JPH01287949A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01287949A JPH01287949A JP11743388A JP11743388A JPH01287949A JP H01287949 A JPH01287949 A JP H01287949A JP 11743388 A JP11743388 A JP 11743388A JP 11743388 A JP11743388 A JP 11743388A JP H01287949 A JPH01287949 A JP H01287949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring metal
- forming
- semiconductor device
- opening pattern
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法に鐸り、特に配線金属
の形成方法に関する。
の形成方法に関する。
［従来の技術］
従来、配線金属を形成しようとする場合には、開孔パタ
ーンの形成されている絶縁股上に、スパッタ法などによ
り配線金属を形成していたが、開孔パターンの微細化が
進むにともない、開孔パターン部分での配線金属の被覆
性が低下し問題となってきたために、被覆性の向上を目
的としてバイアス・スパッタ法が用いられるようになっ
てきた。
ーンの形成されている絶縁股上に、スパッタ法などによ
り配線金属を形成していたが、開孔パターンの微細化が
進むにともない、開孔パターン部分での配線金属の被覆
性が低下し問題となってきたために、被覆性の向上を目
的としてバイアス・スパッタ法が用いられるようになっ
てきた。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、前述のバイアス・スパッタ法だけでは、
開孔パターン周辺に堆積した配線金属２０３が開孔パタ
ーンの中に流れ込むために、第２図に示したように、開
孔パターン２０４近傍に於てその膜厚が薄くなるという
欠点を有していた。
開孔パターン周辺に堆積した配線金属２０３が開孔パタ
ーンの中に流れ込むために、第２図に示したように、開
孔パターン２０４近傍に於てその膜厚が薄くなるという
欠点を有していた。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、開孔パターンの形成
されている絶縁膜上に配線金属を形成する工程に於て、 （ａ）第１の配線金属を形成する工程、（ｂ）フォト・
エッチング技術により、開孔パターン周辺以外の第一の
配線金属を除去する工程、（ｃ）第♀の配線金属をバイ
アス・スパッタ法により形成する工程、 よりなることを特徴とする。
されている絶縁膜上に配線金属を形成する工程に於て、 （ａ）第１の配線金属を形成する工程、（ｂ）フォト・
エッチング技術により、開孔パターン周辺以外の第一の
配線金属を除去する工程、（ｃ）第♀の配線金属をバイ
アス・スパッタ法により形成する工程、 よりなることを特徴とする。
［実施例〕
第１図（ａ）〜（ｃ）で工程順にしたがって説明をする
。なお、本実施例においては、配線金属としてＡｌ−６
ｉ合金（以下、Ａｌ−８ｉと略記する。）を用いている
。
。なお、本実施例においては、配線金属としてＡｌ−６
ｉ合金（以下、Ａｌ−８ｉと略記する。）を用いている
。
すなわち、まず第１図（ａ）に示したように、開孔パタ
ーン１０４の形成されている絶縁膜１０２上の全面に第
１の配線金属としてＡｌ−８ｉ１０３をスパッタ法によ
り５０００人形成したのちに、第１図（ｂ）のように、
フォト・エッチング技術により、開孔パターン１０４近
傍にのみＡｌ−８ｉ１０３を残し、それ以外の領域のＡ
ｌ−５ｉはすべて除去する。次に、バイアス・スパッタ
法により、第２の配線金属として再度Ａｌ−５ｉ１０５
を形成する。この時、スパッタ条件は、バイアス２５０
Ｗ、基板加熱温度２５０″Ｃで、膜厚は１００００人で
ある。このように、第２の配線金属を形成するときにバ
イアスを印加し、基板を加熱することにより、開孔パタ
ーン周辺にあった第１のＡｌ−８ｉが開孔パターンの中
に流れ込むとともに、第２のＡｌ−８ｉが形成されるの
で、第１図（ｃ）に示すように開孔パターンが完全に埋
まり、しかも開孔パターン周辺に於いても第２のＡｌ−
６ｉの膜厚が薄くならず、被覆性の非常によい配線金属
が形成できている。
ーン１０４の形成されている絶縁膜１０２上の全面に第
１の配線金属としてＡｌ−８ｉ１０３をスパッタ法によ
り５０００人形成したのちに、第１図（ｂ）のように、
フォト・エッチング技術により、開孔パターン１０４近
傍にのみＡｌ−８ｉ１０３を残し、それ以外の領域のＡ
ｌ−５ｉはすべて除去する。次に、バイアス・スパッタ
法により、第２の配線金属として再度Ａｌ−５ｉ１０５
を形成する。この時、スパッタ条件は、バイアス２５０
Ｗ、基板加熱温度２５０″Ｃで、膜厚は１００００人で
ある。このように、第２の配線金属を形成するときにバ
イアスを印加し、基板を加熱することにより、開孔パタ
ーン周辺にあった第１のＡｌ−８ｉが開孔パターンの中
に流れ込むとともに、第２のＡｌ−８ｉが形成されるの
で、第１図（ｃ）に示すように開孔パターンが完全に埋
まり、しかも開孔パターン周辺に於いても第２のＡｌ−
６ｉの膜厚が薄くならず、被覆性の非常によい配線金属
が形成できている。
なお、本実施例に於いては、配線金属として、Ａｌ−６
ｉを用いているが、Ａｌ−Ｃｕなどの他のアルミニウム
合金や、タングステンやモリブデンなどの高融点金属の
様な低抵抗の金属であればなんでもよい。
ｉを用いているが、Ａｌ−Ｃｕなどの他のアルミニウム
合金や、タングステンやモリブデンなどの高融点金属の
様な低抵抗の金属であればなんでもよい。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、バイアス・スパッ
タ法により配線金属を形成するに前に、開孔パターンの
近傍に配線金属を形成しておくことにより、開孔パター
ン部分に於いても被覆性が極めてよく、しかも開孔パタ
ーン周辺に於いてもｍ厚が薄ぐなったりしない配線金属
を形成できるという効果を有する。
タ法により配線金属を形成するに前に、開孔パターンの
近傍に配線金属を形成しておくことにより、開孔パター
ン部分に於いても被覆性が極めてよく、しかも開孔パタ
ーン周辺に於いてもｍ厚が薄ぐなったりしない配線金属
を形成できるという効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｃ’）は、本発明の半導体装置の製造
方法の実施例を示す工程断面図。 第２図は、従来の半導体装置の製造方法を示す断面図。 １０１．２０１ 半導体基板 １０２．２０２ 絶縁膜 １０３ （第一の）Ａｌ−Ｓｉ２０３
Ａｌ−８１ １０４，２０４開孔パターン １０５ （第二の）Ａｌ−８ｉ以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳雅誉 他１名 第１０ 第２圓
方法の実施例を示す工程断面図。 第２図は、従来の半導体装置の製造方法を示す断面図。 １０１．２０１ 半導体基板 １０２．２０２ 絶縁膜 １０３ （第一の）Ａｌ−Ｓｉ２０３
Ａｌ−８１ １０４，２０４開孔パターン １０５ （第二の）Ａｌ−８ｉ以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳雅誉 他１名 第１０ 第２圓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 開孔パターンの形成されている絶縁膜上に配線金属を
形成する工程に於いて、 （ａ）第１の配線金属を形成する工程、 （ｂ）フォト・エッチング技術により、開孔パターン周
辺以外の第一の配線金属を除去する工程、（ｃ）第２の
配線金属をバイアス・スパッタ法により形成する工程、 よりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11743388A JPH01287949A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11743388A JPH01287949A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287949A true JPH01287949A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14711527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11743388A Pending JPH01287949A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01287949A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5250465A (en) * | 1991-01-28 | 1993-10-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor devices |
| US5288664A (en) * | 1990-07-11 | 1994-02-22 | Fujitsu Ltd. | Method of forming wiring of semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140242A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 空気調和機のツイン制御装置 |
| JPH04203740A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | Hitachi Ltd | マルチエアコン |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11743388A patent/JPH01287949A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140242A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 空気調和機のツイン制御装置 |
| JPH04203740A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | Hitachi Ltd | マルチエアコン |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5288664A (en) * | 1990-07-11 | 1994-02-22 | Fujitsu Ltd. | Method of forming wiring of semiconductor device |
| US5250465A (en) * | 1991-01-28 | 1993-10-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0310108A2 (en) | Interconnection structure of a semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPS60244048A (ja) | 耐エレクトロマイグレーシヨン性を有するアルミニウム合金導体の形成方法 | |
| US5041191A (en) | Diffusion barrier for thin film hybrid circuits | |
| JPS63156341A (ja) | 電極配線の形成方法 | |
| JPH01287949A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63249346A (ja) | 集積回路チップにおけるパツドとその形成方法 | |
| JPH0212859A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPH03218644A (ja) | 回路基板の接続構造 | |
| JP3064454B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0418760A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2798515B2 (ja) | 電子部品におけるワイヤーボンディング装置 | |
| JPS5918659A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JP3083301B2 (ja) | 金属電極配線の製造方法 | |
| JPH06120230A (ja) | 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法及びバンプ電極付き半導体部品 | |
| JPH04170031A (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JP3221471B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH0341732A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0236054B2 (ja) | ||
| JPH0499030A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62241373A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04250627A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH02187051A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6320854A (ja) | 集積回路用外部電極の形成方法 | |
| JPH03114224A (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPS6297348A (ja) | 半導体装置の製造方法 |