JPH01286290A - 交流駆動エレクトロルミネッセント・デバイス - Google Patents
交流駆動エレクトロルミネッセント・デバイスInfo
- Publication number
- JPH01286290A JPH01286290A JP63115459A JP11545988A JPH01286290A JP H01286290 A JPH01286290 A JP H01286290A JP 63115459 A JP63115459 A JP 63115459A JP 11545988 A JP11545988 A JP 11545988A JP H01286290 A JPH01286290 A JP H01286290A
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- Japan
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- film
- insulating film
- heat
- insulating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−の１
本発明は、エレクトロルミネッセント・デバイス（以下
、ＥＬデバイスという）に関する。
、ＥＬデバイスという）に関する。
更に詳しくは、透明基板上に、透明電極と、高比抵抗の
第１の絶縁膜と低比抵抗の第２の絶縁膜と、発光膜と、
低比抵抗の第３の絶縁膜と、高比抵抗の第４の絶縁膜と
背面電極を順次積層してなるＥＬディスプレイにおいて
、第１あるいは第４の絶縁膜の少なくとも１方に厚みが
５００Å以下好ましくは３００人更に好ましくは２００
Å以下で、絶縁破壊強度がＩ Ｘ １０６Ｖ／ｃｍ以上
でかつ耐熱性が３００℃以上好ましくは４００℃以上更
に好ましくは５００℃以上である耐熱性高分子ＬＢｌ！
ｉ！を用いたことを特徴とする交流駆動エレクトロルミ
ネッセント・デバイスに関する。
第１の絶縁膜と低比抵抗の第２の絶縁膜と、発光膜と、
低比抵抗の第３の絶縁膜と、高比抵抗の第４の絶縁膜と
背面電極を順次積層してなるＥＬディスプレイにおいて
、第１あるいは第４の絶縁膜の少なくとも１方に厚みが
５００Å以下好ましくは３００人更に好ましくは２００
Å以下で、絶縁破壊強度がＩ Ｘ １０６Ｖ／ｃｍ以上
でかつ耐熱性が３００℃以上好ましくは４００℃以上更
に好ましくは５００℃以上である耐熱性高分子ＬＢｌ！
ｉ！を用いたことを特徴とする交流駆動エレクトロルミ
ネッセント・デバイスに関する。
′ の ′ ・八Ｈ（”°しよ゛と る。 市電子機器
の軽薄短小化や表示品質の向上などの社会的要請のもと
、ＥＬデバイスの研究が盛んに行われている。
の軽薄短小化や表示品質の向上などの社会的要請のもと
、ＥＬデバイスの研究が盛んに行われている。
最近、ＭｎをドープしたＺｎＳ発光層の両側を絶縁層（
誘電体層）でサンドインチした高輝度で寿命の長い、い
わゆる二重絶縁構造の薄膜ＥＬデバイスが開発され、実
用化されてきている。
誘電体層）でサンドインチした高輝度で寿命の長い、い
わゆる二重絶縁構造の薄膜ＥＬデバイスが開発され、実
用化されてきている。
しかしながら、二重絶縁構造の薄膜ＥＬデバイスは２０
０Ｖ程度の高い交流電圧を必要とするため、専用の高耐
圧ＩＣを用いなければならず、これがコストを引上げ、
広い実用化が妨げられているという問題がある。
０Ｖ程度の高い交流電圧を必要とするため、専用の高耐
圧ＩＣを用いなければならず、これがコストを引上げ、
広い実用化が妨げられているという問題がある。
このような問題を解決して駆動回路を単純化するため、
低電圧で駆動しうる薄膜ＥＬデバイスの開発が望まれて
おり、チタン酸鉛のような強誘電体を使用することによ
って６０Ｖ程度まで動作電圧を下げうろことが報告され
ているが、十分な誘電率を得るためには、基板を高温度
に加熱しなければならないなど実用上は問題がある。
低電圧で駆動しうる薄膜ＥＬデバイスの開発が望まれて
おり、チタン酸鉛のような強誘電体を使用することによ
って６０Ｖ程度まで動作電圧を下げうろことが報告され
ているが、十分な誘電率を得るためには、基板を高温度
に加熱しなければならないなど実用上は問題がある。
關 占 ”° るための
本発明は、上記のごとき実情に鑑み、低電圧で駆動させ
ることができ、安定で高輝度の交流駆動ＥＬデバイスを
うるためになされたものであり、透明基板上に、透明電
橋と、高比抵抗の第１の絶縁膜と低比抵抗の第２の絶縁
膜と、発光膜と、低比抵抗の第３の絶縁膜と、高比抵抗
の第４の絶縁膜と背面電極を順次積層してなるＥＬディ
スプレイにおいて、第１あるいは第４の絶縁膜の少なく
とも１方に厚みが１０００Å以下で、絶縁破壊強度がｌ
Ｘ１０６Ｖ／ａｎ以上でかつ耐熱性が３００℃以上好ま
しくは４００℃以上更に好ましくは５００℃以上である
耐熱性高分子ＬＢ膜を用いたことを特徴とする交流駆動
エレクトロルミネッセント・デバイスに関する。
ることができ、安定で高輝度の交流駆動ＥＬデバイスを
うるためになされたものであり、透明基板上に、透明電
橋と、高比抵抗の第１の絶縁膜と低比抵抗の第２の絶縁
膜と、発光膜と、低比抵抗の第３の絶縁膜と、高比抵抗
の第４の絶縁膜と背面電極を順次積層してなるＥＬディ
スプレイにおいて、第１あるいは第４の絶縁膜の少なく
とも１方に厚みが１０００Å以下で、絶縁破壊強度がｌ
Ｘ１０６Ｖ／ａｎ以上でかつ耐熱性が３００℃以上好ま
しくは４００℃以上更に好ましくは５００℃以上である
耐熱性高分子ＬＢ膜を用いたことを特徴とする交流駆動
エレクトロルミネッセント・デバイスに関する。
実施例
本発明に用いる発光膜とは、周期律表ｆｆＡ族またはＵ
Ｂ族に属する元素とＶＩＩ３族に属する元素から選ばれ
た少なくとも１種ずつの元素の組合せによってできる■
−■族化合物からなる多結晶薄膜のことである。前記、
ＩＩ−Ｖｌ族化合物は固溶体として存在し得るので、上
記化合物の元素を他の元素で置き換えた固溶体も本発明
に用い得る。たとえばＺｎの１部をＣｄで置き換えたＺ
ｎｘＣｄｌ−ｘＳ （Ｑ＜ｘ＜１）やＳの１部をＳｅで
置き換えたＺｎＳｘＳｅ１−ｘ （０’＜ ｘ＜ １
）など、さらにはＺｎｚＣｄ ｔ−ｚＳｙＳｅｌ−ｙ
（０＜ｙ＜ｌ、Ｏ＜ｚ＜１）などである。
Ｂ族に属する元素とＶＩＩ３族に属する元素から選ばれ
た少なくとも１種ずつの元素の組合せによってできる■
−■族化合物からなる多結晶薄膜のことである。前記、
ＩＩ−Ｖｌ族化合物は固溶体として存在し得るので、上
記化合物の元素を他の元素で置き換えた固溶体も本発明
に用い得る。たとえばＺｎの１部をＣｄで置き換えたＺ
ｎｘＣｄｌ−ｘＳ （Ｑ＜ｘ＜１）やＳの１部をＳｅで
置き換えたＺｎＳｘＳｅ１−ｘ （０’＜ ｘ＜ １
）など、さらにはＺｎｚＣｄ ｔ−ｚＳｙＳｅｌ−ｙ
（０＜ｙ＜ｌ、Ｏ＜ｚ＜１）などである。
また、これらＩＩ−Ｖｌ族化合物には非化学量論的組成
のずれが存在しろるので、■族元素：■族元素の比が必
ずしも１：１ではないようなものも本発明に用い得る。
のずれが存在しろるので、■族元素：■族元素の比が必
ずしも１：１ではないようなものも本発明に用い得る。
通常、Ｉｆ−Ｖｌ族化合物多結晶薄膜は、Ｍｎ、 Ｃｕ
、ＡｇなどやＴｂ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｐｒ。
、ＡｇなどやＴｂ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｐｒ。
Ｔｍなどのような希土類金属、ＴｂＦａ 、ＳｍＦ３゜
ＥｒＦａ 、ＨＯＦ３ 、ＰｒＦａ 、ＴｍＦａなどの
ような希土類ぶつ化物からなる賦活剤でドープされてお
り、さらに要すればハロゲンイオンやＡ１などの３価金
属の塩のような共賦活剤を含有していても良い。
ＥｒＦａ 、ＨＯＦ３ 、ＰｒＦａ 、ＴｍＦａなどの
ような希土類ぶつ化物からなる賦活剤でドープされてお
り、さらに要すればハロゲンイオンやＡ１などの３価金
属の塩のような共賦活剤を含有していても良い。
このようにＩｆ−Ｖｌ族化合物多結晶薄膜に賦活剤をド
ープすることによって、赤、緑、青、黄、黄橙などの種
々の発光をうろことができる。このとき、マトリックス
である■−■族化合物は可視光領域の光を吸収しないよ
うに、ＩＩ−Ｖｌ族化合物としてバンドギャップの大き
い、できれば２．５ ｅ Ｖ以上のものを選択すること
が好適である。このようなＩＩ−Ｖｌ族化合物としては
、たとえばＺｎＳ。
ープすることによって、赤、緑、青、黄、黄橙などの種
々の発光をうろことができる。このとき、マトリックス
である■−■族化合物は可視光領域の光を吸収しないよ
うに、ＩＩ−Ｖｌ族化合物としてバンドギャップの大き
い、できれば２．５ ｅ Ｖ以上のものを選択すること
が好適である。このようなＩＩ−Ｖｌ族化合物としては
、たとえばＺｎＳ。
Ｚｎ５ｅのほか、ＺｎＯ，ＣａＳ、ＳｒＳなどがあげら
れるが、発光効率が高いという点からするとＺｎＳ、Ｚ
ｎ５ｅが好ましい。
れるが、発光効率が高いという点からするとＺｎＳ、Ｚ
ｎ５ｅが好ましい。
ドープする賦活剤の量は■−■族化合物多結晶薄膜１０
０部（重量部、以下同様）当り０．０１〜７部、好まし
くは０．２〜３部であり、共賦活剤は好ましくは０．０
１〜３部より好ましくは０．０５〜１部である。前記賦
活剤の量が０．０１部未満になると発光に寄与する活性
点の濃度が低く、有効な発光が得られず、７部をこえる
と活性点の濃度が高すぎ飽和現象がおこったり、ｎ−ｖ
ｒ族化合物多結晶薄膜の結晶性の低下を生じる傾向があ
り、いずれも好ましくない。また、共賦活剤の量も上記
の範囲をこえると、賦活剤の場合とおなし理由で望まし
くない。
０部（重量部、以下同様）当り０．０１〜７部、好まし
くは０．２〜３部であり、共賦活剤は好ましくは０．０
１〜３部より好ましくは０．０５〜１部である。前記賦
活剤の量が０．０１部未満になると発光に寄与する活性
点の濃度が低く、有効な発光が得られず、７部をこえる
と活性点の濃度が高すぎ飽和現象がおこったり、ｎ−ｖ
ｒ族化合物多結晶薄膜の結晶性の低下を生じる傾向があ
り、いずれも好ましくない。また、共賦活剤の量も上記
の範囲をこえると、賦活剤の場合とおなし理由で望まし
くない。
このような賦活剤や共賦活剤をドーピングする方法につ
いては特に制限はなく、ｉＩＮ當の方法が採用されうる
。
いては特に制限はなく、ｉＩＮ當の方法が採用されうる
。
本発明におけるＩＩ−Ｖｌ族化合物の薄膜の形成法には
特に制限はなく、たとえば蒸着法、スパッタ法、スプレ
ーパイロリシス法、塗布法、ＣＶＤ法（化学的気相成長
法）、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ法
（分子線エピタキシ法）、ＡＬＥ法（原子層エピタキシ
法）などを利用した薄膜形成法によって基板上に形成さ
れる。
特に制限はなく、たとえば蒸着法、スパッタ法、スプレ
ーパイロリシス法、塗布法、ＣＶＤ法（化学的気相成長
法）、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ法
（分子線エピタキシ法）、ＡＬＥ法（原子層エピタキシ
法）などを利用した薄膜形成法によって基板上に形成さ
れる。
本発明に用いる■−■族化合物の結晶系は、六方晶系、
立方晶系、あるいはそれらが混合した形などで存在する
が、いずれの場合も使用し得る。
立方晶系、あるいはそれらが混合した形などで存在する
が、いずれの場合も使用し得る。
さらに前記多結晶薄膜は、各種雰囲気で熱処理すること
によって結晶性などの物性が改善されることが知られて
いるので、薄膜形成後に熱処理して使用しても良い。
によって結晶性などの物性が改善されることが知られて
いるので、薄膜形成後に熱処理して使用しても良い。
本発明に用いる多結晶薄膜は多数の小結晶がいろいろの
方位をもって集合してできた結晶質の薄膜であるが、小
結晶の方位の分布に規則性があり、繊維構造や柱状構造
をもっていることが望ましい。
方位をもって集合してできた結晶質の薄膜であるが、小
結晶の方位の分布に規則性があり、繊維構造や柱状構造
をもっていることが望ましい。
多結晶薄膜の厚さについては特に限定はないが、通常１
００人〜１０μｍ程度、さらには０．１〜ｌ。
００人〜１０μｍ程度、さらには０．１〜ｌ。
０μｍ程度が好適である。
つぎに、基板および電極について説明する。
基板については特に限定はなく、ガラス、アルミナ、石
英などの一般的な基板材料からなる基板のほか、金属板
、金属製ホイル、プラスチック基板、プラスチックフィ
ルム、■族半導体、■−ｖ族化合物半導体、多結晶ウェ
ハーなどが使用される。
英などの一般的な基板材料からなる基板のほか、金属板
、金属製ホイル、プラスチック基板、プラスチックフィ
ルム、■族半導体、■−ｖ族化合物半導体、多結晶ウェ
ハーなどが使用される。
電極としては、アルミニウム、金、銀、白金、パラジウ
ム、インジウム、ｌｎ−Ｈｇ５ Ｉｎ−Ｇａなどのほ
か、酸化スズや酸化スズ・インジウム（ＩＴＯ）などの
透明電極などを使用しうるが、発光を取り出すために少
なくとも一方の電極は半透明または透明な電極であるこ
とが必要である。
ム、インジウム、ｌｎ−Ｈｇ５ Ｉｎ−Ｇａなどのほ
か、酸化スズや酸化スズ・インジウム（ＩＴＯ）などの
透明電極などを使用しうるが、発光を取り出すために少
なくとも一方の電極は半透明または透明な電極であるこ
とが必要である。
実用上はネサガラスやＩＴＯガラスなど透明電極つき基
板を用い、背面電極としてＡＩ、Ｔｉ、Ｎｉ−Ｃｒなど
からなる金属電極を用いることが好ましい。もちろん両
側の電極とも透明電極でも良い。また、デバイスを表示
デバイストとして使用する場合には、一般に行われてい
るようにこれら２つの電極（透明電極および背面電極）
をパターン化して用いても良い。
板を用い、背面電極としてＡＩ、Ｔｉ、Ｎｉ−Ｃｒなど
からなる金属電極を用いることが好ましい。もちろん両
側の電極とも透明電極でも良い。また、デバイスを表示
デバイストとして使用する場合には、一般に行われてい
るようにこれら２つの電極（透明電極および背面電極）
をパターン化して用いても良い。
つぎに絶縁膜について述べる。前記２．第３の絶縁膜は
比抵抗が１０６くρく１０９好ましくは１０５＜ｐ＜１
０７Ω’Ｃｌ１）で膜圧が５００〜１００００人好まし
くは３０００〜１０ｏｏＯ人である。前記第１、第４の
絶縁膜は比抵抗が１０”＜ρ＜１０１ｓΩ・０であるよ
うに構成したものである。前記第１．第４の絶縁膜の１
方としては５ｉＯｚが好適であり、スパッタ法で好まし
く作製される。
比抵抗が１０６くρく１０９好ましくは１０５＜ｐ＜１
０７Ω’Ｃｌ１）で膜圧が５００〜１００００人好まし
くは３０００〜１０ｏｏＯ人である。前記第１、第４の
絶縁膜は比抵抗が１０”＜ρ＜１０１ｓΩ・０であるよ
うに構成したものである。前記第１．第４の絶縁膜の１
方としては５ｉＯｚが好適であり、スパッタ法で好まし
く作製される。
前記第２．第３の絶縁膜としては、Ｔａ２ｅ！＋が好適
であり、電子ビーム蒸着法で好ましく作製される。
であり、電子ビーム蒸着法で好ましく作製される。
つぎに本発明にもちいるもう１方の高抵抗絶縁膜である
耐熱層ＬＢ膜について説明する。
耐熱層ＬＢ膜について説明する。
実用的な交流駆動エレクトロルミネッセンスデバイスに
使用できるためには、ＬＢ膜の耐熱性が３００℃以上好
ましくは４００’Ｃ以上更に好ましくは５００℃以上で
あり、絶縁破壊強度が１×１０６Ｖ／ｅ１ｍ以上である
ことが望ましい。ＬＢＨＩｆｌの上に発光層が形成され
る場合には耐熱性が３ｏｏ℃以上あることが望まれる。
使用できるためには、ＬＢ膜の耐熱性が３００℃以上好
ましくは４００’Ｃ以上更に好ましくは５００℃以上で
あり、絶縁破壊強度が１×１０６Ｖ／ｅ１ｍ以上である
ことが望ましい。ＬＢＨＩｆｌの上に発光層が形成され
る場合には耐熱性が３ｏｏ℃以上あることが望まれる。
なぜなら、発光層が蒸着される時は、２００℃程度の温
度でなされるが、形成後３００℃以上好ましくは４００
’Ｃ以上更に好ましくは５００℃以上でアニールして結
晶性を改善させる方法が取ら・れるからである。厚みに
ついては、出来るだけ低電圧駆動にする要請とともに厚
いＬＢ膜を使用することはコスト的にメリットがないの
で５００Å以下が好ましい。３００Å以下更には２００
人が好ましい。このような３゜０℃以上の耐熱性と１ｘ
１０６Ｖ／ａｍ以上の絶縁破壊強度かえられるＬＢ膜は
、我々が特願昭６１−１）６３９０に提案した高分子薄
膜の中がら選ぶことが出来る。ヘテロ環を含む耐熱性高
分子の前駆体構造をもち、これをＬＢ法で累積したのち
環構造を形成させた耐熱性高分子の薄膜が好ましい。全
芳香族ポリイミド系の薄膜が特に望ましい。
度でなされるが、形成後３００℃以上好ましくは４００
’Ｃ以上更に好ましくは５００℃以上でアニールして結
晶性を改善させる方法が取ら・れるからである。厚みに
ついては、出来るだけ低電圧駆動にする要請とともに厚
いＬＢ膜を使用することはコスト的にメリットがないの
で５００Å以下が好ましい。３００Å以下更には２００
人が好ましい。このような３゜０℃以上の耐熱性と１ｘ
１０６Ｖ／ａｍ以上の絶縁破壊強度かえられるＬＢ膜は
、我々が特願昭６１−１）６３９０に提案した高分子薄
膜の中がら選ぶことが出来る。ヘテロ環を含む耐熱性高
分子の前駆体構造をもち、これをＬＢ法で累積したのち
環構造を形成させた耐熱性高分子の薄膜が好ましい。全
芳香族ポリイミド系の薄膜が特に望ましい。
つぎにＬＢ膜の製法について説明する。
ＬＢ膜は膜を形成する物質を水面上に展開し、水面上に
展開された物質を一定の表面圧で圧縮した単分子膜を形
成し、その膜を基板上に移し取る方法（ラングミュア・
プロジェット法）で作製しうる。このほか水平付着法、
回転円筒法などの方法（新実験化学講座第１８巻、界面
とコロイド、４９Ｂ−５０８ページ）などでも作製しう
る。このような通常おこなわれている方法であれば特に
限定されることなく通用しうる。
展開された物質を一定の表面圧で圧縮した単分子膜を形
成し、その膜を基板上に移し取る方法（ラングミュア・
プロジェット法）で作製しうる。このほか水平付着法、
回転円筒法などの方法（新実験化学講座第１８巻、界面
とコロイド、４９Ｂ−５０８ページ）などでも作製しう
る。このような通常おこなわれている方法であれば特に
限定されることなく通用しうる。
通常のＥＬデバイスは発光層の両側に無機物からなる厚
い絶縁膜があるが本発明のＥＬデバイスでは、これらの
絶縁膜のうち少なくとも１方が、厚みが５００Å以下で
、絶縁破壊強度が１×１０６Ｖ／ロ以上でかつ耐熱性が
３００℃以上である耐熱性高分子ＬＢ膜と低比抵抗の絶
縁膜で置き換えられる。従来のＬＢ膜では、その上にＬ
ＢＩＩ！ｉ！にダメージを与えることなく無機物層を形
成することはできなかったが、我々が先に提案した耐熱
性ＬＢ膜ではこれが可能になる。勿論無機物層の上に、
耐熱性ＬＢ膜を形成することも可能である。
い絶縁膜があるが本発明のＥＬデバイスでは、これらの
絶縁膜のうち少なくとも１方が、厚みが５００Å以下で
、絶縁破壊強度が１×１０６Ｖ／ロ以上でかつ耐熱性が
３００℃以上である耐熱性高分子ＬＢ膜と低比抵抗の絶
縁膜で置き換えられる。従来のＬＢ膜では、その上にＬ
ＢＩＩ！ｉ！にダメージを与えることなく無機物層を形
成することはできなかったが、我々が先に提案した耐熱
性ＬＢ膜ではこれが可能になる。勿論無機物層の上に、
耐熱性ＬＢ膜を形成することも可能である。
つぎに、本発明のＥＬデバイスを実施例に基づき、さら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
実施例１
パターン化したＩＴＯガラス上に、ピロメリット酸ジス
テアリルエステルの酸クロリドとジアミノジフェニルエ
ーテルとから合成されたポリイミド前駆体とステアリル
アルコールの１：１混合しＢ膜を、２１層累積し、これ
を４００℃で１時間キュアーしてイミド化した。この上
に低抵抗絶縁膜としての酸化タンタルをＥＢ蒸着法で３
０００人製膜し、さらに６０００人の発光層ＺｎＳ：Ｍ
ｎと１０００人の絶縁層５ｉＯｚがそれぞれＥＢ蒸着法
、スパッタ法で製膜された。最後に、アルミニウム電極
をつけてＥＬデバイスとした。ＩＫＨｚの正弦波を印加
して輝度−電圧特性を評価したところ９０Ｖから輝度が
たちあがり、１２０ｖでほぼ飽和に達し、輝度は２００
０Ｃｄ／ｃａｌで実用化に十分な輝度が得られた。
テアリルエステルの酸クロリドとジアミノジフェニルエ
ーテルとから合成されたポリイミド前駆体とステアリル
アルコールの１：１混合しＢ膜を、２１層累積し、これ
を４００℃で１時間キュアーしてイミド化した。この上
に低抵抗絶縁膜としての酸化タンタルをＥＢ蒸着法で３
０００人製膜し、さらに６０００人の発光層ＺｎＳ：Ｍ
ｎと１０００人の絶縁層５ｉＯｚがそれぞれＥＢ蒸着法
、スパッタ法で製膜された。最後に、アルミニウム電極
をつけてＥＬデバイスとした。ＩＫＨｚの正弦波を印加
して輝度−電圧特性を評価したところ９０Ｖから輝度が
たちあがり、１２０ｖでほぼ飽和に達し、輝度は２００
０Ｃｄ／ｃａｌで実用化に十分な輝度が得られた。
実施例２
パターン化したＩＴＯガラス上に、ピロメリット酸ジス
テアリルエステルの酸クロリドとジアミノジフェニルエ
ーテルとから合成されたポリイミド前駆体とステアリル
アルコールの１：１混合しＢ膜を、２１層累積し、これ
を４００℃で１時間キュアーしてイミド化した。この上
に低抵抗絶縁膜としての酸化タンタル、６０００人の発
光層Ｚｎ Ｓ ： Ｍ ｎと酸化タンタルをすべてＥＢ
蒸着法で製膜した。さらにこの上に２１Ｍのポリイミド
膜を形成し、他方の絶縁膜とした。最後に、アルミニウ
ム電極をつけてＥＬデバイスとした。ｌＫＨ２の正弦波
を印加して輝度−電圧特性を評価したところ７０Ｖから
輝度がたちあがり、１００Ｖでほぼ飽和に達し、輝度は
２０００ Ｃｄ ／ ｃ４で実用化に十分な輝度が得ら
れた。
テアリルエステルの酸クロリドとジアミノジフェニルエ
ーテルとから合成されたポリイミド前駆体とステアリル
アルコールの１：１混合しＢ膜を、２１層累積し、これ
を４００℃で１時間キュアーしてイミド化した。この上
に低抵抗絶縁膜としての酸化タンタル、６０００人の発
光層Ｚｎ Ｓ ： Ｍ ｎと酸化タンタルをすべてＥＢ
蒸着法で製膜した。さらにこの上に２１Ｍのポリイミド
膜を形成し、他方の絶縁膜とした。最後に、アルミニウ
ム電極をつけてＥＬデバイスとした。ｌＫＨ２の正弦波
を印加して輝度−電圧特性を評価したところ７０Ｖから
輝度がたちあがり、１００Ｖでほぼ飽和に達し、輝度は
２０００ Ｃｄ ／ ｃ４で実用化に十分な輝度が得ら
れた。
発明の効果
絶縁膜の少なくとも１方に厚みが５００Å以下で、絶縁
破壊強度が１Ｘ１０６Ｖ／ｅ１）以上でかつ耐熱性が３
００℃以上である耐熱性高分子ＬＢ膜と低抵抗絶縁膜を
設けることにより低電圧で駆動させることができ、安定
な高輝度の■−■族化合物多結晶薄膜交流駆動ＥＬデバ
イスが得られる。
破壊強度が１Ｘ１０６Ｖ／ｅ１）以上でかつ耐熱性が３
００℃以上である耐熱性高分子ＬＢ膜と低抵抗絶縁膜を
設けることにより低電圧で駆動させることができ、安定
な高輝度の■−■族化合物多結晶薄膜交流駆動ＥＬデバ
イスが得られる。
Claims (2)
- （１） 透明基板上に、透明電極と、高比抵抗の第１の
絶縁膜と低比抵抗の第２の絶縁膜と、発光膜と、低比抵
抗の第３の絶縁膜と、高比抵抗の第４の絶縁膜と背面電
極を順次積層してなるＥＬディスプレイにおいて、第１
あるいは第４の絶縁膜の少なくとも１方に厚みが５００
Å以下で、絶縁破壊強度が１×１０＾６Ｖ／ｃｍ以上で
かつ耐熱性が３００℃以上である耐熱性高分子ＬＢ膜を
用いたことを特徴とする交流駆動エレクトロルミネッセ
ント・デバイス。 - （２） 耐熱性高分子ＬＢ膜が、全芳香族ポリイミド系
ＬＢ膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の交流駆動エレクトロルミネッセント・デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115459A JPH01286290A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 交流駆動エレクトロルミネッセント・デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63115459A JPH01286290A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 交流駆動エレクトロルミネッセント・デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286290A true JPH01286290A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14663075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63115459A Pending JPH01286290A (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 交流駆動エレクトロルミネッセント・デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286290A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290491A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| US6939189B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-09-06 | Ifire Technology Corp. | Method of forming a patterned phosphor structure for an electroluminescent laminate |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP63115459A patent/JPH01286290A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290491A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| US6939189B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-09-06 | Ifire Technology Corp. | Method of forming a patterned phosphor structure for an electroluminescent laminate |
| US7427422B2 (en) | 1999-05-14 | 2008-09-23 | Ifire Technology Corp. | Method of forming a thick film dielectric layer in an electroluminescent laminate |
| US7586256B2 (en) | 1999-05-14 | 2009-09-08 | Ifire Ip Corporation | Combined substrate and dielectric layer component for use in an electroluminescent laminate |
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