JPH03169683A - 情報の記録及び消去方法 - Google Patents
情報の記録及び消去方法Info
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- JPH03169683A JPH03169683A JP1311353A JP31135389A JPH03169683A JP H03169683 A JPH03169683 A JP H03169683A JP 1311353 A JP1311353 A JP 1311353A JP 31135389 A JP31135389 A JP 31135389A JP H03169683 A JPH03169683 A JP H03169683A
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
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- G11B7/2595—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on gold
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、レーザビーム等の光ビームを照射すること
によって照射部分に相変化を誘起させて情報を記録・消
去し、この相変化に伴う反射率、透過早等の光学特性の
変化を検出することにより情報を再生する情報記録媒体
に対する情報の記録及び消去方法に関する。このような
方法に用いられる情報記録媒体としては、光ディスク、
光カード、光テープ、及び光ドラム等がある。
によって照射部分に相変化を誘起させて情報を記録・消
去し、この相変化に伴う反射率、透過早等の光学特性の
変化を検出することにより情報を再生する情報記録媒体
に対する情報の記録及び消去方法に関する。このような
方法に用いられる情報記録媒体としては、光ディスク、
光カード、光テープ、及び光ドラム等がある。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課８）
従来、所謂イレーサブル光ディスク等の情報の消去が可
能な情報記録媒体として、相変化型のものが広く知られ
ている。この相変化型情報記録媒体は、例えば、ガラス
又はプラスチック（ポリカーボネート樹脂、ポリメチル
メタクリレート樹脂等）からなる基板と、この基板上に
形成された記録層とを備えている。この記録層を形戊す
る材料としては、例えばＧｅＴｅ等のカルコゲナイド系
合金が知られており、これらは異なる条件の光ビーム（
例えばレーザビーム）を照射することにより、例えば結
晶と非晶質との間で可逆的に相変化するので、この相変
化を利用して情報を記録及び消去し、これらの相変化に
伴う反射率又は透過率等の光学的特性の変化を利用して
情報を読取ることができる。
能な情報記録媒体として、相変化型のものが広く知られ
ている。この相変化型情報記録媒体は、例えば、ガラス
又はプラスチック（ポリカーボネート樹脂、ポリメチル
メタクリレート樹脂等）からなる基板と、この基板上に
形成された記録層とを備えている。この記録層を形戊す
る材料としては、例えばＧｅＴｅ等のカルコゲナイド系
合金が知られており、これらは異なる条件の光ビーム（
例えばレーザビーム）を照射することにより、例えば結
晶と非晶質との間で可逆的に相変化するので、この相変
化を利用して情報を記録及び消去し、これらの相変化に
伴う反射率又は透過率等の光学的特性の変化を利用して
情報を読取ることができる。
このような記録層としては、光ビームの照射条件によっ
て相変化が生じ易い』（晶組戊をを有する材料や金属間
化合物を形成する材料が適している。
て相変化が生じ易い』（晶組戊をを有する材料や金属間
化合物を形成する材料が適している。
しかしながら、従来、相変化型情報記録媒体に対して行
われいた結晶＾・非晶質問の相変化を利用した情報の記
録及び消失では、十分満足できる特性を保持していると
は言えない。特に、記録及び消去を一層高速化してＱｊ
−ビームオーバーライトを可能にすることが望まれてい
る。
われいた結晶＾・非晶質問の相変化を利用した情報の記
録及び消失では、十分満足できる特性を保持していると
は言えない。特に、記録及び消去を一層高速化してＱｊ
−ビームオーバーライトを可能にすることが望まれてい
る。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
記録及び消去を高速で実施することができる情報の記録
及び消去方法を提供することを目的とする。
記録及び消去を高速で実施することができる情報の記録
及び消去方法を提供することを目的とする。
［発明の構成コ
（：Ｉｌ題を解決するための手段）
この発明に係る情報の記録及び消去方法は、基板と、光
ビームの照射によって照射部分が相異なる２つの相間で
相変化する記録層とを有する情報記録媒体に対する情報
の紀紐及び消去方法であって、前記記Ｕ層の光ビーム照
射部分に非晶質と非平衡結＆＾とが混在した状態を形成
し、その部分を記録状態又は消去状態に対応させること
を特徴とする。
ビームの照射によって照射部分が相異なる２つの相間で
相変化する記録層とを有する情報記録媒体に対する情報
の紀紐及び消去方法であって、前記記Ｕ層の光ビーム照
射部分に非晶質と非平衡結＆＾とが混在した状態を形成
し、その部分を記録状態又は消去状態に対応させること
を特徴とする。
（作用）
この発明においては、記録層の光ビーム照射部分に非晶
質と非平衡結晶とが混在した状態を形成して情報の記録
又は消去を行う。非晶質の結晶化は、結晶核発生と結晶
粒の成長とからなるので、核発生の頻度が高い程結晶化
速度が速くなる。
質と非平衡結晶とが混在した状態を形成して情報の記録
又は消去を行う。非晶質の結晶化は、結晶核発生と結晶
粒の成長とからなるので、核発生の頻度が高い程結晶化
速度が速くなる。
方、記Ｄ層を構成する材料によっては、光ビーム照射の
際の急冷の度合いを調節することにより、非晶質になっ
たり非平衡相結晶になったりし、これらが出現する境昇
領域では非晶質と非平衡相結品が混在した状態が出現す
る。従って、非，！，，！，質中に非平衡ｔ口結晶が混
作した状態を形成することにより、非平衡柑結晶を核と
して直ちに結晶成長することができ、高速結晶化が可能
となる。従って、記録及び消去を高速で実施することが
できる。
際の急冷の度合いを調節することにより、非晶質になっ
たり非平衡相結晶になったりし、これらが出現する境昇
領域では非晶質と非平衡相結品が混在した状態が出現す
る。従って、非，！，，！，質中に非平衡ｔ口結晶が混
作した状態を形成することにより、非平衡柑結晶を核と
して直ちに結晶成長することができ、高速結晶化が可能
となる。従って、記録及び消去を高速で実施することが
できる。
（実施例）
以下、添付図面を参照してこの発明について具体的に説
明する。第１図はこの発明に用いられる情報記録媒体の
一例を示す断面図である。
明する。第１図はこの発明に用いられる情報記録媒体の
一例を示す断面図である。
基板１はポリオレフイン、エボキシ、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の
プラスチック、又はガラス等、この技術分野で通常用い
られる材料で形成されている。この基板１の上に、保護
層３、記録層２、保３層４及び保護層５がこの順に形成
されている。
（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の
プラスチック、又はガラス等、この技術分野で通常用い
られる材料で形成されている。この基板１の上に、保護
層３、記録層２、保３層４及び保護層５がこの順に形成
されている。
保護層３及び保護層４は、記録層２を挟むように配設さ
れており、有機高分子材料、例えばＰＭＭＡ，ボリスチ
レン等の熱可塑性樹脂若しくは紫外線硬化樹脂（所謂２
Ｐ樹脂） 又は５ ｔ Ｏ ２ 、Ａ ｌ ２ ０ ｉ
、Ａ Ｉ Ｎ ＳＺ ｎ Ｓ ｓ若しくはＺｒ０２等
の誘電体で形或される。これら保護層３，４は記録層２
が空気中の水分の影響を受けることを未然に防止する機
能、記録・消去の際にレーザビーム等の先ビームにより
把録層２の照射部分が飛散したり穴が形成されてしまう
ことを防止する機能、又は記録層の温度をコントロール
する機能等を有している。これら保護層３，４はスピン
コート法、蒸着法、スパッタリング法等によっで好適に
形成することができる。なお、これら保護層３，４の厚
みは１０入乃至数十μｍであることが好ましい。
れており、有機高分子材料、例えばＰＭＭＡ，ボリスチ
レン等の熱可塑性樹脂若しくは紫外線硬化樹脂（所謂２
Ｐ樹脂） 又は５ ｔ Ｏ ２ 、Ａ ｌ ２ ０ ｉ
、Ａ Ｉ Ｎ ＳＺ ｎ Ｓ ｓ若しくはＺｒ０２等
の誘電体で形或される。これら保護層３，４は記録層２
が空気中の水分の影響を受けることを未然に防止する機
能、記録・消去の際にレーザビーム等の先ビームにより
把録層２の照射部分が飛散したり穴が形成されてしまう
ことを防止する機能、又は記録層の温度をコントロール
する機能等を有している。これら保護層３，４はスピン
コート法、蒸着法、スパッタリング法等によっで好適に
形成することができる。なお、これら保護層３，４の厚
みは１０入乃至数十μｍであることが好ましい。
保護層５は情報記録媒体取扱う際の表面での傷やほこり
等を防止するために配設されるもので、スピンコート法
等により紫外線硬化樹脂を塗布し、これに紫外線を照射
して硬化させること等により形成される。この保３層５
の層厚は１００入乃至数十μｍであることが好ましい。
等を防止するために配設されるもので、スピンコート法
等により紫外線硬化樹脂を塗布し、これに紫外線を照射
して硬化させること等により形成される。この保３層５
の層厚は１００入乃至数十μｍであることが好ましい。
なお、保護層３，４，５は設けることが好ましいが、必
ずしも設けなくてもよい。
ずしも設けなくてもよい。
また、第２図に示すように、保：Ｊｋ層４と保護層５と
の間に反射層６を設けてもよい。この反射層６は、再生
用の光ビームを反射させて多重干渉により再生信号を増
大させる機能、及び情報の記録・消去の隙に記録層２を
急冷して後述するオーバーライトを容易化する機能を有
している。反射層６としては、Ａｕ，Ａｊ７，Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ −Ｃ『等の金属又は合金を用いることができ
る。
の間に反射層６を設けてもよい。この反射層６は、再生
用の光ビームを反射させて多重干渉により再生信号を増
大させる機能、及び情報の記録・消去の隙に記録層２を
急冷して後述するオーバーライトを容易化する機能を有
している。反射層６としては、Ａｕ，Ａｊ７，Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ −Ｃ『等の金属又は合金を用いることができ
る。
上記機能を達或するために、反射層６の厚みは数十入乃
至３０００入であることが好ましい。
至３０００入であることが好ましい。
記録層２は、光ビームの照射により非晶質相と非平衡結
晶相とが混合した状態が生起し得る材料で形成されてい
る。ここで非平衡結品相とは準安定相、高温相、高圧相
等の平衡状態では存７［シない相をいう。このような非
晶質相と非平衡結晶相とが混合した状態では、非平衡結
晶が核となり非晶質が極めて早く結晶化する。従って、
記録及び消去を高速化することができる。このような相
変化をし得る材料としてはＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ一Ｓ
ｂ−Ｔｅ，Ａｕ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ 一Ｔｅ等が
ある。
晶相とが混合した状態が生起し得る材料で形成されてい
る。ここで非平衡結品相とは準安定相、高温相、高圧相
等の平衡状態では存７［シない相をいう。このような非
晶質相と非平衡結晶相とが混合した状態では、非平衡結
晶が核となり非晶質が極めて早く結晶化する。従って、
記録及び消去を高速化することができる。このような相
変化をし得る材料としてはＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ一Ｓ
ｂ−Ｔｅ，Ａｕ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂ 一Ｔｅ等が
ある。
記録層２を例えばＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅで形成すると、先ビ
ームを照射して溶融・急冷した場合に、その急冷条件に
よって、非晶質になる場合と、高混相であるＩｎｔＳｂ
Ｔｅ２三元化合物が非・＋ｉ衡粘晶相として出現する場
合とがある。従って、非晶質及び非平衡結晶相が出現す
る境昇領域にあっては、非晶質と非平衡結晶相とが混在
した状態が出現する。Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は本質的に
結晶化速度が大きいのに加え、非ｑＪ−衡結晶相が核に
なって非晶質相が結晶化するため、これを記録層として
用いることにより初期化、記録及び消太を高速化するこ
とができる。
ームを照射して溶融・急冷した場合に、その急冷条件に
よって、非晶質になる場合と、高混相であるＩｎｔＳｂ
Ｔｅ２三元化合物が非・＋ｉ衡粘晶相として出現する場
合とがある。従って、非晶質及び非平衡結晶相が出現す
る境昇領域にあっては、非晶質と非平衡結晶相とが混在
した状態が出現する。Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は本質的に
結晶化速度が大きいのに加え、非ｑＪ−衡結晶相が核に
なって非晶質相が結晶化するため、これを記録層として
用いることにより初期化、記録及び消太を高速化するこ
とができる。
この記録層２は蒸着法、スパッタリング法等によって好
適に形成することができる。なお、合金ターゲットを使
用して蒸着又はスパッタリングする場合には、ターゲッ
ト組成と実際に形成される膜の組成とに差があることを
考慮する必要がある。
適に形成することができる。なお、合金ターゲットを使
用して蒸着又はスパッタリングする場合には、ターゲッ
ト組成と実際に形成される膜の組成とに差があることを
考慮する必要がある。
また、多元同時蒸着又は多元同時スパッタリング等によ
って成膜することもできる。記録層２の層厚は１００乃
至３０００λであることが好ましい。
って成膜することもできる。記録層２の層厚は１００乃
至３０００λであることが好ましい。
次に、第３図及び第４図を参照しながらこの火施例に係
る情報記録媒体の記録層の形戊方法の一例について説明
する。第３図はこの実施例の記録層を形成するために用
いられるスパッタリング装置の概略構或を示す縦断面図
、第４図はその横断面図である。図ψ１０は真空容器を
示し、この真空容器１０はその底面にガス導入ボート１
１及びガス排出ボート１２を有している。ガス排出ポ−
ト１２は排気装置１３に接続されており、この排気装置
１３により排出ボート１２を介して真空容器１０内が排
気される。また、ガス導入ボート１１はアルゴンガスボ
ンベ１４に接続されており、このボンベ１４から真空容
器１０内にガス導入ボ− ｔ− １ １を介してスパッ
タリングガスとしてのアルゴンガスが導入される。真空
容器１０内の上部には、基板支持用の円板状の回転基台
１５がその面を水平にして配設されており、その下面に
基板１が支持され、図示しないモータによって同転され
るようになっている。また、真空容器１０内の底部近傍
には、基台１５に対向するように、夫々記録層を構成す
る元素で夫々形成されたスパッタリング源（ターゲット
’）２１，２２．２３が配設されており、各スパッタリ
ング源には図示しない高周波電源が接続されている。記
録層２をＩｎ一Ｓｂ−Ｔｅ三元合金で形成する場合には
、スパッタリング源２１．２２．２３を夫々Ｉｎ，Ｓｂ
，Ｔｅで形成する。
る情報記録媒体の記録層の形戊方法の一例について説明
する。第３図はこの実施例の記録層を形成するために用
いられるスパッタリング装置の概略構或を示す縦断面図
、第４図はその横断面図である。図ψ１０は真空容器を
示し、この真空容器１０はその底面にガス導入ボート１
１及びガス排出ボート１２を有している。ガス排出ポ−
ト１２は排気装置１３に接続されており、この排気装置
１３により排出ボート１２を介して真空容器１０内が排
気される。また、ガス導入ボート１１はアルゴンガスボ
ンベ１４に接続されており、このボンベ１４から真空容
器１０内にガス導入ボ− ｔ− １ １を介してスパッ
タリングガスとしてのアルゴンガスが導入される。真空
容器１０内の上部には、基板支持用の円板状の回転基台
１５がその面を水平にして配設されており、その下面に
基板１が支持され、図示しないモータによって同転され
るようになっている。また、真空容器１０内の底部近傍
には、基台１５に対向するように、夫々記録層を構成す
る元素で夫々形成されたスパッタリング源（ターゲット
’）２１，２２．２３が配設されており、各スパッタリ
ング源には図示しない高周波電源が接続されている。記
録層２をＩｎ一Ｓｂ−Ｔｅ三元合金で形成する場合には
、スパッタリング源２１．２２．２３を夫々Ｉｎ，Ｓｂ
，Ｔｅで形成する。
これらスパッタリング源２１，２２．２３の上方には、
夫々モニタ装置２４，２５．２６が設けられており、こ
れらモニタ装置により各スパッタリング源からのスパッ
タリング量をモニタし、記録層が所定の組或になるよう
に各スパッタリング源に投入する電力量を調節するよう
になっている。
夫々モニタ装置２４，２５．２６が設けられており、こ
れらモニタ装置により各スパッタリング源からのスパッ
タリング量をモニタし、記録層が所定の組或になるよう
に各スパッタリング源に投入する電力量を調節するよう
になっている。
このようなスパッタリング装置においては、先ず、排気
装置により真空容器１０内を例えば１ ０−６Ｔｏｒｒ
まで排気する。次いで、ガス導入ポート１１を介して容
器１０内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置１３の
排気量を調節して真空容器１０内を所定圧力のアルゴン
ガス雰囲気に保持する。この状態で、基板１を回転させ
つつ、スパッタリング源２１．２２に所定時間所定の電
力を印加する。これにより、基板１に所定組成の記録層
が形成される。なお、保護層を形成する場合には、記録
層２の形成に先立ち、保護層の組成に調整されたスパッ
タリング源を用いて上述したようにスパッタリングする
こにより基板１上に保護層３を形成し、その後記録層２
を形成し、更に保護層３を形成する場合と同様の条件で
記録層２の上に保護層４を形或することができる。また
、反射層６を形成する場合には、反射層６の材料で形或
されたスパッタリング源を用いて同様にスパッタリング
する。
装置により真空容器１０内を例えば１ ０−６Ｔｏｒｒ
まで排気する。次いで、ガス導入ポート１１を介して容
器１０内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置１３の
排気量を調節して真空容器１０内を所定圧力のアルゴン
ガス雰囲気に保持する。この状態で、基板１を回転させ
つつ、スパッタリング源２１．２２に所定時間所定の電
力を印加する。これにより、基板１に所定組成の記録層
が形成される。なお、保護層を形成する場合には、記録
層２の形成に先立ち、保護層の組成に調整されたスパッ
タリング源を用いて上述したようにスパッタリングする
こにより基板１上に保護層３を形成し、その後記録層２
を形成し、更に保護層３を形成する場合と同様の条件で
記録層２の上に保護層４を形或することができる。また
、反射層６を形成する場合には、反射層６の材料で形或
されたスパッタリング源を用いて同様にスパッタリング
する。
次に、この発明の情報記録媒体における初期化、並びに
、情報の記録、泪去及び再生について説明する。
、情報の記録、泪去及び再生について説明する。
初期化
記録層２は成膜直後に通常非晶質であるが、情報を記録
するためには結晶である必要があるので、レーザビーム
等の光ビームを記録層２に全面照射して加熱徐冷し、記
録層２を結＾古化する。
するためには結晶である必要があるので、レーザビーム
等の光ビームを記録層２に全面照射して加熱徐冷し、記
録層２を結＾古化する。
記録
高出力でパルス幅が短い光ビームを記録層２に照射し、
照射部分を加熱急冷して非平衡結晶相から非平衡結品相
と非晶質相との混相に相変化させ、記録マークを形成す
る。このときの光ビーム照射は、非晶質と非平衡結品相
とが混在した状態となるようにする。なお、この場合の
混在状態は、非晶質中に非平衡結晶相が分散した混合状
態であってもよいし、非晶質と非平衡結晶とが積層した
状態であってもよい。
照射部分を加熱急冷して非平衡結晶相から非平衡結品相
と非晶質相との混相に相変化させ、記録マークを形成す
る。このときの光ビーム照射は、非晶質と非平衡結品相
とが混在した状態となるようにする。なお、この場合の
混在状態は、非晶質中に非平衡結晶相が分散した混合状
態であってもよいし、非晶質と非平衡結晶とが積層した
状態であってもよい。
消去
記録層２に形成された記録マーク部に、記録の際よりも
低出力でパルス幅が長い光ビームを照射して記録マーク
部を結晶に相変化させ、情報を消失する。
低出力でパルス幅が長い光ビームを照射して記録マーク
部を結晶に相変化させ、情報を消失する。
再生
情報を記録した記録層２に比較的弱い光ビームを照射し
、記録マーク部と非記録部との間の光学的特性、例えば
反射率の差を検出して情報を読取る。
、記録マーク部と非記録部との間の光学的特性、例えば
反射率の差を検出して情報を読取る。
なお、この発明に係る情報の記録及び消去方法は、単一
ビームオーバーライトに適用することが可能である。単
一ビームオーバーライトとは、単一の光源から放射され
るレーザビームを、第５図に示すように消去レベルＰ．
と記録レベルｐｗとの間でパワー変調して、消去パワー
レベルの光ビームに記録パワーレベルのパルスを重畳さ
せ、既に記録された情報を消去しながら新しい情報を重
゛ね書きす゛ることである。
ビームオーバーライトに適用することが可能である。単
一ビームオーバーライトとは、単一の光源から放射され
るレーザビームを、第５図に示すように消去レベルＰ．
と記録レベルｐｗとの間でパワー変調して、消去パワー
レベルの光ビームに記録パワーレベルのパルスを重畳さ
せ、既に記録された情報を消去しながら新しい情報を重
゛ね書きす゛ることである。
この発明を単一ビームオーバーライトに適用することが
できる理由は、この方法における相変化（結晶化）が高
速で丈施されることにある。すなわち、単一ビームオー
バーライトの場合には、ビームのパワー変調のみで記録
・消去を行うため、記録及び消去速度が大きいことが要
求される。従って、相変化速度が大きいことが要求され
るのである。
できる理由は、この方法における相変化（結晶化）が高
速で丈施されることにある。すなわち、単一ビームオー
バーライトの場合には、ビームのパワー変調のみで記録
・消去を行うため、記録及び消去速度が大きいことが要
求される。従って、相変化速度が大きいことが要求され
るのである。
なお、媒体を第２図に示す層構成にし、保護層４、５に
断熱機能を持たせ、反射層６に急冷機能を持たせること
により、一層、０１−ビームオーバーライトを容易化す
ることができる。つまり、保護層の断熱機能により消去
が行われ易くなり、反射層の急冷機能により非晶質化を
確実化することができ、もって単一ビームオーバーライ
トを行い易くすることができる。
断熱機能を持たせ、反射層６に急冷機能を持たせること
により、一層、０１−ビームオーバーライトを容易化す
ることができる。つまり、保護層の断熱機能により消去
が行われ易くなり、反射層の急冷機能により非晶質化を
確実化することができ、もって単一ビームオーバーライ
トを行い易くすることができる。
さらに、記録の際の光ビームのパワー又はパルス幅等を
何段階かに変化させて照射し、記録マークの反射率を複
数段階にする多値記録を行うことも可能である。
何段階かに変化させて照射し、記録マークの反射率を複
数段階にする多値記録を行うことも可能である。
次に、この発明の試験例について説明する。
試験例１
第１図の層構或を有し、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ三元合金で形
成された記録層を備えた先ディスクサンプルを作製した
。Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ三元系の平衡状態図では、４３５℃
以上の高温でＩｎｉＳｂＴｅ２三元化合物が出現する。
成された記録層を備えた先ディスクサンプルを作製した
。Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ三元系の平衡状態図では、４３５℃
以上の高温でＩｎｉＳｂＴｅ２三元化合物が出現する。
この高温相が出現する組或範囲は、Ｉ ｎ ９ Ｔ ｅ
ｔ、ＩｎＳｂＳＳｂ，Ｉｎ３ Ｔｅ４で囲まれた組成
範囲であることが報告されている（ Ｚ．ＭｅＬａｌ
ＩｋｄｅＢｄ．７１ （１９８０）１１．９ ）。この
試験例においては、記録層の組戒をＩｎ３ ＳｂＴｅ２
三元化合物の近傍組成であるＩ ｎ，，Ｓ ｂ．，Ｔｅ
３６にしてサンプルを作製した。このサンプルについて
、基板側から種々のパルス幅の波長８ ３ ０ ｎａ＋
の半導体レーザビームを一定強度で記録層に対物レンズ
を用いて集光照射し、その際の照射部の組織を透過電子
顕微鏡（ＴＥＭ）で調べた。その結果を第６図に示す。
ｔ、ＩｎＳｂＳＳｂ，Ｉｎ３ Ｔｅ４で囲まれた組成
範囲であることが報告されている（ Ｚ．ＭｅＬａｌ
ＩｋｄｅＢｄ．７１ （１９８０）１１．９ ）。この
試験例においては、記録層の組戒をＩｎ３ ＳｂＴｅ２
三元化合物の近傍組成であるＩ ｎ，，Ｓ ｂ．，Ｔｅ
３６にしてサンプルを作製した。このサンプルについて
、基板側から種々のパルス幅の波長８ ３ ０ ｎａ＋
の半導体レーザビームを一定強度で記録層に対物レンズ
を用いて集光照射し、その際の照射部の組織を透過電子
顕微鏡（ＴＥＭ）で調べた。その結果を第６図に示す。
第６図は、横軸に照射レーザビームのパルス幅をとり、
縦軸にレーザビーム強度をとって、照射部分の状態を示
す図である。この図において、領域Ａは照射部が非晶質
となった領域であり、領域Ｃは平衡相の結晶相となった
領域である。また、領域Ｌは溶融後平衡相の結晶相とな
った領域、領域Ｂは膜破壊を生じた領域である。また、
領域工は高温相のＩｎ３ ＳｂＴｅ２三元化合物（非平
衡結品相）が出現した領域、領域Ｍは、Ｉｎ．ＳｂＴｅ
２三元化合物と平衡結品相との混和となった領域である
。更に、領域Ｅは非晶質とＩｎｌ ＳｂＴｅ２三元化合
物とが混在した領域である。
縦軸にレーザビーム強度をとって、照射部分の状態を示
す図である。この図において、領域Ａは照射部が非晶質
となった領域であり、領域Ｃは平衡相の結晶相となった
領域である。また、領域Ｌは溶融後平衡相の結晶相とな
った領域、領域Ｂは膜破壊を生じた領域である。また、
領域工は高温相のＩｎ３ ＳｂＴｅ２三元化合物（非平
衡結品相）が出現した領域、領域Ｍは、Ｉｎ．ＳｂＴｅ
２三元化合物と平衡結品相との混和となった領域である
。更に、領域Ｅは非晶質とＩｎｌ ＳｂＴｅ２三元化合
物とが混在した領域である。
従来は、図中のＡ２−Ｃ２間の相変化、すなわち、非晶
質と平衡相結晶との間の相変化を利用して情報の記録を
行っていた。これに対し、この発明では図中の領域Ｅの
状態を記録又は消去状態とするものである。この試験例
では、非平衡Ｉｎ．ＳｂＴｅ２結晶と非晶質相とが混合
した状態を記録又は消失状態に対応させる。第６図から
明らかなように、この試験例では記録マークを非晶質と
する従来の方法に比較して低パワーレベルで記録するこ
とができ、また、より短いパルスで記録及び消去動作が
可能である。つまり、従来より高速で記録及び消去を行
え、高速でのオーバーライトに適していることが確認さ
れた。
質と平衡相結晶との間の相変化を利用して情報の記録を
行っていた。これに対し、この発明では図中の領域Ｅの
状態を記録又は消去状態とするものである。この試験例
では、非平衡Ｉｎ．ＳｂＴｅ２結晶と非晶質相とが混合
した状態を記録又は消失状態に対応させる。第６図から
明らかなように、この試験例では記録マークを非晶質と
する従来の方法に比較して低パワーレベルで記録するこ
とができ、また、より短いパルスで記録及び消去動作が
可能である。つまり、従来より高速で記録及び消去を行
え、高速でのオーバーライトに適していることが確認さ
れた。
次に、保護層３、４の材料及び記録層の厚みを変化させ
た複数のサンプルを作威し、各サンプルについて非晶質
とＩｎ３ ＳｂＴｅ２非平衡結晶相とが混狂した状態の
記録マーク部を形成し、その断面をＴＥＭにより観察し
た。その結果、保護層３、４の材料及び記録層の厚みに
よって、非晶質と非平衡結晶相との混在状態が異なり、
これらが混合している場合と、積層している場合とが存
在することが確認された。特に、記録層の厚みが大きい
場合、及び保護層として熱拡散率の低い材料を用いた場
合に非晶質と非平衡結晶相とが積層化する傾向が確認さ
れた。
た複数のサンプルを作威し、各サンプルについて非晶質
とＩｎ３ ＳｂＴｅ２非平衡結晶相とが混狂した状態の
記録マーク部を形成し、その断面をＴＥＭにより観察し
た。その結果、保護層３、４の材料及び記録層の厚みに
よって、非晶質と非平衡結晶相との混在状態が異なり、
これらが混合している場合と、積層している場合とが存
在することが確認された。特に、記録層の厚みが大きい
場合、及び保護層として熱拡散率の低い材料を用いた場
合に非晶質と非平衡結晶相とが積層化する傾向が確認さ
れた。
なお、この実施例では、記録状態を非晶質と非平衡結晶
相とが混在した状態としたが、消去状態をこのような状
態とすることもできる。
相とが混在した状態としたが、消去状態をこのような状
態とすることもできる。
［発明の効果］
この発明によれば、記録層に光ビームを照射することに
より、非晶質と非平衡結晶相とが混在した状態を生起さ
せ、その状態を記録状態又は消去状態とするので、情報
の記録及び消去を高速化することができる。従って、高
速でのオーバーライトを実現することができる。また、
比較的低いＩくワーの光ビームで情報を記録及び消去す
ることができる。
より、非晶質と非平衡結晶相とが混在した状態を生起さ
せ、その状態を記録状態又は消去状態とするので、情報
の記録及び消去を高速化することができる。従って、高
速でのオーバーライトを実現することができる。また、
比較的低いＩくワーの光ビームで情報を記録及び消去す
ることができる。
第１図及び第２図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図、第３図は記録層を形成するための装置
の概略構成を示す縦断面図、第４図はその横断面図、第
５図はオーバーライトの際のレーザパワーを示す図、第
６図は記録層に対するレーザビームの照射条件を変化さ
せた場合の照射部分の状態を示す図である。 １；基板、２；記録層、３，４．５；保護層、６；反射
層
体を示す断面図、第３図は記録層を形成するための装置
の概略構成を示す縦断面図、第４図はその横断面図、第
５図はオーバーライトの際のレーザパワーを示す図、第
６図は記録層に対するレーザビームの照射条件を変化さ
せた場合の照射部分の状態を示す図である。 １；基板、２；記録層、３，４．５；保護層、６；反射
層
Claims (1)
- 基板と、光ビームの照射によって照射部分が相異なる２
つの相間で相変化する記録層とを有する情報記録媒体に
対する情報の記録及び消去方法であって、前記記録層の
光ビーム照射部分に非晶質と非平衡結晶とが混在した状
態を形成し、その部分を記録状態又は消去状態に対応さ
せることを特徴とする情報の記録及び消去方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311353A JPH03169683A (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 情報の記録及び消去方法 |
| US07/619,080 US5206114A (en) | 1989-11-30 | 1990-11-28 | Information storage medium containing a recording layer capable of exhibiting a dual phase state |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311353A JPH03169683A (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 情報の記録及び消去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03169683A true JPH03169683A (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=18016134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1311353A Pending JPH03169683A (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 情報の記録及び消去方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5206114A (ja) |
| JP (1) | JPH03169683A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5346740A (en) * | 1990-09-25 | 1994-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JPH05151619A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-06-18 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体及び記録方法 |
| US5367514A (en) * | 1991-11-26 | 1994-11-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Phase change optical recording device and method employing a laser beam with differently energized pulse portions |
| US5750228A (en) * | 1993-02-22 | 1998-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information storage medium |
| US5505835A (en) * | 1993-02-22 | 1996-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating optical information storage medium |
| JPH0778354A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Toshiba Corp | 情報記録媒体およびそれを用いた記録方法 |
| EP1006518B1 (en) * | 1994-09-27 | 2004-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production process of optical information recording medium and production apparatus thereof |
| KR100472817B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2005-03-10 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 정보기록 매체와 그 제조 방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3530441A (en) * | 1969-01-15 | 1970-09-22 | Energy Conversion Devices Inc | Method and apparatus for storing and retrieving information |
| US3716844A (en) * | 1970-07-29 | 1973-02-13 | Ibm | Image recording on tetrahedrally coordinated amorphous films |
| JPH066393B2 (ja) * | 1984-03-07 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録・消去方法 |
| JPS61133349A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Hitachi Ltd | 分光反射率可変合金及び記録材料 |
| CN1008845B (zh) * | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
| NL8503235A (nl) * | 1985-11-25 | 1987-06-16 | Philips Nv | Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. |
| US4803660A (en) * | 1986-02-28 | 1989-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium |
| JPS63251290A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 光記録媒体と記録・再生方法及びその応用 |
| JPS63261552A (ja) * | 1987-04-18 | 1988-10-28 | Fujitsu Ltd | 光学的情報記録媒体の製造法 |
| DE3866322D1 (de) * | 1987-09-14 | 1992-01-02 | Toshiba Kawasaki Kk | Informationsspeichermedium und verfahren zu seiner herstellung. |
| JPH081707B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1996-01-10 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
| JPH078418B2 (ja) * | 1989-08-10 | 1995-02-01 | 川崎製鉄株式会社 | 急冷金属薄帯の製造装置 |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1311353A patent/JPH03169683A/ja active Pending
-
1990
- 1990-11-28 US US07/619,080 patent/US5206114A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5206114A (en) | 1993-04-27 |
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