JPH01281726A - 半導体ウエハ用薬液塗布装置 - Google Patents
半導体ウエハ用薬液塗布装置Info
- Publication number
- JPH01281726A JPH01281726A JP63110825A JP11082588A JPH01281726A JP H01281726 A JPH01281726 A JP H01281726A JP 63110825 A JP63110825 A JP 63110825A JP 11082588 A JP11082588 A JP 11082588A JP H01281726 A JPH01281726 A JP H01281726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- stage
- motor
- chemical solution
- arm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハにフォトレジスト液等の薬液を塗
布する半導体ウェハ用薬液塗布装置に関するものである
。
布する半導体ウェハ用薬液塗布装置に関するものである
。
従来、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体ウェハ
上にフォトレジストやＯＣＤというような薬液を塗布す
るには、第２図に示すような回転式塗布装置が使用され
ていた。第２図は従来の回転式塗布装置を示す斜視図で
、同図において１はモータ、２は半導体ウェハ（図示せ
ず）を吸着支持しかつ回転させるためのステージで、前
記モータ１の軸（図示せず）Ｋ連結されると共に、真空
装置（図示せず）に接続されている。３は薬液（図示せ
ず）を滴下するためのノズル、４は半導体ウェハ上から
溢れた薬液を受けるための廃液カップ、５は半導体ウェ
ハを搬送するためのフォークである。このように構成さ
れた従来の回転式塗布装置によって半導体ウェハ上に塗
膜を形成するには、先スフオーク５によってステージ２
上に半導体ウェハを位置決めし載置させる。この際、半
導体ウェハはステージ２に吸着され、ステージ２上に固
定されることになる。次いで、この半導体ウェハの略中
央部にノズル３からＯＣＤやフォトレジスト等の薬液を
滴下し、滴下終了後モータ１を駆動させることによって
ステージ２および半導体ウェハを回転させる。なお、薬
液を滴下するには前記のように半導体ウェハを停止させ
た状態で行なう場合と、回転している状態で行なう場合
とがある。
上にフォトレジストやＯＣＤというような薬液を塗布す
るには、第２図に示すような回転式塗布装置が使用され
ていた。第２図は従来の回転式塗布装置を示す斜視図で
、同図において１はモータ、２は半導体ウェハ（図示せ
ず）を吸着支持しかつ回転させるためのステージで、前
記モータ１の軸（図示せず）Ｋ連結されると共に、真空
装置（図示せず）に接続されている。３は薬液（図示せ
ず）を滴下するためのノズル、４は半導体ウェハ上から
溢れた薬液を受けるための廃液カップ、５は半導体ウェ
ハを搬送するためのフォークである。このように構成さ
れた従来の回転式塗布装置によって半導体ウェハ上に塗
膜を形成するには、先スフオーク５によってステージ２
上に半導体ウェハを位置決めし載置させる。この際、半
導体ウェハはステージ２に吸着され、ステージ２上に固
定されることになる。次いで、この半導体ウェハの略中
央部にノズル３からＯＣＤやフォトレジスト等の薬液を
滴下し、滴下終了後モータ１を駆動させることによって
ステージ２および半導体ウェハを回転させる。なお、薬
液を滴下するには前記のように半導体ウェハを停止させ
た状態で行なう場合と、回転している状態で行なう場合
とがある。
半導体ウェハが回転されると、滴下された薬液は遠心力
によシ半導体つェハ上を周縁部に向かって流され、例え
ばＯＣＤを塗布した場合には、半導体ウェハが回転する
ことによってケイ素化合物を溶解するための有機溶剤の
一部が蒸発しＯＣＤの粘性が高くなるため、半導体ウェ
ハの回転数に応じた厚みを有する塗膜が形成されること
になる。また、第３図に示すように、回転方向と平行な
凹溝が表面に形成された半導体ウェハに従来の回転式塗
布装置によって塗膜を形成すると、薬液は遠心力によシ
溝の側面を伝わシ、半導体ウェハの周縁部側へ向かって
流されることＫなる。第３図において６は半導体ウェハ
、７は凹溝、８は半導体ウエノ・６上に形成された塗膜
、９は凹溝１の側面に形成された塗膜である。この凹溝
Ｔの側面にも塗膜９が形成されるという性質を利用して
凹溝７内をＯＣＤ等によって埋めたシ、あるいはＯＣＤ
Ｋ砒素やボロン等のドーパントを含ませ、凹溝７内に
拡散源を形成することができる。
によシ半導体つェハ上を周縁部に向かって流され、例え
ばＯＣＤを塗布した場合には、半導体ウェハが回転する
ことによってケイ素化合物を溶解するための有機溶剤の
一部が蒸発しＯＣＤの粘性が高くなるため、半導体ウェ
ハの回転数に応じた厚みを有する塗膜が形成されること
になる。また、第３図に示すように、回転方向と平行な
凹溝が表面に形成された半導体ウェハに従来の回転式塗
布装置によって塗膜を形成すると、薬液は遠心力によシ
溝の側面を伝わシ、半導体ウェハの周縁部側へ向かって
流されることＫなる。第３図において６は半導体ウェハ
、７は凹溝、８は半導体ウエノ・６上に形成された塗膜
、９は凹溝１の側面に形成された塗膜である。この凹溝
Ｔの側面にも塗膜９が形成されるという性質を利用して
凹溝７内をＯＣＤ等によって埋めたシ、あるいはＯＣＤ
Ｋ砒素やボロン等のドーパントを含ませ、凹溝７内に
拡散源を形成することができる。
しかるに、半導体ウェハ上に滴下された薬液の粘性が高
い場合は、第４図に示すように、凹溝Ｔにおける半導体
ウェハ６の回転中心側側面７ｍには塗膜９が形成される
が、半導体ウェハ６の周縁部側側面７ｂＫは形成されに
くい。凹溝Ｔの両側面７ｍ 、７ｂに膜厚が略等しくな
るよう塗膜９を形成するには薬液の粘性を下げればよい
が、このようＫすると一回の塗布で得られる膜厚が薄く
なってしまい、所望の膜厚を得るＫは塗布作業を数回行
なわなければならないという問題があった。
い場合は、第４図に示すように、凹溝Ｔにおける半導体
ウェハ６の回転中心側側面７ｍには塗膜９が形成される
が、半導体ウェハ６の周縁部側側面７ｂＫは形成されに
くい。凹溝Ｔの両側面７ｍ 、７ｂに膜厚が略等しくな
るよう塗膜９を形成するには薬液の粘性を下げればよい
が、このようＫすると一回の塗布で得られる膜厚が薄く
なってしまい、所望の膜厚を得るＫは塗布作業を数回行
なわなければならないという問題があった。
本発明に係る半導体ウェハ用薬液塗布装置は、薬液が塗
布される半導体ウェハを吸着し回転させるステージを水
平アームを介してステージ回転用モータに回転自在に連
結し、半導体ウェハをステージによって自転させると共
にステージ回転用モータによって公転させたものである
。
布される半導体ウェハを吸着し回転させるステージを水
平アームを介してステージ回転用モータに回転自在に連
結し、半導体ウェハをステージによって自転させると共
にステージ回転用モータによって公転させたものである
。
薬液は半導体ウェハが公転されることによシ生じる遠心
力によって半導体ウェハ上を公転軸の半径方向に涜って
中心側から周縁側へ流れ、半導体ウェハが自転されるこ
とによシ流れの向きが変えられ、半導体ウェハ上にくま
なく塗布されることになる。
力によって半導体ウェハ上を公転軸の半径方向に涜って
中心側から周縁側へ流れ、半導体ウェハが自転されるこ
とによシ流れの向きが変えられ、半導体ウェハ上にくま
なく塗布されることになる。
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る薬液塗布装置を示す斜視図で、同
図において１１は半導体ウェハ、１２は前記半導体ウェ
ハ１１を吸着支持しかつ回転させるためのステージで、
自転用モータ１３に連結されておシ、真空吸着ノズル（
図示せず）を備え後述するアーム内に内蔵された配管（
図示せず）を介して真空装置（図示せず）に接続されて
いる。
図において１１は半導体ウェハ、１２は前記半導体ウェ
ハ１１を吸着支持しかつ回転させるためのステージで、
自転用モータ１３に連結されておシ、真空吸着ノズル（
図示せず）を備え後述するアーム内に内蔵された配管（
図示せず）を介して真空装置（図示せず）に接続されて
いる。
１４は前記自転用モータ１３を複数保持するアームで、
このアーム１４は公転用モータ１５の軸１５ｍに固定さ
れるボス１４ｍと、このボス１４＆に一端が固定され他
端に前記自転用モータ１３が取付けられたアーム部１４
ｂとから構成されている。また、このアーム部１４ｂは
ボス１４１の半径方向に沿ソ１水平に４本設けられてお
シ、各々の先端部に自転用モータ１３が取付けられてい
る。すなわち、前記公転用モータ１５が駆動されること
によシスデージ１２上に吸着された半導体ウェハ１１が
公転されることになる。１６は薬液を滴下するだめのノ
ズルで、前記アーム１４によって公転用モータ１５の周
凹に配置されたステージ１２と対向するよう形成されて
いる。１７は半導体ウェハ１１を搬送するための７オー
クである。
このアーム１４は公転用モータ１５の軸１５ｍに固定さ
れるボス１４ｍと、このボス１４＆に一端が固定され他
端に前記自転用モータ１３が取付けられたアーム部１４
ｂとから構成されている。また、このアーム部１４ｂは
ボス１４１の半径方向に沿ソ１水平に４本設けられてお
シ、各々の先端部に自転用モータ１３が取付けられてい
る。すなわち、前記公転用モータ１５が駆動されること
によシスデージ１２上に吸着された半導体ウェハ１１が
公転されることになる。１６は薬液を滴下するだめのノ
ズルで、前記アーム１４によって公転用モータ１５の周
凹に配置されたステージ１２と対向するよう形成されて
いる。１７は半導体ウェハ１１を搬送するための７オー
クである。
なお、前記自転用モータ１３と公転用モータ１５の回転
数は、半導体ウェハ１１の自転周期が公転周期よシ長く
なるよう設定され、公転によって生じる遠心力が自転に
よるそれよシ充分に大きくなるよう調節されている。
数は、半導体ウェハ１１の自転周期が公転周期よシ長く
なるよう設定され、公転によって生じる遠心力が自転に
よるそれよシ充分に大きくなるよう調節されている。
次に、このように構成された薬液塗布装置によって半導
体ウェハ上に塗膜を形成する方法を説明する。
体ウェハ上に塗膜を形成する方法を説明する。
先ず、フォーク１７によって半導体ウェハ１１をステー
ジ１２上に搬送し、載置させる。この際ステージ１２の
真空吸着ノズルによって半導体つエバ１１が吸着される
。そして、公転用モータ１５を駆動させることによって
アーム１４を９０’回転させ、隣り合う位置に配置され
たステージ１２へ再び半導体ウェハ１１を搬送し、吸着
させる。この操作を繰り返すことにより全てのステージ
１２に半導体ウェハ１１を吸着させた後、ノズル１６か
ら薬液を全ての半導体ウェハ１１上に同時に滴下させる
。薬液滴下時には半導体ウェハ１１を停止させた状態で
も、自転させた状態でもよい。次いで、公転用モータ１
５を駆動させることによってアーム１４を回転させ、同
時に自転用モータ１３を駆動させることによって半導体
ウェハ１１を自転させる。すなわち、この際半導体ウェ
ハ１１は自転されると共に公転されることになる。した
がって、薬液は公転によシ生じる遠心力によって半導体
ウェハ１１上をアーム１４におけるアーム部１４ｂの長
手方向に沿って回転中心側から周縁側へ流れることにな
る。そして、半導体ウェハ１１が自転されることによっ
て流れの向きが変えられ、半導体ウェハ１１上にくまな
く塗布されることになシ、薬液の粘性が高くとも半導体
ウェハ全面にわたシ膜厚の均一な塗膜が得られる。また
、半導体ウェハ１１に自転方向と平行な凹溝（図示せず
）が形成されている場合でも、凹溝の両側面に平均に塗
膜が形成されることになる。
ジ１２上に搬送し、載置させる。この際ステージ１２の
真空吸着ノズルによって半導体つエバ１１が吸着される
。そして、公転用モータ１５を駆動させることによって
アーム１４を９０’回転させ、隣り合う位置に配置され
たステージ１２へ再び半導体ウェハ１１を搬送し、吸着
させる。この操作を繰り返すことにより全てのステージ
１２に半導体ウェハ１１を吸着させた後、ノズル１６か
ら薬液を全ての半導体ウェハ１１上に同時に滴下させる
。薬液滴下時には半導体ウェハ１１を停止させた状態で
も、自転させた状態でもよい。次いで、公転用モータ１
５を駆動させることによってアーム１４を回転させ、同
時に自転用モータ１３を駆動させることによって半導体
ウェハ１１を自転させる。すなわち、この際半導体ウェ
ハ１１は自転されると共に公転されることになる。した
がって、薬液は公転によシ生じる遠心力によって半導体
ウェハ１１上をアーム１４におけるアーム部１４ｂの長
手方向に沿って回転中心側から周縁側へ流れることにな
る。そして、半導体ウェハ１１が自転されることによっ
て流れの向きが変えられ、半導体ウェハ１１上にくまな
く塗布されることになシ、薬液の粘性が高くとも半導体
ウェハ全面にわたシ膜厚の均一な塗膜が得られる。また
、半導体ウェハ１１に自転方向と平行な凹溝（図示せず
）が形成されている場合でも、凹溝の両側面に平均に塗
膜が形成されることになる。
しかる後、公転用モータ１５および自転用モータ１３を
停止させ、半導体ウェハ１１を停止させる。そして、ア
ーム１４が９０°ずつ回転するよう公転用モータ１５を
駆動させ、アーム１４の回転に応じてフォーク１７を作
動させ半導体ウェハ１１を搬送させることによって塗膜
形成工程が終了する０ 本実施例に示すようにアーム１４に、よって自転用モー
タ１３およびステージ１２を複数組設けると、−度の塗
布によって複数の半導体ウェハ１１に同時に塗膜が形成
されるため、高いスループットが得られる。
停止させ、半導体ウェハ１１を停止させる。そして、ア
ーム１４が９０°ずつ回転するよう公転用モータ１５を
駆動させ、アーム１４の回転に応じてフォーク１７を作
動させ半導体ウェハ１１を搬送させることによって塗膜
形成工程が終了する０ 本実施例に示すようにアーム１４に、よって自転用モー
タ１３およびステージ１２を複数組設けると、−度の塗
布によって複数の半導体ウェハ１１に同時に塗膜が形成
されるため、高いスループットが得られる。
なお、本発明の薬液塗布装置によって塗布する薬液は７
オトレジス） 、 ＯＣＤ等に限定されるものではなく
、例えばエツチング液等でもよい。また、本実施例では
半導体ウェハを自転させるために自転用モータ１３をア
ーム１４の回転端部に取付けた例を示したが、公転用モ
ータ１５の駆動力をベルト、歯車等によってステージ１
２に伝達させて半導体ウェハ１１を自転させてもよく、
このようにするとアーム１４０回転モーメントが小さく
なシ小動力でアーム１４を回転させる仁とができる。
オトレジス） 、 ＯＣＤ等に限定されるものではなく
、例えばエツチング液等でもよい。また、本実施例では
半導体ウェハを自転させるために自転用モータ１３をア
ーム１４の回転端部に取付けた例を示したが、公転用モ
ータ１５の駆動力をベルト、歯車等によってステージ１
２に伝達させて半導体ウェハ１１を自転させてもよく、
このようにするとアーム１４０回転モーメントが小さく
なシ小動力でアーム１４を回転させる仁とができる。
以上説明したように本発明によれば、薬液が塗布される
半導体ウェハを吸着し回転させるステージを水平アーム
を介してステージ回転用モータに回転自在に連結し、半
導体ウェハをステージによって自転させると共にステー
ジ回転用モータによって公転させたため、薬液は半導体
ウェハが公転されることによ）生じる遠心力によって半
導体ウェハ上を公転軸の半径方向に溢って中心側から周
縁側へ流れ、半導体ウェハが自転されることによシ流れ
の向きが変えられ、半導体ウェハ上にくまなく塗布され
ることになる。したがって、薬液の粘性が高い場合でも
半導体ウェハ全面にわたり均一な膜厚を有する塗膜が得
られるから、膜厚の厚い塗膜が容易に得られるという効
果がある。
半導体ウェハを吸着し回転させるステージを水平アーム
を介してステージ回転用モータに回転自在に連結し、半
導体ウェハをステージによって自転させると共にステー
ジ回転用モータによって公転させたため、薬液は半導体
ウェハが公転されることによ）生じる遠心力によって半
導体ウェハ上を公転軸の半径方向に溢って中心側から周
縁側へ流れ、半導体ウェハが自転されることによシ流れ
の向きが変えられ、半導体ウェハ上にくまなく塗布され
ることになる。したがって、薬液の粘性が高い場合でも
半導体ウェハ全面にわたり均一な膜厚を有する塗膜が得
られるから、膜厚の厚い塗膜が容易に得られるという効
果がある。
第１図は本発明に係る薬液塗布装置を示す斜視図、第２
図は従来の回転式塗布装置を示す斜視図、第３図は半導
体ウェハの凹溝内に塗膜が形成された状態を示す側断面
図、第４図は同じく薬液の粘性が高い場合の塗膜の形成
状態を示す側断面図である。 １１・・・・半導体ウェハ、１２・・・・ステージ、１
３・・・・自転用モータ、１４・・・・アーム、１５・
・・・公転用モータ。
図は従来の回転式塗布装置を示す斜視図、第３図は半導
体ウェハの凹溝内に塗膜が形成された状態を示す側断面
図、第４図は同じく薬液の粘性が高い場合の塗膜の形成
状態を示す側断面図である。 １１・・・・半導体ウェハ、１２・・・・ステージ、１
３・・・・自転用モータ、１４・・・・アーム、１５・
・・・公転用モータ。
Claims (1)
- 薬液が塗布される半導体ウェハを吸着し回転させるス
テージを水平アームを介してステージ回転用モータに回
転自在に連結し、半導体ウェハをステージによって自転
させると共にステージ回転用モータによって公転させた
ことを特徴とする半導体ウェハ用薬液塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110825A JPH01281726A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 半導体ウエハ用薬液塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63110825A JPH01281726A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 半導体ウエハ用薬液塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01281726A true JPH01281726A (ja) | 1989-11-13 |
Family
ID=14545612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63110825A Pending JPH01281726A (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 半導体ウエハ用薬液塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01281726A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176457A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体基板への薬液塗布方法及び塗布装置 |
-
1988
- 1988-05-07 JP JP63110825A patent/JPH01281726A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176457A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-14 | Nec Corp | 半導体基板への薬液塗布方法及び塗布装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108213016B (zh) | 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法 | |
| US5874128A (en) | Method and apparatus for uniformly spin-coating a photoresist material | |
| JPH07273020A (ja) | 液状膜形成装置及び方法 | |
| JPH01281726A (ja) | 半導体ウエハ用薬液塗布装置 | |
| CN216500429U (zh) | 匀胶机 | |
| JP2793554B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2011035168A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JP2004103781A (ja) | 液体塗布方法及び液体塗布装置 | |
| JPH01159080A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JPS61206224A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP4571515B2 (ja) | スピン処理装置 | |
| JP2840182B2 (ja) | 基板への回転式塗布方法並びに基板への回転式塗布装置 | |
| JPS62279631A (ja) | 半導体集積回路装置の製造装置 | |
| JP2803702B2 (ja) | ウエハ姿勢制御装置 | |
| JPS60130830A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH05335226A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH05123632A (ja) | 液状塗布物質の塗布方法 | |
| JPH04332117A (ja) | レジスト塗布方法及び装置 | |
| JPH02908Y2 (ja) | ||
| JP2024122710A (ja) | 遊星式スピンコーターおよびスピンコート方法 | |
| JP2001162527A (ja) | 研磨装置 | |
| JPH03785B2 (ja) | ||
| JP3230891B2 (ja) | 塗布装置 | |
| JPH02219213A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH09134909A (ja) | 薄膜形成用回転塗布装置、半導体装置、及び薄膜の形成方法 |