JPH01282808A - ソフトフェライトを使用する集積キャパシタを備えた変成器／インダクタ - Google Patents
ソフトフェライトを使用する集積キャパシタを備えた変成器／インダクタInfo
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- JPH01282808A JPH01282808A JP1070275A JP7027589A JPH01282808A JP H01282808 A JPH01282808 A JP H01282808A JP 1070275 A JP1070275 A JP 1070275A JP 7027589 A JP7027589 A JP 7027589A JP H01282808 A JPH01282808 A JP H01282808A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は電気装置の分野に関するものであり、とくに
変成器またはインダクタとキャパシタが集積されている
設計および構造のディスクリート装置に関するものであ
る。
変成器またはインダクタとキャパシタが集積されている
設計および構造のディスクリート装置に関するものであ
る。
［従来技術］
電気産業においては、製品の大きさを減少させるために
詰込み密度を増加させることが連続した恒久的な傾向で
ある。これは半導体回路の可能な又は−射的な大規模集
積回路の使用によって実現されるばかりでなく、また半
導体集積技術によらないディスクリートな電気装置の小
形化においても実現されている。
詰込み密度を増加させることが連続した恒久的な傾向で
ある。これは半導体回路の可能な又は−射的な大規模集
積回路の使用によって実現されるばかりでなく、また半
導体集積技術によらないディスクリートな電気装置の小
形化においても実現されている。
装置の小形化は典型的に結果的な生成物の高度の利用を
生じるだけではなく、材料および製造コストを減少させ
る利点を有している。
生じるだけではなく、材料および製造コストを減少させ
る利点を有している。
特に集積が部分的にしか行われていない種類のディスク
リートな電子製品には変成器またはインダクタおよびキ
ャパシタがある。例えばインダクタを備えたキャパシタ
の集積はアモルファス金属リボンを使用する集積装置に
よって達成された。
リートな電子製品には変成器またはインダクタおよびキ
ャパシタがある。例えばインダクタを備えたキャパシタ
の集積はアモルファス金属リボンを使用する集積装置に
よって達成された。
米国特許第４．２１１．９５７号明細書（Ａｌｌｅｙ外
。
。
１９８０年）には薄いアモルファス金属ストリップのバ
イファイラ巻の磁気コアランプバラストが示されており
、それにおいては磁気回路の積層体がキャパシタの電極
板として使用されている。
イファイラ巻の磁気コアランプバラストが示されており
、それにおいては磁気回路の積層体がキャパシタの電極
板として使用されている。
米国特許第３．５６６．２０２号明細書（Ｃａｒｒ、
１９７１年）にはコイルの２次巻線と共振するために使
用される組込みキャ°バシタを含む誘導性イグニション
コイルが示されている。
１９７１年）にはコイルの２次巻線と共振するために使
用される組込みキャ°バシタを含む誘導性イグニション
コイルが示されている。
米国特許第２．５２４．７５４号明細書（Ｂｊｏｅｒｋ
ｌｕｎｄ。
ｌｕｎｄ。
１９５０年）にはキャパシタユニットが互いに電気的に
絶縁されキャパシタの１電極を形成する磁気材料コイル
から作られインダクタユニットはキャパシタ上に巻かれ
ている放電ランプ用バラストが記載されている。
絶縁されキャパシタの１電極を形成する磁気材料コイル
から作られインダクタユニットはキャパシタ上に巻かれ
ている放電ランプ用バラストが記載されている。
このように、インダクタコイルの一部およびキャパシタ
の導電性電極板の両者として作用するようにコイルの巻
かれた金属表面を適当に利用することによってインダク
タとキャパシタの両者として機能する各種の形式の集積
装置を生成することは従来の技術においてよく知られて
いる。典型的にアモルファス金属がこのような二重の機
能を行う構造のための材料として使用されている。しか
しながら、このような従来の技術においては、このよう
な集積構造によって得られたインダクタンス値およびキ
ャパシタンス値は範囲が限定されたものであった。
の導電性電極板の両者として作用するようにコイルの巻
かれた金属表面を適当に利用することによってインダク
タとキャパシタの両者として機能する各種の形式の集積
装置を生成することは従来の技術においてよく知られて
いる。典型的にアモルファス金属がこのような二重の機
能を行う構造のための材料として使用されている。しか
しながら、このような従来の技術においては、このよう
な集積構造によって得られたインダクタンス値およびキ
ャパシタンス値は範囲が限定されたものであった。
［発明の解決すべき課題］
それ故集積によって得られる小形化の利点を損うことな
く装置のインダクタンス値およびキャパシタンス値の範
囲が増加できる集積された変成器／インダクタおよびキ
ャパシタの新しい構成が必要である。
く装置のインダクタンス値およびキャパシタンス値の範
囲が増加できる集積された変成器／インダクタおよびキ
ャパシタの新しい構成が必要である。
［課題解決のための手段および作用コ
この発明は、１以上のソフトフェライト層と、ループを
形成している第１の導電素子とを含む集積誘導性および
容量性装置に関する。この第１の導電素子により形成さ
れたループ内には前記ソフトフェライト層の少なくとも
一部が含まれている。
形成している第１の導電素子とを含む集積誘導性および
容量性装置に関する。この第１の導電素子により形成さ
れたループ内には前記ソフトフェライト層の少なくとも
一部が含まれている。
ソフトフェライト層の両側に少なくとも１対の第２の導
電素子が設けられている。この１対の第２の導電素子は
それら１対の第２の導電素子間に配置されたソフトフェ
ライト層の少なくとも一部と共にキャパシタを形成して
いる。
電素子が設けられている。この１対の第２の導電素子は
それら１対の第２の導電素子間に配置されたソフトフェ
ライト層の少なくとも一部と共にキャパシタを形成して
いる。
その結果集積された誘導性および容量性装置はインダク
タンスおよびキャパシタンスの大きさが増加されている
。
タンスおよびキャパシタンスの大きさが増加されている
。
図示の実施例では、ソフトフェライト層および１対の第
２の導電素子はそれぞれ平坦である。第１の導電素子は
平坦なソフトフェライト層にほぼ垂直な平面における対
応するループを形成している。
２の導電素子はそれぞれ平坦である。第１の導電素子は
平坦なソフトフェライト層にほぼ垂直な平面における対
応するループを形成している。
集積された誘導性および容量性装置は第３の導電素子を
備え、この第３の導電素子によって形成されたループ内
にソフトフェライト層の少なくとも一部分が配置されて
いる。
備え、この第３の導電素子によって形成されたループ内
にソフトフェライト層の少なくとも一部分が配置されて
いる。
図示された実施例においては、複数の平坦なソフトフェ
ライト層が設けられている。複数の平坦なソフトフェラ
イト層は間隔を隔てて積層されたアレイを形成し、それ
を通る２組の孔を有する。
ライト層が設けられている。複数の平坦なソフトフェラ
イト層は間隔を隔てて積層されたアレイを形成し、それ
を通る２組の孔を有する。
各組の孔はループを形成するために適当な対応する組の
孔を通って第１の導電素子が配置ができるように相互に
整列されている。集積された誘導性および容量性装置は
ループを形成する第３の導電素子を備え、そのループは
この第３の導電素子によって形成されたループ内に配置
されたソフトフェライト層の部分を少なくとも有する。
孔を通って第１の導電素子が配置ができるように相互に
整列されている。集積された誘導性および容量性装置は
ループを形成する第３の導電素子を備え、そのループは
この第３の導電素子によって形成されたループ内に配置
されたソフトフェライト層の部分を少なくとも有する。
第１および第３の導電素子はそれらの間に磁気コアとし
て作用するソフトフェライト層を有する変成器を形成す
る。複数のソフトフェライト層はそれを通る第２の組の
孔を有する。第３の導電素子は第２の組の孔を通って配
置され、第３の導電素子の対応するループを形成する。
て作用するソフトフェライト層を有する変成器を形成す
る。複数のソフトフェライト層はそれを通る第２の組の
孔を有する。第３の導電素子は第２の組の孔を通って配
置され、第３の導電素子の対応するループを形成する。
第２の導電素子は複数の第２の導電素子を含む。複数の
第２の導電素子のそれぞれは複数のソフトフェライト層
のそれぞれ一つによって分離されて間隔を隔てられてい
る。
第２の導電素子のそれぞれは複数のソフトフェライト層
のそれぞれ一つによって分離されて間隔を隔てられてい
る。
複数の平坦な第２の導電層はキャパシタを形成するため
に電気的結合を介して関連されている。
に電気的結合を介して関連されている。
１実施例では、第１の導電素子は金属のワイヤである。
他の実施例では第１の導電素子は金属箔ストリップであ
る。図示の実施例ではソフトフェライト層はマンガン亜
鉛からなる。ソフトフェライト層は１０３以上の透磁率
と１０４以上の相対誘電定数を特徴としている。
る。図示の実施例ではソフトフェライト層はマンガン亜
鉛からなる。ソフトフェライト層は１０３以上の透磁率
と１０４以上の相対誘電定数を特徴としている。
この発明はまた、間隔を隔てて積層配置された複数の平
坦なソフトフェライト層を具備する集積された誘導性容
量性装置に関する。それらの各フェライト層はそれを通
る第１および第２の組の孔を有している。前記複数のフ
ェライト層のそれぞれを通る第１の組の孔は複数のフェ
ライト層のそれぞれ他のものを通る対応する組の孔と整
列される。各フェライト層中に定められた第２の組の孔
は複数のフェライト層の残りのものを通って定められた
第２の組の孔の一つと互いに整列して積層配置で配置さ
れている。フェライト層の積層アレイ中に複数の平坦な
導電シートが配置され、その１枚の導電シートはアレイ
中の各１対の隣接するフェライト層の間に配置され、そ
れら導電シートが互いに電気的に結合されてキャパシタ
を形成している。第１の誘導性コイルがフェライト層を
通って定められた第１の組の孔を通って配置され、第２
の誘導性コイルはフェライト層を通って定められた第２
の組の孔を通って配置される。これら第１および第２の
誘導性コイルが変成器を形成する。
坦なソフトフェライト層を具備する集積された誘導性容
量性装置に関する。それらの各フェライト層はそれを通
る第１および第２の組の孔を有している。前記複数のフ
ェライト層のそれぞれを通る第１の組の孔は複数のフェ
ライト層のそれぞれ他のものを通る対応する組の孔と整
列される。各フェライト層中に定められた第２の組の孔
は複数のフェライト層の残りのものを通って定められた
第２の組の孔の一つと互いに整列して積層配置で配置さ
れている。フェライト層の積層アレイ中に複数の平坦な
導電シートが配置され、その１枚の導電シートはアレイ
中の各１対の隣接するフェライト層の間に配置され、そ
れら導電シートが互いに電気的に結合されてキャパシタ
を形成している。第１の誘導性コイルがフェライト層を
通って定められた第１の組の孔を通って配置され、第２
の誘導性コイルはフェライト層を通って定められた第２
の組の孔を通って配置される。これら第１および第２の
誘導性コイルが変成器を形成する。
その結果、ソフトフェライト層の透磁率特性が変成器に
おいて利用され、ソフトフェライト層の誘電特性がキャ
パシタにおいて利用される。
おいて利用され、ソフトフェライト層の誘電特性がキャ
パシタにおいて利用される。
［実施例］
以下実施例で説明する。
変成器またはインダクタ機能とキャパシタ機能とが集積
されるべきディスクリートな電磁装置は、装置内に配置
された１以上のソフトフェライト層の透磁率および誘電
定数の両者を利用することによって達成される。装置は
積層状態で間隔を隔てて配置された複数の平坦なソフト
フェライト層を備えている。各ソフトフェライト層の間
にはキャパシタの電極板の一つを形成する金属層が配置
されている。第１および第２の組の孔が各平坦なソフト
フェライト層を貫通して設けられている。第１および第
２の組の孔は複数のソフトフェライト層間で整列し、そ
のため導電素子またはコイルは１つの組の孔を通って導
かれてループを形成し、それはキャパシタ電極板および
フェライト層の一部の両者を閉込めている。類似した導
電素子またはコイルは第２の組の孔を通って導かれて第
２のループを形成している。したがって２個のコイルは
磁気コアとして作用するフェライト材料を有する変成器
の２次および１次巻線として作用し、または２個のイン
ダクタとして作用する。付加的に金属板が共に電気的に
結合されてキャパシタを形成し、介在するフェライトコ
アは分離用誘電材料として機能する。ソフトフェライト
材料は磁気変成品のコアとしておよびキャパシタ誘電絶
縁体としての両者の機能を同時に満足させるのに充分な
大きさの透磁率および誘電定数を有する。
されるべきディスクリートな電磁装置は、装置内に配置
された１以上のソフトフェライト層の透磁率および誘電
定数の両者を利用することによって達成される。装置は
積層状態で間隔を隔てて配置された複数の平坦なソフト
フェライト層を備えている。各ソフトフェライト層の間
にはキャパシタの電極板の一つを形成する金属層が配置
されている。第１および第２の組の孔が各平坦なソフト
フェライト層を貫通して設けられている。第１および第
２の組の孔は複数のソフトフェライト層間で整列し、そ
のため導電素子またはコイルは１つの組の孔を通って導
かれてループを形成し、それはキャパシタ電極板および
フェライト層の一部の両者を閉込めている。類似した導
電素子またはコイルは第２の組の孔を通って導かれて第
２のループを形成している。したがって２個のコイルは
磁気コアとして作用するフェライト材料を有する変成器
の２次および１次巻線として作用し、または２個のイン
ダクタとして作用する。付加的に金属板が共に電気的に
結合されてキャパシタを形成し、介在するフェライトコ
アは分離用誘電材料として機能する。ソフトフェライト
材料は磁気変成品のコアとしておよびキャパシタ誘電絶
縁体としての両者の機能を同時に満足させるのに充分な
大きさの透磁率および誘電定数を有する。
この発明ではソフトフェライトによって変成器／インダ
クタ用の磁気コイルおよびキャパシタ用の介在誘電体の
両方の機能を行わせる。キャパシタ電極板および誘導コ
イルによって行われる機能はそれぞれ別々の素子によっ
て遂行される。
クタ用の磁気コイルおよびキャパシタ用の介在誘電体の
両方の機能を行わせる。キャパシタ電極板および誘導コ
イルによって行われる機能はそれぞれ別々の素子によっ
て遂行される。
第１図はこの発明の１実施例の非常に簡単化した斜視図
である。全体を１０で示される装置は平坦な構造であり
、多数の積層フェライト板１２から構成されている。ま
ず変成器／インダクタ機能についてのみ検討する。各フ
ェライト板１２は第２図の平面図に示すようにそれを貫
通する複数の孔１４および１６を有する。第２図の概略
図において、第１の組の孔１４はフェライト板１２の上
部に示され、第２の組の孔１６はフェライト板１２の下
部に示されている。第２図の線３−３に沿った第３図の
断面図に示されるように、各組の孔１４．１６はフェラ
イト板１２の全体を貫通している単純な孔である。
である。全体を１０で示される装置は平坦な構造であり
、多数の積層フェライト板１２から構成されている。ま
ず変成器／インダクタ機能についてのみ検討する。各フ
ェライト板１２は第２図の平面図に示すようにそれを貫
通する複数の孔１４および１６を有する。第２図の概略
図において、第１の組の孔１４はフェライト板１２の上
部に示され、第２の組の孔１６はフェライト板１２の下
部に示されている。第２図の線３−３に沿った第３図の
断面図に示されるように、各組の孔１４．１６はフェラ
イト板１２の全体を貫通している単純な孔である。
再び第１図を参照すると、箔ストリップまたは線のいず
れかの形態の電気導体１８および２０は複数のフェライ
ト板１２の各組の孔１４および１６を通って少なくとも
完全な１ターンを形成し、それ成度成品／インダクタの
１次および２次コイルを形成している。装置ｌＯの変成
器機能の出力／入力電圧比は巻数比および２次および１
次コイルの断面の面積比によって通常の設計原理によっ
て決定される。
れかの形態の電気導体１８および２０は複数のフェライ
ト板１２の各組の孔１４および１６を通って少なくとも
完全な１ターンを形成し、それ成度成品／インダクタの
１次および２次コイルを形成している。装置ｌＯの変成
器機能の出力／入力電圧比は巻数比および２次および１
次コイルの断面の面積比によって通常の設計原理によっ
て決定される。
例えば第１図において、導体２０は図示された装置１０
を構成する３個のフェライト板１２のそれぞれの孔１４
を通って配置された箔ストリップ２０の１ターンとして
示されている。一方間様の箔ストリップ１８は２次コイ
ルを形成するために孔１６を通って配置されている。実
際の装置においては導体１８゜２０の多数回のターンが
利用でき、各ターンは導体上の適当な絶縁被覆によって
互いに絶縁されることが理解できるであろう。孔１６と
１４の間隔はしたがって導体１８．２０のターンによっ
て形成された１次および２次コイルの面積の１デイメン
シヨンを決定する。それ故装置ＩＯのインダクタンスの
最終値は良く知られている原理に基づいた導体１８と２
０の巻数比、導体１８と２０によって形成されたコイル
の断面の相対面積、およびフェライト板１２のフェライ
ト材料の透磁率に依存している。
を構成する３個のフェライト板１２のそれぞれの孔１４
を通って配置された箔ストリップ２０の１ターンとして
示されている。一方間様の箔ストリップ１８は２次コイ
ルを形成するために孔１６を通って配置されている。実
際の装置においては導体１８゜２０の多数回のターンが
利用でき、各ターンは導体上の適当な絶縁被覆によって
互いに絶縁されることが理解できるであろう。孔１６と
１４の間隔はしたがって導体１８．２０のターンによっ
て形成された１次および２次コイルの面積の１デイメン
シヨンを決定する。それ故装置ＩＯのインダクタンスの
最終値は良く知られている原理に基づいた導体１８と２
０の巻数比、導体１８と２０によって形成されたコイル
の断面の相対面積、およびフェライト板１２のフェライ
ト材料の透磁率に依存している。
次に第１図を参照にして装置１０のキャパシタ機能につ
いて検討する。装置１０の平坦な構造は集積キャパシタ
を形成することを可能にする。類似した積層配置で各フ
ェライト板１２の間に導電シートまたは板２２を配置し
、２組の間隔を隔てた電極板を形成するように板２２を
適当に結合することによってキャパシタが構成され、そ
れは通常の設計原理にしたがって機能する。
いて検討する。装置１０の平坦な構造は集積キャパシタ
を形成することを可能にする。類似した積層配置で各フ
ェライト板１２の間に導電シートまたは板２２を配置し
、２組の間隔を隔てた電極板を形成するように板２２を
適当に結合することによってキャパシタが構成され、そ
れは通常の設計原理にしたがって機能する。
第１図において、２枚の電極板２２がその間の単一のフ
ェライト板１２を挿入されて配置されている。
ェライト板１２を挿入されて配置されている。
通常の電気導線２４が電極板２２に接続されてキャパシ
タ導線を形成している。孔１４および１６の位置および
間隔はフェライト板１２間に電極板２２を挿入すること
ができるように選択されている。図において上方の孔１
４は対応する電極板２２の幅よりも離されており、一方
下方の孔１６は互いに近接し、電極板２２が下方に移動
するのを孔１６を通って導かれる導体によって阻止して
いる。孔の間隔および電極板の位置の多くの他の配置も
また利用できる。例えば所望ならば孔１４および１Ｂは
電極板２２も貫通するようにしてもよい。その場合には
電極板２２は導体１８．２０によって定められたループ
の外側まで延在しており、導体１８．２０は電極板２２
から絶縁される。
タ導線を形成している。孔１４および１６の位置および
間隔はフェライト板１２間に電極板２２を挿入すること
ができるように選択されている。図において上方の孔１
４は対応する電極板２２の幅よりも離されており、一方
下方の孔１６は互いに近接し、電極板２２が下方に移動
するのを孔１６を通って導かれる導体によって阻止して
いる。孔の間隔および電極板の位置の多くの他の配置も
また利用できる。例えば所望ならば孔１４および１Ｂは
電極板２２も貫通するようにしてもよい。その場合には
電極板２２は導体１８．２０によって定められたループ
の外側まで延在しており、導体１８．２０は電極板２２
から絶縁される。
透磁率が変成器機能のためのインダクタコアとして使用
されるフェライト材料はまたキャパシタの誘電体材料と
して利用される。したがってこの発明の原理によれば装
置１０のキャパシタンス値はフェライトの誘電定数、電
極板２２によって覆われる面積、介在するフェライト板
の厚さ、および適当に結合されるこのようなキャパシタ
電極板の数に依存する。
されるフェライト材料はまたキャパシタの誘電体材料と
して利用される。したがってこの発明の原理によれば装
置１０のキャパシタンス値はフェライトの誘電定数、電
極板２２によって覆われる面積、介在するフェライト板
の厚さ、および適当に結合されるこのようなキャパシタ
電極板の数に依存する。
驚くべきことに集積キャパシタおよび変成器として二重
作用するフェライト材料は高い透磁率を有しくその透磁
率のために各種の磁気回路にお（・て通常選択される）
、また比較的高い誘電定数によって特徴付けられる。磁
気装置でコア材料として使用される典型的な大抵のソフ
トフェライト材料はまた非常に高い誘電定数を有するこ
とは驚くべきことである（Ｅ、 Ｐ、 Ｓｎｅｌｌ
ｉｎｇソフトフェライトＩ ＩＬＦＦＥロンドン１９６
９年）。
作用するフェライト材料は高い透磁率を有しくその透磁
率のために各種の磁気回路にお（・て通常選択される）
、また比較的高い誘電定数によって特徴付けられる。磁
気装置でコア材料として使用される典型的な大抵のソフ
トフェライト材料はまた非常に高い誘電定数を有するこ
とは驚くべきことである（Ｅ、 Ｐ、 Ｓｎｅｌｌ
ｉｎｇソフトフェライトＩ ＩＬＦＦＥロンドン１９６
９年）。
例えば図示された実施例において、マンガン亜鉛フェラ
イトが使用され、それは＋０４乃至１０５の相対誘電定
数を有する。第１図のような構成の装置で、それぞれ５
０ミルの厚さを有し１平方インチの面積の５個のフェラ
イト板が使用された場合、マイクロヘンリーの範囲のイ
ンダクタンス値が得うレ、キャパシタンスは１０ナノフ
アラツドの範囲であった。
イトが使用され、それは＋０４乃至１０５の相対誘電定
数を有する。第１図のような構成の装置で、それぞれ５
０ミルの厚さを有し１平方インチの面積の５個のフェラ
イト板が使用された場合、マイクロヘンリーの範囲のイ
ンダクタンス値が得うレ、キャパシタンスは１０ナノフ
アラツドの範囲であった。
インダクタンスおよびキャパシタンスのこれらの値はコ
イルの巻数、断面積、フェライト板１２の厚さおよび数
、電極板の数を増加させることによって容易に増加させ
ることができる。その代わりに、或いはそれに加えて、
更に高い誘電定数および透磁率のソフトフェライトの選
択もまた使用できる。例えば以下の表１に記載されソフ
トフェライトに限定されることなく、上述のマンガン亜
鉛フェライトは容易に他のフェライトと置換することが
できる。現在好ましいものではないけれどもニッケル亜
鉛フェライトのグループの選択されたものも使用できる
。
イルの巻数、断面積、フェライト板１２の厚さおよび数
、電極板の数を増加させることによって容易に増加させ
ることができる。その代わりに、或いはそれに加えて、
更に高い誘電定数および透磁率のソフトフェライトの選
択もまた使用できる。例えば以下の表１に記載されソフ
トフェライトに限定されることなく、上述のマンガン亜
鉛フェライトは容易に他のフェライトと置換することが
できる。現在好ましいものではないけれどもニッケル亜
鉛フェライトのグループの選択されたものも使用できる
。
表 １
フェライト 透磁率 相対誘電定数３Ｂ５
＞１．５ ｘ１０３＞９ ｘｌＯ’Ａ７ 約７ Ｘ
ＩＯ３＞２ Ｘｌ０５３Ｈ１＞２ｘ１０３＞１ｆ）５ ＊３Ｂ５、Ａ７および３Ｈ１はニーヨークのＦｃｒｒｏ
ｃｕｂｅ ｏｆ’ Ｐａｕｇｃｒｔｌａｓおよびオラン
ダのフィリップス社により市販されているマンガン亜鉛
フェライトである。
＞１．５ ｘ１０３＞９ ｘｌＯ’Ａ７ 約７ Ｘ
ＩＯ３＞２ Ｘｌ０５３Ｈ１＞２ｘ１０３＞１ｆ）５ ＊３Ｂ５、Ａ７および３Ｈ１はニーヨークのＦｃｒｒｏ
ｃｕｂｅ ｏｆ’ Ｐａｕｇｃｒｔｌａｓおよびオラン
ダのフィリップス社により市販されているマンガン亜鉛
フェライトである。
当業者にはこの発明の技術的範囲を逸脱することなく多
くの変形変更が可能であろう。それ故記載された実施例
は単なる例示に過ぎないものであって特許請求の範囲に
記載されたこの発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
くの変形変更が可能であろう。それ故記載された実施例
は単なる例示に過ぎないものであって特許請求の範囲に
記載されたこの発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
第１図は、この発明の１実施例の変成器／インダクタお
よびキャパシタの概略斜視図であり、第２図は、第１図
に示されたキャパシタ電極板の平面図であり、第３図は
第２図の線３−３に沿った断面図である。 １２・・・フェライト板、１４．１６・・・孔、１８．
２０・・・導体、２２・・・電極板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
よびキャパシタの概略斜視図であり、第２図は、第１図
に示されたキャパシタ電極板の平面図であり、第３図は
第２図の線３−３に沿った断面図である。 １２・・・フェライト板、１４．１６・・・孔、１８．
２０・・・導体、２２・・・電極板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (20)
- （１）１以上のソフトフェライト層と、 ループを形成している第１の導電素子であつて、その形
成したループ内に前記ソフトフェライト層の少なくとも
一部を含んでいる第１の導電素子と、前記ソフトフェラ
イト層の両側に配置された少なくとも１対の第２の導電
素子であつて、この１対の第２の導電素子はそれら１対
の第２の導電素子間に配置された前記ソフトフェライト
層の少なくとも一部と共にキャパシタを形成している少
なくとも１対の第２の導電素子とを具備し、インダクタ
ンスおよびキャパシタンスの大きさが増加されている集
積誘導性および容量性装置。 - （２）前記ソフトフェライト層および１対の第２の導電
素子がそれぞれ平面状である特許請求の範囲第１項記載
の集積誘導性および容量性装置。 - （３）前記第１の導電素子が前記平面状のソフトフェラ
イト層にほぼ垂直な平面において前記対応するループを
形成している特許請求の範囲第２項記載の集積誘導性お
よび容量性装置。 - （４）ループを形成している第３の導電素子を具備し、
この第３の導電素子はそれによつて形成されたループ内
に配置された前記ソフトフェライト層の少なくとも一部
を有し、前記第１および第３の導電素子はそれらの間の
磁気コアとして作用する前記ソフトフェライト層により
変成器を形成している特許請求の範囲第１項記載の集積
誘導性および容量性装置。 - （５）前記ソフトフェライト層および１対の第２の導電
素子がそれぞれ平面状である特許請求の範囲第４項記載
の集積誘導性および容量性装置。 - （６）前記第１の導電素子が前記平面状のソフトフェラ
イト層にほぼ垂直な平面において前記対応するループを
形成している特許請求の範囲第５項記載の集積誘導性お
よび容量性装置。 - （７）複数のソフトフェライト層が設けられ、それら複
数のソフトフェライト層は間隔を隔てたアレイとして積
み重ねられてそれを通る２組の孔を定めており、各組の
孔は前記ループを形成するために前記組の孔を通って前
記第１の導電素子が配置できるように相互に整列してい
る特許請求の範囲第１項記載の集積誘導性および容量性
装置。 - （８）ループを形成しそのループ内に前記ソフトフェラ
イト層の少なくとも一部を有する第３の導電素子を具備
し、前記第１および第３の導電素子はそれらの間の磁気
コアとして作用する前記ソフトフェライト層によつて変
成器を形成し、前記複数のソフトフェライト層はそれを
通る第２の組の孔を定め、前記第３の導電素子は前記第
２の組の孔を通って配置されて前記第３の導電素子の対
応するループを形成している特許請求の範囲第７項記載
の集積誘導性および容量性装置。 - （９）前記第２の導電素子は複数の第２の導電素子を具
備し、これら複数の第２の導電素子のそれぞれは前記複
数の平面状のソフトフェライト層の一つによつて離隔さ
れて分離され、前記複数の第２の導電平面層はキャパシ
タを形成するために電気的結合を介して関連している特
許請求の範囲第７項記載の集積誘導性および容量性装置
。 - （１０）前記第１の導電素子は金属ワイヤである特許請
求の範囲第１項記載の集積誘導性および容量性装置。 - （１１）前記第１の導電素子は金属箔ストリップである
特許請求の範囲第１項記載の集積誘導性および容量性装
置。 - （１２）前記ソフトフェライト層はマンガン亜鉛からな
る特許請求の範囲第１項記載の集積誘導性および容量性
装置。 - （１３）前記ソフトフェライト層は１０＾３以上の透磁
率と１０＾４以上の相対誘電定数を特徴としている特許
請求の範囲第１項記載の集積誘導性および容量性装置。 - （１４）間隔を隔てて積層配置された複数の平坦なソフ
トフェライト層を具備し、それらの各フェライト層はそ
れを通る第１および第２の組の孔を有しており、前記複
数のフェライト層のそれぞれを通る第１の組の孔は前記
複数のフェライト層のそれぞれ他のものを通る対応する
組の孔と整列し、各フェライト層中に定められた第２の
組の孔は前記複数のフェライト層の他のものを通つて定
められた第２の組の孔と整列して前記積層配置で配置さ
れ、 前記フェライト層の積層アレイ中に複数の平坦な導電シ
ートが配置され、その１枚の導電シートは前記アレイ中
の各１対の隣接するフェライト層の間に配置され、それ
ら導電シートが互いに結合されてキャパシタを形成して
おり、 さらに、前記フェライト層を通って定められた前記第１
の組の孔を通って配置された第１の誘導性コイルと、 前記フェライト層を通って定められた前記第２の組の孔
を通って配置された第２の誘導性コイルとを具備し、 これら第１および第２の誘導性コイルが変成器を形成し
、それによつて前記ソフトフェライト層の透磁率特性が
前記変成器において利用され、前記ソフトフェライト層
の誘電体特性が前記キャパシタにおいて利用されいるこ
とを特徴する集積誘導性および容量性装置。 - （１５）前記ソフトフェライト層は１０＾３以上の透磁
率と１０＾４以上の相対誘電定数を特徴としている特許
請求の範囲第１４項記載の集積誘導性および容量性装置
。 - （１６）前記ソフトフェライト層はマンガン亜鉛からな
る特許請求の範囲第１４項記載の集積誘導性および容量
性装置。 - （１７）前記第１の誘導性コイルが絶縁された金属線の
コイルである特許請求の範囲第１４項記載の集積誘導性
および容量性装置。 - （１８）前記第１および第２の誘導性コイルが絶縁され
た金属箔ストリップから形成されている特許請求の範囲
第１４項記載の集積誘導性および容量性装置。 - （１９）前記第１および第２の組の孔が前記ソフトフェ
ライト層のみを通り、前記複数の平坦な導電シートには
設けられていない特許請求の範囲第１４項記載の集積誘
導性および容量性装置。 - （２０）前記第１および第２の組の孔が前記平坦なソフ
トフェライト層および前記複数の平坦な導電シートに対
応して設けられている特許請求の範囲第１４項記載の集
積誘導性および容量性装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/171,313 US4837659A (en) | 1988-03-21 | 1988-03-21 | Transformer/inductor with integrated capacitor using soft ferrites |
| US171,313 | 1988-03-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01282808A true JPH01282808A (ja) | 1989-11-14 |
| JPH0622173B2 JPH0622173B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=22623289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1070275A Expired - Lifetime JPH0622173B2 (ja) | 1988-03-21 | 1989-03-22 | ソフトフェライトを使用する集積キャパシタを備えた変成器／インダクタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4837659A (ja) |
| EP (1) | EP0334520B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0622173B2 (ja) |
| DE (1) | DE68900037D1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0693589B2 (ja) * | 1989-03-23 | 1994-11-16 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃフィルター |
| JPH02271704A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Murata Mfg Co Ltd | Ｌｃフィルター |
| US5349743A (en) * | 1991-05-02 | 1994-09-27 | At&T Bell Laboratories | Method of making a multilayer monolithic magnet component |
| DE4222068C1 (ja) * | 1992-07-04 | 1993-06-09 | Abb Patent Gmbh, 6800 Mannheim, De | |
| GB2292473A (en) * | 1994-08-12 | 1996-02-21 | Tetrel Ltd | Coin validators |
| GB2330455A (en) * | 1996-10-28 | 1999-04-21 | Norweb Plc | Inductor arrangement and a method for its manufacture |
| US9424984B2 (en) | 2014-03-05 | 2016-08-23 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Integrated capacitor and inductor having co-located magnetic and electrical energy storage volumes |
| US9934903B2 (en) | 2015-08-14 | 2018-04-03 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Integrated capacitor and inductor with low parasitic inductance |
| CN108735458A (zh) * | 2017-04-17 | 2018-11-02 | 弘邺科技有限公司 | 电感元件组装结构 |
| US10381897B2 (en) | 2017-07-25 | 2019-08-13 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Bus bar with integrated voltage rise time filter |
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| JPS587609U (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-18 | 株式会社ウロコ製作所 | ベニヤレ−ス |
| JPS5978724U (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃフイルタ |
Family Cites Families (13)
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| US2521513A (en) * | 1948-08-18 | 1950-09-05 | Gen Electric | Stationary induction apparatus |
| US3295056A (en) * | 1961-04-28 | 1966-12-27 | Tdk Electronics Co Ltd | Combined unit of impedance |
| US3555466A (en) * | 1967-07-21 | 1971-01-12 | Bel Fuse Inc | Capacitive-inductive network |
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| US3593217A (en) * | 1967-10-27 | 1971-07-13 | Texas Instruments Inc | Subminiature tunable circuits in modular form and method for making same |
| US3566202A (en) * | 1968-06-03 | 1971-02-23 | Chrysler Corp | Self-resonant ignition coil and system |
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| US4211957A (en) * | 1979-01-31 | 1980-07-08 | General Electric Company | Amorphous metal lamp ballast having a capacitor integral with the magnetic core |
| JPS59189212U (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-15 | 株式会社村田製作所 | チツプ型インダクタ |
| GB2153165A (en) * | 1984-01-20 | 1985-08-14 | Avx Corp | Connector assembly |
| DE3425153A1 (de) * | 1984-07-07 | 1986-01-16 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Elektrischer uebertrager |
| DE3715812A1 (de) * | 1986-05-19 | 1987-11-26 | Delphi Co | Verzoegerungskette und deren herstellungsverfahren |
-
1988
- 1988-03-21 US US07/171,313 patent/US4837659A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-03-13 EP EP89302424A patent/EP0334520B1/en not_active Expired
- 1989-03-13 DE DE8989302424T patent/DE68900037D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-22 JP JP1070275A patent/JPH0622173B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566423A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-23 | Tdk Electronics Co Ltd | Composite electronic part |
| JPS587609U (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-18 | 株式会社ウロコ製作所 | ベニヤレ−ス |
| JPS5978724U (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | 株式会社村田製作所 | Ｌｃフイルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68900037D1 (de) | 1991-03-28 |
| EP0334520A1 (en) | 1989-09-27 |
| US4837659A (en) | 1989-06-06 |
| EP0334520B1 (en) | 1991-02-20 |
| JPH0622173B2 (ja) | 1994-03-23 |
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