JPH01283818A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH01283818A
JPH01283818A JP63112836A JP11283688A JPH01283818A JP H01283818 A JPH01283818 A JP H01283818A JP 63112836 A JP63112836 A JP 63112836A JP 11283688 A JP11283688 A JP 11283688A JP H01283818 A JPH01283818 A JP H01283818A
Authority
JP
Japan
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film
silicon substrate
impurity
diffusion layer
depth
Prior art date
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Pending
Application number
JP63112836A
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English (en)
Inventor
Yoshikazu Ono
大野　吉和
Kiyoteru Kobayashi
清輝 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はシリコン基板内に異なる２つの不純物拡散層
を形成する半導体装置の製造方法に関するものである、 〔従来の技術〕 第２図は従来の半導体装置の不純物拡散層の形成方法を
示す断面図で、図において、（１）はシリコン基板、（
２）は不純物を含有する膜、（８）は膜（２）中に含ま
れる不純物の拡散層、（４）は膜（２）と異なる不純物
を含有する膜、（６）は（４）中に含まれる不純物の拡
散層である。
次に作用について説明する。
シリコン基板（１）の表面に不純物を含有する膜（２）
を形成する。次いで、熱処理を行なうことによって不純
物をシリコン基板（１）内に拡散させて不純物拡散層（
８）を形成する〔第２図（ａ）〕。次いで、膜（２）を
除去した後、異なる不純物を含有する膜（４）をシリコ
ン基板（１）上に形成する〔第２図（ｂ）〕。次いで熱
処理を行なって不純物拡散層（５）を形成する〔第２図
（Ｃ）〕。
〔発明が解決しようとする課題〕
このような従来の不純物拡散層の形成方法では後から拡
散させる不純物のシリコン基板内の濃度及び拡散深さは
熱処理の条件でのみしか制御できない。また、２回熱処
理を行なう必要があるため、最初に拡散させる不純物の
拡散深さが深くなってしまうという課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、後から拡散させる不純物のシリコン基板内濃度
及び拡散深さを最初に形成した膜の膜厚によって制御す
ることができ、また熱処理が１回のみでよいため不純物
の拡散深さが必要以上に深くならないことを目的とする
。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る不純物拡散層の形成方法はシリコン基板
に異なる不純物を含有する第１と第２の２層の膜を形成
し、その後熱処理を行なうことによってシリコン基板内
に２種類の第１と第２不純物拡散層を同時に形成する。
〔作用〕
この発明における不純物拡散層の形成方法は第１の膜の
膜厚を変えることにより、第２の膜に含有する不純物の
シリコン基板内の不純物濃度及び拡散層の深さを制御す
る。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）はシリコン基板、（２）は不純物を
含有する第１の膜、（８）は第１の膜（２）中に含まれ
る第１の不純物拡散層、（４）は第１の膜（２）と異な
る不純物を含有する第２の膜、（５）は第２の膜（４）
中に含まれる第２の不純物拡散層である。
次に作用について説明する。
初めにシリコン基板（１）の表面に異なる不純物を含有
する２　ｒｆｌｌ膜（２）（４）を形成する。次いで熱
処理を行なうことによって、第１の膜（２）に含有され
る不純物は直接シリコン基板（１）中へ拡散して第１の
不純物拡散層（８）が形成される。と同時に第２の膜（
４）に含有される不純物は第１の膜（２）中を通ってシ
リコン基板（１）中へ拡散して第２の不純物拡散層（５
）が形成される。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、第２の膜中に含有され
る不純物のシリコン基板内の濃度及び拡散層の深さを第
１の膜の膜厚を変えることによって制御でき、また、熱
処理が１回でよいため必要以上に拡散層は深くならない
。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａｌ＋１）ｌはこの発明の一実施例による半導
体装置の不純物拡散層形成方法を示すシリコン基板の各
工程断面図、第２図（ａｌ〜（ｃｌは従来の不純物拡散
層形成方法を示すシリコン基板の各工程断面図である。 図において、（１）はシリコン基板、（２）は第１の膜
、（８）は第１の不純物拡散層、（４）は第２の膜、（
６）は第２の不純物拡散層である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　シリコン基板内に不純物層を形成する半導体装置の製
    造方法において、シリコン基板上に形成した異なる不純
    物を含有する２層の膜からシリコン基板内に不純物を拡
    散させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP63112836A 1988-05-10 1988-05-10 半導体装置の製造方法 Pending JPH01283818A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5364800A (en) * 1993-06-24 1994-11-15 Texas Instruments Incorporated Varying the thickness of the surface silicon layer in a silicon-on-insulator substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5364800A (en) * 1993-06-24 1994-11-15 Texas Instruments Incorporated Varying the thickness of the surface silicon layer in a silicon-on-insulator substrate
US5548149A (en) * 1993-06-24 1996-08-20 Texas Instruments Incorporated Varying the thickness of the surface silicon layer in a silicon-on-insulator substrate

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