JPH07176457A - 半導体基板への薬液塗布方法及び塗布装置 - Google Patents
半導体基板への薬液塗布方法及び塗布装置Info
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- JPH07176457A JPH07176457A JP5312159A JP31215993A JPH07176457A JP H07176457 A JPH07176457 A JP H07176457A JP 5312159 A JP5312159 A JP 5312159A JP 31215993 A JP31215993 A JP 31215993A JP H07176457 A JPH07176457 A JP H07176457A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の中心を回転中心とする第１の回
転と半導体基板の中心以外を回転中心とする第２の回転
により、パターン方向の違いによる薬液の塗布ムラを低
減する。 【構成】 半導体基板中心を中心に回転させ薬液を塗布
する塗布カップを回転するステージ上に配置し塗布カッ
プ内の回転とステージの回転を同時行うことにより、半
導体基板面内でのパターン方向と薬液の移動する方向の
違いにより発生する塗布ムラとストリエーションと呼ば
れる放射線状の塗布ムラを低減することができる。半導
体基板面内での膜厚差が小さくなり、パターン寸法や形
状の均一性が向上する。さらに、アライメントを行う場
合、塗布膜内での干渉から干渉縞がアライメントマーク
に対して非対称に発生することがなくなるため、アライ
メント精度も向上する。
転と半導体基板の中心以外を回転中心とする第２の回転
により、パターン方向の違いによる薬液の塗布ムラを低
減する。 【構成】 半導体基板中心を中心に回転させ薬液を塗布
する塗布カップを回転するステージ上に配置し塗布カッ
プ内の回転とステージの回転を同時行うことにより、半
導体基板面内でのパターン方向と薬液の移動する方向の
違いにより発生する塗布ムラとストリエーションと呼ば
れる放射線状の塗布ムラを低減することができる。半導
体基板面内での膜厚差が小さくなり、パターン寸法や形
状の均一性が向上する。さらに、アライメントを行う場
合、塗布膜内での干渉から干渉縞がアライメントマーク
に対して非対称に発生することがなくなるため、アライ
メント精度も向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板への薬液塗
布方法及び塗布装置に関する。
布方法及び塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の回転塗布機における回転
塗布部分を示す概略図を示す。図３に示されるように従
来の回転塗布機は、半導体基板４に薬液を滴下するノズ
ル１と、半導体基板４を吸着し、これを回転させる真空
チャック５と、半導体基板４から振り切られた薬液を受
ける塗布カップ１４と、半導体基板４の裏面へ回り込ん
だ薬液を取り除くバックリンス用ノズル６と、半導体基
板４から飛散した薬液を排気する排気機構７と、薬液を
供給するための図示しないポンプとからなる８は真空チ
ャック５を回転させるモータである。
塗布部分を示す概略図を示す。図３に示されるように従
来の回転塗布機は、半導体基板４に薬液を滴下するノズ
ル１と、半導体基板４を吸着し、これを回転させる真空
チャック５と、半導体基板４から振り切られた薬液を受
ける塗布カップ１４と、半導体基板４の裏面へ回り込ん
だ薬液を取り除くバックリンス用ノズル６と、半導体基
板４から飛散した薬液を排気する排気機構７と、薬液を
供給するための図示しないポンプとからなる８は真空チ
ャック５を回転させるモータである。
【０００３】次に従来技術の回転塗布方法を示す。円形
の半導体基板４を接触部分が円形の真空チャック５で中
心を吸着し、薬液を前記半導体基板４の中央に薬液ノズ
ル１で滴下する。塗布方法は、薬液を滴下する際に半導
体基板４が静止しているスタティック塗布と半導体基板
４を１００〜１０００ｒｐｍで回転させているダイナミ
ック塗布の二つに分けられるが、この２つの方法の差
は、薬液滴下時に基板を回転させているか静止させてい
るかの違いのみである。
の半導体基板４を接触部分が円形の真空チャック５で中
心を吸着し、薬液を前記半導体基板４の中央に薬液ノズ
ル１で滴下する。塗布方法は、薬液を滴下する際に半導
体基板４が静止しているスタティック塗布と半導体基板
４を１００〜１０００ｒｐｍで回転させているダイナミ
ック塗布の二つに分けられるが、この２つの方法の差
は、薬液滴下時に基板を回転させているか静止させてい
るかの違いのみである。
【０００４】次に、前記半導体基板４を１０００〜６０
００ｒｐｍで回転させ所望の膜厚が得られるように１０
〜３０秒程度の間薬液を塗り広げる。次に、１０００〜
３０００ｒｐｍで回転させながら、半導体基板４の裏面
にノズル６からバックリンスを噴射し、半導体基板４の
裏面に付着した薬液を除去する。塗布膜厚は、薬液の粘
度と塗布時の回転数により決定される。塗布膜厚の回転
数依存性を図４に示す。
００ｒｐｍで回転させ所望の膜厚が得られるように１０
〜３０秒程度の間薬液を塗り広げる。次に、１０００〜
３０００ｒｐｍで回転させながら、半導体基板４の裏面
にノズル６からバックリンスを噴射し、半導体基板４の
裏面に付着した薬液を除去する。塗布膜厚は、薬液の粘
度と塗布時の回転数により決定される。塗布膜厚の回転
数依存性を図４に示す。
【０００５】次に、塗布される薬液の膜厚のバラツキの
発生原因を説明する。薬液は半導体基板４の回転により
半導体基板４上へ拡散されるが、このとき同時に溶剤が
揮発し半導体基板４へ薬液が定着する。従って、溶剤の
揮発する速さと拡散される速さとにより、塗布膜厚の分
布が決まる。薬液の揮発速度が速い場合は、中央が厚い
状態で薬液が半導体基板４へ定着し、逆に揮発速度が遅
い場合は、中央は薄く周辺が厚くなる。即ち、塗布膜厚
の分布を制御できるのは、半径方向についてのみであ
る。
発生原因を説明する。薬液は半導体基板４の回転により
半導体基板４上へ拡散されるが、このとき同時に溶剤が
揮発し半導体基板４へ薬液が定着する。従って、溶剤の
揮発する速さと拡散される速さとにより、塗布膜厚の分
布が決まる。薬液の揮発速度が速い場合は、中央が厚い
状態で薬液が半導体基板４へ定着し、逆に揮発速度が遅
い場合は、中央は薄く周辺が厚くなる。即ち、塗布膜厚
の分布を制御できるのは、半径方向についてのみであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の回転塗布方法で
は、塗布される薬液は遠心力で常に半導体基板の中心か
ら半径方向に外側へ移動する。そのため図５（ａ），
（ｂ）に示されるように、半径方向のパターン１２と円
周方向のパターン１３とでは塗布膜１４の塗布状態に差
が発生してしまう。図６に示すように、この塗布状態の
違いは、半導体基板上にすべて同じ向きに半導体装置を
作成する現在の露光装置では、半導体装置内で同一のパ
ターンであっても半導体基板上の位置により半径方向パ
ターン１２と円周方向パターン１３となるもの及びその
中間のものがあり、同一半導体基板内で作られた半導体
装置であっても面内で薬液の塗布状態の違いにより寸法
や形状が変化してしまうという問題を引き起こす。
は、塗布される薬液は遠心力で常に半導体基板の中心か
ら半径方向に外側へ移動する。そのため図５（ａ），
（ｂ）に示されるように、半径方向のパターン１２と円
周方向のパターン１３とでは塗布膜１４の塗布状態に差
が発生してしまう。図６に示すように、この塗布状態の
違いは、半導体基板上にすべて同じ向きに半導体装置を
作成する現在の露光装置では、半導体装置内で同一のパ
ターンであっても半導体基板上の位置により半径方向パ
ターン１２と円周方向パターン１３となるもの及びその
中間のものがあり、同一半導体基板内で作られた半導体
装置であっても面内で薬液の塗布状態の違いにより寸法
や形状が変化してしまうという問題を引き起こす。
【０００７】さらに、同心円上に発生する塗布ムラの他
にストリエーションとよばれる放射線状に発生する塗布
ムラもある。このムラは、薬液が中心付近から外周方向
にのみ移動することが原因で発生する。また、マスクと
ウエハの位置合わせのため、ウエハ上にアライメントマ
ークと呼ぶマークを形成するが、アライメントマークも
凹凸によって形成されているので前記塗布ムラが発生
し、アライメントに光を用いた場合には膜厚の変化によ
り干渉縞が発生し、特に円周方向パターンとなる場合は
図７（ａ），（ｂ）に示したように干渉縞１５がパター
ンに非対称に発生し、アライメント誤差が発生するとい
う問題もある。
にストリエーションとよばれる放射線状に発生する塗布
ムラもある。このムラは、薬液が中心付近から外周方向
にのみ移動することが原因で発生する。また、マスクと
ウエハの位置合わせのため、ウエハ上にアライメントマ
ークと呼ぶマークを形成するが、アライメントマークも
凹凸によって形成されているので前記塗布ムラが発生
し、アライメントに光を用いた場合には膜厚の変化によ
り干渉縞が発生し、特に円周方向パターンとなる場合は
図７（ａ），（ｂ）に示したように干渉縞１５がパター
ンに非対称に発生し、アライメント誤差が発生するとい
う問題もある。
【０００８】本発明の目的は、パターン方向の違いによ
る塗布ムラとストリエーションの発生をなくした半導体
基板への薬液塗布方法及び塗布装置を提供することにあ
る。
る塗布ムラとストリエーションの発生をなくした半導体
基板への薬液塗布方法及び塗布装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体基板への薬液塗布方法は、半導
体基板に異なる２種類の回転を与えることにより、該基
板上に薬液を塗布する半導体基板への薬液塗布方法であ
って、半導体基板に与える第１の回転は、半導体基板の
中心を回転中心とする回転であり、半導体基板に与える
第２の回転は、半導体基板の中心以外を回転中心とする
回転である。
め、本発明に係る半導体基板への薬液塗布方法は、半導
体基板に異なる２種類の回転を与えることにより、該基
板上に薬液を塗布する半導体基板への薬液塗布方法であ
って、半導体基板に与える第１の回転は、半導体基板の
中心を回転中心とする回転であり、半導体基板に与える
第２の回転は、半導体基板の中心以外を回転中心とする
回転である。
【００１０】また、第１の回転により半導体基板を低速
回転させることにより、半導体基板上に薬液を拡散さ
せ、第２の回転により半導体基板を高速回転させること
により、半導体基板上での薬液の膜厚を均一化させるも
のである。
回転させることにより、半導体基板上に薬液を拡散さ
せ、第２の回転により半導体基板を高速回転させること
により、半導体基板上での薬液の膜厚を均一化させるも
のである。
【００１１】また、本発明に係る半導体基板への薬液塗
布装置は、第１の回転機構と第２の回転機構とを有し、
半導体基板に異なる２種類の回転を与えることにより、
該基板上に薬液を塗布する半導体基板への薬液塗布装置
であって、第１の回転機構は、第２の回転機構を支持し
て回転するものであり、第２の回転機構は、第１の回転
機構の回転中心からずれた位置で該第１の回転機構に回
転可能に支持され、かつ半導体基板を支持し、該基板の
中心を回転中心として半導体基板を回転させるものであ
る。
布装置は、第１の回転機構と第２の回転機構とを有し、
半導体基板に異なる２種類の回転を与えることにより、
該基板上に薬液を塗布する半導体基板への薬液塗布装置
であって、第１の回転機構は、第２の回転機構を支持し
て回転するものであり、第２の回転機構は、第１の回転
機構の回転中心からずれた位置で該第１の回転機構に回
転可能に支持され、かつ半導体基板を支持し、該基板の
中心を回転中心として半導体基板を回転させるものであ
る。
【００１２】また、第２の回転機構は、低速回転される
ものであり、第１の回転機構は、高速回転されるもので
ある。
ものであり、第１の回転機構は、高速回転されるもので
ある。
【００１３】
【作用】半導体基板に異なる２種類の回転を与えて該基
板に薬液を塗布する。半導体基板の中心を回転中心とし
て該基板を回転させることにより、半導体基板上に薬液
を拡散させ、半導体基板の中心よりずれた位置を回転中
心として該基板を回転させることにより、半導体基板上
での薬液の膜厚を均一化させる。
板に薬液を塗布する。半導体基板の中心を回転中心とし
て該基板を回転させることにより、半導体基板上に薬液
を拡散させ、半導体基板の中心よりずれた位置を回転中
心として該基板を回転させることにより、半導体基板上
での薬液の膜厚を均一化させる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１５】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示す平面図、図２は、同縦断面図である。
示す平面図、図２は、同縦断面図である。
【００１６】図において、本発明に係る半導体基板への
薬液塗布方法は、薬液を塗布すべき半導体基板４に異な
る２種類の回転を与えることにより、該基板９上に薬液
を塗布するものであり、半導体基板４に与える第１の回
転は、半導体基板４の中心を回転中心とする回転であ
り、半導体基板４に与える第２の回転は、半導体基板４
の中心以外を回転中心とする回転である。
薬液塗布方法は、薬液を塗布すべき半導体基板４に異な
る２種類の回転を与えることにより、該基板９上に薬液
を塗布するものであり、半導体基板４に与える第１の回
転は、半導体基板４の中心を回転中心とする回転であ
り、半導体基板４に与える第２の回転は、半導体基板４
の中心以外を回転中心とする回転である。
【００１７】さらに、本発明に係る半導体基板への薬液
塗布方法は、第１の回転により半導体基板４を低速回転
させることにより、半導体基板４上に薬液を拡散させ、
第２の回転により半導体基板４を高速回転させることに
より、半導体基板４上での薬液の膜厚を均一化させる。
塗布方法は、第１の回転により半導体基板４を低速回転
させることにより、半導体基板４上に薬液を拡散させ、
第２の回転により半導体基板４を高速回転させることに
より、半導体基板４上での薬液の膜厚を均一化させる。
【００１８】また本発明に係る半導体基板への薬液塗布
方法を実施する薬液塗布装置は、第１の回転機構として
の回転ステージ２と、第２の回転機構としての真空チャ
ック５，５…とを有し、半導体基板４に異なる２種類の
回転を与えることにより、該基板４上に薬液を塗布する
ものであり、回転ステージ２は、チャック５を支持して
回転するものであり、チャック５は、回転ステージ２の
回転中心からずれた位置で回転ステージ２に回転可能に
支持され、かつ半導体基板４を支持し、該基板４の中心
を回転中心として半導体基板４を回転させるものであ
る。
方法を実施する薬液塗布装置は、第１の回転機構として
の回転ステージ２と、第２の回転機構としての真空チャ
ック５，５…とを有し、半導体基板４に異なる２種類の
回転を与えることにより、該基板４上に薬液を塗布する
ものであり、回転ステージ２は、チャック５を支持して
回転するものであり、チャック５は、回転ステージ２の
回転中心からずれた位置で回転ステージ２に回転可能に
支持され、かつ半導体基板４を支持し、該基板４の中心
を回転中心として半導体基板４を回転させるものであ
る。
【００１９】またチャック５は、モータ８により低速回
転されるものであり、回転ステージ２は、モータ１１に
より高速回転されるものである。
転されるものであり、回転ステージ２は、モータ１１に
より高速回転されるものである。
【００２０】また、回転ステージ２上には、各チャック
５の周囲を取囲んで塗布カップ３が設けられており、各
塗布カップ３で取囲まれた空間には、カップ排気ダクト
７が開口されている。
５の周囲を取囲んで塗布カップ３が設けられており、各
塗布カップ３で取囲まれた空間には、カップ排気ダクト
７が開口されている。
【００２１】また、各真空チャック５を回転させるモー
タ８は導線１０により図示しないコントローラに接続さ
れているとともに、回転ステージ２を回転させるモータ
１１も図示しないコントローラに接続されている。ま
た、真空チャック５は配管９を介して図示しない真空源
に接続されており、真空チャック５は半導体基板４を真
空吸着するようになっている。
タ８は導線１０により図示しないコントローラに接続さ
れているとともに、回転ステージ２を回転させるモータ
１１も図示しないコントローラに接続されている。ま
た、真空チャック５は配管９を介して図示しない真空源
に接続されており、真空チャック５は半導体基板４を真
空吸着するようになっている。
【００２２】また、真空チャック５に隣接させてバック
リンスノズル６が設けられている。また、導線１０，配
管９，バックリンスノズル６の配管，カップ排気ダクト
７は回転ステージ２と共に回転するため、その接続は同
軸としてある。また山液の半導体基板４への滴下のため
の薬液ノズル１は、回転ステージ２の上方に設けてあ
り、塗布ップ３の停止位置を監視するか、もしくは定位
置へ停止させ薬液ノズル１を半導体基板４の中心に移動
させ薬液を滴下する。
リンスノズル６が設けられている。また、導線１０，配
管９，バックリンスノズル６の配管，カップ排気ダクト
７は回転ステージ２と共に回転するため、その接続は同
軸としてある。また山液の半導体基板４への滴下のため
の薬液ノズル１は、回転ステージ２の上方に設けてあ
り、塗布ップ３の停止位置を監視するか、もしくは定位
置へ停止させ薬液ノズル１を半導体基板４の中心に移動
させ薬液を滴下する。
【００２３】ここでは、回転ステージ２上に塗布カップ
３が２つ配置されたものを説明したが、塗布カップ３の
数は１つでも３つ以上でもよい。
３が２つ配置されたものを説明したが、塗布カップ３の
数は１つでも３つ以上でもよい。
【００２４】次に、本発明の塗布機を用いた塗布方法に
ついて詳しく説明する。まず最初に半導体基板４を塗布
カップ３内の真空チャック５へ載せ、半導体基板４を真
空チャック５に吸着させる。次に薬液ノズル１を半導体
基板４の中央へ移動させ、薬液を滴下する。１枚目の半
導体基板４への滴下が終了したら、２枚目の半導体基板
４の中央へ薬液ノズル１を移動し薬液を半導体基板４の
中央へ滴下する。
ついて詳しく説明する。まず最初に半導体基板４を塗布
カップ３内の真空チャック５へ載せ、半導体基板４を真
空チャック５に吸着させる。次に薬液ノズル１を半導体
基板４の中央へ移動させ、薬液を滴下する。１枚目の半
導体基板４への滴下が終了したら、２枚目の半導体基板
４の中央へ薬液ノズル１を移動し薬液を半導体基板４の
中央へ滴下する。
【００２５】薬液の滴下が終了したら、まず前記塗布カ
ップ３内で５０〜１０００ｒｐｍで０．１〜３秒間半導
体基板４を回転させ薬液を半導体基板４上に拡散させ
る。次に前記塗布カップ３を設置した回転ステージ２を
５００〜６０００ｒｐｍで回転させ、同時に前記塗布カ
ップ３内のチャック５も１０〜２０００ｒｐｍで回転さ
せる。この２つの回転を１０〜３０秒間維持し、その後
回転ステージ２の回転を停止させ、それと同時に塗布カ
ップ３内のチャックの回転数を１０００〜３０００ｒｐ
ｍ程度の回転数とし、半導体基板４の裏面にバックリン
スノズル６から薬液を溶解する溶剤を噴射し、半導体基
板４の裏面に付着した薬液を除去する。
ップ３内で５０〜１０００ｒｐｍで０．１〜３秒間半導
体基板４を回転させ薬液を半導体基板４上に拡散させ
る。次に前記塗布カップ３を設置した回転ステージ２を
５００〜６０００ｒｐｍで回転させ、同時に前記塗布カ
ップ３内のチャック５も１０〜２０００ｒｐｍで回転さ
せる。この２つの回転を１０〜３０秒間維持し、その後
回転ステージ２の回転を停止させ、それと同時に塗布カ
ップ３内のチャックの回転数を１０００〜３０００ｒｐ
ｍ程度の回転数とし、半導体基板４の裏面にバックリン
スノズル６から薬液を溶解する溶剤を噴射し、半導体基
板４の裏面に付着した薬液を除去する。
【００２６】さらに、バックリンス液の噴射を止め、半
導体基板４の回転を１〜１０秒ほど続け、半導体基板４
の裏面へ付着したバックリンス液を乾燥させる。
導体基板４の回転を１〜１０秒ほど続け、半導体基板４
の裏面へ付着したバックリンス液を乾燥させる。
【００２７】（実施例２）図８は、本発明の実施例２を
示す図である。本実施例は、半導体基板４の中心を回転
軸として回転させる第１の回転機構と、半導体基板４の
中心以外に回転中心を持つ第２の回転機構とを塗布カッ
プ１６内に配置していることを特徴としている。本実施
例は、実施例１に比べて装置寸法が従来の塗布機に近い
大きさにできるという利点がある。尚、１７はバランス
おもりである。
示す図である。本実施例は、半導体基板４の中心を回転
軸として回転させる第１の回転機構と、半導体基板４の
中心以外に回転中心を持つ第２の回転機構とを塗布カッ
プ１６内に配置していることを特徴としている。本実施
例は、実施例１に比べて装置寸法が従来の塗布機に近い
大きさにできるという利点がある。尚、１７はバランス
おもりである。
【００２８】本実施例の動作を順を追って説明する。半
導体基板４を、第１の回転機構としての真空チャック５
に吸着する。次に薬液ノズル１を半導体基板４の中央へ
移動させ、薬液を滴下する。薬液の滴下が終了したら、
まず真空チャック５の回転を５０〜１０００ｒｐｍとし
て０．１〜３秒間半導体基板４を回転させ、薬液を半導
体基板４上に拡散する。
導体基板４を、第１の回転機構としての真空チャック５
に吸着する。次に薬液ノズル１を半導体基板４の中央へ
移動させ、薬液を滴下する。薬液の滴下が終了したら、
まず真空チャック５の回転を５０〜１０００ｒｐｍとし
て０．１〜３秒間半導体基板４を回転させ、薬液を半導
体基板４上に拡散する。
【００２９】次に第２の回転機構を５００〜６０００ｒ
ｐｍとし、同時に前記第１の回転数を１０〜２０００ｒ
ｐｍとする。この２つの回転を、１０〜３０秒間維持
し、次に前記第１の回転を１０〜１０００ｒｐｍとし前
記第２の回転を１０００〜３０００ｒｐｍ程度の回転数
とし、半導体基板４の裏面にバックリンス液を噴射し、
半導体基板４の裏面に付着した薬液を除去する。さら
に、バックリンス液を止め半導体基板４の回転を１〜１
０秒程度続け、半導体基板４の裏面へ付着したバックリ
ンス液を乾燥させる。
ｐｍとし、同時に前記第１の回転数を１０〜２０００ｒ
ｐｍとする。この２つの回転を、１０〜３０秒間維持
し、次に前記第１の回転を１０〜１０００ｒｐｍとし前
記第２の回転を１０００〜３０００ｒｐｍ程度の回転数
とし、半導体基板４の裏面にバックリンス液を噴射し、
半導体基板４の裏面に付着した薬液を除去する。さら
に、バックリンス液を止め半導体基板４の回転を１〜１
０秒程度続け、半導体基板４の裏面へ付着したバックリ
ンス液を乾燥させる。
【００３０】
【発明の効果】本発明は半導体基板の中心を回転中心と
する第１の回転と半導体基板の中心以外を回転中心とす
る第２の回転を同時に持つため、半導体基板上を移動す
る薬液の移動する方向は、半導体基板上に固定した座標
系から観察した場合、塗布中に時間的に変化する。その
ため、パターン方向の違いにより発生する塗布ムラとス
トリエーションは時間的に平均化されるので発生しな
い。もし発生したとしても非常に軽微である。
する第１の回転と半導体基板の中心以外を回転中心とす
る第２の回転を同時に持つため、半導体基板上を移動す
る薬液の移動する方向は、半導体基板上に固定した座標
系から観察した場合、塗布中に時間的に変化する。その
ため、パターン方向の違いにより発生する塗布ムラとス
トリエーションは時間的に平均化されるので発生しな
い。もし発生したとしても非常に軽微である。
【００３１】その結果、塗布膜厚の変化によるパターン
の異常を低減でき、さらにマスクとウエハの位置合わせ
のためのアライメントマークでは膜内の多重干渉の影響
を低減でき、アライメント誤差も低減可能である。
の異常を低減でき、さらにマスクとウエハの位置合わせ
のためのアライメントマークでは膜内の多重干渉の影響
を低減でき、アライメント誤差も低減可能である。
【図１】本発明の第１の実施例の塗布機の要部を示す平
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の塗布機の要部を示す断
面図である。
面図である。
【図３】従来の塗布機の要部の断面図である。
【図４】薬液の塗布特性の図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、半導体基板上のパターン配
置図である。
置図である。
【図６】パターン方向による塗布状態の図である。
【図７】塗布ムラによる干渉縞発生の模式図である。
【図８】本発明の第２の実施例の塗布機の要部構成を示
す、塗布カップ部の断面図である。
す、塗布カップ部の断面図である。
１ 薬液ノズル ２ 回転ステージ ３ 塗布カップ ４ 半導体基板 ５ 真空チャック ６ バックリンスノズル ７ カップ排気ダクト ８ モータ １１ モータ １２ 円周方向パターン １３ 半径方向パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ０５Ｄ 1/40 Ａ 7717−4Ｄ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板に異なる２種類の回転を与え
ることにより、該基板上に薬液を塗布する半導体基板へ
の薬液塗布方法であって、 半導体基板に与える第１の回転は、半導体基板の中心を
回転中心とする回転であり、 半導体基板に与える第２の回転は、半導体基板の中心以
外を回転中心とする回転であることを特徴とする半導体
基板への薬液塗布方法。 - 【請求項２】 第１の回転により半導体基板を低速回転
させることにより、半導体基板上に薬液を拡散させ、 第２の回転により半導体基板を高速回転させることによ
り、半導体基板上での薬液の膜厚を均一化させることを
特徴とする請求項１に記載の半導体基板への薬液塗布方
法。 - 【請求項３】 第１の回転機構と第２の回転機構とを有
し、半導体基板に異なる２種類の回転を与えることによ
り、該基板上に薬液を塗布する半導体基板への薬液塗布
装置であって、 第１の回転機構は、第２の回転機構を支持して回転する
ものであり、 第２の回転機構は、第１の回転機構の回転中心からずれ
た位置で該第１の回転機構に回転可能に支持され、かつ
半導体基板を支持し、該基板の中心を回転中心として半
導体基板を回転させるものであることを特徴とする半導
体基板への薬液塗布装置。 - 【請求項４】 第２の回転機構は、低速回転されるもの
であり、 第１の回転機構は、高速回転されるものであることを特
徴とする請求項３に記載の半導体基板への薬液塗布装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312159A JPH07176457A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体基板への薬液塗布方法及び塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312159A JPH07176457A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体基板への薬液塗布方法及び塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176457A true JPH07176457A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18025954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5312159A Pending JPH07176457A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 半導体基板への薬液塗布方法及び塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07176457A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226146A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Nissan Motor Co Ltd | 車両用アンテナの取付け構造 |
| JPS62279631A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造装置 |
| JPH01281726A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ用薬液塗布装置 |
| JPH0263575A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 回転式塗装装置 |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP5312159A patent/JPH07176457A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226146A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Nissan Motor Co Ltd | 車両用アンテナの取付け構造 |
| JPS62279631A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造装置 |
| JPH01281726A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ用薬液塗布装置 |
| JPH0263575A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-02 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 回転式塗装装置 |
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