JPH06163450A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06163450A JPH06163450A JP31543292A JP31543292A JPH06163450A JP H06163450 A JPH06163450 A JP H06163450A JP 31543292 A JP31543292 A JP 31543292A JP 31543292 A JP31543292 A JP 31543292A JP H06163450 A JPH06163450 A JP H06163450A
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- insulating layer
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- forming
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- semiconductor substrate
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 不純物ドープ工程の回数を減らすことが出
来る半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 この発明の半導体装置の製造方法では、半導
体基板１の表面に不純物濃度の異なる拡散層を形成する
にあたり、前記半導体基板表面に絶縁層を形成したの
ち、比較的不純物濃度の高い拡散層を形成するための部
分上の前記絶縁層を部分的に除去し、この除去部分と残
る絶縁層部分上にさらに絶縁層形成を行ってから、この
絶縁層５上に拡散層を形成する部分を残してレジスト膜
を形成して前記絶縁層に対しエッチング処理を施したの
ち、拡散層を形成するための不純物１９のドープを行う
ことを特徴とする。
来る半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 この発明の半導体装置の製造方法では、半導
体基板１の表面に不純物濃度の異なる拡散層を形成する
にあたり、前記半導体基板表面に絶縁層を形成したの
ち、比較的不純物濃度の高い拡散層を形成するための部
分上の前記絶縁層を部分的に除去し、この除去部分と残
る絶縁層部分上にさらに絶縁層形成を行ってから、この
絶縁層５上に拡散層を形成する部分を残してレジスト膜
を形成して前記絶縁層に対しエッチング処理を施したの
ち、拡散層を形成するための不純物１９のドープを行う
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法、特に、半導体基板に対し不純物濃度の異なる拡散層
を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関するも
のである。
法、特に、半導体基板に対し不純物濃度の異なる拡散層
を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板の表面に不純物濃度の異なる
拡散層を形成する場合、まず半導体基板表面に絶縁層を
形成しておいて、ひとつの拡散層を形成する部分上の絶
縁層を除去して不純物をドープした後、この部分を絶縁
層で覆っておいて、別の拡散層を形成する部分にも同じ
工程を繰り返し行うようにするか、または、不純物濃度
の高い拡散層を形成する部分上の絶縁層を除去して不純
物をドープすることを順次行うことが一般的であった。
拡散層を形成する場合、まず半導体基板表面に絶縁層を
形成しておいて、ひとつの拡散層を形成する部分上の絶
縁層を除去して不純物をドープした後、この部分を絶縁
層で覆っておいて、別の拡散層を形成する部分にも同じ
工程を繰り返し行うようにするか、または、不純物濃度
の高い拡散層を形成する部分上の絶縁層を除去して不純
物をドープすることを順次行うことが一般的であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の方法
は、不純物濃度の異なる拡散層の数と同じ回数だけ不純
物ドープ工程が必要であるという欠点があった。この発
明は、上記問題点に鑑みて、その課題とするところは、
不純物ドープ工程の回数を減らすことが出来る半導体装
置の製造方法を提供することにある。
は、不純物濃度の異なる拡散層の数と同じ回数だけ不純
物ドープ工程が必要であるという欠点があった。この発
明は、上記問題点に鑑みて、その課題とするところは、
不純物ドープ工程の回数を減らすことが出来る半導体装
置の製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
装置の製造方法は、上記課題を解決するために、半導体
基板の表面に不純物濃度の異なる拡散層を形成する半導
体装置の製造方法において、前記半導体基板表面に絶縁
層を形成したのち、比較的不純物濃度の高い拡散層を形
成するための部分上の前記絶縁層を部分的に除去し、こ
の除去部分と残る絶縁層部分上にさらに絶縁層形成を行
ってから、この絶縁層上に拡散層を形成する部分を残し
てレジスト膜を形成して前記絶縁層に対しエッチング処
理を施したのち、拡散層を形成するための不純物ドープ
を行うことを特徴とするものである。
装置の製造方法は、上記課題を解決するために、半導体
基板の表面に不純物濃度の異なる拡散層を形成する半導
体装置の製造方法において、前記半導体基板表面に絶縁
層を形成したのち、比較的不純物濃度の高い拡散層を形
成するための部分上の前記絶縁層を部分的に除去し、こ
の除去部分と残る絶縁層部分上にさらに絶縁層形成を行
ってから、この絶縁層上に拡散層を形成する部分を残し
てレジスト膜を形成して前記絶縁層に対しエッチング処
理を施したのち、拡散層を形成するための不純物ドープ
を行うことを特徴とするものである。
【０００５】この発明の半導体装置の製造方法では、普
通、エッチング処理を不純物濃度の高い拡散層を形成す
るための部分上の絶縁層が完全に除去されるまで行う。
勿論、エッチング処理終了段階では比較的不純物濃度の
低い拡散層を形成するための部分上の絶縁層は完全に除
去されず未だ残っている状態である。ただ、エッチング
処理を不純物濃度の高い拡散層を形成するための部分上
の絶縁層が完全に除去されるまでに停止してもよい。こ
の状態でも、不純物濃度の高い拡散層を形成する部分の
上に残る絶縁層と、不純物濃度の低い拡散層を形成する
部分の上に残る絶縁層との間に絶縁膜の厚み差があるか
らである。
通、エッチング処理を不純物濃度の高い拡散層を形成す
るための部分上の絶縁層が完全に除去されるまで行う。
勿論、エッチング処理終了段階では比較的不純物濃度の
低い拡散層を形成するための部分上の絶縁層は完全に除
去されず未だ残っている状態である。ただ、エッチング
処理を不純物濃度の高い拡散層を形成するための部分上
の絶縁層が完全に除去されるまでに停止してもよい。こ
の状態でも、不純物濃度の高い拡散層を形成する部分の
上に残る絶縁層と、不純物濃度の低い拡散層を形成する
部分の上に残る絶縁層との間に絶縁膜の厚み差があるか
らである。
【０００６】
【作用】この発明では、不純物ドープを行うにあたっ
て、少なくとも不純物濃度の比較的低い拡散層を形成す
る部分では半導体基板上に薄い絶縁層が残るようにして
おいて、この残存する絶縁層の厚みで不純物の注入量
（ドーズ量）を制御するようにした。このため、同時の
注入であっても、絶縁層の残存厚み差に応じた不純物濃
度の差異が拡散部分間でつくようになる。半導体基板上
に残す絶縁層の厚み調節により、比較的低い濃度の拡散
層での不純物濃度が所望のものとなるように制御するこ
とができる。
て、少なくとも不純物濃度の比較的低い拡散層を形成す
る部分では半導体基板上に薄い絶縁層が残るようにして
おいて、この残存する絶縁層の厚みで不純物の注入量
（ドーズ量）を制御するようにした。このため、同時の
注入であっても、絶縁層の残存厚み差に応じた不純物濃
度の差異が拡散部分間でつくようになる。半導体基板上
に残す絶縁層の厚み調節により、比較的低い濃度の拡散
層での不純物濃度が所望のものとなるように制御するこ
とができる。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の実施例を、製造工程を説明
する図１〜図６を参照しながら説明する。勿論、この発
明は、下記の実施例に限らない。まず、図２に示すよう
に、シリコンなどの半導体基板１の表面に第１の酸化シ
リコンなどの絶縁層２を形成しておいて、その上にフォ
トリソグラフィ技術を利用してレジスト膜３を形成す
る。そして、エッチング工程とレジスト膜除去工程を施
すことによって、図３に示すように、絶縁層２中の、比
較的不純物濃度の高い拡散層を形成する部分に開口部４
を形成したのち、半導体基板１表面全体を酸化する。
する図１〜図６を参照しながら説明する。勿論、この発
明は、下記の実施例に限らない。まず、図２に示すよう
に、シリコンなどの半導体基板１の表面に第１の酸化シ
リコンなどの絶縁層２を形成しておいて、その上にフォ
トリソグラフィ技術を利用してレジスト膜３を形成す
る。そして、エッチング工程とレジスト膜除去工程を施
すことによって、図３に示すように、絶縁層２中の、比
較的不純物濃度の高い拡散層を形成する部分に開口部４
を形成したのち、半導体基板１表面全体を酸化する。
【０００８】そうすると、図４に示すように、半導体基
板１表面の絶縁層５は、開口部４を覆う部分５ａでは薄
く、その他の部分５ｂでは厚い。つぎに、図５に示すよ
うに、拡散層を形成する部分以外の部分にレジスト膜６
を形成しておいて、図１に示すように、絶縁層５におけ
る薄い部分５ａが除去されて開口部７が再び現れるまで
エッチング処理を行い、その後で不純物の注入を行う。
このとき、開口部４以外の部分に存在する、比較的不純
物濃度の低い拡散層を形成するための部分の半導体基板
１上には、比較的薄い絶縁層８が残る。不純物１９は、
図１に破線で示すように、開口部７のみでなく、薄い絶
縁層８が残っている部分にも注入される。しかし、図６
に示すように、薄い絶縁層８のある部分では、絶縁膜８
を通して不純物の注入が行われるので、得られた拡散層
１０のドーズ量は、開口部７の部分の拡散層９のドーズ
量に比べて少なくなる。このように、一回の不純物ドー
プ工程で不純物濃度の異なる拡散層９，１０の形成が実
現できているのである。
板１表面の絶縁層５は、開口部４を覆う部分５ａでは薄
く、その他の部分５ｂでは厚い。つぎに、図５に示すよ
うに、拡散層を形成する部分以外の部分にレジスト膜６
を形成しておいて、図１に示すように、絶縁層５におけ
る薄い部分５ａが除去されて開口部７が再び現れるまで
エッチング処理を行い、その後で不純物の注入を行う。
このとき、開口部４以外の部分に存在する、比較的不純
物濃度の低い拡散層を形成するための部分の半導体基板
１上には、比較的薄い絶縁層８が残る。不純物１９は、
図１に破線で示すように、開口部７のみでなく、薄い絶
縁層８が残っている部分にも注入される。しかし、図６
に示すように、薄い絶縁層８のある部分では、絶縁膜８
を通して不純物の注入が行われるので、得られた拡散層
１０のドーズ量は、開口部７の部分の拡散層９のドーズ
量に比べて少なくなる。このように、一回の不純物ドー
プ工程で不純物濃度の異なる拡散層９，１０の形成が実
現できているのである。
【０００９】
【発明の効果】この発明の製造方法によれば、上記のよ
うに、拡散層を形成する部分でも絶縁層が残るようにし
て、その厚みによって不純物濃度を制御するようにした
ので、不純物濃度の異なる複数の拡散層を少ない回数の
不純物ドープ工程で形成できるようになった。
うに、拡散層を形成する部分でも絶縁層が残るようにし
て、その厚みによって不純物濃度を制御するようにした
ので、不純物濃度の異なる複数の拡散層を少ない回数の
不純物ドープ工程で形成できるようになった。
【図１】実施例での絶縁層エッチング・不純物注入工程
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】実施例でのレジスト膜形成工程を示す断面図。
【図３】実施例での開口部形成工程を示す断面図。
【図４】実施例での酸化処理工程を示す断面図。
【図５】実施例でのレジスト膜形成工程を示す断面図。
【図６】実施例で形成された拡散層を示す断面図。
１ 半導体基板 ２，５，８ 絶縁層 ３，６ レジスト膜 ９，１０ 拡散層 １９ 不純物
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に不純物濃度の異なる
拡散層を形成する半導体装置の製造方法において、前記
半導体基板表面に絶縁層を形成したのち、比較的不純物
濃度の高い拡散層を形成するための部分上の前記絶縁層
を部分的に除去し、この除去部分と残る絶縁層部分上に
さらに絶縁層形成を行ってから、この絶縁層上に拡散層
を形成する部分を残してレジスト膜を形成して前記絶縁
層に対しエッチング処理を施したのち、拡散層を形成す
るための不純物ドープを行うことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 エッチング処理を不純物濃度の高い拡散
層を形成するための部分上の絶縁層が完全に除去される
まで行う請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31543292A JPH06163450A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31543292A JPH06163450A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163450A true JPH06163450A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18065307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31543292A Pending JPH06163450A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017069455A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-25 JP JP31543292A patent/JPH06163450A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017069455A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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