも任意であるが、少なくとも
０．２（ｍＲｍａｘ）　（Ｌ　＝０．０８（ｍａ））以
下で、より小さい方が望ましい。又、研磨の方法、及び
時間等も任意であり、磁気研暦、気相あるいは液相のエ
ツチングといわれる化学的研磨、更には磁性流体利用Ｆ
ＦＦ　（Ｆｉｅｌｄ−ａｓｓｉｓｔｅｄ　Ｆｉｎｅ　Ｆ
ｉ−ｎｉｓｈｉｎｇの略）、プラズマ利用ＦＦＦ　、ラ
ッピング等更に高精度の研磨を行なうものでも良い、尚
、研磨材としてもシリカ（Ｓｉｎ、）以外にアルミナ〔
ＡＱ２０、〕、酸化鉄（Ｆｅ、　ｏ３］　ｍ炭化窒素（
Ｃ３Ｎ４　）その他の微粉末であっても良い。更には感
光体の感光層の構造厚さ等も任意であるし、各層もその
境界を明確にする事無く１例えば成膜時各原料ガスの濃
度を連続的に変える事により、各層の境界における成分
を除々に換えるようにし、感光体全体としては、複数の
機能の異なる層領域が存在するという状態であっても良
く、この様にすれば、各層間の境界における欠陥を防止
出来、各層間の接着性向上が可能となる。又、プラズマ
ＣＶＤ法による各層の原料もシリコン［Ｓｉ］を含有す
る原料としてはシランガス［：５ＩＨ４］の他、ジシラ
ンガス（ＳｉＪｓｌ＊　　トリシランガス（Ｓｉ３Ｈｓ
）＋　４フツ化ケイ素ガス）　５ＩＦ４）等でも良く、
その地価電子制御元素の原料としては、ジボランＣＢ、
Ｈ，）、ホスフィン（ＰＨ３）、　３フツ化ホウ素（Ｂ
Ｆ３　）　、アルシン（ＡｓＨ，）等があり、又、安定
化原料としては、ゲルマン（ＧｅＨ４）　ｐメタン（Ｃ
Ｈ，）。

エチレン（Ｃ２Ｈ，）、チッ素（Ｎ、）、アンモニア［
ＮＵＺ）−酸素〔０□〕、酸化窒素（Ｎａ　Ｏ）等のガ
スがある。又、成膜方法も、プラズマＣＶＤ法の他、反
応性スパッタリング法、イオンブレーティング法、真空
蒸着法等可能である。

更に熱可塑性材料の材質あるいは形状等限定されず、材
質としては、感光体の帯電特性を低下させないようその
電気抵抗が１０”［０１３以上である事が望ましく、酢
酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂。

ポリエステル、ポリウレタンあるいは、テフロン。

シリコーン樹脂、アクリル樹脂等限定されず、形状も表
面層凹部に充填出来るような大きさであればその形状は
問わない。

材料を溶融する際の加熱温度は熱可塑性材料を溶融出来
、感光体特性を損なわない７０〜３００（’Ｃ）程度で
あれば良いが、　より好ましくは１００〜２００（’Ｃ
）とされる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、複数の層を有する
感光体においても表面層凹部に熱可塑性樹脂を埋め込む
事により、その表面粗さを従来に比し縮小出来る事から
、コロナ放電生成物の付着量が減少され、更にはコロナ
放電生成物の除去も容易となり、長時間の使用による表
面抵抗の劣下を防止出来、画像流れによる画質の低下を
来たす事も無く、感光体の長寿命化が図られる。更に熱
可塑性樹脂の表面層凹部内での溶融、凝固により、その
埋込み強度が増大され、長時間の使用によっても、熱可
塑性樹脂の離脱を生じる事が無く長時間にわたる特性の
安定化が図られると共に、表面層の研磨により、感光体
と共に画像形成不能部分である熱可塑性樹脂部分も実質
的な表面積を縮小される事から、従来の様に画像上に黒
点を生じる事も無く、画質の劣下も防止される。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の第１の実施例を示し第１
図はその反応容器の概略説明図、第２図はその研磨室の
概略説明図、第３図はその感光体の一部断面図、第４図
は本発明の第２の実施例における感光体の一部断面図、
第５図及び第６図は従来の装置を示し第５図（イ）はそ
の第１の従来例の感光体の一部断面図、第５図（ロ）は
その第２の従来例の感光体の一部断面図、第５図（ハ）
はその第３の従来例の感光体の一部断面図、第５図（ニ
）はその第４の従来例の感光体の一部断面図、第５図（
ホ）はその第５の従来例の感光体の一部断面図。 第５図（へ）はその第６の従来例の感光体の一部断面図
、第６図（イ）は第５図（イ）の表面を拡大した一部断
面図、第６図（ロ）は第６図（イ）に充填材を充填した
状態を示す一部断面図である。 ２４・・・反応容器、　　　２６・・・支持体、２７ｂ
・・・モータ、２７・・・支持体、２８・・・電極、　
　　　　３０・・・ガス導入管、３１・・・研磨室、　
　　　３２・・・シャフト。 ３３ａ・・・第１の研磨布、３３ｂ・・・第２の研磨布
、３４・・・感光体、　　　　３８・・・表面保護層、
３９・・・アクリル樹脂。 代理人　弁理士　　井　上　−男 第１図 第　　２　　図 第　　３　　図 第４図 第　　６　　図　（イン ｌ古 第　　６　　図　（ロ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性の支持体上にシリコンを含む複数の非晶質材
   料層が積層されるものにおいて、表面に形成される凹部
   内に熱可塑性材料が溶融埋設されると共に研磨により平
   滑化される非晶質材料層を表面層として具備する事を特
   徴とする光導電体。 ２、表面粗さが０．２〔μｍＲｍａｘ〕（Ｌ＝０．０８
   〔ｍｍ〕）以下である事を、特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の光導電体。 ３、複数の非晶質材料層の各層の境界の成分量が、勾配
   を有するよう変換されている事を特徴とする特許請求の
   範囲第１項又は第２項のいづれかに記載の光導電体。 ４、導電性の支持体を収納し、シリコンを含む反応ガス
   を有する反応容器内で、シリコンを含む複数の非晶質材
   料層を積層する成膜工程完了後、表面層凹部に熱可塑性
   材料を充填し、次いで前記表面層を加熱し、更に前記表
   面層を研磨する事を特徴とする光導電体の製造方法。 ５、成膜工程時、各非晶質材料層毎に反応ガスを交換す
   る事を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光導電体
   の製造方法。 ６、成膜工程時、反応ガスの成分を除々に交換する事を
   特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光導電体の製造
   方法。